電子工程 98 年積體電路技術研究考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/98-%E7%A9%8D%E9%AB%94%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E7%A9%B6

第 1 題
何謂silicide？何謂salicide？試繪圖說明形成silicide 的重要步驟。（20 分）

第 2 題
試繪出SoI（silicon-on-insulator）CMOS 元件的基本結構，並說明其重要特性。
（20 分）

第 3 題
何謂triple-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明triple-well 的結構。
（20 分）

第 4 題
何謂reticle？與傳統的mask 比較下，它具有何重要特性？（20 分）

第 5 題
請解釋下列名詞：（每小題5 分，共20 分）
㈠Ion channeling effect
㈡MEMS（microelectromechanical system）
㈢OPC（optical proximity correction）
㈣SiGe-Base transistor

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。