電子工程 98 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
在共射極放大器組態中，經常會在射極端接上一電阻。此電阻最主要功能為何？
(A) 增加增益
(B) 降低輸入阻抗
(C) 節省晶片面積
(D) 穩定直流偏壓
正解：D

第 2 題
右圖中，若電晶體之VBE =0.7 伏特時，則電晶體對地電壓Vc約為多少伏特？
(A) 8.42 伏特β=1001 kΩVc2 kΩVcc = 20V
(B) 12.28 伏特400 kΩ
(C) 7.72 伏特
(D) 11.58 伏特
正解：B

第 3 題
電流增益及電壓增益均大於一的放大器組態為：
(A) CE
(B) CC
(C) CB
(D) CS
正解：A

第 4 題
如右圖所示的振盪器電路，則vo的波形為何？R2
(A) 三角波CV+
(B) 方波V+R1vo2
(C) 鋸齒波voR
(D) 弦波V-V-
正解：B

第 5 題
若一單極點（one pole）RC 低通濾波器時間常數為0.318ms，則其三分貝頻帶寬應為：R2
(A) 250 Hz
(B) 500 Hz
(C) 2 kHz
(D) 5 kHz
正解：C

第 6 題
下列有關右圖電路之敘述，何者正確？
(A) 輸出為正弦波
(B) 為單穩態電路R1
(C) C1增大則輸出訊號頻率增大VO
(D) R3降低則輸出訊號頻率增大VAR3C1
正解：D

第 7 題
若一固定電流源差動放大器的各個BJT參數均相同（β0 = 100、rπ = 1 kΩ），則此放大器的差模（differentialmode）輸入端阻抗值約為：
(A) 200 Ω
(B) 2 kΩ
(C) 20 kΩ
(D) 200 kΩ
正解：B

第 8 題
右圖所示電路為何種濾波器（Filter）？vivoLRC
(A) 高通
(B) 低通
(C) 帶通
(D) 帶拒
正解：A

第 9 題
一般而言，石英振盪器的振盪頻率，主要是由下列何項所決定？
(A) 直流偏壓工作點
(B) 石英晶體的特性
(C) 接地電阻
(D) 輸出電壓大小
正解：B

第 10 題
如右圖所示為主動高通濾波器電路，則低頻截止頻率與低頻增益衰減率為：
(A) 2121CCRR21π，20db/decadeR3R4VoViR2R1C2C1
(B) 2121CCRR21π，40db/decade
(C) 2121CCRR21π，20db/decade
(D) 2121CCRR21π，40db/decade
正解：D

第 11 題
四個完全相同的揚聲器同時響時，其音量比兩個完全相同的揚聲器同時響時，高出多少分貝（dB）？
(A) 3
(B) 6
(C) 9
(D) 2
正解：A

第 12 題
下列有關金氧半場效電晶體之敘述，何者正確？
(A) 閘極至源極電容（Cgs）與汲極電流成正比
(B) 閘極至汲極電容（Cgd）與電晶體閘極寬度成正比
(C) 輸出電阻（ro）與汲極電流成正比
(D) 互導（g m）與汲極電流成正比
正解：B

第 13 題
如右圖所示，電路使用一個4X1 多工器可執行下述何交換函數f (x, y, z)？
(A) Σ(0,2,3,5,7)多工器I1I2I3I01xxxzyS0S1Yf (x, y, z)
(B) Σ(0,1,3,7)
(C) Σ(0,2,3,5)
(D) Σ(0,2,3,4,5,7)Vcc
正解：A

第 14 題
如右圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，則此為何種邏輯閘？
(A) OR 閘
(B) NOR 閘R2R4R1
(C) AND 閘Q3
(D) NAND 閘D3Q2VAQ1VOD1Q4VBR3D2
正解：D

第 15 題
D 型正反器（D-type flip-flop）主要是使用下列何項功能？
(A) 延遲
(B) 加法
(C) 乘法
(D) 及閘（AND GATE）
正解：A

第 16 題
如右圖之CMOS靜態隨機存取記憶元（SRAM cell）中，若V1=0V，則V2=？
(A) 0VDD
(B) VDD/2WLBLM1V1V2
(C) VDDWL
(D) 2 VDDLBM2
正解：C

第 17 題
下列有關雙極性接面電晶體射極接面小訊號擴散電容之敘述，何者正確？
(A) 隨射極電流上升而上升
(B) 隨基極電流上升而下降
(C) 隨基極摻雜濃度上升而下降
(D) 與集極之多數載子濃度之變化有關
正解：A

第 18 題
發光二極體（light emitting diode）所發光的顏色，主要是由下列何者所決定？
(A) 外加電壓的大小
(B) 外加電流的大小
(C) 操作溫度
(D) 材料本身能隙（energy bandgap）的大小
正解：D

第 19 題
右圖電路可執行何種邏輯運算？VDD
(A) ANDBVOAVi基本放大器回授網路β
(B) OR
(C) NAND
(D) NOR
正解：C

第 20 題
由p-n 接面二極體所形成的太陽電池和光偵測器，在操作上最大的差異為何？
(A) 太陽電池在順偏操作，而光偵測器通常在逆偏操作
(B) 太陽電池需要較大逆向偏壓，而光偵測器通常需要較小的反偏
(C) 太陽電池需要產生光子，而光偵測器為接受光子
(D) 太陽電池消耗功率較小，而光偵測器較大
正解：A

第 21 題
下列那一種二極體具有穩壓功能？
(A) 隧道二極體（tunnel diode）
(B) 發光二極體（light emitting diode）
(C) 稽納二極體（Zener diode）
(D) 蕭特基二極體（Schottky diode）
正解：C

第 22 題
一般而言，下列何者為射極隨耦器（Emitter Follower）之性質？
(A) 電壓增益1
(B) 電壓增益≈> 1
(C) 電流增益≈1
(D) 電流增益 < 1
正解：A

第 23 題
BJT直流工作特性曲線中，在順向作用區（forward active region）時其I C值會隨VCE值增加而微增，此乃因何效應？
(A) 歐姆效應
(B) 布朗克效應（Planck effect）
(C) 爾利效應（Early effect）
(D) 愛因斯坦效應（Einstein effect）
正解：C

第 24 題
某雙極性接面電晶體工作在VCE =10 V, IB =10 µA, IC =10 mA情況下，此電晶體之α值應為：
(A) 0.968
(B) 0.976
(C) 0.989
(D) 0.999
正解：D

第 25 題
在雙極性接面電晶體中為了獲得整體特性的最佳設計，其射極（E）、基極(B)、集極(C)的摻雜濃度情況應為：
(A) E > B > C
(B) C > B > E
(C) B > E > C
(D) B > C > E
正解：A

第 26 題
一負回授放大器的系統方塊圖如下所示，如與無回授放大器比較，下列何者不為此種系統具有之特性？
(A) 頻寬增加
(B) 雜訊減少
(C) 失真減少
(D) 增益增加
正解：D

第 27 題
如右圖所示電路，電晶體之β=100，在vs=0 時，IB約為：
(A) 10 mA
(B) 10μA
(C) 5μA
(D) 1μA
正解：C

第 28 題
如右圖所示電路，其中Vref >0 下列敘述何者為非？
(A) 當Vi > -Vref時，Vo為負飽和
(B) 當Vi < -Vref時，Vo為正飽和
(C) 當Vi + Vref > 0 時，Vo為負飽和
(D) 當Vi < Vref時，Vo為正飽和AVDDY+10V+10V5 kΩ5 kΩvoIBvs9.3 kΩ-10V+VccRViRVoVref-VEER
正解：D

第 29 題
若右圖電路之輸入為一弦波，則輸出波型為：
(A) 弦波C
(B) 方波Vi
(C) 三角波Vo
(D) 定電壓
正解：A

第 30 題
為使一差動放大器（Differential amplifier）的共模拒斥比CMRR 值變大，則應如何為之？
(A) 減少基極電阻
(B) 減少射極電阻
(C) 加大射極電阻
(D) 加大集極電阻
正解：C

第 31 題
運算放大器的轉動率（slew rate）的單位為：
(A) RPM
(B) V/µs
(C) km/s
(D) rad/s
正解：B

第 32 題
如右圖示之電路，若電晶體之β = 100，則此電晶體操作於：+10 V3 K
(A) 截止模式（cut-off mode）
(B) 作用模式（active mode）50 K
(C) 飽和模式（saturation mode）
(D) 反轉模式（inverted mode）+5 V
正解：C

第 33 題
如右圖所示電路，若輸入電壓Vi為具正負值之弦波，則下列敘述何者為非？
(A) 此電路為精密全波整流電路VoViDRvovsac linevoltage交流線電壓
(B) 當輸入為正半週時（Vi>0），則D1導通，D2截止
(C) 當輸入為負半週時（Vi<0），則D1截止，D2導通D2D1ViR1R2
(D) 當輸入為負半週時（Vi<0），則輸出i12oVRRV−=Vo
正解：A

第 34 題
若一個非理想運算放大器之差動電壓增益為100，則當右圖電路之Vi =1V時，輸出電壓（Vo）約等於：
(A) 9.9 V
(B) 1 V
(C) 0.99 V
(D) 0.9 V
正解：C

第 35 題
右圖為一半波整流電路，設vs的頻率為60 Hz，請問整流後vo的漣波頻率為多少？
(A) 30 Hz
(B) 60 Hz
(C) 120 Hz
(D) 240 Hz
正解：B

第 36 題
下列何者不是理想運算（OP）放大器之特性？
(A) 開路增益無窮大
(B) 頻寬無窮大
(C) 輸出阻抗無窮大
(D) 輸入阻抗無窮大
正解：C

第 37 題
要構成一個全波整流電路至少要使用幾個p-n 接面二極體？
(A) 一個
(B) 二個
(C) 三個
(D) 四個
正解：B

第 38 題
二極體變容器（varactor）使用時，應加上何種偏壓？
(A) 逆向偏壓
(B) 順向偏壓
(C) 順逆向偏壓均可
(D) 無需偏壓
正解：A

第 39 題
如右圖所示為一個MOSFET放大器的小信號等效電路模型，此電路的電壓增益（vo / vi）為何？
(A) -gm(ro + RD)RDrogmVgsVgsvo
(B) -gm RD
(C) -gm ro RDvi
(D) -gm(ro // RD)
正解：D

第 40 題
一般而言，增強型MOSFET 的通道為下列何種物理機制所形成？
(A) 電場所產生的半導體型態 反轉
(B) 電場所產生的崩潰
(C) 電場所產生的漏電流
(D) 電場所產生的發光
正解：A

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。