電子工程 98 年電子學概要考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/98-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E6%A6%82%E8%A6%81

第 1 題
㈠在室溫下，對於一個本質（intrinsic）或低濃度的n 型半導體，如果溫度上升，請
問此半導體的電阻會如何變化？是上升？或下降？還是不變？請解釋你的答案。
（10 分）
㈡在室溫下，對於一個p-n 二極體，如果溫度上升，請問此p-n 二極體的截止電壓
（cut-in）或臨界電壓會如何變化？是上升？或下降？還是不變？請解釋你的答
案。（10 分）

第 2 題
對於一理想運算放大器，試求以輸入電壓v1與v2表示下圖運算放大器電路的輸出電
壓vO。（20 分）

（請接背面）

第 3 題
對於下圖的雙極性電晶體（BJT）電路，假設電晶體的電流增益β = 100，計算流經
1 kΩ電阻的電流值與基極端的電壓值。（20 分）

Q1
+5 V
+5 V
10 kΩ
1 kΩ
Q2
R2
v2
v1
R4
R3
R1
-
+
vO
-
+
-5 V
98年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 代號：41530
類  科： 電子工程

第 4 題
對於下圖的金氧半電晶體（MOSFET）電路，假設電晶體的參數Vt = 2 V，K = 0.25 mA/V2，
及 ro = ∞，求在源極端的輸出直流電壓VO與自源極端所看進去的小訊號電阻。（20 分）

+10 V
+4 V
Rin
1 mA
VO

第 5 題
對於下圖的差動放大器（differential amplifier）電路，假設電晶體的電流增益β = 100，
計算此電路的電壓增益與輸入電阻。（20 分）

Q1
+10 V
0.5 mA
Q2
vo
Ri
20 kΩ
200 Ω
200 Ω
vi

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。