電子工程 99 年積體電路製程技術考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
㈠描述並繪出微影（Lithography）技術中，使用正光阻（Positive Photoresist）及負
光阻（Negative Photoresist）於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為：
光阻（Photoresist）/薄膜（Film）/基板（Substrate）。㈡同時比較兩種光阻在解析
度（Resolution）、對比（Contrast）、線幅（Line Width）之結果。㈢並説明在多少
相對濕度環境下會有較好的黏附（Adhesion）。（20 分）

第 2 題
㈠敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型
積體電路 （ULSI） 應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Precleaning）技術在沉積
速率（Deposition Rate）、選擇率（Selectivity）、矽耗（Si Consumption）、黏附
（Adhesion）之影響特性。㈡並説明上述結果與傳統 RCA 清潔（RCA Cleaning）
技術之比較。（ 20 分）

第 3 題
㈠説明電子迴旋共振化學氣相沉積（Electron Cyclotron Resonance, ECR-CVD）技
術之優點。㈡描述ECR二氧化矽（SiO2）之氧化機構（Oxidation Mechanism）。
㈢並説明與高溫爐乾/濕式（Furnace Dry/Wet）氧化機構之差異。（ 20 分）

第 4 題
討論從半導體元件物理觀點，如何製造一個好的歐姆接觸（Ohmic Contact）？
（ 20 分）

第 5 題
㈠説明在砷化鎵（GaAs）中，什麼是點缺陷（Point Defect）？㈡為什麼可以容易製
造半絕緣砷化鎵材料？（ 20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。