電子工程 99 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
如下圖中，將OR 閘的輸出回授到輸入，此電路將可得到那項功能？
(A) 微分
(B) 積分
(C) 記憶
(D) 放大
正解：C

第 2 題
承上題圖中若加上AND 閘，如下圖所示，此時AND 閘的B 輸入端對整個電路的輸出有何功用？
(A) 微分
(B) 積分
(C) 記憶消除
(D) 放大
正解：C

第 3 題
如圖所示之串級電路，已知β1＝β2＝50，則此放大器的輸入阻抗（Ω）為：
(A) 1 k
(B) 50 k
(C) 100 k
(D) 2500 k
正解：D

第 4 題
下列電路Q1及Q2操作於何種區域？（提示：ID＝Kn(VGS－Vtn)2）
(A) Q1，Q2皆線性區
(B) Q1飽和區，Q2線性區
(C) Q1，Q2皆飽和區
(D) Q1線性區，Q2飽和區
正解：D

第 5 題
承接前一題電路，其VO值約為：
(A) 1 V
(B) 2 V
(C) 3 V
(D) 4 VVCC=12 VVo+－RE=1 kΩ+Vi－Q1Q2VDD=5 V5 VVO+－Kn2=50 mA/V2Vtn2=2 VKn1=10 mA/V2Vtn1=2 VQ2Q1VG1ABZ輸入輸出
正解：B

第 6 題
對n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）與p通道金氧半場效電晶體（P-MOSFET）之臨界電壓（threshold voltage）V 的敘述，下列何者正確？t
(A) 常閉（normally off）NMOS之V ＞0，而常通（normally on）PMOS之V ＜0tt
(B) 常通NMOS之V ＞0，而常通PMOS之V ＜0tt
(C) 常閉PMOS之V ＞0，而常通PMOS之V ＜0tt
(D) 常閉NMOS之V ＞0，而常通PMOS之V ＞0tt
正解：D

第 7 題
在矽晶接面二極體中，若增加p 型區和n 型區的摻雜濃度，下面那一項物理量會隨之上升？
(A) 空乏區厚度
(B) 內建電壓（Built-in potential）
(C) 導通時的微分電阻
(D) 崩潰電壓
正解：B

第 8 題
如圖電路，設運算放大器為理想的，則電壓增益A ＝V為：/ VvOI
(A) -R2 / R1R2R1VIVO+－
(B) +R2 / R1
(C) -(R1+R ) / R21
(D) +(R1+R ) / R21
正解：D

第 9 題
理想運算放大器具有虛擬短路（Virtual short circuit）性質，主要是由於下列何種特性所造成？
(A) 具有零輸出阻抗
(B) 具有無窮大的輸入阻抗
(C) 具有無窮大的頻寬
(D) 具有無窮大的開迴路電壓增益
正解：D

第 10 題
在雙極性接面電晶體（BJT）直流偏壓電路下，就熱穩定特性而言，下列何者正確？
(A) 溫度增加，IC值降低，VCE降低
(B) 溫度增加，IC值增加，VCE降低
(C) 溫度增加，IC值降低，VCE增加
(D) 溫度增加，IC值增加，VCE增加
正解：B

第 11 題
在雙極性接面電晶體（BJT）的小信號等效電路中，其傳輸電導（transconductance）gm與其大信號直流操作電流IC及大信號直流操作電壓VCE之關係為何？
(A) gm會隨I 的增加而增加
(B) gCm會隨I 的增加而減少C
(C) gm會隨V的增加而增加
(D) gCEm會隨V的增加而減少CE
正解：A

第 12 題
相較於傳統的電流源結構如圖1 所示，今有一威德勒電流源（Widlar current source）如圖2 所示，其中兩顆BJT電晶體均工作在主動區（active region），集極電流（Ic）與基-射極間電壓（VBE）呈對數函數關係，即⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛=SCTBEIIVVn1，其中VT＝kT/e是熱電壓（thermal voltage），在室溫時VT約為25 mV，Is為飽和電流。下列對威德勒電流源特性與傳統電流源比較的描述何者正確？VDDIOIREFR1ROQ1Q2GND圖1GND圖2Q2Q1ROIOIREFR1VDDR2
(A) 威德勒電流源可以產生極大的電流源IO
(B) 威德勒電流源可以產生極小的電流源IO
(C) 威德勒電流源可以產生極穩定的輸出電壓
(D) 威德勒電流源可以產生極小的輸出電阻RO
正解：B

第 13 題
為減少積體電路的功率損耗，下列那種電路最省能源？
(A) CMOS 電路
(B) NMOS 電路
(C) TTL 電路
(D) ECL 電路
正解：A

第 14 題
一個不穩態多諧振動器（astable multivibrator）的輸出波形，一般為：
(A) 方波
(B) 三角波
(C) 脈波
(D) 正弦波
正解：A

第 15 題
如圖所示為555 計時器IC 所組成之電路，則下列敘述何者錯誤？+VccVoR1R2C2C148376215555計時器+－－ +121)2(44.1CRR +
(A) 為一個非穩態振盪器
(B) 振盪頻率為%1002211×+ RRR
(C) V 輸出為方波
(D) 工作週期（Duty Cycle）為o
正解：D

第 16 題
如圖所示的振盪器電路，其功能為何？+－RV+V－CR1R2vo
(A) 三角波振盪器
(B) 方波振盪器
(C) 鋸齒波振盪器
(D) 弦波振盪器
正解：B

第 17 題
在MOSFET 電路中，對於共汲（Common drain）放大器的米勒效應（Miller effect）的敘述何者正確？
(A) 共汲放大器的米勒效應大是因為其負載電阻大的關係
(B) 共汲放大器的米勒效應小是因為輸出端與輸入端無寄生電容的關係
(C) 共汲放大器的米勒效應大是因為其電流增益大的關係
(D) 共汲放大器的米勒效應小是因為其電壓增益小的關係
正解：D

第 18 題
由一個MOSFET 組成的共汲極（又稱源極隨偶器）電路，其小信號電壓增益為何？
(A) 大約為 +1
(B) 大約為 -1
(C) 大約為零
(D) 為無窮大
正解：A

第 19 題
齊納二極體（Zener diode）具備下列何種應用功能？
(A) 倍壓器
(B) 方波產生器
(C) 整流器
(D) 諧振器
正解：B

第 20 題
一差動放大器（Differential amplifier）之共模拒斥比CMRR＝80 dB、差模增益Ad＝1000，假設此差動放大器之差模輸入訊號Vd＝0.02 V、共模輸入訊號V ＝10 V；則此差動放大器之輸出電壓為：c
(A) 10 V
(B) 20 V
(C) 11 V
(D) 21 V
正解：D

第 21 題
如圖所示電路，若其輸入電壓V 為方波，則其輸出電壓V 之波形為：iO
(A) 三角波C+－RViVOVit
(B) 脈波
(C) 弦波
(D) 方波
正解：A

第 22 題
多級串接放大器之級數增加時，下列何者正確？
(A) 頻寬越窄
(B) 穩定性越佳
(C) 輸入阻抗越高
(D) 輸出阻抗越小
正解：A

第 23 題
對共基極電路之描述，下列何者正確？
(A) 功率增益最高
(B) 輸出阻抗最高
(C) 電流增益最高
(D) 輸入阻抗最高
正解：B

第 24 題
對於雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區時，下列有關其接面偏壓狀況之敘述何者正確？
(A) 集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓
(B) 集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓
(C) 集基極接面逆向偏壓而且射基極接面逆向偏壓
(D) 集基極接面順向偏壓而且射基極接面逆向偏壓
正解：A

第 25 題
在正常的npn 雙極性接面電晶體（BJT）結構中，那一層需要最薄？
(A) 射極
(B) 基極
(C) 閘極
(D) 汲極
正解：B

第 26 題
下述有關交換函數之敘述，何者錯誤？
(A) A．1＝A
(B) A+1＝1
(C) A♁1＝1
(D) A♁0＝A
正解：C

第 27 題
如圖所示之頻率響應的放大器，則此放大器為何種濾波器？
(A) 低通增益頻率
(B) 高通
(C) 帶通
(D) 帶拒
正解：C

第 28 題
如圖所示的振盪電路，其輸出電壓VO的波形為：
(A) 方波C+－+－RVOR2R1
(B) 梯形波
(C) 正弦波
(D) 三角波
正解：D

第 29 題
一放大器的電流增益＝20 dB，電壓增益＝20 dB，其功率增益＝？
(A) 0 dB
(B) 20 dB
(C) 40 dB
(D) 400 dB
正解：C

第 30 題
下圖是一個雙極性接面電晶體（BJT）放大器電路，假設C1、C2、CE三個電容值趨近於無窮大，則電容C 在此電路內扮演的角色為何？1CC1C2CEBE10 V-10 VI=2 mA4 kΩ10 kΩβ = 50vivo
(A) 隔離信號vi與B極之間交流振幅的差異
(B) 隔離信號vi與B極之間直流準位的差異
(C) 隔離信號vi與B極之間有效（均方根）電壓的差異
(D) 耦合信號vi的有效（均方根）電流進入B極
正解：B

第 31 題
有一增強型n 通道的MOSFET 元件，指定其電壓參考極性與電流參考方向如下圖所示：今欲測量其電流-電壓特性曲線（I-V curve），則最正確的曲線圖為：GDBS+iDvDSvGS+－－
(D) vDSiDiDiDvDSiDvDSvDS
正解：A

第 32 題
下圖是下列那個元件的特性曲線？平方υV0i  (υ-V0)2i∝
(D) i+－υi+－υi+－υ+－υi
正解：B

第 33 題
下圖所示之電路中，若齊納二極體（Zener diode）之齊納電壓（Zener voltage）為10 V，則流經Rload之輸出電流為何？1 kΩ45 V500 ΩRload
(A) 30 mA
(B) 20 mA
(C) 10 mA
(D) 0 mA
正解：B

第 34 題
圖1 為差動放大電路，若R ＝R12＝20 kΩ、R3＝5 kΩ、Q 及Q12具有相同的電性參數，且其低頻小信號等效電路如圖2 所示，則小信號電壓增益v  / v 約為：oi
(A) 22+－－+圖1圖2+VCCR1R2R3VoViQ1Q2-VCCRin0.5 mABCib100 ib100 ΩE
(B) 37
(C) 45
(D) 75
正解：A

第 35 題
承上題，圖1 中之等效小信號輸入阻抗Rin為：
(A) 15 kΩ
(B) 20.2 kΩ
(C) 35 kΩ
(D) 42.7 kΩ
正解：B

第 36 題
如圖的運算放大器電路中，通常R 的值為：3
(A) R3＝R+－R2R1VIVOR31
(B) R3＝R2
(C) R3＝R ＋R12
(D) R3＝R1∥R2
正解：D

第 37 題
迴轉率（Slew Rate）為10 V/μs 的運算放大器，所能產生振幅峰對峰值20 V 三角波的最大頻率為：
(A) 500 kHz
(B) 250 kHz
(C) 150 kHz
(D) 125 kHz
正解：B

第 38 題
在雙極性接面電晶體（BJT）的特性曲線中，當IB電流固定時，IC電流隨著VCEB電壓增加而增加的現象稱為：
(A) 穿透效應（Punch-through Effect）
(B) 厄力效應（Early Effect）
(C) 體效應（Body Effect）
(D) 崩潰效應（Breakdown Effect）
正解：B

第 39 題
有一個由兩級相同的帶通放大器串接而成的放大電路，單一級的高頻截止頻率為10 kHz，低頻截止頻率為160 Hz，則此串接電路的總頻寬約為：
(A) 6.15 kHz
(B) 10.15 kHz
(C) 12.15 kHz
(D) 15.15 kHz
正解：A

第 40 題
下列那一種放大器具有很低之輸入阻抗？
(A) 共集極（common collector）放大器
(B) 共源極（common source）放大器
(C) 共汲極（common drain）放大器
(D) 共閘極（common gate）放大器
正解：D

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。