專利師 115 年電子學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/patent-attorney/115-electronics

第 1 題
如圖一所示電路，若二極體D1 及D2 導通時，皆採用VD = 0.7V 之定電
壓模型。
㈠判斷D1 及D2 的導通狀態。（5 分）
㈡VO =？（5 分）
㈢ID1 =？（5 分）
㈣ID2 =？（5 分）
圖一
+ 3V
3 kΩ
ID2
ID1
1 kΩ
— 3V
Ｖo
D2
D1

第 2 題
如圖二所示電路，其中BJT 之= 50。
㈠請證明BJT 操作在飽和區，並計算forced =？（8 分）
㈡VC =？（4 分）
㈢若使BJT 操作在飽和區的邊界，則RB =？（8 分）
圖二

第 3 題
如圖三所示放大電路，其中BJT 之VBE = 0.7V，= 100。
請計算：
㈠IE =？（5 分）
㈡BJT 小信號模型參數re =？（5 分）
㈢Rin =？（5 分）
㈣Av = vo/vsig =？（5 分）
圖三
vo
Rin
VC
+ 3V
1 kΩ
RB = 10 kΩ
0.5 mA
∞
∞
vsig
Rsig = 50 Ω
100 kΩ
5 kΩ

第 4 題
如圖四所示之NMOS 電路，其中NMOS 的參數如下：
Vt = 0.5V, nCox = 500A/V2, =0, L1 = L2 = 0.18m。
試求：
㈠Q1 所需的通道寬度（channel width）W1 =？（8 分）
㈡Q2 所需的通道寬度（channel width）W2 =？（8 分）
㈢欲得到如圖四所標示的電壓、電流，則電阻R =？（4 分）
圖四

第 5 題
如圖五所示之差動放大電路，其中BJT 之= 100，VA = 100V。
試求：
㈠差模增益Ad =？（5 分）
㈡差模輸入電阻？（5 分）
㈢若RC 的誤差為1%，則共模增益Acm=？（5 分）
㈣共模拒斥比CMRR =？（5 分）
圖五
+ 1.8 V
+ 1.4 V
+ 0.6 V
0.1 mA
R
Q2
Q1
+ 10 V
— vod +
RC
10 kΩ
RC
10 kΩ
200
kΩ
200
kΩ
300 kΩ
20 kΩ
RL
0.5 mA
0.5 mA
Q2
Q1
RE

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