智慧財產法院行政判決

再審原告

矽創電子股份有限公司

代表人

毛穎文

訴訟代理人

陳群顯 律師

訴訟代理人

許凱婷 律師

再審原告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花

訴訟代理人

莊榮昌

再審被告

晶宏半導體股份有限公司

代表人

徐豫東

訴訟代理人

洪榮宗 律師

訴訟代理人

楊東晏 律師

訴訟代理人

林紋鈴 律師

輔佐人

謝永成

上列當事人間發明專利舉發事件，再審原告對於中華民國100 年3 月10日本院99年度行專訴字第25號判決、100 年12月8 日最高行政法院100 年度判字第2130號判決，向最高行政法院提起再審之訴，經最高行政法院裁定移送本院審理。本院判決如下：

主文

事實

壹、事實概要：再審被告於民國92年11月26日以「具有凸塊之半導體裝置」向再審原告經濟部智慧財產局（下稱智慧財產局）申請發明專利，經智慧財產局編為第92133255號審查准予專利，發給發明第I2 39580號專利證書（下稱系爭專利）。嗣再審原告矽創電子股份有限公司（下稱矽創公司）於96年6 月15日以系爭專利違反專利法第22條第1 項第1 款、第4 項及第26條第2 項、第3 項規定，對之提起舉發。97年6 月18日再審被告提出更正申請，經智慧財產局審查認不應准予更正，且為「舉發成立，應撤銷專利權」審定。再審被告不服，提起訴願，經訴願機關認原審定有理由不備之違誤，而為「原處分撤銷，由原處分機關另為適法之處分」決定。經智慧局重為審查，並於98年7 月21日以(98)智專三（二）04066 字第09820439940 號專利舉發審定書仍為「舉發成立，應撤銷專利權」之審定。再審被告不服，提起訴願，遭決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。因認本件訴訟之結果，再審原告矽創公司之權利或法律上利益將受損害，本院爰依職權裁定命其獨立參加訴訟。嗣經本院於100 年3 月10日以99年度行專訴字第25號判決訴願決定及原處分均撤銷，再審原告矽創公司不服提起上訴，經最高行政法院100 年12月8 日100 年度判字第2130號判決，判決駁回而確定。嗣再審原告矽創公司以上開確定判決有行政訴訟法第273 條第1 項第1 款、第14款之再審事由，向最高行政法院提起再審之訴。行政訴訟法第273 條第1 項第1 款部分由最高行政法院另為判決，而第273條第1 項第14款部分，則經最高行政法院以100 年度裁字第2977號裁定移送本院審理。

貳、再審原告矽創公司主張：

一、再審被告係將原公告本申請專利範圍第1 項、第14項第8 行所載：其中，保護層開口之一寬度係被限定至不大於8 μm。更正為「保護層之該開口，其相鄰銲墊方向之寬度係被限定不大於8 μm 」。惟依本院99年度行專訴字第25號行政判決見解，將請求項之上位概念更正為發明說明中未明確記載之下位概念，其更正之結果將導致實質變更原核准公告之申請專利範圍，依專利法第64條第2 項之規定，不應予以准許。則系爭專利原專利說明書於敘及「一寬度」時，從未明確記載任何有關必須限定由「相鄰銲墊方向量測」作為限制條件之文字，「相鄰銲墊方向量測」縱為「一寬度」之下位概念，此仍非屬專利審查基準第2-6-69頁第(3) 點規定之「原發明說明中已明確記載且為發明說明所支持者」，此部分之更正將導致實質變更申請專利範圍，依專利法第64條第2 項規定，更正不應予以准許。智慧局97年8 月15日(97)智專三（二）04066 字第09720430360 號舉發審定書第2 頁第22至28行對此更正亦已有清楚之論述說明，原審未予詳查，繼而發回智慧局重為審查，實無理由。

二、舉發證據14為「飛利浦6206/2晶片之檢測報告及其相關經認證之聲明書」；舉發證據16為「NOKIA3410 手機及其晶片模組之檢測報告及其相關經認證之聲明書」。由舉發證據14第11頁及證據16第18頁所揭露之技術特徵可知，「保護層開口」可以「短邊相鄰」之方式排列。在此情況下，「相鄰銲墊方向」所量測到之數值分別為「29.1μm 」、「16.0μm 」，則舉發證據14、16已明確揭露「相鄰銲墊方向所量測到之數值可能為長邊」時，將「保護層開口之寬度」限於「相鄰銲墊方向」，絕非系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，可直接無歧異得知。原審於判斷「相鄰銲墊方向之寬度」部分之更正，應否准許時，對舉發證據14、16所揭露「習知之保護層開口有各種可能之排列態樣，故相鄰銲墊方向量測到之數值可能為長邊」技術特徵，未置一詞。再者，原審未斟酌舉發證據14、16所揭露之前揭技術特徵下，逕以「將開口寬度之測量方向限定為相鄰銲墊方向，是否如原告所主張為所屬技術領域之通常知識，此於被告及訴願機關分別各兩次之審定及決定中均未加以論述」為由，認定本件有發回智慧局重為審查之必要，作出與最高行政法院99年度判字第1314號判決迥然不同之判斷。倘原審有對舉發證據14、16所揭露之技術特徵予以斟酌，當可輕易作出「將寬度限於相鄰銲墊方向量測，已超出說明書或圖式所揭露之範圍，亦非系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，可直接無歧異得知，且此更正之結果將導致實質變更原核准公告之申請專利範圍，故本件更正自不應予准許」之判斷。復由最高行政法院99年度判字第1314號判決可知，最高行政法院已明確認定，不論由系爭專利說明書或一般社會通念，均可清楚得知系爭專利請求項1 、14所稱之寬度為「短邊」，絕非「相鄰銲墊之方向」。故再審被告將「一寬度」更正為「其相鄰銲墊方向之寬度」，當已逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，且與一般社會通念不符，亦非系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，可直接無歧異得知，已實質變更原核准公告之申請專利範圍，依專利法第64條第2 項之規定，本件更正自應不予准許。職是，本件漏未斟酌舉發證據14、16，確實足以影響判決結果。

三、再審被告於101 年8 月14日再審答辯理由狀第11頁第12至13行已明確自承，系爭專利之保護層開口寬度「得以為」相鄰銲墊方向所量測。則在系爭專利之保護層開口寬度僅係「得以為」相鄰銲墊方向量測之情況下，系爭專利保護層開口寬度自當仍有「非相鄰銲墊方向量測」之可能。系爭專利之保護層開口寬度之量測方向至少隱含「相鄰銲墊方向量測」與「非相鄰銲墊方向量測」兩種不同之意義。依據專利審查基準專利審查基準第2-6-3 頁之規定可知，倘原說明書或圖式所記載之事項可能隱含多數個意義，縱使更正後之事項雖屬於其中一個或某些意義，然由於一個或某些個意義並非更正前所明確定義之特定事項，則更正後所限定之事項，不得認為係由原說明書及圖式即能直接且無歧異得知者。職是，縱更正後之事項屬於其中一個意義，惟因「保護層開口之寬度需限於相鄰銲墊方向量測」，並非更正前所明確定義之特定事項，故「寬度為相鄰銲墊方向量測」自不得謂其屬「自原說明書及圖式即能直接無歧異得知」之事項。

四、行政訴訟法第273 條第1 項但書所排除之情形，應限於「再審原告所提出之再審事由，於上訴階段即已提出，且該主張業經上訴法院予以實質審酌」情形，非再審原告於上訴階段曾主張該事由，即可在不問上訴審法院對該事由有無實質審酌之情況下，逕認再審原告不得以之作為再審事由。再審原告矽創公司於上訴階段，雖曾提出本院99年度行專訴字第25號行政判決，對於再審原告矽創公司於原審所提出「寬度並非必然限於相鄰銲墊方向量測」之證據與主張，未予斟酌之上訴事由。然最高行政法院100 年度判字第2130號判決仍在未審酌舉發證據14、16關於「保護層開口寬度」之技術特徵之情況下，逕將再審原告矽創公司所提出之上訴，予以駁回。職是，再審原告矽創公司關於舉發證據14、16所揭露之技術特徵，足以證明將保護層開口寬度限於相鄰銲墊方向量測，並非該領域之通常知識之主張，未曾為上訴法院予以審酌，當無行政訴訟法第273 條第1 項但書之適用。嗣再審被告意圖以再證2 之最高行政法院100 年度判字第2130號判決，關於舉發證據14、16已揭露「長方形之保護層開口」之判斷，作為宣稱再證2 已對舉發證據14、16關於「保護層開口寬度量測方向」之技術特徵予以審酌之依據，顯係將「保護層開口形狀」與「保護層開口量測方向」不同技術特徵相混淆，而企圖誤導本院判斷。

五、鍾卓良與江國寧教授出具之專家意見書，均未曾表示系爭專利所謂「保護層開口寬度」係指「相鄰銲墊方向所量測出來之數值」，此已為訴願機關於第一次訴願決定書第21頁明確肯認。而原證8 、9 、16號中，從未提及任何「保護層開口之寬度，應限於相鄰銲墊方向量測」。原證18至20號未提及有關「保護層開口之寬度需限於相鄰銲墊方向量測，絕無非相鄰銲墊方向量測之可能」技術內容。再審被告僅因其圖示繪製時，寬度恰巧為相鄰銲墊方向，即刻意忽略由舉發證據14、16、3 、4 所揭露之技術內容，將可清楚得知「將寬度限於相鄰銲墊方向量測，絕非該領域具有通常知識者可直接無歧異得知」事實，逕予宣稱寬度絕無非相鄰銲墊方向量測之可能，其主張自無足採。再審原告矽創公司於原證15所繪之圖示，僅為例示，且再審原告於該例示中，亦僅示意當保護層開口為長方形時，其寬度係指「短邊」，至於要從何方向量測，再審原告矽創公司從未提及，更遑論有自認「需從相鄰銲墊方向量測」之可能，再審被告係惡意曲解再審原告矽創公司之說明，實無足取。縱使再審原告矽創公司於原證15號所繪之保護層開口之寬度恰好為「相鄰銲墊方向」，亦不意謂「保護層開口於設計時並無以任何方向旋轉予以配置之可能」，此觀舉發證據14第11頁及舉發證據16第18頁所示即明。

六、再審被告宣稱本件再審之訴實屬無理云云，然遍查其101 年8 月14日再審答辯理由狀可知，未曾指出足以認定「本件原審於判斷保護層開口寬度之量測方向時，確實有斟酌舉發證據14、16」論述依據。本件更正既不應予准許，則本件原審漏未斟酌舉發證據14、16關於「保護層開口寬度」之技術特徵，確實足以影響本件之判決結果。準此。原告再審聲明請求：（一）最高行政法院100 年度判字第2130號判決與本院99年度行專訴字第25號判決均予廢棄。（二）前揭廢棄部分，再審被告於前審之訴駁回。

貳、再審原告智慧財產局主張：引用再審原告矽創公司主張、本局審定意見暨答辯書。並再審聲明請求：（一）最高行政法院100 年度判字第2130號判決暨本院99年度行專訴字第25號判決均予廢棄。（二）前揭廢棄部分，再審被告於前審之訴駁回。

參、再審被告答辯：

一、再審原告矽創公司固主張原確定判決漏未審酌最高法院100年度臺上字第101 號民事判決之重要證物云云。然核其主張內容，業經再審原告矽創公司於100 年7 月20日向最高行政法院提起上訴時於補充上訴理由（一）狀第3 至4 頁第一（三）項已為主張，並經最高行政法院100 年度判字第1668號判決予以審認。再審原告矽創公司雖稱舉發證據14、16可證明，保護層開口寬度不限於相鄰銲墊方向量測云云。然再審原告矽創公司已就同一主張提起上訴，此參諸再審原告矽創公司100 年4 月13日行政訴訟上訴狀第10頁末1 行至第11頁第13行、100 年7 月1 日行政上訴補充理由一狀第18頁第六點，並經最高行政法院100 年度判字第2130號判決第11頁第（三）點詳查，認原判決有關寬度限於相鄰銲墊之量測方向之判斷及證據取捨，並無違法。至於再審原告矽創公司雖主張行政訴訟參加人100 年1 月12日陳報狀所舉之參證39、40，可證明保護層開口不限於長方形溝槽狀云云。然再審原告矽創公司已就同一主張提起上訴，此可參再審原告矽創公司100 年4 月13日行政訴訟上訴狀第8 頁第15行以下、再審原告矽創公司100 年7 月1 日行政上訴補充理由一狀第12頁第22行以下，並經最高行政法院100 年度判字第2130號判決第11頁第（三）點詳查，認原判決有關保護層之開口應解釋為長方形結構之判斷及證據取捨並無違法；最高行政法院並指明，再審原告矽創公司於原審主張舉發證據14、16已揭露「長方形保護層開口」之技術特徵，參酌最高行政法院就NO2舉發案判決結果，足認再審原告矽創公司任意指摘原判決有違背法令情事，並非可採。最高行政法院101 年度判字第582 號判決理由中（三）、（五）至（八），亦指明再審原告所陳為無理由。

二、再審原告矽創公司雖主張保護層開口寬度不限於相鄰銲墊方向量測云云。然最高行政法院101 年度判字第582 號判決理由中第（四）點以下，指明再審原告矽創公司所陳無理由。再審原告矽創公司之「保護層開口不限於狹長型溝槽狀」、「保護層開口寬度不限於相鄰銲墊方向量測」主張，實屬就原判決取捨證據及認定事實之職權行使，再審原告任意指摘其為不當，或就原審已論斷者，泛言未論斷，或恣意片面曲解、斷章取義原判決之理由，其訴顯實屬不合法且無理由。再審原告猶以同一理由提起本件再審，顯有悖於行政訴訟法第273 條第1 項但書之規定。

三、系爭專利更正後之申請專利範圍用語「保護層之開口呈狹長型溝槽狀」，依據字面而言，「狹長型溝槽狀保護層開口」為發明所屬技術領域中具有通常知識者，自原說明書或圖式所記載事項能直接且無歧異得知者，屬原說明書或圖式所揭露之範圍，符合專利法第64條第2 項前段規定。系爭專利說明書第9 頁倒數第4 行起敘述：銲墊(112) 之間距係不大於100 μm ，較佳地，係不大於50μm ，保護層(113) 係具有至少一開口(114) ，以部分顯露該銲墊，開口(114) 之寬度係不大於8 μm ，較佳地，係介於3 μm 至8 μm ，其長度係介於40μm 至80μm 。準此，保護層開口係指狹長型溝槽狀之保護層開口，並非再審原告矽創公司或訴願機關指稱之說明書完全未記載。再審被告之更正顯示將請求項之技術特徵，置換發明說明中就該技術特徵本身所記載之整體詳細描述，係屬申請專利範圍之減縮，為審查基準所認可准予更正態樣之一，再審被告所為更正，自屬於法有據。系爭專利在申請時為釐清申請專利範圍用語之真意，曾提出申復理由書予智慧局，陳明「在相同條件下，將習知之半導體裝置與本案之半導體裝置加以比較，習知保護層開口寬度為30μm 、長度為80μm ，本案保護層之開口寬度係限定至6 μm 、長度為80μm ，並且兩者之凸塊尺寸均為寬40μm ×長90μm」。準此，系爭專利之特徵並非改變保護層之長度，而是大幅降低保護層之寬度，則系爭專利之保護層開口必為狹長型溝槽狀，此為發明所屬技術領域中具有通常知識者，自原說明書或圖式所記載事項能直接且無歧異得知者。申復理由書為內部證據之一，得用於解釋系爭專利之申請專利範圍用語，再審被告之更正並未實質變更原核准公告之申請專利範圍，亦未逾申請時原說明書或圖式所揭露範圍。

四、目前市面上幾乎所有液晶面板產品之「保護層開口」均為「狹長型溝槽狀保護層開口」，且大部分系爭專利產品均透過金凸塊製造商製造，而金凸塊製造商飛信半導體及南茂科技係代表該發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點，依其資料顯示，當保護層開口之長度小於20μm 時即無法通過可靠性測試；相較於系爭專利保護層開口寬度為小於8 μm ，所屬技術領域中具有通常知識者會認為保護層開口本質上，係指「狹長型溝槽狀之保護層開口」。依再審被告97年10月13日提呈之訴願理由書附件11，再審原告矽創公司於系爭專利侵權民事訴訟之97年5 月23日有關專利有效性言詞辯論期日，自認系爭專利之保護層開口係指「狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊方向之寬度係被限定至不大於8 μm 」。

五、鍾卓良教授所出具之專家意見書與江國寧教授經客觀實驗測試所得數據出具之模擬分析報告，係代表發明所屬技術領域中具有通常知識者觀點，非單純為外部證據，而應被視為解釋系爭申請專利範圍用語之重要依據，其證實權利項用語「保護層開口」應解釋為「狹長型溝槽狀保護層開口」。蓋「保護層開口」過短，將破壞其生產產品之信賴度。職是，所屬技術領域中具有通常知識者，在解讀權利項用語「保護層開口」，均瞭解其意思係指「狹長型溝槽狀保護層開口」。智慧財產局雖稱另案日本公開專利資料之舉發證據，顯示存在正方形之保護層開口，故所屬技術領域具有通常知識者，無法自系爭專利說明書直接而無歧異得知該保護層開口為狹長型溝槽狀云云。惟由江國寧教授之模擬分析報告、鍾卓良教授之專家意見書、蔡明誠教授之專家意見書內容及實際實驗之結果，可證明日本公開資料所揭示之技術內容，無法生產製造，無任何產業利用性，確實不具可實施性。故所屬技術領域，具有通常知識者，在解讀系爭專利說明書時，自無可能認「保護層開口」為日本公開資料所揭露之「小坑洞型開口」。由系爭專利說明書內容，所屬技術領域具有通常知識之人，可直接而無歧異地得知「保護層開口」為「狹長型溝槽狀保護層開口」，並無逾原說明書或圖式所揭露之範圍甚明。原審判決、最高行政法院100 年度判字第2130號判決、最高行政法院101 年度判字第582 號判決，均已審酌雙方於原審所提相關事證。

六、原證16為我國專利第479304號，其圖1E證實熟悉該項技術人士，顯知保護層開口係由相鄰銲墊方向所量測出，系爭專利更正確未逾說明書或圖式所揭露範圍。原證18號為89 年11月「電子與材料」第8 期季刊第116 頁以下「TFT LCD 構裝技術簡介」一文，可知在所屬技術領域具有通常知識者，均係以「相鄰銲墊方向」定義保護層開口之寬度，依該文之圖6 及圖9 所示，保護層開口呈長方形狀，以長邊對應長邊、短邊對應短邊之方式坐落在呈長方形狀之凸塊下。原證19為92年3 至5 月之財團法人自強工業科學基金會「液晶顯示器之光學顯示與驅動原理」課程講義第132 頁，保護層開口呈長方形狀，以長邊對應長邊、短邊對應短邊之方式坐落在呈長方形狀凸塊。原證20為89年9 月之財團法人自強工業科學基金會「液晶顯示器顯示原理」課程講義第7 至13、7 至14頁，顯示在系爭專利申請前之產品均以相鄰銲墊方向作為保護層開口之寬度，可證明在所屬技術領域之具有通常知識之人，均係以「相鄰銲墊方向」定義保護層開口之寬度。而原證10、11、12、14雖為系爭專利申請後之證據，然實為延續系爭專利申請前，絕大多數產品以相鄰銲墊方向作為保護層開口寬度之相同製作方法。原證15為再審原告矽創公司所提「被舉發案有效性說明」，其自認系爭專利之保護層開口呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊方向之寬度係被限定至不大於8μm ，亦足以作為所屬技術領域之具有通常知識之人均係以「相鄰銲墊方向」定義保護層開口寬度之佐證。原證8 、9為金凸塊製造商飛信半導體及南茂科技之資料，所屬技術領域中具有通常知識者會認為「保護層開口」寬度，係由相鄰銲墊方向所量測出，系爭專利之更正並未逾說明書或圖式所揭露範圍。再審被告與再審原告矽創公司所有產品之保護層開口寬度均由「相鄰銲墊方向」所量測而得，系爭專利係為保護再審被告產品。故再審被告產品結構亦可解釋系爭專利保護範圍確由「相鄰銲墊方向」所量測而得之保護層開口寬度。再審被告與再審原告矽創公司之產品有之市場佔有率大，顯現所屬技術領域中具有通常知識者，會認為權利項用語「保護層開口寬度」係由「相鄰銲墊方向」所量測而得，系爭專利之更正確未超過說明書或圖式所揭露範圍。原審判決、最高行政法院100 年度判字第2130號判決、最高行政法院101 年度判字第582 號判決，均已審酌上開雙方於本院原審所提相關事證，認「保護層開口寬度以相鄰銲墊方向量測」，係智慧財產局所漏未審酌者。再審原告矽創公司猶以同一主張、理由及證據提起本件再審，實屬無理由。

七、再審原告矽創公司雖稱原判決漏未斟酌重要證據云云。然均為再審原告矽創公司已以同一主張、理由及證據提起上訴者，依行政訴訟法第273 條第1 項但書規定，再審原告矽創公司已不得提起再審。而再審原告矽創公司所稱「保護層開口寬度不限於相鄰銲墊方向量測」、「保護層開口不限於狹長型溝槽狀」相關主張、理由及舉證，已由本院及最高行政法院詳加審究，認再審原告矽創公司所陳均無可採。準此，原處分洵無違誤，原確定判決、裁定亦無任何違法之處，再審原告之主張核無足採，故聲明請求駁回再審原告之訴。

肆、本院判斷：

一、本件提起再審期間符合不變期間：按再審之訴應於30日之不變期間內提起。前項期間自判決確定時起算，判決於送達前確定者，自送達時起算。行政訴訟法第276 條第1 項、第2 項前段定有明文。查本院99年度行專訴字第25號行政判決，經最高行院法院100 年12月8 日以100 年度判字第2130號判決駁回再審原告矽創公司之上訴而確定，再審原告矽創公司係於100 年12月16日受收前揭最高行政法院判決（見最高行政法院100 年度上字第750 號卷第105 頁），則再審原告矽創公司於100 年1 月16日提起再審之訴，自未逾30日之不變期間，核先敘明。

二、足以影響於判決之重要證物漏未斟酌者之要件：按原判決就足以影響於判決之重要證物漏未斟酌者，得以再審之訴對於確定終局判決聲明不服，但當事人已依上訴主張其事由或知其事由而不為主張者，不在此限。再審之訴顯無再審理由者，得不經言詞辯論，以判決駁回之。行政訴訟法第273 條第1 項第14款、第1 項但書、第278 條第2 項分別定有明文。所謂原判決就足以影響於判決之重要證物漏未斟酌，係指前訴訟程序事實審之言詞辯論終結前已存在之重要證物，且當事人已經提出，而原判決漏未於判決理由中加以斟酌，倘經斟酌當足以影響判決結果者而言。反之，該證物業經原判決斟酌，自無漏未斟酌之情事，縱使未經採納，核屬證據取捨問題，亦不得據為再審之理由。

三、本件無行政訴訟法第273條第1 項第14款之再審事由：本件再審原告雖主張，由舉發證據14第11頁及證據16第18頁所揭露之技術特徵可知，保護層開口可以短邊相鄰之方式排列，在此情況下，相鄰銲墊方向所量測之數值分別為「29.1μm 」、「16.0μm 」；舉發證據14、16明確揭露相鄰銲墊方向所量測到之數值可能為長邊」時，將「保護層開口之寬度限於相鄰銲墊方向，將寬度限於相鄰銲墊方向量測，已逾說明書或圖式所揭露之範圍，亦非系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，可直接無歧異得知，此更正之結果將致實質變更原核准公告之申請專利範圍。況系爭專利請求項1 、14所稱之寬度為短邊，並非相鄰銲墊之方向，故再審被告將「一寬度」更正為其相鄰銲墊方向之寬度，已逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦非系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，可直接無歧異得知，已實質變更原核准公告之申請專利範圍，依專利法第64條第2 項之規定，本件更正自應不予准許，故原審漏未斟酌舉發證據14、16關於保護層開口寬度之技術特徵，確實足以影響本件之判決結果云云。職是，本院自應審究本件再審有無行政訴訟法第273 條第1 項第14款之再審事由？經查：

（一）本件無足以影響於判決之重要證物漏未斟酌：參諸本院99年度行專訴字第25號判決事實及理由中二（四）、三（二）、四（二）記載可知，當事人及參加人雖曾主張及抗辯舉發證據14、16是否可證明系爭專利之申請專利範圍欠缺新穎性或不具進步性（見本院99年度行專訴字第25號卷三第261 至263 、267 頁）。然本院99年度行專訴字第25號確定判決理由五記載，係以原處分機關就系爭專利更正不應准許之審定，其在程序及實體上均有瑕疵，且該瑕疵影響系爭專利舉發案之成立，訴願機關予以維持，自於法不合，故為撤銷訴願決定及原處分之判決，認原處分機關應依其判決意旨重為審定，並認為因事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，不逐一論述，是未論及舉發證據14、16是否足以證明系爭專利申請專利範圍欠缺新穎性或不具進步性（見本院99年度行專訴字第25號卷三第268 至272 頁）。準此，於上開確定判決中，再審原告所提之舉發證據14、16係欲證明系爭專利不具專利要件，而非證明不得更正專利範圍，原判決雖未審酌，然並無足以影響於判決之重要證物漏未斟酌之情形。

（二）再審原告前於上訴程序有主張本案再審事由：縱使認本院99年度行專訴字第25號原確定判決未審酌舉發證據14、16，係有足以影響於判決之重要證物漏未斟酌之情形。惟核再審原告矽創公司對上開內容已提起上訴，業經其於100 年4 月13日行政訴訟上訴狀第10至12頁事實暨理由貳二（二）2 、3 及100 年7 月1 日行政上訴補充理由（一）狀第5 至6 頁第壹一（三）、第18頁第參六，已為同一主張（見最高行政法院100 年度上字第750 號卷第26、59、65頁）。並經最高行政法院100 年度判字第2130號判決第11頁理由七（三）詳查之（見最高行政法院100年度上字第750 號卷第101 頁），認定原判決有關寬度限於相鄰銲墊之量測方向之判斷與證據取捨，並無違法。職是，再審原告已依上訴主張本案再審事由，依行政訴訟法第273 條第1 項但書規定，不得再以再審之訴對於原確定判決聲明不服。

四、本件判決結論：綜上所述，再審原告訴稱最高行政法院原確定判決及本院前審確定判決就足以影響於判決之重要證物於判決理由有漏未斟酌，倘經斟酌當足以影響原裁判之結果云云，即非可採。揆諸前揭說明，自不符合行政訴訟法第273 條第1 項第14款規定之要件，且有同條第1 項但書不得提起再審之訴之事由。準此，再審原告此部分主張，核係依其個人主觀之見解，指摘最高行政法院100 年度判字第2130號判決、本院99年度行專訴字第25號行政判決有關證據取捨與認事用法之職權行使，自非適法之再審理由。

五、本件再審之訴顯無理由：本件再審之訴顯無行政訴訟法第273 條第1 項第14款所定之再審理由，其提起再審之訴，經本院指定101 年9 月26日行準備程序詢問當事人後，經確認再審訴狀之記載明確，並無再審事由甚明，亦無須調查證據（見本院卷第127 至132 頁）。爰不經言詞辯論，逕予駁回。

據上論結，本件再審之訴顯無理由，爰依智慧財產案件審理法第1 條，行政訴訟法第278 條第2 項、第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第二庭