智慧財產及商業法院年度行專訴字第1 號

• 裁判案由: 新型專利舉發
• 案件類型: 智財
• 審判法院: 智慧財產及商業法院
• 裁判日期: 108 年 06 月 20 日

智慧財產法院行政判決
108 年度行專訴字第1 號
原　　　告　旭福股份有限公司

代　表　人　許耕華
訴訟代理人　李世章律師
徐念懷律師
彭國洋律師
被　　　告　經濟部智慧財產局

代　表　人　洪淑敏
訴訟代理人　謝文元
劉聖尉
參　加　人　麥豐密封科技股份有限公司

代　表　人　陳正雄
訴訟代理人　洪澄文專利師
童敏昌專利師
林琮凱

上列當事人因新型專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國107
年11月13日經訴字第10706311390 號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要：
原告前以「密封環結構」向被告申請新型專利，經被告發給新型專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人對之提起舉發。原告則提出系爭專利說明書及申請專利範圍更正本。經被告審查為「105 年6 月29日之更正事項，准予更正」、「請求項1 至2 、6 舉發成立，應予撤銷」及「請求項3 至5 舉發駁回」之審定。原告不服前揭關於舉發成立之審定，提起訴願，經經濟部決定駁回，原告遂向本院提起行政訴訟，聲明原處分關於舉發成立部分及訴願決定均撤銷。本院因認本件訴訟之結果，倘認原處分該舉發成立部分及訴願決定應予撤銷，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1 項規定，依參加人之聲請，裁定准其獨立參加被告之訴訟。
二、原告之主張：
(一)系爭專利發明之主要目的在於透過特殊設計之密封環，以達到有效密封、防止氦氣洩漏、可定期更換密封環以及節省成本之功效，此種新穎設計除可減少安裝時與靜電吸附盤溝槽之上下摩擦，易於密封環與晶圓基座之「內部結合」，更能減少「密封環及晶圓基座之結合」與「電漿蝕刻裝置設備」彼此間之摩擦與干涉，以達其「外部密合」之功效。
(二)證據2 至5 均未揭露系爭專利請求項1 關於平面部之間寬度尺寸、導角之結構及其位置、頂面及底面之間厚度尺寸及密封環直徑尺寸，亦未揭露系爭專利請求項6 關於導角之角度大小等技術特徵，足認無論係依個別之證據或上開證據之組合，均未揭露系爭專利之上述任一技術特徵。再者，縱依上述個別證據2 至5 彼此之間的內容教示或建議，亦未提供任何組合動機而能輕易達到系爭專利之發明，自無法據以判定系爭專利為該創作所屬技術領域中具有通常知識者，參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識而能輕易完成。況在半導體晶圓基座之技術領域中，具有通常知識者在系爭專利之申請日前，對於密封環、O 型環之環體外側面上，均設計成直角而非導角，並藉此達到「有效密封、防止洩漏」之目的。又系爭專利與先前技術彼此間之差異，即在系爭專利之密封環結構係「將導角設在外側，使密封環得以外部密合」。申言之，系爭專利技術功效及其進步性之判斷，在於「導角」該結構特徵；系爭專利所舉之數值範圍僅具例示性質，以作為系爭專利之較佳實施例，並非作為限制或排除「導角」該技術特徵，更無所謂「臨界值」情事。為此聲明求為判決：原處分關於請求項1 至2 、6 舉發成立，應予撤銷部分及訴願決定均撤銷。
三、被告之答辯：
(一)密封環結構之尺寸規格係為配合其所應用之半導體製程設備尺寸規格而產生之設計選擇，為發明所屬技術領域中具有通常知識者，為了配合密封環所安裝之半導體製程設備尺寸規格，利用申請時之通常知識即能採用適當之相對尺寸規格，該等限縮並未產生無法預期之功效，因此相較於舉發證據及其組合，系爭專利請求項仍不具進步性。況由原告起訴狀所列舉之密封環之相關技術水準資料可知，各式尺寸形狀之密封環應用早已遍及日用品、瓶罐、燈具或製程設備等各種領域，更足以證明為了將密封環適用各種器具或設備而改變調整密封環尺寸或形狀僅為通常知識之應用。
(二)證據2 已揭示系爭專利請求項1 之「一種密封環結構，該密封環之內緣係具有一第一平面部，而該密封環之外緣係具有一第二平面部，且該密封環頂面之外側係設有一第一導角，並於該密封環底面之外側係設有一第二導角」技術特徵。又系爭專利請求項1 並未限縮非利用膠水固定，請求項1 所載之前述技術確實已揭示於證據2 ；且證據2 圖四之三亦已揭示O 型環與溝槽成三面貼合之非膠水固定方式，所屬技術領域中具有通常知識者仍得依證據2 所揭示之非膠水固定方式，而輕易完成系爭專利請求項1 之密封環與嵌接槽結合而達到有效密封之功效。證據3 亦已揭示密封環頂面之內側係設有一第一導角，並於該密封環底面之內側係設有一第二導角，且由證據3 說明書所揭可知，證據3 所欲達成之目的及功效與本案相同，系爭專利請求項1 所限定之導角位置僅為證據3 所揭之導角位置之簡單變更，並未產生無法預期之功效。另證據4 亦已揭示O 型環頂面之內側係設有一第一導角部，並於該O 型環底面之內側係設有一第二導角部，且由證據4 說明書所揭可知，證據4 所欲達成之目的及功效與系爭專利相同，系爭專利請求項1 所限定之導角位置僅為證據4 所揭之導角位置之簡單變更，並未產生無法預期之功效。答辯聲明：駁回原告之訴。
四、參加人答辯：
(一)原告主張密封環的寬度、厚度、直徑、導角角度等特定尺寸數值未揭露於證據2 至5 中，惟該些尺寸數值明顯係針對其所應用的場所和環境所作出的設計選擇，任何人在參閱系爭專利的說明書和所有圖式後，並無法得知該些數值實際上的物理意義，因此，僅憑藉系爭專利所揭露之單純數值範圍，並無法讓系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者能了解其技術功效以及進步性之所在。又原告於請求項6 中記載「該第一導角及第二導角之角度R 係介於0.2~0.5 之間，而以
0.3 為最佳」，然而在系爭專利中不但未說明該導角尺寸的數值單位為何，且僅由該數值範圍亦難以理解其具有何種臨界意義，而原告至今也未提出任何實驗數據結果佐證其可達到顯著性差異，因此並無法讓系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者了解其技術功效以及進步性之所在。
(二)證據2 至5 明顯均屬密封環或O 形環（O-ring）相關技術領域，且其同樣是要解決流體侵入的問題，在功能或作用上則同樣可具有密封防漏的功用，其中證據2 至4 更明確教示或建議可在密封環上形成「導角」，故系爭專利所屬技術領域具有通常知識者顯然有動機結合相關先前技術而完成系爭專利之發明。又證據2 已揭露了系爭專利請求項1 中的主要技術特徵，由於O 型環本身的尺寸僅是依據嵌接槽之尺寸所進行的設計選擇，屬於通常知識之應用，且該數值範圍並無法使申請專利之發明整體對於先前技術產生無法預期的功效，故系爭專利請求項1 相較於證據2 而言顯然不具有進步性；而證據3 第5 頁第7 至12行所載之內容更與系爭專利說明書第3 頁第19至23行之內容「完全相同」，足見證據3 所欲達成之目的與功效與系爭專利完全相同；另系爭專利請求項1
相較於證據4 而言僅是將第一、第二導角的位置由「內側」簡單變更至「外側」，並未產生無法預期之功效。參加聲明：駁回原告之訴。
五、得心證之理由：
(一)原告前於104 年8 月24日以「密封環結構」向被告申請新型專利，經被告形式審查後准予專利，發給新型第M515199 號專利證書即系爭專利。嗣參加人以系爭專利有違核准時專利法第120 條準用第22條第1 項第1 款、第2 項及第26條第2
項等規定，不符新型專利要件，對之提起舉發。原告則分別於105 年6 月6 日及同年月29日提出系爭專利說明書及申請專利範圍更正本，並於被告106 年5 月17日辦理面詢時，撤回105 年6 月29日系爭專利說明書之更正，保留105 年6 月29日系爭專利申請專利範圍之更正，並經雙方確認本件爭點為系爭專利是否有違核准時專利法第120 條準用第22條第2
項及第26條第2 項之規定。經被告審查，認系爭專利105 年6 月29日申請專利範圍更正本符合規定，惟更正後系爭專利請求項1 至2 及6 有違前揭專利法第120 條準用第22條第2
項規定，以107 年4 月27日（107 ）智專三（二）04146 字第10720376270 號專利舉發審定書為「105 年6 月29日之更正事項，准予更正」、「請求項1 至2 、6 舉發成立，應予撤銷」及「請求項3 至5 舉發駁回」之審定。原告對前揭應予撤銷之部分不服，提起訴願，亦經經濟部107 年11月13日經訴字第10706311390 號訴願決定書以相同理由決定駁回，原告對上開不利部分向本院提起行政訴訟，並以前揭情詞置辯。故本件之主要爭點為：1.證據2 、3 、4 或證據2 、3
之組合，或證據2 、3 、5 之組合，是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性？2.證據2 、3 之組合，或證據2 、3
、5 之組合，是否足以證明系爭專利請求項2 、6 不具進步性？
(二)系爭專利之主要內容：
系爭專利105 年6 月29日之更正內容係將原請求項3 至5 之附屬技術特徵併入請求項1 ，同時刪除請求項3 至5 ，更正後請求項共計3 項，其中請求項1 為獨立項，其餘為附屬項，其內容分別如下：
1.一種密封環結構，該密封環之內緣係具有一第一平面部，而該密封環之外緣係具有一第二平面部，該第一平面部與第二平面部間之寬度係介於0.5mm～0.9mm之間，而以0.7mm為最
佳，且該密封環頂面之外側係設有一第一導角，並於該密封環底面之外側係設有一第二導角，而該密封環之頂面與底面間之厚度係介於3.1mm～3.5mm之間，而以3.3mm為最佳，另
該密封環之直徑係介於286.5mm～288.5mm之間，而以287.5mm為最佳。
2.依申請專利範圍第1項所述之密封環結構，其中，該密封環
係為高純度、低顆粒產生全氟橡膠材質。
6.依申請專利範圍第1項所述之密封環結構，其中，該第一導
角及第二導角之角度R係介於0.2～0.5之間，而以0.3為最佳（系爭專利主要圖式如附表一）。
(三)證據2 、3 、4 各足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：1.證據2 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
(1)證據2 為93年2 月21日公告之臺灣577629號「晶圓反應室閥門及其O 型環裝置」專利，其公告日早於系爭專利申請日（104 年8 月24日）。證據2 揭露習知的晶圓反應用閥門使用O 型環來達到迫緊的效果，而常見的O 型環有二種，一種是斷面為圓形狀者，但容易因為外力而轉動，造成O 型環磨損。另一種則採斷面為下方上圓的O 型環設計，是以黏膠固定於溝槽中，所以沒有轉動產生微粒的顧忌（證據2 主要圖式如附表二）。
(2)比對系爭專利請求項1 與證據2 之技術內容：查證據2 說明書第6 頁第2 段揭露一種用於晶圓反應室閥門之O 型環，復由證據2 圖4 之2 可見該O 型環之內緣具有一第一平面部（遠離O 型環外牆之垂直側），外緣具有一第二平面部（靠近O 型環外牆之垂直側），對應揭露系爭專利請求項1 之「該密封環之內緣係具有一第一平面部，而該密封環之外緣係具有一第二平面部」技術特徵；證據2 之O 型環頂面之外側設有第一導角（圖4 之2 所示之O 型環左上角），並於底面之外側設有第二導角（圖4 之2 所示之O 型環左下角），對應揭露系爭專利請求項1 之「該密封環頂面之外側係設有一第一導角，並於該密封環底面之外側係設有一第二導角」技術特徵。
(3)系爭專利請求項1 與證據2 之差異在於：證據2 並未揭露O
型環之尺寸大小（即寬度、厚度及直徑等），無從對應於系爭專利請求項1 之「該第一平面部與第二平面部間之寬度係介於0.5mm ～0.9mm 之間，而以0.7mm 為最佳」、「該密封環之頂面與底面間之厚度係介於3.1mm ～3.5mm 之間，而以3.3mm 為最佳」及「該密封環之直徑係介於286.5mm ～288.5mm 之間，而以287.5mm 為最佳」技術特徵。故系爭專利請求項1 是否具進步性，需視前述系爭專利請求項1 所界定之O 型環尺寸大小，是否為所屬技術技術領域中具有通常知識者在解決特定問題時，能利用申請時之通常知識進行簡單選擇而加以完成者，或是否能據此產生無法預期之功效。
(4)經查，系爭專利說明書中並未提及將O 型環設定為前述特定的寬度、厚度及直徑大小後，能夠產生何種無法預期之功效。原告於舉發階段答辯時，明確提及「本案所提厚度與寬度之尺寸係依照實際晶圓基座之嵌接槽所測得之尺寸加以定義，因該嵌接槽之厚度3.1mm~3.25mm，寬度為0.77~0.78mm ，因此本案計算出最適合安裝於此嵌接槽之密封環寬度與厚度…；另該直徑部分則是因所有12吋晶圓基座的直徑皆差不多（約300mm ），故本案直徑之數值限縮於5%以內…」（專利舉發答辯理由書（三），見乙證1-13第130 頁第3 段），可知系爭專利請求項1 中所界定之O 型環尺寸係以實際上12吋晶圓所適用之反應腔室及其嵌接槽大小所量測及計算而得，未有無法預期之功效產生。且對於半導體技術或製程設備所屬技術領域中具有通常知識者而言，晶圓反應腔室之大小係在配合特定尺寸之晶圓（例如12吋晶圓之直徑約300mm 、8
吋晶圓之直徑約200mm ），自當知應配合不同腔室或晶圓基座大小來選擇適當尺寸之O 型環，使之置於嵌接槽內時能有一定的裕度並使反應腔室維持良好的密封效果，是以系爭專利請求項1 所界定之O 型環，僅為通常知識者為將證據2 之O 型環適用於12吋晶圓之反應腔室時，依申請時之通常知識選擇適當之尺寸（寬度、厚度及直徑等）而能輕易完成者，且未產生無法預期之功效，故證據2 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
(5)原告雖以中國大陸第2197378 號、臺灣第466111號、美國第7651571 號等多件系爭專利申請前之專利（見起訴狀第9 至15頁），主張在系爭專利申請日前，所屬技術領域中具有通常知識者所能理解、利用之先前技術水準，O 型環都是設計成直角而非導角云云。惟查，原告所舉之專利前案，有部分之技術內容或為洗衣機膠圈、一般容器等非半導體技術領域者，而其餘半導體技術領域之專利前案，其揭露之O 型環雖均為直角，然而證據2 （或下述之證據3 、4 ）之公告日早於系爭專利申請日，技術內容亦屬半導體技術或設備技術領域，已揭露斷面非直角或具有導角之O 型環結構，可見證據2 （或下述之證據3 、4 ）之內容即足以反映或認定系爭專利申請前在半導體技術或設備領域中之技術水準，業已存在具有導角之O 型環結構，尚無需考量原告所舉之專利前案。(6)原告主張證據2 之主要目的在於可快速抽換O 型環，以達減少抽換時間、提高產能之功能，無法達成系爭專利之「O 型環本身與槽口切齊以完整貼覆外部構件」功效，故證據2 不足以證明系爭專利不具進步性云云。惟查系爭專利說明書第1 頁載明「本創作之主要目的係在於，可運用於半導體之電漿蝕刻製程設備，…藉由安裝殊特設計之密封環可達到有效密封、防止氦氣洩露、可定期更換密封環以及節省成本之功效」，可知系爭專利所訴求之目的、功效在於O 型環之構造足以防止氣體洩露並便於更換，並非僅在O 型環是否與槽口切齊；又實際上O 型環係以彈性材質之迫緊作用來達成密封之效果，因而O 型環縱使略突出於槽口，仍得受外部構件之壓迫而完整貼覆於外部構件，故O 型環與槽口是否切齊也不是O 型環能否完整貼覆外部構件之關鍵。更何況系爭專利請求項1 中並未界定任何關於O 型環與槽口切齊之技術特徵，自然不能作為系爭專利請求項1 具進步性之論據。而證據2
所揭露之O 型環亦使用於半導體製程設備，其目的在於可快速抽換，並達到緊密之效果（證據2 說明書第6 頁），與系爭專利所訴求之目的、功效無明顯之差異，原告之主張並不可採。
2.證據3 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
(1)證據3 為102 年2 月21日公告之臺灣第M447442 號「密封環裝置」專利，其公告日早於系爭專利申請日（104 年8 月24日）。證據3 揭露一種密封環裝置，包含有一晶片基座及一密封環。其中密封環之內緣係具有一弧面部及一平面部，且該密封環之厚度係大於嵌接槽；另該密封環之寬度係介於1.08㎜～1.12㎜之間，而以1.10㎜為最佳，厚度係介於1.15㎜～1.55㎜之間，而以1.35㎜為最佳（證據3 主要圖式如附表三）。
(2)比對系爭專利請求項1 與證據3 之技術內容：查證據3 說明書第4 頁第[ 0004 ]段揭露之密封環之內緣具有一弧面部，外緣具有一平面部，而依證據3 第4 圖所示，弧面部貼合於嵌接槽時亦呈平面狀，即對應揭露系爭專利請求項1 之「該密封環之內緣係具有一第一平面部，而該密封環之外緣係具有一第二平面部」技術特徵；證據3 第3 圖顯示密封環頂面之外側設有第一導角（第3 圖左上角），密封環底面之外側設有第二導角（第3 圖左下角），對應揭露系爭專利請求項1 之「該密封環頂面之外側係設有一第一導角，並於該密封環底面之外側係設有一第二導角」技術特徵。
(3)系爭專利請求項1 與證據3 之差異在於：證據3 揭露密封環之寬度介於1.08㎜～1.12㎜之間，而以1.10㎜為最佳，厚度則介於1.15㎜～1.55㎜之間，而以1.35㎜為最佳，與系爭專利請求項1 界定之寬度及厚度範圍不同，且證據3 並未提及密封環之直徑為何。惟如前述，系爭專利請求項1 所界定之尺寸僅係因應12吋晶圓所適用之反應腔室及其嵌接槽大小所量測及計算而得，乃半導體技術或製程設備所屬技術領域中具有通常知識者，將證據3 之密封環運用於12吋晶圓之反應腔室時，依申請時之通常知識選擇適當之尺寸（寬度、厚度及直徑等）而能輕易完成者，且未產生無法預期之功效，故證據3 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
3.證據4 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
(1)證據4 為99年10月1 日公開之臺灣第201036102 號「半導體製程設備及其O 形環」專利，其公開日早於系爭專利申請日（104 年8 月24日）。證據4 揭露一種半導體製程設備，其晶座之側面上設有溝槽，O 形環設於該溝槽之中，可防止流體洩露。該O 形環的截面呈矩形，亦可隨溝槽之形狀而對應修改。在證據4 之第二實施例中，O 形環另具有一第一導角部以及一第二導角部。（證據4 主要圖式如附表四）
(2)比對系爭專利請求項1 與證據4 之技術內容：查證據4 說明書第8 頁末段至第9 頁第1 段，以及第3A圖揭露之O 型環，其內緣及外緣均具有垂直的平面部，即對應揭露系爭專利請求項1 之「該密封環之內緣係具有一第一平面部，而該密封環之外緣係具有一第二平面部」技術特徵；又證據4 第3A圖顯示O 型環頂面之內側設有第一導角部，O 型環底面之內側設有第二導角部，對應揭露系爭專利請求項1 之「該密封環頂面之外側係設有一第一導角，並於該密封環底面之外側係設有一第二導角」技術特徵。
(3)系爭專利請求項1 與證據4 之差異在於：證據4 之O 型環其第一、第二導角部位於頂面及底面「內側」而非「外側」，且證據4 並未揭露特定的O 型環徑向寬度( Wo) 或中心直徑(Φ2)數值或範圍。惟查，證據4 說明書第9 頁第2 段業已教示O 型環由於具有第一、第二導角部，因此可更順利的置入溝槽中而提供密封之效果。因此，所屬技術領域中具有通常知識者依據證據4 所教示之O 型環相關技術內容，為使O
型環能順利導入溝槽中，當有將O 型環外側亦設有導角部之合理動機，至於O 型環之尺寸大小僅係配合12吋晶圓等不同尺寸之反應腔室時，依申請時之通常知識選擇適當之尺寸（寬度、厚度及直徑等）而能輕易完成者，且未產生無法預期之功效，故證據4 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。(四)證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、5 之組合，足以證明系爭專利請求項1 、2 、6 不具進步性：
1.證據2 、3 既均足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，俱如前述，則證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、5 之組合自足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
2.系爭專利請求項2 係依附於請求項1 ，並界定「該密封環係為高純度、低顆粒產生全氟橡膠材質」之附屬技術特徵。查證據3 揭露用於半導體電漿蝕刻製程設備中之密封環，其說明書第4 頁第[ 0004 ]段載明「…密封環係為高純度及低顆粒產生（不含無機填料）之橡膠材質」。此外，證據5 為臺灣第201107638 號「閘閥裝置及設有此閘閥裝置之基板處理裝置」專利，其公開日係100 年3 月1 日，早於系爭專利申請日（104 年8 月24日）（證據5 主要圖式如附表五）。證據5 揭露一種半導體製程處理室所使用之閘閥裝置，其閥體之第1 表面上設有裝設溝。在該裝設溝內裝設有密封構件，該密封構件可用氟橡膠（FKM)或全氟橡膠（FFKM) 等製作，可具備較高的耐熱性、耐油性。又，用全氟橡膠（FFKM）所製作的密封構件，可具有比較高的耐熱性、耐藥品性以及耐自由基性」，均對應揭露系爭專利請求項2 之附屬技術特徵，由此可見以橡膠或全氟橡膠材質來構成半導體製程設備之密封環，係系爭專利申請前之先前技術，且使用該類材料後得獲較佳耐受性之可預期效果。故證據2 、3 之組合、或證據2 、3 、5 之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性之理由，俱如前述，且證據3 或證據5 業已揭露以橡膠或全氟橡膠作為密封環材料，故證據2 及3 之組合，或證據2 、3 及5 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性。
3.系爭專利請求項6 係依附於請求項1 ，並界定「該第一導角及第二導角之角度R 係介於0.2 ～0.5 之間，而以0.3 為最佳」之附屬技術特徵。惟在密封環上設有導角，無非是要便於置入半導體設備中的溝槽或嵌接槽而能提供密封之效果（參證據4 說明書第9 頁第2 段），導角之角度自應與溝槽或嵌接槽之形狀相配合，以期能夠順利地藉由導角將密封環置於溝槽或嵌接槽中，則對於所屬技術中具有通常知識者而言，自當會配合所使用之半導體設備規格而選擇適當角度之導角，且並未因該特定角度導角之選擇而產生無法預期之功效，故系爭專利請求項6 所界定之發明，乃所屬技術領域中具有通常知識者簡單調整證據2 、3 中密封環之導角角度所能輕易完成者，既證據2 、3 之組合、或證據2 、3 、5 之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性之理由，俱如前述，則以證據2 、3 之組合，或證據2 、3 、5 之組合亦足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
六、綜上所述，參加人所提證據2 、3 、4 、證據2 、3 之組合、或證據2 、3 、5 之組合，均足以證明系爭專利請求項1
不具進步性。證據2 、3 之組合、或證據2 、3 、5 之組合，亦足以證明系爭專利請求項2 、6 不具進步性，故被告所為請求項1 至2 、6 舉發成立，應予撤銷之審定，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合，原告徒執前詞，聲請撤銷原處分及訴願決定，為無理由，應予駁回。
七、本件事證已明，本件其餘主張或答辯，已與本院判決結果不生影響，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產審理案件法第1 條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中　　華　　民　　國　　108　 年　　6　　 月　　20　　日智慧財產法院第二庭
審判長法　官　汪漢卿
法　官　彭洪英
法　官　熊誦梅
以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 者，得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 為訴訟代理人　 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 形之一，經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ ，亦得為上訴審 │ 。 ││ 訴訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴││人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明││文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中　　華　　民　　國　　108　 年　　6　　 月　　24　　日書記官 謝金宏