智慧財產及商業法院112年度行專訴字第8號

• 裁判案由: 新型專利舉發
• 案件類型: 智財
• 審判法院: 智慧財產及商業法院
• 裁判日期: 112 年 08 月 24 日

智慧財產及商業法院行政判決
112年度行專訴字第8號
民國112年7月20日辯論終結
原　　　告　竑騰科技股份有限公司

代　表　人　王獻儀
訴訟代理人　蔣文正律師
複 代理 人　廖正多律師
輔 佐 人 黃俊仁
被　　　告　經濟部智慧財產局
代　表　人　廖承威
訴訟代理人　劉力夫
參　加　人　蔡明仁
訴訟代理人　張東揚律師
複 代理 人　孫德沛律師
訴訟代理人　賴蘇民律師
上列當事人間因新型專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國112年1月11日經訴字第11106310460號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
(
智股
)　　事實及理由
一、被告之代表人原為洪淑敏，嗣於訴訟程序中變更為廖承威，業據其具狀聲明承受訴訟在卷(本院卷第156頁)，經核並無不合，爰准許之。
二、事實概要：緣原告前於民國108年8月27日以「壓合治具」向被告機關申請新型專利，申請專利範圍共4項，經被告編為第108211337號形式審查後，准予專利，並發給新型第M588593號專利證書(下稱系爭專利)。嗣參加人以系爭專利有違核准時專利法第120條準用第22條第1項第1款、第2項規定為由，對之提起舉發，經被告審查後，認系爭專利違反核准時專利法第120條準用第22條第2項規定，以111年9月19日(111)智專三㈢05147字第11120918740號專利舉發審定書為「請求項1至4舉發成立，應予撤銷」之處分；原告對前開處分不服，提起訴願，復經經濟部為訴願駁回之決定，原告仍未甘服，遂依法提起本件行政訴訟。本院因認本件判決結果，倘認為訴願決定及原處分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益恐將受有損害，爰依職權裁定命參加人獨立參加本件訴訟。
三、原告主張：
㈠系爭專利係為解決現有壓合治具難以對被壓合之物件周邊各角隅處提供足夠壓合力量而易發生翹曲現象問題，其利用下模之下模本體頂部設置分別對應活動壓塊之下模塊，每一下模塊於其實質呈矩形之模塊基部四角隅分別形成延伸支撐部，四個延伸支撐部之外周緣延伸至對應待壓物件之元件定位區之邊界，使每一下模塊能對其承載之待壓合物件之邊角部位提供較佳之支撐性能，使待壓合物件周邊各角隅處能於壓合治具中接受足夠之壓合力量而達到較佳之熱壓合效果，以避免壓合後物件邊角因壓合力量不足而發生翹曲問題。證據2係為解決目前具有散熱功能之半導體元件壓合後其基板與散熱片非平行而不等高問題，於半導體元件之壓合製程中，半導體元件受到上下夾擊之作用力，壓縮半導體元件之散熱片與基板間之間隙及擠壓導熱膠擴散，直至下模之每一限高柱頂面同時接觸到上模塊底面，其並未揭露或教示系爭專利請求項1為解決被壓合物件周邊各角隅處易發生翹曲問題，與系爭專利創作目的不同，兩者所採之技術手段與所達到之效果均不同。
㈡證據3係利用壓合基座之矩形承載框部四角隅外圍分別形成高起之定位擋部，對待壓合物件四角隅提供對位作用，另以四個定位擋部頂部之壓板承載面共同承載壓板，壓板以其四個壓抵彈片之壓塊分別以點狀施力方式施壓於半導體元件之四側邊，矩形承載框部與壓板之形狀無相應匹配之關係。證據3與證據2均係採取高於下模塊之限位柱之限高手段，或高出定位框部之定位擋部之限位技術手段，惟系爭專利之下模塊於其四角隅皆無形成高出承載面之限位或限高等限位構造，系爭專利與證據2、3乃不同之創作，證據2、3並未揭露系爭專利請求項1之技術特徵及功效，所屬技術領域具通常知識者亦無法經由證據2、3之教示而輕易完成系爭專利請求項1所界定之壓合治具。證據2、3未完全揭露系爭專利解決問題之整體技術手段，其組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至4為請求項1之直接或間接附屬項，自亦具進步性等語。聲明：訴願決定及原處分均撤銷。
四、被告則以：
㈠證據2已揭示多個限高柱分布設置於該模座本體頂面之元件定位區內，且位於下模塊之外圍，所述限高柱係設於每一矩形元件之定位區之各角隅處，所述限高柱頂端高於下模塊之頂面，所述限高柱頂端各具有一限高缺口以及一位於限高缺口底部之支撐部，支撐部與下模塊之頂面平行且位於等高之位置，所述限高缺口與所述支撐部位於元件定位區之範圍內，其中限高柱位於下模塊之外圍，且限高柱設於每一矩形元件定位區之各角隅處，而限高柱中之支撐部為提供半導體元件之四角隅部為抵靠之用，與系爭專利請求項1之四個延伸支撐部具有相同之作用。又半導體元件四角隅部位分別抵靠在相應位置之限高柱支撐部，顯已教示支撐部能於邊角部位提供支撐性能。另證據2之上模塊位置相對應於下模塊與其外圍之限高柱，當上模塊下壓時，支撐部仍於邊角部位提供支撐性能，並未因下模塊與限高柱之間未連為一體而無法達到支撐之作用，是系爭專利請求項1中之「該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界」特徵僅係證據2之下模塊與限高柱中支撐部組合之簡單變更，且所達成之功效相同。
㈡證據3係一壓合治具，其利用一元件承載板承載多個待壓合之半導體元件，並包含一壓合基座與一壓板，該壓合基座包含一基座本體及多個元件定位單元，該基座本體界定有多個單元區，每一所述元件定位單元係分別設置於該基座本體之多個所述單元區，所述元件定位單元各包含一個承載框部以及複數個定位擋部，該承載框部蓋係一矩形框體，每一元件定位單元之承載框部係設置在單元區，複數所述定位擋部分布設置於該承載框部之周邊且向上凸伸，定位擋部係分布設置於該承載框部之四個端角外圍，所述定位擋部形成單一個L形塊體，是證據3已揭露承載框部概為一矩形框體，其承載框部之四個角落能在半導體元件放置於相對應之承載框部時，用以支撐半導體元件之四個邊角，且承載框部之四個角落與複數定位擋部形成定位區之邊界，此可對應系爭專利請求項1之「該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界」技術特徵，亦可對應證據2所未揭露之部分技術特徵。另證據2亦已揭露系爭專利請求項2、3、4所界定之附屬技術特徵，而證據2、3均為「壓合治具」之技術領域，具技術領域關聯性及功能、作用之共通性，所屬技術領域具通常知識者自有動機結合證據2、3之技術內容，並將證據2之支撐部替換成證據3之定位擋部，以達成系爭專利所欲解決之現有壓合治具難以對被壓合之物件周邊各角隅處提供足夠壓合力量而易發生翹曲現象問題，是證據2、3之組合足以證明系爭專利不具進步性等語。聲明：駁回原告之訴。
五、參加人則以:
㈠原告所提之技術分析簡表將技術特徵順序變更，將系爭專利請求項1模塊基部實質為一矩形塊體中「至少一下模塊…」段落自1B挪移到1C「至少一氣流通道…」段落之後，而與系爭專利公告之請求項1不符。證據2之模塊基部外型實質為一方形塊體，所屬技術領域具通常知識者可知方形為矩形之下位概念，基於揭露下位概念者揭露上位概念之原理，證據2已揭露系爭專利請求項1中「該模塊基部實質為一矩形塊體」之技術特徵。證據2相當於系爭專利上模之通孔上模之活動孔數量為4個，證據2之元件定位區也對應下模塊數量為4個，可知證據2揭露系爭專利請求項1通孔之數量對應元件定位區數量之技術特徵。另證據2相當於系爭專利之活動壓塊之上模塊皆位於下模塊之上方，亦即證據2之上模塊與下模塊之位置上下對應，已揭露系爭專利請求項1活動壓塊與下模塊之位置對應特徵。又證據2之中模有4個元件對位孔，其元件定位區數量為4個，是所屬技術領域具通常知識者可直接無歧異得知證據2之元件對位孔與元件定位區之數量對應為4個，且上下對應，是證據2已揭露系爭專利請求項3對位孔之數量及位置相對應於元件定位區之技術特徵。另證據2之每一元件對位孔連通上模之活動孔，此相當於系爭專利上模之通孔，可供上模塊由活動孔進入元件對位孔，是證據2亦揭露系爭專利請求項3之對位孔與通孔相連通之技術特徵。證據2之限高柱最高點低於載盤限位擋部之頂端，半導體於放置完畢後，其頂面將因高於載盤限位擋部之頂端而高於限高柱之頂端，是上模塊於下壓過程中勢必先壓到半導體元件，並在擠壓同時對半導體元件施以實質壓合之力量，待半導體元件被擠壓到一定程度後，上模塊才會抵接限高柱。另證據3壓板之壓塊確實抵壓在半導體元件之四個角落，並與延伸支撐部相配合壓合半導體元件之四個角落，並不會因為壓板被定位擋部支撐即不對半導體元件提供實質壓合力量，亦即證據3已提供利用壓板之壓抵彈片以避免半導體元件四個邊角翹曲之教示。
㈡系爭專利請求項1與證據2之差異僅在於系爭專利請求項1之延伸支撐部由模塊基部往外凸伸，與模塊基部延伸連接，而證據2之限高柱與下模塊之模塊基部相間隔。惟證據2之上模塊與支撐部上下相對且能與支撐部相配合擠壓半導體元件之四個角隅之凸部，該凸部更可視為係防止半導體元件邊角翹曲之強烈教示，並賦予防止半導體元件邊角翹曲之動機。證據2既揭示上模塊具有四個由模塊基部之四個角隅處朝外凸伸之凸部，所屬技術領域具通常知識者自有動機簡單變更限高柱之外形，使限高柱之支撐部延伸連接下模塊之模塊基部，完成系爭專利請求項1延伸支撐部由模塊基部往外凸伸而連接模塊基部之技術特徵。證據2、3之技術領域相同，證據2之支撐部與證據3之延伸支撐部均有支撐半導體元件四個角隅以配合壓合而避免邊角翹曲之功能與作用，是證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。而系爭專利請求項2、3、4所進一步界定之特徵已為證據2揭露，是證據2、3之組合自亦足以證明系爭專利請求項2、3、4不具進步性，被告所為撤銷系爭專利之處分並無違誤等語，資為抗辯。聲明：駁回原告之訴。
六、本件之爭點：
㈠證據2是否足以證明系爭專利請求項1不具進步性？
㈡證據2是否足以證明系爭專利請求項2至4不具進步性？
㈢證據2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項1不具進步性？
㈣證據2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項2至4不具進步性？
七、得心證之理由：
㈠證據2足以證明系爭專利請求項1不具進步性：
1.按發明雖無前項各款所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利，專利法第22條第2項定有明文，前開規定，於新型專利準用之，同法第120條亦設有規定。本件系爭專利申請日為108年8月27日，於同年11月4日核准，是系爭專利有無前開規定情形，自應以核准處分時所適用之108年11月1日施行之專利法規定為斷，合先敘明。
2.系爭專利公告本申請專利範圍共有4項，其中第1項為獨立項，其餘為附屬項，各請求項所請技術特徵詳如附表所示，爰不予贅述。經查，系爭專利係一種壓合治具，其創作目的在解決現有壓合治具難以對被壓合之物件周邊各角隅處提供足夠之壓合力量而易發生翹曲現象之問題。其包括一下模、設於該下模上方之一上模，以及設
於該上模中能上下運動之至少一活動壓塊，該下模與能相對於該上模上下運動，其中：該下模包括：一下模本體，其界定有一載盤定位區間以及位於該載盤定位區間內之至少一元件定位區：至少一下模塊，其係設於該下模本體之頂面且位於所述元件定位區內向上凸伸，所述下模塊包括一模塊基部以及四延伸支撐部，該模塊基部實質為一矩形塊體，該模塊基部之各周邊與其側鄰之所述元件定位區之邊界各具有一間距，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部之四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部之外周緣實質延伸至所述元件定位區之邊界；以及至少一氣流通道，其係設於該下模本體中且延伸至所述下模塊的頂面而形成一抽氣孔；該上模包括一上模板，該上模板中形成至少一通孔，所述通孔之數量及位置相對應於該下模之元件定位區；所述活動壓塊係能上下運動地設置於該上模之通孔中，且每一所述活動壓塊之位置對應其下方之一所述下模塊，所述活動壓塊底面與相應之下模塊之頂面平行且能上下相對位移，使每一下模塊能對其承載之待壓合物件之邊角部位提供佳之支撐性能，讓待壓合物件周邊各角隅處能於壓合治具中接受足夠之壓合力量而達到較佳之熱壓合效果，避免壓合後物件邊角因壓合力量不足而發生翹曲之問題(參前頁圖、右上圖及系爭專利說明書第【0005】至【0007】段)。
3.參加人主張系爭專利不具進步性，主要係援引證據2、3為證，經查，證據2係107年10月11日公告之我國第I638421號專利案，其公告日早於系爭專利申請日(108年8月27日)，自可作為與系爭專利比
對之適格證據。證據2係揭示一種平行等高壓合治具及平行等高壓合裝置，該平行等高壓合治具包含上下相對能升降運動之下模與上模，下模與上模之間還能增設於中模，平行等高壓合裝置係於該平行等高壓合治具的上模結合壓力供給機構，其中，下模於其下模塊外圍分布設置限高柱，上模之上模塊與下模塊平行而能相對位移且各設有抽氣孔，用以在上模塊與下模塊相對壓合半導體元件中膠合的基板與散熱片的過程中，基板被吸附於下模塊頂面，散熱板被吸附於上模塊底部，使上下相對的基板與散熱片能平行地壓合，且利用限高柱限制壓合後半導體元件的整體高度，確保半導體元件中之基板與散熱片均勻壓合固接一體(參右圖及說明書摘要)。至證據3為107年06月01日公告之我國第M561324號專利案，其公開日亦早於系爭專利申請日，故亦作為與系爭專利比對之適格證據。證據3係揭示一種壓合治具，其包括一壓合基座與一壓板，該壓合基座於基座本體之多個單元區各設有元件定位單元，每一元件定位單元包含有一承載框部與環其周之複數定位擋部，該壓合基座能提供承載多個待壓合之半導體元件之元件承載板平置其上，元件定位單元定位每一半導體元件，壓板能升降地設置於壓合基座上，壓板以其複數壓抵彈片之自由端
型式之壓抵部共同對半導體元件提供壓合力量，半導體元件被固定於壓合治具後移置熱處理爐時，壓板之壓抵彈片末端自由端之構造，使壓抵彈片受熱膨脹能自由伸展而避免熱應力，且能減少熱處理後因退火降低彈性，確保壓板之壓抵彈片提供壓力之性能(參右圖及說明書摘要)。
4.茲依證據2說明書第7頁第【0018】記載，其上模20、下模10、上模塊22係能上下直線運動地設置於所述活動孔211中，此相當於系爭專利請求項1上模、下模以及設於該上模中能上下運動的至少一活動壓塊；另依其說明書第6頁第【0012】段第1行所載，其下模10係用於對位承載一置放有至少一工件(如：半導體元件)之元件承載盤，並能連接一升降驅動機構而能升降運動，此部分相當於附表2所示系爭專利請求項1要件1A之該下模與能相對於該上模上下運動，由是可知，證據2業已揭露如附表2所示系爭專利請求項1A之技術特徵。另證據2說明書第6頁第【0013】段揭露其下模座11、載盤定位區間100、元件定位區101、下模塊111係設於該模座本體110頂面且位於每一所述元件定位區101中間向上凸伸，此部分特徵相當於附表2所示系爭專利請求項1要件1B之下模、載盤定位區間、元件定位區、至少一下模塊，其係設於該下模本體頂面且位於所述元件定位區內向上凸伸之技術特徵。另證據2第2圖及說明書第6頁倒數第2行揭露其氣流通道112、下抽氣孔113，此部分亦相當於附表2所示系爭專利請求項1要件1B之「以及至少一氣流通道，其係設於該下模本體中且延伸至所述下模塊的頂面而形成一抽氣孔」技術特徵。至證據2第2圖所揭露其下模塊111實質為一矩形塊體，且各周邊與其側鄰之所述元件定位區101之邊界各具有一間距部分，雖其已揭露附表2所示系爭專利請求項1要件1C之部分技術特徵，惟並未揭露系爭專利請求項1要件1C之「所述下模塊包括四延伸支撐部，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界」特徵。另證據2圖式1至3圖及說明書第7頁第【0018】段所揭露之上模20、上模板21、活動孔211、上模塊22等，則相當於附表2系爭專利請求項1要件1D、1E、1F之上模、上模板、通孔、活動壓塊等技術特徵。
5.承前所述，證據2並未揭露系爭專利請求項1要件1C之「所述下模塊包括四延伸支撐部，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界」特徵，惟查，證據2說明書第7頁第【0016】段已明載「如圖1至圖3所示，所述多個限高柱12分布設置於該模座本體110頂面之元件定位區101內且位於下模塊111的外圍，於本較佳實施例，所述限高柱12係設於每一矩形的元件定位區101的各角隅處，所述限高柱12頂端高於下模塊111的頂面，所述限高柱12頂端各具有一限高缺口121以及一位於限高缺口121底部的支撐部122，支撐部122與下模塊111之頂面平行且位於等高之位置，所述限高缺口121與所述支撐部122位於元件定位區101的範圍內」等語，其說明書第12頁第【0031】段第6至7行復揭露「且基板81四角隅部位分別抵靠在相應位置的限高柱12的支撐部122上」等特徵，是證據2實已揭露其限高柱位於下模塊之外圍，並設於每一矩形之元件定位區各角隅處，且限高柱之支撐部可提供基板之四角隅部位抵靠，其限高柱之支撐部與系爭專利請求項1下模塊四個延伸支撐部之分布位置相同，兩者均具有支撐基板四邊角部位之作用功能；又證據2圖式1亦揭露其下模塊111及限高柱12相對應壓合位置之上模塊22四個凸部222分別形成於該上模塊之四個角隅處且朝外凸伸，上述結構即相當於系爭專利請求項1要件1C之「所述下模塊包括四延伸支撐部，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸」技術特徵。由是可知，系爭專利請求項1要件1C之技術特徵僅係將證據2「下模塊限高柱支撐部之結構」，以相對應壓合之「上模塊22四個凸部222分別形成於該上模塊的四個角隅處且朝外凸伸結構」作簡單替換並將上模塊大小相對應於下模塊之元件定位區，所屬技術領域具通常知識者依證據2所揭露之下模塊與限高柱支撐部結構，並參酌相對應壓合之上模塊與凸部結構，即可輕易完成系爭專利請求項1之整體技術特徵，故證據2足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈡證據2足以證明系爭專利請求項2至4不具進步性：
系爭專利請求項2係依附請求項1之附屬項，除請求項1之整體技術特徵外，其進一步限縮之附屬技術特徵如附表1所示，茲不再贅。經查，證據2圖式1、2及說明書第7頁第【0015】段揭露「如圖1至圖3所示，所述模座本體110頂面之相對兩側於該載盤定位區間100的邊界外緣處各形成至少一向上凸伸的載盤限位擋部115。或者，該模座本體110頂面還可於該載盤定位區間100內相對於所述元件定位區101外圍處分布設置複數對位穿設柱116」特徵；另證據2說明書第7頁第【0017】段亦揭露「如圖1至圖3所示，複數所述伸縮支撐組件13分布設置於該模座本體110頂部之載盤定位區間100中且位於所述元件定位區101的外圍」等特徵。經與系爭專利請求項2比對，可知證據2之載盤限位擋部、複數對位穿設柱、複數伸縮支撐組件，相當於系爭專利請求項2載盤限位擋部、複數對位穿設柱、複數伸縮支撐組件，故證據2已揭露系爭專利請求項2之附屬技術特徵。另系爭專利請求項3係依附於請求項1或2之附屬項，除請求項1或2之技術特徵外，其進一步限縮之附屬技術特徵亦如附表1所示。而證據2第4圖及說明書第8頁第【0020】段第4行已揭露「所述中模30係能上下位移地設置於該下模10上方且位於該上模20之上模板21下方，所述中模30包含一中模板31，該中模板31中形成至少一個元件對位孔311，所述上模20之上模塊22對位伸入所述元件對位孔311中，且所述下模10之限高柱12分別通過位置相對應之元件對位孔311中，所述元件對位孔311之底緣還形成由內朝外側向傾斜的導斜面312。」等特徵，其中所稱之中模板31、元件對位孔311及導斜面312等，相當於系爭專利請求項3之中模板、對位孔、導斜面，故證據2亦已揭露系爭專利請求項3之附屬技術特徵。至系爭專利請求項4則係依附於請求項3之附屬項，其進一步限縮之附屬技術特徵如附表1所示，亦不復贅。經查，證據2圖式4及說明書第9頁第【0021】段揭露「如圖4及圖5所示，所述中模30還包含複數個伸縮壓抵組件32，所述伸縮壓抵組件32分布設置於中模板31中。」特徵，業已揭露系爭專利請求項4之附屬技術特徵。是綜上所述，系爭專利請求項2、3、4乃所屬技術領域具通常知識者依據證據2所揭示之內容即能輕易完成，自不具進步性。
㈢證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性：
前已述及，證據2足以證明系爭專利請求項1不具進步性。而證據3說明書第【0021】段、第【0013】段、第【0014】段已揭露於半導體元件放置在相對應之承載框部上時，其承載框部之四個角落能用以支撐半導體元件之四個邊角，且承載框部之四個角落與複數個定位擋部形成至元件定位區之邊界，故證據3承載框部的四個角落，即相當於系爭專利請求項1要件1C之「所述下模塊包括四延伸支撐部，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸，該四個延伸支撐部的外周緣實質延伸至所述元件定位區的邊界」技術特徵，亦即證據2與系爭專利請求項1於要件1C之差異部分已為證據3所揭露。而證據2、3均為壓合治具，具技術領域之關聯性，兩者均是以上下相對之上模或壓板、下模或壓合基座等構件壓合半導體元件，具功能或作用之共通性，所屬技術領域具通常知識者自有合理動機將證據2、3之技術內容予以組合，並將證據3揭露之「承載框部」用以簡單替換證據2之「下模塊限高柱支撐部」，即可輕易完成系爭專利請求項1之整體技術特徵，是證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈣證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項2至4不具進步性：
如前所述，系爭專利請求項2、3、4乃所屬技術領域具通常知識者依據證據2所揭示之內容即能輕易完成，不具進步性，則證據2、3之組合自亦足以證明系爭專利請求項2、3、4不具進步性，自不待贅言。
㈤原告雖主張系爭專利與舉發證據2解決之技術問題不同、解決技術問題所提出之技術特徵及技術功效亦有差異，系爭專利請求項1相較於證據2具備進步性，證據2自不足以證明系爭專利請求項1不具進步性云云(112年3月8日起訴狀第9頁第2行至第9行)。惟查，原告自承證據2「於半導體元件80之壓合製程中，半導體元件80受到上下夾擊的作用力，壓縮散熱片82與基板81之間的間隙及擠壓導熱膠83擴散，直至下模10的每一限高柱12頂面同時接觸到上模塊22底面」等語(起訴狀第8頁第3至6行)，即已說明證據2之壓合製程直至下模10之每一限高柱12頂面同時接觸到上模塊22底面之前，基板81四邊角均受到上下夾擊之作用力，可知證據2實質上已提供解決系爭專利四個角隅產生翹曲問題之技術手段，差異僅在於證據2「下模周圍限高柱」結構，與系爭專利請求項1下模「四延伸支撐部，該四個延伸支撐部分別形成於該模塊基部的四個角隅處且朝外凸伸」結構不同，惟上述差異實為所屬技術領域具通常知識者依據證據2即可輕易完成，且未具無法預期之功效，是縱使證據2與系爭專利兩者發明所欲解決之問題或有不同，惟證據2確已揭露解決系爭專利四個角隅產生翹曲問題之技術手段，已足以證明系爭專利請求項1不具進步性，原告前開主張自非可採。原告雖又主張證據3與證據2均係採取高出於下模塊限位柱之限高手段，或高出定位框部定位擋部之限位技術手段，與系爭專利所採下模塊於其四角隅皆無形成高出承裁面之限位或限高等限位構造，以精簡化之構造配合上模中相應之活動壓塊，實現每一下模塊能對其承載的待壓合物件之邊角部位提供較佳之支撐性能，使待壓合物件周邊各角隅處能於壓合治具中接受足夠之壓合力量而達到較佳之熱壓合效果不同，故證據2、3皆未揭露系爭專利請求項1記載之整體技術特徵及其所能達成之功效云云(起訴狀第11頁第8行至第15行)。惟查，證據2、3雖係採高出下模塊限位柱之限高手段，或高出定位框部定位擋部之限位技術手段，惟證據2、3揭露之技術手段均可對待壓合物件周邊各角隅處進行壓合，證據2、3既揭露系爭專利解決問題之技術手段，所屬技術領域具通常知識者若欲進一步提升壓合力量，自可輕易將證據2、3之限高手段或限位手段移除或降低高度，進而得到較佳之壓合效果，且此種效果自證據2、3所提供之教示並非無法預期，是原告主張證據2、3未揭露系爭專利請求項1記載之整體技術特徵及其所能達成之功效云云，亦非可採。
八、綜上所述，證據2或證據2、3之組合已足以證明系爭專利請求項1至4不具進步性，被告以系爭專利違反核准時專利法第120條準用同法第22條第2項規定為由，所為舉發成立、撤銷專利權之處分，並無違誤，訴願機關遞予維持，亦無不當。原告提起本件訴訟，求為判決撤銷訴願決定及原處分，自非有據，應予駁回。
九、兩造其餘主張或答辯，及其餘爭點有無理由，已與本件判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中　　華　　民　　國　　112 　年　 　8 　月　 24 日
智慧財產第二庭
審判長法　官　彭洪英
法　官　曾啓謀
法　官　汪漢卿
以上正本證明與原本無異。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
中　　華　　民　　國　　112 　年　 　9 　月　 4 日
書記官　邱于婷

附表1

附表2