智慧財產及商業法院102年度民專訴字第141號

• 裁判案由: 侵害專利權有關財產權爭議等
• 案件類型: 智財
• 審判法院: 智慧財產及商業法院
• 裁判日期: 104 年 02 月 06 日

智慧財產法院民事判決
102年度民專訴字第141號原　　　告　群聯電子股份有限公司
法定代理人　潘健成
訴訟代理人　陳寧樺律師
陳軍宇律師
輔　佐　人　謝東緯
被　　　告　立達國際電子股份有限公司
法定代理人　王立民
訴訟代理人　陳國華律師
鍾詩敏律師
范曉玲律師
謝祥揚律師
輔　佐　人　陳建銘
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於民國103 年12月31日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序部分：
按「訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴。但有下列情形之一者，不在此限：..擴張或減縮應受判決事項之聲明者。..」為民事訴訟法第255 條第1 項第3 款定有明文。本件原告於起訴時原訴之聲明第2 項請求被告「不得自行或使他人或受人委託、生產、製造、販賣、為販賣之要約、為上述目的而進口、輸出、使用、陳列、加工、實施、授權、交付、處分『Gigastone GST200隨身碟』以及『Gigast
one SDHC記憶卡』產品，亦不得陳列或散佈其廣告、標貼、型錄或說明書、價目表、或於報章雜誌、網際網路或其他任何傳播媒體為任何廣告之行為，其已製造之前述產品及從事侵害行為之原料器具，應予以銷燬。」，於訴訟進行中變更此項訴之聲明為：「不得自行或使他人或受人委託、製造、販賣、為販賣之要約、使用、為上述目的而進口『Gigastone GST200隨身碟』（下稱系爭產品1 ）以及『Gigastone SDHC記憶卡』產品（下稱系爭產品2 ），其已製造之前述產品及從事侵害行為之原料器具，應予以銷燬。」（見本院卷三第294 頁），核屬減縮應受判決事項之聲明，依前揭規定及說明，應准許原告訴之聲明之變更，合先敘明。
貳、實體部分：
一、原告主張略以：
㈠原告為我國第I358068 號「非揮發性記憶體的寫入方法及使用此方法的控制器」（下稱系爭專利）發明專利之專利權人。原告對系爭專利係不惜重金投入大量人力、物力及財力進行研發，並成功開發，僅以我國為例，包括系爭專利在內，原告目前至少已有204 件發明、新型及設計專利。系爭專利未曾遭人舉發，亦無專利法第71條所規定之任何得撤銷發明專利權情事。系爭專利係一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中非揮發性記憶體包括資料區與備用區，此寫入方法包括：使用非揮發性記憶體的替換區的多個區塊分別地用以替換欲寫入的資料區的多個區塊，其中替換區的區塊用以寫入欲在資料區的區塊中寫入的資料，並且替換區的區塊是從非揮發性記憶體的備用區中提取，以及使用非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為替換區的區塊的暫存區，其中暫存區用以暫時地儲存欲在替換區的區塊中寫入的資料。系爭專利之申請專利範圍共25項，請求項1 、7 、13、14、19及25為獨立項，其他則為附屬項。
㈡原告正欲投入更多資源於相關產品開發、銷售之際，赫然發現被告未經原告同意或授權，擅自將系爭專利請求項1 、4
、6 、14、17之技術，運用於系爭產品1 及系爭產品2 之上。原告委請技術專家進行專利侵權鑑定，確認被告上述產品落入系爭專利申請專利範圍，而有侵害系爭專利之事實。依經濟部智慧財產局（下稱智慧局）公布之「專利侵害鑑定要點」，依文義讀取及逆均等論原則進行鑑定，鑑定結論如下：1.依前述鑑定要點所載之鑑定方法與鑑定流程圖所作出之鑑定結果，系爭產品1 落入系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17請求項之文義範圍，系爭產品2 落入系爭專利請求項1
、4 、6 、14、17之文義範圍。被告擅自將系爭專利技術運用於系爭產品上，除侵害系爭專利權外，已使不知情消費者誤以為使用系爭專利技術之被控侵權產品，與原告所生產或代工之產品具有相同品質，進而對原告所生產或代工之產品的信賴感遽減，損及原告及其客戶於市場上所享有之優良信譽，被告等自應對原告營業上之信譽減損，負損害賠償責任。因之，原告無視於系爭專利之存在, 持續侵害系爭專利之行為實已嚴重損原告之權利。為此，原告依專利法第96 條
第1 項、第2 項、第97條第1 項及第2 項規定請求被告賠償原告損害，並應立即停止一切侵害行為，其已製造之系爭產品1 及2 及從事侵害行為之原料與器具，應予以銷燬。原告已於102 年11月8 日寄發存證信函，告知被告所製造之系爭產品已落入系爭專利之申請專利範圍，惟被告置之不理，仍續為製造，可見被告顯有侵權之故意，法院應酌定至多3 倍之損害賠償額。
㈢訴之聲明：
⒈被告應給付原告500 萬元及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息百分之5計算之利息。
⒉被告不得自行或使他人或受人委託、製造、販賣、為販賣之要約、使用、為上述目的而進口「Gigastone GST200隨身碟」以及「Gigastone SDHC記憶卡」產品，其已製造之前述產品及從事侵害行為之原料器具，應予以銷燬。」。⒊原告願擔保請准宣告假執行。
二、被告答辯略以：
㈠系爭專利有應撤銷之事由：
⒈系爭專利請求項1 、4 、6 、17均違反核准時專利法第26條第3 項規定：
系爭專利核准時專利法第26條第3 項規定：申請專利範圍應明確記載申請專利之發明，各請求項應以簡潔之方式記載，且必須為發明說明及圖式所支持。系爭專利請求項1
、14所稱「替換區的多個區塊」、「該替換區的區塊」等語，熟悉系爭技術之人無從確知其明確意涵為何，而其兀自解釋為「替換區為一個..區塊」，並無根據。因之，熟悉系爭技術之人確實無從理解系爭專利請求項1 、14所稱「替換區的多個區塊」、「該替換區的區塊」之明確意涵為何，而依附前開2 請求項之第4 、6 、17項，亦有相同違失，違反核准時專利法第26條第3 項規定。
⒉系爭專利違反核准時專利法第26條第2項規定：
系爭專利核准時專利法第26條第2 項規定：發明說明應明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施。系爭專利說明書之發明說明未充分揭露實施申請專利之發明所需的內容, 其說明書圖4 及其說明書段落所揭露「暫存區塊」與「替換區塊」之作用，完全迥異於系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17所限定「暫存區塊」與「替換區塊」之作用。
⒊系爭專利違反核准時專利法第26條第4 項暨專利法施行細則第18條第2項規定：
系爭專利核准時專利法第26條第4 項規定：發明說明、申請專利範圍及圖式揭露方式依施行細則規定，而專利法施行細則第18條第2 項規定，獨立項應敘明申請專利之標的及其實施之必要技術特徵。然系爭專利所欲解決之「資料搬移嚴重」問題，其必要技術特徵應有暫存區整體用以暫存來自主機端欲在該替換區的區塊中寫入「未滿一頁的資料」，替換區塊用以分別儲存來自主機端欲在該資料區的對應區塊中寫入「滿一頁的資料」，亦儲存來自暫存區塊所寫入「未滿一頁的資料」。然系爭專利申請專利範圍第1 項、第14項未敘明前述必要技術特徵，違反核准時專利法第第26條第4 項暨專利法施行細則第18條第2 項規定。⒋系爭專利各申請專利範圍己見於前案技術，不具新穎性及進步性：
被告提出被證1 至被證5 ，各證據組合足以證明系爭專利不具新穎性及進步性。原告自承系爭專利絕大部分之技術特徵均已見於先前技術。系爭專利請求項1 至少已見於被告提出之被證2 、4 ，則該請求項顯然欠缺新穎性、進步性。同理，系爭專利請求項4 、14、17亦均見於原告自承先前技術、被證2 、4 ，故同樣欠缺新穎性、進步性。另系爭專利請求項6 己見於原告自承之先前技術、被證2 、3 、4 ，是同樣欠缺新穎性、進步性，從而，系爭專利有應撤銷之事由。
㈡被告之系爭產品未侵害系爭專利：
⒈原告係以原證6 之鑑定報告指訴被告之產品技術落入系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17，認侵害系爭專利等語。惟原告無法證明原證6 鑑定報告之待鑑定物究否為被告產品，並不確實，而該報告之實驗過程具有多瑕疵，無法據以得知待鑑定物使用之技術方法為何，具所作之文義分析，存有瑕疵，關於逆均等論之分析，亦有違誤，該報告既有前開缺失，無從證明被告之系爭產品確有使用系爭專利之方法，原告主張系爭產品侵害系爭專利為無理由。
⒉原告自承其僅得以「間接方式」推知系爭產品侵權之結論，然依最高法院17年上字第917 號民事判例，原告應負舉證侵害專利事實之責任，不能要求被告提出反證，原告所提鑑定報告未能檢測系爭產品使用之技術方法為何，僅憑該報告所謂檢測結果，驟然推得系爭產品侵害系爭專利之結論，其係以「間接推知」系爭產品所用技術方法，無從「直接」證明系爭產品所用技術方法為何，更遑論系爭產品所用方法有無侵害系爭專利。原告宣稱系爭專利部分技術特徵為「業界通常作法」，並稱系爭產品必當採用與之相同之技術方法，亦純屬臆測，未能提出客觀事證。原告一再提出他案訴訟之證據資料，與本件無之其他專利案，然均無涉及系爭產品是否侵害系爭專利之爭點判斷。
⒊原告聲請詢問證人吳○○，不具證人適格，其稱從事記憶體開發工作已有8 年以上，但其對於系爭專利說明書所載如說明書圖式第1A圖所示之先前技術，其竟稱「無法判斷」，顯見原告稱證人熟知記憶體之運作云云，顯非實情；且其證述亦不能認可補正原證6鑑定報告已存在的瑕疵。
㈢原告訴請損害賠償為無理由：
系爭專利有違反核准時專利法規定，具有得撤銷之事由，依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定，原告即不得於本件訴訟中對被告主張專利權權利，而原告未能證明系爭產品特徵為何，是否落入系爭專利文義範圍，其舉證不足。原告之舉證既有瑕疵，依法應駁回其訴。
㈣訴之聲明：如主文所示。
三、本件兩造不爭執事項：
㈠原告於101 年2 月11日取得系爭第I358068 號「非揮發性記憶體的寫入方法及使用此方法的控制器」發明專利之專利權人，專利權期間自101 年2 月11日起至118 年10月18日止，有原告提出之發明專利證書、專利說明書為證（見原證1、2，本院卷一第29至50頁）。
㈡被告製造及銷售系爭「Gigastone GST200隨身碟」及「Gigastone SDHC 記憶卡」產品。
四、兩造爭執事項：
㈠系爭專利是否有得撤銷之事由？
㈡系爭產品是否落入系爭專利申請專利範圍？
㈢原告請求損害賠償及排除侵害、產品及原料銷毀有無理由？五、得心證之理由
㈠系爭專利有無應撤銷事由部分：
⒈按「當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認為有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利。」，智慧財產案件審理法第16條定有明文。本件被告抗辯系爭專利有得撤銷之原因，本院應就系爭專利有無撤銷之原因自為判斷。系爭I358068 專利之申請日為96年10月19日，經審定准予專利後，於101 年2 月11日公告。職是，系爭專利是否有應撤銷專利權之情事，應依核准時即99年8 月25日公布，99年9 月12日施行之專利法規定論斷（99年8 月25日修正公布專利法關於專利要件之規定與93年7 月1 日修正公布之專利法一致）。
⒉系爭專利技術說明：
系爭專利為一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中非揮發性記憶體包括資料區與備用區，此寫入方法包括：使用非揮發性記憶體的替換區的多個區塊分別地用以替換欲寫入的資料區的多個區塊，其中替換區的區塊用以寫入欲在資料區的區塊中寫入的資料，並且替換區的區塊是從非揮發性記憶體的備用區中提取；以及使用非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為替換區的區塊的暫存區，其中暫存區用以暫時地儲存欲在替換區的區塊中寫入的資料（參系爭專利說明書摘自摘要，本院卷第31頁）。
⒊系爭專利主要圖式：
系爭專利第2A圖為實施例之使用非揮發性記憶體儲存裝置示意圖，第2B圖為實施例之非揮發性記憶體儲存裝置方塊圖，第3 圖為實施例之非揮發性記憶體及其運作方塊圖，第4 圖為實施例之寫入方法流程圖，第5A圖為MLCNAND 快閃記憶體程式的示意圖，第5B圖為實施例繪示使用下頁的示意圖，均如本判決附圖一所示。
⒋系爭專利申請專利範圍分析：
系爭專利請求項共計25項，其中請求項1 、7 、14、19
、25為獨立項，其餘為附屬項，僅就兩造所爭執之系爭專利請求項1 、4 、6 、14及17內容如下
第1 項：一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，包括：使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取；以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。
第4 項：如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC
(Single Level Cell) 或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。
第6 項：如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁(pages) 。第14項：一種控制器，包括：一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作；一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元並且用以存取非揮發性記憶體；一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料；以及一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體，其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括：使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取；以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。
第17項：如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell) 或
MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。
⒌被告提出之專利有效性證據：
⑴被證1：
①被證1為系爭專利說明書所載之先前技術。
②被證1 係圖1A、1B、1C與1D是根據習知技術繪示非揮發性記憶體100 及其運作的詳細方塊圖（說明書第5
頁第16行至第17行）。非揮發性記憶體100 的區塊會在邏輯上分組為系統區102 、資料區104 與備用區106 （說明書第5 頁第19行至第21行）。替換區塊108
是用來預備替換資料區104 中欲寫入資料的區塊。更詳細而言，當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C （說明書第6 頁第19行至第22行）。暫態區塊110 是用以暫時存放此類少量資料。具體來說，如上所述當欲寫入替換區塊108(例如區塊C)的資料為不滿一個頁的小量資料時，會從備用區106 中提取一區塊T ，然後將此小量資料寫入至區塊T 並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 。之後，當後續寫入的資料量足夠寫入一頁時再將此些資料寫入至區塊C ，然後再將區塊T 抹除並且關聯為備用區106
（說明書第7 頁第21行至第8 頁第3 行）。快閃記憶體由單層記憶胞(Single Level Cell,SLC) 反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體（說明書第8 頁第11行至第13行）。
③被證1 技術示意圖如本判決附圖二所示。
⑵被證2 ：
①被證2 為公元（下同）2006年7 月13日公開之美國第US2006/0000000A1號專利，其公開日早於系爭專利申請日2007年10月19日，可為先前技術。
②被證2 技術內容：
本發明一般而言係關於非揮發性快閃記憶體(non-volatile flash memory) 系統之運作，且更特定言之，係關於程式化一非揮發性快閃記憶體中之資料之更有效方法（說明書第[0002]段）。在一將一區塊作為抹除單元之記憶體陣列中，一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能（說明書第[0016]段）。一微處理器21用以控制記憶體控制器19的整體運作；一陣列介面邏輯27電性連接至微處理器21並且用以存取快閃記憶體胞陣列15；一緩衝記憶體25電性連接至微處理器21並且用以暫時地儲存資料；以及一代碼唯讀記憶體23電性連接至微處理器21並且用以管理該快閃記憶體胞陣列15（說明書第[0092]段至第[0095]段）。一整個區塊之資料的重新寫入通常涉及將新的資料程式化至一抹除區塊池之一區塊中，接著將原始區塊抹除且置放於抹除池中（說明書第[0100]段）。現用區塊1110為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於長期儲存。暫存區塊1120為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於短期儲存。當接收較少數目○區段○○○○區段首先係儲存於暫○區○○○○○○
○區段繼續儲存於暫○區○○○○○○○區段持續儲存於
暫存區塊1120中，直至接收之區段足以填滿一資料頁。接著將此等區段複製至現用區塊1110之一頁（說明書第[0113]段）。圖13展示一將此等多層記憶胞(MLC）記憶體係如何程式化以提供表示不同邏輯狀態之多個臨限電壓之一實例（說明書第[0120]段）。區段Y
、Y ＋1 及Y ＋2 可與區段X 、X ＋1 及X ＋2 在邏輯上無關聯。區段Y 、Y ＋1 及Y ＋2 可與區段X 、X ＋1 及X ＋2 不連續且可區分在不同的邏輯位址空間。類似地○區段○ ○○ ○○ ○區段X 及X ＋1 一起
儲存於頁1 中。區段Z 及Z ＋1 可與區段X 、X ＋1
及X＋2及區段Y 、Y ＋1 及Y ＋2 在邏輯上無關聯。區段X 、X ＋1 、X ＋2 及X ＋3 可在接收區段X ＋3 時隨後被寫至另○區○○○○○區段Y 、Y ＋1 、Y ＋2 及Y ＋3 可在接收區段Y ＋3 時被寫至另一區塊之一頁（說明書第[0127]段）。
③被證2之技術示意圖如本判決附圖三所示。
⑶被證3 ：
①被證3 為2007年6 月14日公開之美國第2007/0000000A1號專利，其公開日早於系爭專利申請日2007年10月19日，為系爭專利先前技術。
②被證3之技術內容：
可透過使用多層記憶胞(multiple level cells)來增加記憶體密度（說明書第[0005]段）。圖5 圖解說明用於在多層記憶胞記憶體系統中實施本發明的單層記憶胞(single level cell) 編成方法的一個實施例的方法流程圖。所述方法判斷（步驟501 ）待寫入資料是需要較高可靠性的代碼還是容忍MLC 編程的較低可靠性的其它資料（說明書第[0046]段）。
③被證3 之技術示意圖如本判決附圖四所示。
⑷被證4 ：
①被證4 為2007年9 月13日公開之美國第2007/0000000A1號專利，其公開日早於系爭專利申請日2007年10月13日，可為先前技術。
②被證4 之技術內容 ：
本發明係關於一資料記錄系統，特別是關於一資料記錄系統其包含了一資料可重覆寫入的非揮發性記憶體（說明書第[0003]段）。一資料可重覆寫入的非揮發性記憶體係為熟知用於記憶卡中的一種記錄媒體的手段，並且這記憶體需求正逐步擴大中。記錄媒體需要較大的容量，因此在記憶體的研究發展中，擴大容量是持續進行的。除了高密度整合的技術之外，多層技街亦在發展之中。進一步來說，除了增加容量以外，記錄媒體亦需要快速的資料寫入以及讀取速度。然而，倚賴多層技術的記憶體，即所謂的多層記憶體雖在容量上優於單層記憶體，但它在寫入及讀取速度上卻次於單層記憶體（說明書第[0005]段）。該控制器12具有：一主機介面21；一中央處理單元(CPU) 22；一快閃記憶體介面23；一唯讀記憶體(ROM)24 ；一隨機存取記憶體(RAM)25 ；以及一暫存器26（說明書第[0039]段）。該中央處理單元22控制整個記憶卡的運作（說明書第[0041]段）。該唯讀記憶體24儲存一控制程式，例如藉由中央處理單元22來控制。該隨機存取記憶體25用以當作該中央處理單元22的工作區域，以及存放控制程式及/ 或許多個對照表，該快閃記憶體介面23在控制器12與快閃記憶體11之間執行介面的處理（說明書第[0043]段）。該暫存器26暫時地存放一定量的資料（例如一頁的資料）當資料由主機2 被送來寫入至快閃記憶體11時，或是當資料由快閃記憶體11中被讀出要傳送至主機2 之時。（說明書第[0044]段）。圖5 顯示資料由主機傳送過來並且記錄到記憶區51的一個例子。記憶區51在此例中是如圖4 所示之記憶胞矩陣所組成，然而並不限於此【說明書第[0055]段）。如圖5 狀態I 所示，首先，資料（DATA l至3 ）從主機2 傳送過來並輸入至NAND型快閃記憶體11的記憶區51。資料（DATA 1至3 ）將記錄在記憶區51中。在此例中記憶區51包含複數個單元，例如在記憶區51中有10個單元53-0至53-9。單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面。記憶區51包含單層區55和多層區57。在圖5 中（原文應為誤繕），5 個單元53-0至53-4包含於單層區55中，而另5 個單元53-5至53-9包含於多層區57中。單層區55以單層方式記錄資料。多層區57以多層方式記錄資料（說明書第[0056]段】。該資料(DATA 1 至DATA 3) 被記錄在單層區55中，如圖5 之狀態Ⅱ所示。在此例中，資料被記錄於單元53-0至53-2中（說明書第[0057]段）。接著控制器12或NAND型快閃記憶體11判斷主機不再進行存取時，複製在單層區55中的資料至多層區57中，如圖5 之狀態Ⅲ（說明書第[0058]段）。在第一實施例中，資料（DATA 1至DATA 3）從主機2 傳送過來被記錄在記憶區51的單層區55中，記憶區51包含單層區55和多層區57。單層資料的寫入速度快於多層資料的寫入速度（說明書第[0074]段）。如上所述，根據第一實施例，資料(DATA 1 至DATA 3) 以單層資料的方式被記錄於單層區55中，使得NAND型快閃記憶體11低落的寫入速度被限制。如果NAND型快閃記憶體11低落的寫入速度是有限的，那麼記憶卡l 將可獲得較快、高的寫入速度（說明書第[0075]段）。
③被證4之技術示意圖如本判決附圖五所示。
⑸被證5：
①被證5 為2007年10月18日公開之美國第2007/0000000A1號專利，因美國與台灣時差12個小時，與本件系爭專利申請日2009年10月19日時間比較，有可能為同一天，然被證5 之申請日早於公開日，故仍以被證5 之公開日早於系爭專利申請日認定，是被證5 為系爭專利之先前技術。
②被證5 技術內容：
個別的快閃電子抹除式可複寫唯讀記憶體胞儲存一定量的電荷在一個充電單元內，用以代表一或多個位元。選擇多層記憶體陣列的數個部份亦可為了許多因素而以單層的方式操作，該方法已描述於美國專利US5,930,167 以及US 6,456,528中（說明書第[0007]段）。圖9B說明兩個門檻電壓範圍分別代表在overhead
data area 中的記憶胞的兩個邏輯狀態。此兩個狀態對應於圖9A的兩個狀態是具有最大的電壓差。這格式使得低風險的寫入成為可能。一記憶胞具有如圖9B中的狀態01將不大可能經歷干擾後而造成它變成圖9B中的邏輯狀態00。當僅使用兩個寫入狀態時，寫入速度也變得較為快速（說明書第[0053]段）。
③被證5 之技術示意圖如本判決附圖六所示。
⒍專利有效性之爭點：
⑴被證1 是否足以證明系爭專利請求項1 、4 不具新穎性？
⑵被證2 是否足以證明系爭專利請求項1 、4 、14、17不具新穎性或進步性？
⑶被證1 、2 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 、4
、14、17不具進步性？
⑷被證1 、3 之組合是否足以證明系爭專利請求項4 、6
不具進步性？
⑸被證2 、3 之組合是否足以證明系爭專利請求項4 、6
、17不具進步性？
⑹被證1 、2 、3 之組合是否足以證明系爭專利請求項4
、6 、17不具進步性？
⑺被證4 是否足以證明系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17不具新穎性或進步性？
⑻被證1 、4 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 、4
、14 、17不具進步性？
⑼被證2 、4 之組合是否足以證明系爭專利請求項1 、4
、6 、14、17不具進步性？
⑽被證4 、5 之組合是否足以證明系爭專利請求項4 、6
、17不具進步性？
⑾被證1 、5 之組合是否足以證明系爭專利請求項6 不具進步性？
⑿被證2 、5 之組合是否足以證明系爭專利請求項6 、17不具進步性？
⒀被證3 、4 之組合是否足以證明系爭專利請求項6 、17不具進步性？
⒁被證3 、4 、5 之組合是否足以證明系爭專利請求項6
、17不具進步性？
⒂系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17是否違反申請時專利法第26條第3 項規定？
⒃系爭專利是否違反申請時專利法第26條第2項規定？
⒄系爭專利請求項1 、14是否違反申請時專利法第26條第4 項規定及專利法施行細則第18條第2 項規定？
⒎各爭點判斷：
⑴被證1 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性及進步性：
①被證1 為系爭專利說明書所載之先前技術。比對系爭專利請求項1 與被證1 所示之「非揮發性記憶體運作方式」技術特徵，被證1 說明書第5 頁第16行至第17行以及圖式第1D圖（見本院卷一第201 、215 頁反面）已揭示一種非揮發性記憶體之運作方式。其中被證1 之「非揮發性記憶體」係可對應至系爭專利請求項1 之「非揮發性記憶體」，故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，包括」。
②被證1 即系爭專利說明書第5 頁第19行至第21行（同上卷）已揭示非揮發性記憶體100 區塊會在邏輯上分組為系統區102 、資料區104 與備用區106 ，其中被證1 之「資料區」係可對應至系爭專利之「資料區」；被證1 說明書第6 頁第19行至第22行雖揭示替換區塊108 是用來預備替換資料區104 中欲寫入資料區塊，當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C ，惟被證1 未揭示多個替換區塊
108 之「替換區」，故被證1 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，被證1 不足以證明系爭專利請求項1
不具新穎性。
③被證1 之替換區塊108 係由備用區106 中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之替換區308 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3
），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 之「替換區」，且被證1 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示，故被證1 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，被證1 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
④被證1 說明書第6 頁第19行至第22行已揭示當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C 。其中被證1 之「備用區」係可對應至系爭專利之「備用區」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1
之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
⑤被證1 說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行已揭示當欲寫入替換區塊108 （例如區塊C ）資料為不滿一個頁的小量資料時，會從備用區106 中提取一區塊T ，然後將此小量資料寫入至區塊T 並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 。其中被證1 之「暫態區塊」係可對應至系爭專利之「暫態區塊」。被證1 說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行雖揭示從備用區106 中提取一區塊T ，並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 ，惟，被證1 未揭示多個暫態區塊110 之「替換區」，故被證1
未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，被證1 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性。被證1 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性已如前述，被證1 之暫態區塊110 係由備用區106 中提取一區塊( 參系爭專利圖1D) ，而系爭專利請求項1 之暫態區310 係由備用區306 提取多個區塊( 參系爭專利圖3)，亦即被證1 未揭示多個暫態區塊110 構成之「暫態區」，且查被證1 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示。故被證1 未揭示系爭專利請求項1 之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」技術特徵。被證1
不足以證明系爭專利請求項1不 具進步性。
⑥依上所述，被證1 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」及「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」等技術特徵及其相關教示，故被證1 不足以證明系爭專利請求項1
不具新穎性以及進步性。
⑵被證2 不足以證明系爭專利請求項1 、4 、14、17不具新穎性或進步性：
①被證2 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性或進步性：
被證2 說明書第[0113]段雖揭示現用區塊1110為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於長期儲存。區段持續儲存於暫存區塊1120中，直至接收之區段足以填滿一資料頁。接著將此等區段複製至現用區塊1110之一頁。惟被證2 未揭示系爭專利請求項1
之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，是被證2 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性。
又被證2 說明書第[0016]段已教示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，應有其動機參考被證2 之技術內容，而將現用區塊1110設定由多個區塊構成。考量該發明所屬技術領域中具通常知識者，參酌被證2 所揭之技術內容及申請時之通常知識自可將現用區塊1110設定由多個區塊。惟被證2 之資料係以現用區塊1110與暫存區塊1120間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換。故被證2 未揭示系爭專利請求項1
之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，且被證2 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示，是被證2 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
被證2 說明書第[0100]段已揭示一整個區塊之資料的重新寫入通常涉及將新的資料程式化至一抹除區塊池之一區塊中，接著將原始區塊抹除且置放於抹除池中。被證2 說明書第[0113]段已揭示現用區塊1110為一抹除區塊。其中被證2 之「抹除區塊池」係可對應至系爭專利請求項1 之「備用區」，故被證2 已揭示系爭專利請求項1 之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。被證2 說明書第[0113]段已揭示現用區塊1110為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於長期儲存。暫存區塊1120為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於短期儲存。當接收較少數目○區段○○○○區段首先係儲存於暫○區○○○○○○○區段繼續儲存
於暫○區○○○○○○○區段持續儲存於暫存區塊1120
中，直至接收之區段足以填滿一資料頁。接著將此等區段複製至現用區塊1110之一頁；再被證2 說明書第[0016]段已揭示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能。其中被證2 之「多個暫存區塊」係可對應至系爭專利請求項1 之「暫存區」，故被證2 已揭示系爭專利請求項1 之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。
依上所述，被證2 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」之技術特徵及其相關教示，故被證2 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性以及進步性。
②被證2 不足以證明系爭專利請求項4 不具新穎性以及進步性：
系爭專利請求項4 係為直接依附系爭專利請求項1
之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項4 係為依附於請求項1 之附屬項，其為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證2 不足證明系爭專利請求項1 不具新穎性以及進步性已如前所述，被證2 亦不足證明系爭專利請求項4 不具新穎性以及進步性。
③被證2 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性以及進步性：
比對系爭專利請求項14與被證2 之「非揮發性快閃記憶體系統之運作」技術特徵，被證2 說明書第[0092]段至第[0095]段及圖式第1A圖已揭示快閃記憶體包括記憶體控制器19以及記憶體陣列。其中被證2 之「記憶體控制器」係可對應至系爭專利請求項14之「控制器」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「一種控制器，包括」。被證2 說明書第[0093]段及圖式第1A圖已揭示微處理器21用以控制記憶體控制器19的整體運作。其中被證2 之「微處理器」可對應至系爭專利請求項14之「微處理單元」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作」。
被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示陣列介面邏輯27電性連接至微處理器21並且用以存取快閃記憶體胞陣列15。其中被證2 之「陣列介面邏輯」係可對應至系爭專利請求項14之「非揮發性記憶體介面」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元並且用以存取非揮發性記憶體」。又被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示緩衝記憶體25電性連接至微處理器21並且用以暫時地儲存資料。其中被證2 之「緩衝記憶體」係可對應至系爭專利請求項14之「緩衝記憶體」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料」。再被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示代碼唯讀記憶體23電性連接至微處理器21並且用以管理該快閃記憶體胞陣列。其中被證2 之「代碼唯讀記憶體」係可對應至系爭專利請求項14之「記憶體管理模組」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「以及一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體」。
被證2 說明書第[0002]段已揭示非揮發性快閃記憶體系統之運作，可程式化一非揮發性快閃記憶體中資料更有效之方法。被證2 已揭示系爭專利請求項14之「其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括」。被證2 說明書第[0113]段雖揭示現用區塊1110為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於長期儲存。區段持續儲存於暫存區塊1120中，直至接收之區段足以填滿一資料頁。接著將此等區段複製至現用區塊1110之一頁。故被證2 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，是被證2 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性。
被證2 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性已如前述，被證2 說明書第[0016]段已教示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能，該發明所屬技術領域中具有通常知識者應有其動機參考被證2 之技術內容而將現用區塊1110設定由多個區塊構成。考量該發明所屬技術領域中具通常知識者，參酌被證2 所揭之技術內容及申請時之通常知識自可將現用區塊1110設定由多個區塊。惟被證2 之資料係以現用區塊1110與暫存區塊1120間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換。故被證2 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，是被證2 不足以證明系爭專利請求項14不具進步性。
被證2 說明書第[0100]段已揭示一整個區塊之資料的重新寫入通常涉及將新的資料程式化至一抹除區塊池之一區塊中，接著將原始區塊抹除且置放於抹除池中。被證2 說明書第[0113]段已揭示現用區塊1110為一抹除區塊。其中被證2 之「抹除區塊池」係可對應至系爭專利請求項14之「備用區」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。被證2 說明書第[0113]段已揭示現用區塊1110為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於長期儲存。暫存區塊1120為一抹除區塊，資料可於其中程式化以用於短期儲存。當接收較少數目○區段○○○○區段首先係儲存於暫○區○○○○○○○區段繼續儲存
於暫○區○○○○○○○區段持續儲存於暫存區塊1120
中，直至接收之區段足以填滿一資料頁。接著將此等區段複製至現用區塊1110之一頁；再被證2 說明書第[0016]段已揭示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能。其中被證2 之「多個暫存區塊」係可對應至系爭專利請求項14之「暫存區」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。
依上所述，被證2 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」之技術特徵及其相關教示，故被證2 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性以及進步性。
④被證2 不足以證明系爭專利請求項17不具新穎性以及進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及
(NAND) 快閃記憶體。」。
系爭專利請求項17係為依附於請求項14之附屬項，其係為系爭專利請求項14之進一步限縮，被證2 不足證明系爭專利請求項14不具新穎性以及進步性已如前所述，被證2 亦不足證明系爭專利請求項17
不具新穎性以及進步性。
⑶被證1 與被證2 之組合足以證明系爭專利請求項1 、4
、14、17不具進步性：
①被證1 與被證2 之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
被證1 說明書第5 頁第19行至第21行已揭示非揮發性記憶體100 的區塊會在邏輯上分組為系統區102
、資料區104 與備用區106 ，其中被證1 之「資料區」係可對應至系爭專利之「資料區」；說明書第6 頁第19行至第22行揭示替換區塊108 是用來預備替換資料區104 中欲寫入資料的區塊，當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C ，被證1 雖揭示多個替換區塊108 之「替換區」，惟被證1 之替換區塊108 係由備用區106
中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之替換區308 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ）亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 之「替換區」，但由被證2 說明書第[0016]段教示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能，被證1 與被證2 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠等被證之技術內容，而將被證1 之「一區塊之替換區塊108 」以及被證2 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證2 組合已揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵。
被證1 說明書第6 頁第19行至第22行已揭示當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C 。其中被證1 之「備用區」係可對應至系爭專利之「備用區」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
被證1 說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行已揭示當欲寫入替換區塊108 （例如區塊C ）的資料為不滿一個頁的小量資料時，會從備用區106 中提取一區塊T ，然後將此小量資料寫入至區塊T 並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 。其中被證1 之「暫態區塊」係可對應至系爭專利之「暫態區塊」。被證1
說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行揭示從備用區106 中提取一區塊T ，並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 ，被證1 未揭示多個暫態區塊110 之「替換區」，被證1 之暫態區塊110 係由備用區106 中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之暫態區310 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3） ，亦即被證1 未揭示多個暫態區塊110 構成之「暫態區」，惟由被證2 說明書第[0016]段教示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能，被證1 與被證2 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠等被證之技術內容而將被證1 之「一區塊之暫態區塊110 」以及被證2 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證2 組合已揭示系爭專利請求項1 之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」技術特徵。
依上所述，系爭專利於請求項1 所載之技術特徵已為被證1 以及被證2 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證2 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
②被證1 與被證2 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
系爭專利請求項4 為直接依附系爭專利請求項1 之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC (Multi Level Cell)反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利申請專利範圍第4 項為依附第1 項之附屬項，被證1 與被證2 之組合足已證明系爭專利請求項1 不具進步性已如前述，再者，由被證1 說明書第8 頁第11行至第13行已揭示快閃記憶體由單層記憶胞(Single Level Cell,SLC) 反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體。其中被證1 「單層記憶胞(Single
Level Cell,SLC) 」係可對應至系爭專利之「SLC(SingleLevel Cell) 」；被證1 之「反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體) 」係可對應至系爭專利之「MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」
依上所述，系爭專利於請求項4 所載之技術特徵已為被證1 以及被證2 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證2 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
③被證1 與被證2 之組合足以證明系爭專利請求項14不具進步性：
被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示微處理器21用以控制記憶體控制器19整體運作。其中被證2 之「微處理器」係可對應至系爭專利請求項14之「微處理單元」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作」。被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示陣列介面邏輯27電性連接至微處理器21並且用以存取快閃記憶體胞陣列15。其中被證2 之「陣列介面邏輯」係可對應至系爭專利請求項14之「非揮發性記憶體介面」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元，並且用以存取非揮發性記憶體」。被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示緩衝記憶體25電性連接至微處理器21並且用以暫時地儲存資料。其中被證2 之「緩衝記憶體」係可對應至系爭專利請求項14之「緩衝記憶體」，故被證2
已揭示系爭專利請求項14之「一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料」。被證2 說明書第[0093]段以及圖式第1A圖已揭示代碼唯讀記憶體23電性連接至微處理器21，並且用以管理該快閃記憶體胞陣列。其中被證2 之「代碼唯讀記憶體」係可對應至系爭專利請求項14之「記憶體管理模組」，故被證2 已揭示系爭專利請求項14之「以及一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體」。
被證2 說明書第[0002]段已揭示非揮發性快閃記憶體系統之運作，可程式化一非揮發性快閃記憶體中資料更有效之方法。被證2 已揭示系爭專利請求項1 之「其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括」。
被證1 說明書第5 頁第19行至第21行已揭示非揮發性記憶體100 的區塊會在邏輯上分組為系統區102
、資料區104 與備用區106 ，其中被證1 之「資料區」係可對應至系爭專利之「資料區」；說明書第6 頁第19行至第22行揭示替換區塊108 是用來預備替換資料區104 中欲寫入資料的區塊，當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C ，被證1 雖未揭示多個替換區塊108 之「替換區」，惟被證1 替換區塊108 係由備用區106
中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之替換區308 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 之「替換區」，惟由被證2 說明書第[0016]段教示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能，被證1 與被證2 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠等被證之技術內容，而將被證1 之「一區塊之替換區塊108 」以及被證2 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證2 組合已揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵。
被證1 說明書第6 頁第19行至第22行已揭示當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C 。其中被證1 之「備用區」係可對應至系爭專利之「備用區」。故被證1 已揭示系爭專利請求項14之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。被證1 說明書第7
頁第21行至第8 頁第4 行已揭示當欲寫入替換區塊108 （例如區塊C ）的資料為不滿一個頁的小量資料時，會從備用區106 中提取一區塊T ，然後將此小量資料寫入至區塊T 並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 。其中被證1 之「暫態區塊」係可對應至系爭專利之「暫態區塊」。被證1 說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行揭示從備用區106 中提取一區塊T ，並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 ，被證1 未揭示多個暫態區塊110 構成之「暫態區」，被證1
之暫態區塊110 係由備用區106 中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 暫態區310
係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 構成之「替換區」，惟由被證2 說明書第[0016]段教示一或多個區塊可指定為暫存區塊且可用於改良記憶體系統之效能，被證1 與被證2 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考被證1 以及被證2
之技術內容而將被證1 之「一區塊之暫態區塊110
」以及被證2 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證2 組合已揭示系爭專利請求項14之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」技術特徵。
依上所述，系爭專利於請求項14所載之技術特徵已為被證1 以及被證2 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證2 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項14不具進步性。
④被證1 與被證2 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(
NAND)快閃記憶體。」
系爭專利申請專利範圍第17項為依附第14項之附屬項，被證1 與被證2 之組合足已證明系爭專利請求項14不具進步性已如前述，再者，另由被證1 說明書第8 頁第11行至第13行已揭示快閃記憶體由單層記憶胞(Single Level Cell,SLC) 反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體。其中被證1 之「單層記憶胞(Single Level Cell,SLC) 」係可對應至系爭專利之「SLC(Single Level Cell)」；被證1 之「反及( NAND) 快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level
Cell,MLC)NAND 快閃記憶體) 」係可對應至系爭專利之「MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND) 快 閃記憶體」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1之 「其中該非揮發性記憶體為SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體」。
依上所述，系爭專利於請求項17所載之技術特徵已為被證1 以及被證2 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證2 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑷被證1 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項4 、6 不具進步性：
①被證1 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項4
不具進步性：
系爭專利請求項4 係直接依附系爭專利請求項1 之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level
Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。系爭專利請求項4 係為依附於請求項1 之附屬項，其係為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證1 之替換區塊108 或暫態區塊110係由備用區106中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 替換區308 或暫態區310
係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 之「替換區」以及多個替換區塊108 構成之「替換區」，而被證3 亦未揭示相關之技術內容，被證1 以及被證3 均未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」及「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」等技術特徵及其相關教示，被證1 與引證3 之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
②被證1 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項6
不具進步性：
系爭專利請求項6 係為間接依附系爭專利請求項1
（獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 為直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁(pages) 」。
系爭專利請求項6 係為直接依附於請求項4 之附屬項，其係為系爭專利請求項4 之進一步限縮，被證1 及被證3 之組合不足證明系爭專利請求項4 不具進步性已如前所述，被證1 以及被證3 之組合亦不足證明系爭專利請求項6 不具進步性。
⑸被證2 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項4 、6 、17不具進步性：
①被證2 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項4
不具進步性：
系爭專利請求項4 係為直接依附系爭專利請求項1
之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(
Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。系爭專利請求項4 係依附於請求項1 之附屬項，其為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證2 之資料以現用區塊1110與暫存區塊1120間相互替換，而系爭專利以資料區、替換區及暫存區相互替換，被證2 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證3 亦未揭示相關技術內容，被證2 及被證3 均未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，被證2 與引證3 之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
②被證2 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項6
不具進步性：
系爭專利請求項6 係間接依附系爭專利請求項1 （獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 為直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容係「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁(pages) 。」
系爭專利請求項6 係直接依附於請求項4 之附屬項，其為系爭專利請求項4 之進一步限縮，被證2 及被證3 之組合不足證明系爭專利請求項4 不具進步性，業如前所述，則被證2 以及被證3 之組合亦不足證明系爭專利請求項6 不具進步性。
③被證2 與被證3 之組合不足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(
NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項17係依附於請求項14之附屬項，其為系爭專利請求項14之進一步限縮，被證2 之資料係以現用區塊1110與暫存區塊1120間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換，被證2 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證3 亦未揭示相關之技術內容，被證2 以及被證3 均未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，被證2 與引證3 之組合不足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑹被證1 、被證2 與被證3 之組合足以證明系爭專利請求項4 、6 、17不具進步性：
①被證1 、被證2 與被證3 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
系爭專利請求項4 係直接依附系爭專利請求項1 之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi
Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項4 為依附於請求項1 之附屬項，被證1 及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性, 已如前述，則被證1 、2 、3 之組合亦當足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
②被證1 、被證2 與被證3 之組合足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
系爭專利請求項6 係間接依附系爭專利請求項1（
獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 係為直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁(pages) 。」
系爭專利請求項6 係直接依附於請求項4 之附屬項，其為系爭專利請求項4 之進一步限縮，被證3 說明書第[0046]段及圖式第5 圖揭露判斷（步驟501
）待寫入資料需要較高可靠性的代碼還是容忍MLC
編程的較低可靠性的其它資料，亦即被證3 實質揭露步驟501 是用以判斷執行SLC 或是MLC ，SLC 的可靠度較高，而MLC 的可靠度較低，故被證3 實質揭露「其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁(pages) 。」技術特徵。
依上所述，被證1 以及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性，已如前所述，且依附於系爭專利請求項4 之請求項6 的寫入可靠度最好的頁等技術特徵，亦見諸於被證3 ，故系爭專利請求項6 實可為所屬技術領域具通常知識者，依被證1
、被證2 及被證3 之技術內容所能輕易完成，故被證1 、被證2 及被證3 之組合足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
③被證1 、被證2 與被證3 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(
NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項17係為依附於請求項14之附屬項，被證1 及被證2 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性，已如前述，被證1 、2 、3 之組合亦當足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑺被證4 不足以證明系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17不具進步性：
①被證4 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性以及進步性
被證4 為「非揮發性快閃記憶體系統之運作」，係系爭專利之先前技術。被證4 說明書第[0003]段已揭示一資料記錄系統，特別是關於一資料記錄系統其包含了一資料可重覆寫入的非揮發性記憶體。其中被證4 之「非揮發性記憶體」係可對應至系爭專利請求項1 之「非揮發性記憶體」，故被證4 已揭示系爭專利請求項1 之「一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，包括」。
被證4 說明書第[0056]段雖揭示記憶區51包含複數個單元，例如在記憶區51中有10個單元53-0至53-9。單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面。記憶區51包含單層區55和多層區57。被證4 說明書第[0057]段雖揭示該資料(DATA 1 至DATA 3) 被記錄在單層區55中。被證4 說明書第[0058]段雖揭示複製在單層區55中的資料至多層區57中。惟被證4 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵。被證4 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性。被證4 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性，已如前述，被證4 之資料係以單層區55與多層區57間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換。被證4 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，且被證4 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示。被證4 不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
被證4 說明書第[0056]段雖揭示記憶區51包含單層區55和多層區57。但被證4 未揭示系爭專利請求項1 之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取；」技術特徵。被證4 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性。又被證4 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示。被證4
亦不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
被證4 說明書第[0056]段已揭示如圖5 狀態I 所示，資料(DATA l 至3)從主機2 傳送過來並輸入至NAND型快閃記憶體11的記憶區51。單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面。記憶區51包含單層區55和多層區57；再被證4 說明書第[0057]段已揭示該資料(DATA 1 至DATA 3) 被記錄在單層區55中，如圖5 之狀態Ⅱ所示；另被證4 說明書第[0058]段已揭示接著控制器12或NAND型快閃記憶體11判斷主機不再進行存取時，複製在單層區55中的資料至多層區57中，如圖5 之狀態Ⅲ。其中被證4 之「多個單層區」係可對應至系爭專利請求項1 之「暫存區」，被證4 實質上已揭示多個單層區53-0、53-1將資料複製於多層區53-5中，單層區可暫時地儲存資料，故被證4 已揭示系爭專利請求項1 之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。
依上所述，被證4 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」以及「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取；」之技術特徵及其相關教示，故被證4 不足以證明系爭專利請求項1 不具新穎性以及進步性。
②被證4 不足以證明系爭專利請求項4 不具新穎性以及進步性：
系爭專利請求項4 係直接依附系爭專利請求項1 之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi
Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。系爭專利請求項6 係為直接依附系爭專利請求項1 之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC( Multi Level Cell)反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項4 為依附於請求項1 之附屬項，其係為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證4 不足證明系爭專利請求項1 不具新穎性以及進步性，已如前所述，被證4 亦不足證明系爭專利請求項4 不具新穎性以及進步性。
③被證4 不足以證明系爭專利請求項6 不具新穎性及進進步性：
系爭專利請求項6 係為間接依附系爭專利請求項1
（獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 為直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁（pages ）。」。
系爭專利請求項6 係為直接依附於請求項4 之附屬項，其為系爭專利請求項4 之進一步限縮，被證4
不足證明系爭專利請求項1 不具新穎性以及進步性，已如前所述，則被證4 亦不足證明系爭專利請求項6 不具新穎性以及進步性。
④被證4 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性以及進步性：
比對系爭專利請求項14與被證4 之「非揮發性快閃記憶體系統之運作」技術特徵，依被證4 說明書第[0039]段、第[0041]段、第[0043]段至第[0044]段及圖式第3 圖已揭示控制器12具有中央處理單元(
CPU)22、快閃記憶體陣列23、暫存器26以及控制程式。其中被證4 之「控制器」係可對應至系爭專利請求項14之「控制器」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一種控制器，包括」。被證4 說明書第[0041]段以及圖式第3 圖已揭示該中央處理單元22控制整個記憶卡的運作。其中被證4 之「中央處理單元」可對應至系爭專利請求項14之「微處理單元」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作」。
證4 說明書第[0041]段以及圖式第3 圖已揭示該快閃記憶體介面23在控制器12與快閃記憶體11之間執行介面的處理。其中被證4 之「快閃記憶體介面」可對應至系爭專利請求項14之「非揮發性記憶體介面」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元並且用以存取非揮發性記憶體」。被證4 說明書第[0044]段及圖式第3 圖已揭示該暫存器26暫時地存放一定量的資料（例如一頁的資料），當資料由主機2
被送來寫入至快閃記憶體11時，或是當資料由快閃記憶體11中被讀出要傳送至主機2 之時。其中被證4 之「暫存器」係可對應至系爭專利請求項14之「緩衝記憶體」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料」。
被證4 說明書第[0041]段以及圖式第3 圖已揭示該唯讀記憶體24儲存一控制程式，例如藉由中央處理單元22來控制。其中被證4 之「控制程式」可對應至系爭專利請求項14之「記憶體管理模組」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「以及一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體」；而被證4 說明書第[0003]段已揭示一資料記錄系統，特別是關於一資料記錄系統其包含了一資料可重覆寫入的非揮發性記憶體。被證4 已揭示系爭專利請求項14之「其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括」。
被證4 說明書第[0056]段雖揭示記憶區51包含複數個單元，例如在記憶區51中有10個單元53-0至53-9。單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面。記憶區51包含單層區55和多層區57。被證4 說明書第[0057]段雖揭示該資料（DATA 1至DATA 3）被記錄在單層區55中。被證4 說明書第[0058]段雖揭示複製在單層區55中的資料至多層區57中。惟被證4 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵。被證4 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性。
被證4 之資料係以單層區55與多層區57間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換。被證4 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，且被證4 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示。又被證4 說明書第[0056]段雖揭示記憶區51包含單層區55和多層區57。惟被證4 未揭示系爭專利請求項14之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取；」技術特徵。被證4 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性，且被證4 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示。被證4 不足以證明系爭專利請求項14不具進步性。
被證4 說明書第[0056]段已揭示如圖5 狀態I 所示，資料（DATA l至3 ）從主機2 傳送過來並輸入至NAND型快閃記憶體11的記憶區51。單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面。記憶區51包含單層區55和多層區57；再被證4 說明書第[0057]段已揭示該資料（DATA 1至DATA 3）被記錄在單層區55中，如圖5 之狀態Ⅱ所示；末查，被證4 說明書第[0058]段已揭示接著控制器12或NAND型快閃記憶體11判斷主機不再進行存取時，複製在單層區55中的資料至多層區57中，如圖5 之狀態Ⅲ。其中被證4
之「多個單層區」係可對應至系爭專利請求項14之「暫存區」，被證4 實質上已揭示多個單層區53-0、53-1將資料複製於多層區53-5中，單層區可暫時地儲存資料，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」
依上所述，被證4 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」及「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取；」之技術特徵及其相關教示，故被證4 不足以證明系爭專利請求項14不具新穎性以及進步性。
⑤被證4 不足以證明系爭專利請求項17不具新穎性以及進步性：
系爭專利請求項17係直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single
Level Cell) 或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項14係為依附於請求項17之附屬項，其為系爭專利請求項14之進一步限縮，被證4 不足證明系爭專利請求項14不具新穎性以及進步性已如前所述，被證4 亦不足證明系爭專利請求項4 不具新穎性以及進步性。
⑻被證1 與被證4 之組合足以證明系爭專利請求項1 、4
、14、17不具進步性：
①被證1 與被證4 之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
比對系爭專利請求項1 與被證1 之「非揮發性記憶體運作方式」技術特徵。被證1 說明書第5 頁第16行至第17行以及圖式第1D圖已揭示一種非揮發性記憶體之運作方式。其中被證1 之「非揮發性記憶體」係可對應至系爭專利請求項1 之「非揮發性記憶體」，故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，包括」。被證1
說明書第5 頁第19行至第21行已揭示非揮發性記憶體100 的區塊會在邏輯上分組為系統區102 、資料區104 與備用區106 ，其中被證1 之「資料區」係可對應至系爭專利之「資料區」；說明書第6 頁第19行至第22行揭示替換區塊108 是用來預備替換資料區104 中欲寫入資料區塊，當上述從備用區106
中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C
，被證1 雖揭示多個替換區塊108 之「替換區」，惟被證1 之替換區塊108 係由備用區106 中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之替換區308 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108
之「替換區」，惟由被證4 說明書第[0056]段教示單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面，被證1 與被證4 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠等被證之技術內容而將被證1 之「一區塊之替換區塊108 」以及被證4 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證4 組合已揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵。
被證1 說明書第6 頁第19行至第22行已揭示當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C 。其中被證1 之「備用區」係可對應至系爭專利之「備用區」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
被證1 說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行已揭示當欲寫入替換區塊108 （例如區塊C ）的資料為不滿一個頁的小量資料時，會從備用區106 中提取一區塊T ，然後將此小量資料寫入至區塊T 並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 。其中被證1 之「暫態區塊」係可對應至系爭專利之「暫態區塊」。被證1
說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行揭示從備用區106 中提取一區塊T ，並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 ，被證1 未揭示多個暫態區塊110 之「替換區」，被證1 之暫態區塊110 係由備用區106 中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之暫態區310 係由備用區306 提取多個區塊( 參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個暫態區塊110 構成之「暫態區」，惟由被證4 說明書第[0056 ] 段教示單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面，被證1 與被證4 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠等被證之技術內容而將被證1 之「一區塊之暫態區塊110 」以及被證4 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證4 組合已揭示系爭專利請求項1 之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」技術特徵。
依上所述，系爭專利於請求項1 所載之技術特徵已為被證1 以及被證4 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證4 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證4 之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
②被證1 與被證4 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
系爭專利請求項4 係為直接依附系爭專利請求項1
之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利申請專利範圍第4 項為依附第1 項之附屬項，被證1 與被證4 之組合足已證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，另由被證1 說明書第8 頁第11行至第13行已揭示快閃記憶體由單層記憶胞(Single Level Cell,SLC) 反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體。其中被證1 之「單層記憶胞(Single
Level Cell,SLC) 」係可對應至系爭專利之「SLC(Single Level Cell)」；被證1 之「反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體) 」係可對應至系爭專利之「MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體」。
依上所述，系爭專利於請求項4 所載之技術特徵已為被證1 以及被證4 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證4 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證4 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
③被證1 與被證4 之組合足以證明系爭專利請求項14不具進步性：
比對系爭專利請求項14與被證4 之「非揮發性快閃記憶體系統之運作」技術特徵。被證4 說明書第[0039]段、第[0041]段、第[0043]段至第[0044]段及圖式第3 圖已揭示控制器12具有中央處理單元(CPU)22 、快閃記憶體陣列23、暫存器26以及控制程式。其中被證4 之「控制器」係可對應至系爭專利請求項14之「控制器」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一種控制器，包括」。
被證4 說明書第[0041]段以及圖式第3 圖已揭示該中央處理單元22控制整個記憶卡的運作。其中被證4 之「中央處理單元」係可對應至系爭專利請求項14之「微處理單元」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作」。被證4 說明書第[0041]段及圖式第3 圖，亦揭示該快閃記憶體介面23在控制器12與快閃記憶體11之間執行介面處理。其中被證4 之「快閃記憶體介面」係可對應至系爭專利請求項14之「非揮發性記憶體介面」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元並且用以存取非揮發性記憶體」。
被證4 說明書第[0044]段以及圖式第3 圖已揭示該暫存器26暫時地存放一定量的資料（例如一頁的資料）當資料由主機2 被送來寫入至快閃記憶體11時，或是當資料由快閃記憶體11中被讀出要傳送至主機2 之時。其中被證4 之「暫存器」係可對應至系爭專利請求項14之「緩衝記憶體」，故被證4 已揭示系爭專利請求項14之「一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料」。被證說明書第[0041]段以及圖式第3 圖已揭示該唯讀記憶體24儲存一控制程式，例如藉由中央處理單元22來控制。其中被證4 之「控制程式」係可對應至系爭專利請求項14之「記憶體管理模組」，故被證4
已揭示系爭專利請求項14之「以及一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體」。被證4 說明書第[0003]段已揭示一資料記錄系統，特別是關於一資料記錄系統其包含了一資料可重覆寫入的非揮發性記憶體。被證4 已揭示系爭專利請求項14之「其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括」。
被證1 說明書第5 頁第19行至第21行已揭示非揮發性記憶體100 的區塊會在邏輯上分組為系統區102
、資料區104 與備用區106 ，其中被證1 之「資料區」係可對應至系爭專利之「資料區」；說明書第6 頁第19行至第22行揭示替換區塊108 是用來預備替換資料區104 中欲寫入資料的區塊，當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C ，被證1 雖未揭示多個替換區塊108 之「替換區」，惟被證1 替換區塊108 係由備用區106
中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之替換區308 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 之「替換區」，但由被證4 說明書第[0056]段教示單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面，被證1 與被證4 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠等被證之技術內容而將被證1 之「一區塊之替換區塊108 」及被證4 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 以及被證4 組合已揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵。
被證1 說明書第6 頁第19行至第22行已揭示當上述從備用區106 中提取一區塊（例如區塊C ）來取代資料區104 之區塊（例如區塊M ）時，會將新資料寫入至區塊C 。其中被證1 之「備用區」係可對應至系爭專利之「備用區」。故被證1 已揭示系爭專利請求項14之「並且該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。被證1 說明書第7
頁第21行至第8 頁第4 行已揭示當欲寫入替換區塊108 （例如區塊C ）的資料為不滿一個頁的小量資料時，會從備用區106 中提取一區塊T ，然後將此小量資料寫入至區塊T 並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 。其中被證1 之「暫態區塊」係可對應至係爭專利之「暫態區塊」。被證1 說明書第7 頁第21行至第8 頁第4 行揭示從備用區106 中提取一區塊T ，並且將區塊T 關聯為暫態區塊110 ，被證1 未揭示多個暫態區塊110 構成之「暫態區」，被證1
之暫態區塊110 係由備用區106 中提取一區塊( 參系爭專利圖1D) ；系爭專利請求項1 之暫態區310
係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 構成之「替換區」，惟由被證4 說明書第[0056]段教示單元53可以是多個區段、多個區塊或是多個頁面，被證1
與被證4 均同屬非揮發性記憶體之相關技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加非揮發性記憶體的存取效率之相關問題時，應有其動機參考渠參考被證1 以及被證4 之技術內容而將被證1 之「一區塊之暫態區塊110 」及被證4 之「多個區塊」相組合以完成系爭專利。故被證1 及被證4 組合已揭示系爭專利請求項14之「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」技術特徵。
依上所述，系爭專利於請求項14所載之技術特徵已為被證1 以及被證4 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 及被證4 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 及被證4 之組合足以證明系爭專利請求項14不具進步性。
④被證1 與被證4 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(
NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利申請專利範圍第17項為依附第14項之附屬項，被證1 與被證4 之組合足已證明系爭專利請求項14不具進步性，已如前述，另由被證1 說明書第8 頁第11行至第13行已揭示快閃記憶體由單層記憶胞(Single Level Cell,SLC) 反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體。其中被證1 之「單層記憶胞(Single
Level Cell,SLC) 」係可對應至系爭專利之「SLC(Single Level Cell)」；被證1 之「反及(NAND)快閃記憶體發展至多層記憶胞(Multi Level Cell,MLC) NAND 快閃記憶體) 」係可對應至系爭專利之「MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體」。故被證1 已揭示系爭專利請求項1 之「其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體」。
依上所述，系爭專利於請求項17所載之技術特徵已為被證1 以及被證4 所揭露，為所屬技術領域中具有通常知識者依被證1 以及被證4 所揭之技術內容顯能輕易完成，故被證1 以及被證4 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑼被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17不具進步性：
①被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項1
不具進步性：
被證2 與被證4 單獨引證無法證明系爭專利請求項1
不具進步性，如前所述，被證2 與被證4 均未揭示係爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，且被證2 與被證4 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示，是以被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
②被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項4
、6 不具進步性：
系爭專利請求項4 係為直接依附系爭專利請求項1
之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。系爭專利請求項6 係為間接依附系爭專利請求項1(獨立項) 之附屬項，系爭專利請求項6 係為直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁（pages ）。」。
系爭專利請求項4 、6 係直接或間接依附於請求項1 之附屬項，係就系爭專利請求項1 之技術特徵再加以限縮，既被證2 與被證4 之組合不足證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，則被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項4 、6 不具進步性。
③被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項14不具進步性：
被證2 與被證4 單獨引證無法證明系爭專利請求項14不具進步性，如前所述，被證2 與被證4 均未揭示係爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，且被證2 與被證4 亦未記載任何與前述技術特徵相關之建議或教示，是以被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項14不具進步性。
④被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single LevelCell) 或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。系爭專利請求項17係直接依附於請求項14之附屬項，係就系爭專利請求項14之技術特徵再加以限縮，既被證2 與被證4 之組合不足證明系爭專利請求項14不具進步性，已如前述，則被證2 與被證4 之組合不足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑽被證4 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項4 、6 、17不具進步性：
①被證4 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項4
不具進步性：
系爭專利請求項4 係為直接依附系爭專利請求項1
之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第1 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項4 係依附於請求項1 之附屬項，其為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證4 之資料以單層區55與多層區57間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換，被證4 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證5 亦未揭示相關之技術內容，被證4 以及被證5 均未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，被證4 與引證5 之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
②被證4 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項6
不具進步性：
系爭專利請求項6 係間接依附系爭專利請求項1 （獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 為直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁（pages ）。」。系爭專利請求項6 係為直接依附於請求項4 之附屬項，其為系爭專利請求項4 之進一步限縮，被證4
及被證5 之組合不足證明系爭專利請求項4 不具進步性，已如前所述，被證4 以及被證5 之組合亦不足證明系爭專利請求項6 不具進步性。
③被證4 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(SingleLevel Cell) 或MLC(Multi Level Cell) 反及(NAND) 快 閃記憶體。」。
系爭專利請求項17係為依附於請求項14之附屬項，其為系爭專利請求項14之進一步限縮，被證4 之資料係以單層區55與多層區57間相互替換，而系爭專利以資料區、替換區以及暫存區相互替換，被證4
未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證5 亦未揭示相關之技術內容，被證4 以及被證5 均未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，被證4 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑾被證1 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
①系爭專利請求項6 係為間接依附系爭專利請求項1 （獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 係直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁(pages) 。」。
②系爭專利請求項6 係為間接依附於請求項1 之附屬項，其為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證1 之替換區塊108 或暫態區塊110 係由備用區106 中提取一區塊（參系爭專利圖1D），而系爭專利請求項1 之替換區308 或暫態區310 係由備用區306 提取多個區塊（參系爭專利圖3 ），亦即被證1 未揭示多個替換區塊108 之「替換區」以及多個替換區塊108 構成之「替換區」，而被證5 亦未揭示相關之技術內容，被證1 以及被證5 均未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」及「以及使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料。」等技術特徵及其相關教示，被證1 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
⑿被證2 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項6 、17不具進步性：
①被證2 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項6
不具進步性：
系爭專利請求項6 係為間接依附系爭專利請求項1
（獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 係直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁（pages ）。」。
系爭專利請求項6 係間接依附於請求項1 之附屬項，其為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證2 之資料以現用區塊1110與暫存區塊1120間相互替換，而系爭專利係以資料區、替換區以及暫存區相互替換，被證2 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證5 亦未揭示相關之技術內容，被證2
以及被證5 均未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，被證2 與被證5 之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
⒀「被證3 與被證4 之組合」或「被證3 、被證4 與被證5 之組合」均不足以證明系爭專利請求項6 、17不具進步性：
①「被證3 與被證4 之組合」或「被證3 、被證4 與被證5 之組合」均不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
系爭專利請求項6 係為間接依附系爭專利請求項1
（獨立項）之附屬項，系爭專利請求項6 係直接依附系爭專利請求項4 （附屬項）之附屬項，其內容為「如申請專利範圍第4 項所述之用於非揮發性記憶體的寫入方法，其中該快閃記憶體為該MLC NAND快閃記憶體時該暫存區的寫入僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁（pages ）。」。
系爭專利請求項6 係為間接依附於請求項1 之附屬項，其為系爭專利請求項1 之進一步限縮，被證4
之資料係以單層區55與多層區57間相互替換，而系爭專利以資料區、替換區以及暫存區相互替換，被證4 未揭示系爭專利請求項1 之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證3 、被證5 亦未揭示相關之技術內容，被證3 、被證4 以及被證5 均未揭示系爭專利請求項1
之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，「被證3 與被證4 之組合」或「被證3 、被證4 與被證5 之組合」均不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
②「被證3 與被證4 之組合」或「被證3 、被證4 與被證5 之組合」均不足以證明系爭專利請求項17不具進步性：
系爭專利請求項17係為直接依附系爭專利請求項14之附屬項，其內容係為「如申請專利範圍第14項所述之控制器，其中該非揮發性記憶體為一SLC(Single Level Cell)或MLC(Multi Level Cell) 反及(
NAND)快閃記憶體。」。
系爭專利請求項17係依附於請求項14之附屬項，其為系爭專利請求項14之進一步限縮，被證4 之資料係以單層區55與多層區57間相互替換，而系爭專利以資料區、替換區以及暫存區相互替換，被證4 未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵，而被證3 、被證5 亦未揭示相關之技術內容，被證3 、被證4 以及被證5 均未揭示系爭專利請求項14之「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，」技術特徵及其相關教示，「被證3 與被證4 之組合」或「被證3 、被證4 與被證5 之組合」均不足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⒁系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17未違反核准時第26條第3 項規定：
①被告辯稱：系爭專利請求項1 、14記載「一替換區的多個區塊」、「該替換區的區塊」，對於熟悉系爭技術之人而言，實無從僅憑前開記載確知前述「四個」「替換區的區塊」是否同為一致，違反專利法第26條第3 項之規定云云（被告答辯狀第四點、答辯二狀第2 點及答辯四狀第貳點）。
②惟依智慧局公布之專利審查基準第二篇第一章第3.4.1 節中判斷申請專利範圍之記載是否明確，應參酌下列事項：「⑴發明說明揭露之內容；⑵申請時的通常知識；⑶該發明所屬技術領域中具有通常知識者於申請當時對申請專利範圍之認知」。系爭專利說明書第18頁第8 行至第14行揭露之非揮發性記憶體224 更包括替換區308 ，其用以暫時存放準備替換資料區304
之區塊的區塊；系爭專利說明書第18頁第21行至第22行揭露之由多個區塊所組成的暫存區310 是整體作為五組母子區塊的暫存區，以暫時地存放資料；系爭專利說明書第18頁第24行至第19頁第1 行揭露之暫存區310 則是整體用於替換區308 的區塊C1至C5的暫存區；由前述說明書並搭配圖式第3 圖可知替換區308 及暫存區310 均具有多個區塊，替換區308 之區塊用以暫時存放資料區304 之區塊的資料，而暫存區310 則是用以暫時地儲存欲寫入替換區308 之區塊的資料，故該發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌申請時的通常知識，即可明確瞭解其意義，「一替換區的多個區塊」、「該替換區的區塊」明確的範圍，系爭專利之請求項1 、4 、6 、14、17而未違反專利法第26條第3 項之規定。
⒂系爭專利未違反申請時第26條第2 項規定：
①被告抗辯稱：1.系爭專利說明書之發明說明完全未揭露暫存區應如何整體作為五組母子區塊的暫存區，亦未揭露暫存區所暫存各替換區之資料，應如何分別寫回各替換區而不會產生混亂之技術內容；2.系爭專利申請專利範圍第6 項係界定「僅使用該些暫存區塊中寫入速度最快或可靠度最好的頁」，系爭專利說明書之發明說明完全未揭露記憶體管理模組究竟係以何技術，而得以僅使用第2i頁；3.系爭專利說明書圖4 及其說明書段落所揭露之「暫存區塊」與「替換區塊」之作用，完全迥異於系爭專利申請專利範圍第1 項、第4 項、第6 項、第14項、第17項發明所限定「暫存區塊」與「替換區塊」之作用，發明所屬技術領域中具有通常知識者，實無法基於系爭專利說明書圖4 及其相關說明書段落而「使用」系爭專利申請專利範圍第1 項、第4 項、第6 項、第14項、第17項所載申請專利之發明；系爭專利發明說明違反專利法第26條第2 項之規定等語（本院卷一第283 至284 頁、卷二第127 至141 頁反面、卷三第121 頁反面至123 頁1 頁）。
②惟系爭專利說明書第18頁第21行至第22行揭露之多個區塊所組成的暫存區310 是整體作為五組母子區塊的暫存區，以暫時地存放資料；系爭專利說明書第18頁第24行至第19頁第1 行揭露之暫存區310 則是整體用於替換區308 的區塊C1至C5的暫存；系爭專利說明書第19頁第6 行至第10行揭露之在替換區308 的區塊（即區塊C1至C5）於隨機模式直接接續在前次記錄的位置後記錄不斷回寫資料時，會將相關資料寫入暫存區310 ，並且以一暫存表格來管理資料的有效性及相關連結。在本發明實施例中，暫存區310 亦會用來儲存不斷變動的FAT 資料；系爭專利說明書第19頁第14行至第15行揭露之標示暫存區310 之頁與替換區308 的區塊之頁的對映關係；系爭專利說明書第20頁第11行至第14行揭露之記憶體管理模組222a會判斷需要整合的時機以將在暫存區310 中寫入的資料整合為一頁或一區塊來取代替換區308 或資料區304 的區塊，判斷整合的時機為已知技術在此不詳細描述；亦即由前述之系爭專利說明書內容並參酌圖式第3 圖可知五組母子區塊所組成之暫存區310 是用以暫存替換區308 之區塊C1至C5的資料，並透過檔案配置表（File Allocation Table,FAT ）指示暫存區310 中的資料，並標示暫存區310 之頁與替換區的區塊之頁的對映關係，而其判斷整合的時機為已知技術，故系爭專利說明書已實質揭露如何及何時將暫存區所寫入之資料取代或寫入替換區之區塊中。
③系爭專利說明書第21頁第11行至第14行揭露之第一階段是下頁（lower pages ）的寫入部分，其物理特性類似於SLC NAND快閃記憶體，在完成第一階段之後才程式上頁(upper page)；系爭專利說明書第21頁第18行至第20行揭露之下頁與上頁如以寫入的速度來區分也可分別稱速度較快的下頁為fast pages，速度較慢的上頁為slow pages；系爭專利說明書第22頁第1 行至第3 行揭露之步驟S407更包括僅使用暫存區310 的上述寫入速度最快或可靠度最好的下頁來寫入資料（如圖5B所示）；亦即由前述之系爭專利說明書內容可知下頁（fast pages）的寫入速度最快或可靠度最好，下頁類似於SLC ，而上頁（slow pages）的寫入速度較慢，再搭配系爭專利圖式第6 圖之實體位置範例圖而可知當要寫入速度最快或可靠度最好的「頁」時僅使用下頁（即2i）。
④系爭專利說明書第20頁第1 行至第10行揭露之在步驟S403中會判斷是否為隨機模式或者欲寫入的資料是無法寫滿一頁。倘若在步驟S403中判斷不是在隨機模式且資料可寫滿一頁時，則在步驟S405中會將在資料區304 的區塊中欲寫入位址之前的有效資料複製至所提取關聯為替換區308 的區塊並且將新資料寫入至此區塊中。倘若在步驟S403中判斷是在隨機模式或者資料無法寫滿一頁時，則會在暫存區310 的暫存區塊中寫入此些資料（步驟S407）；亦即由前述之系爭專利說明書內容可知暫存區寫入未滿一頁的資料，替換區寫入滿一頁的資料，系爭專利之發明說明已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施，而與是否使用申請專利範圍無涉。
⑤依上述，系爭專利之發明說明已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施，未違反專利法第26條第2 項規定。
⒃系爭專利請求項1 、14未違反申請時第26條第4 項規定：
①被告又抗辯稱：系爭專利請求項1 、14記載「寫入的資料」技術特徵，並未區別「滿一頁的資料」或「未滿一頁的資料」之必要技術特徵，且「暫存區塊整體用於替換區塊」、「替換區塊分別對應於資料內的區塊」等，均屬為解決「系爭專利說明書實施例所稱欲解決之問題」所需必要技術特徵，違反專利法第26條第4 項暨專利法施行細則第18條第2 項之規定等語（見本院卷一第281 至283 頁、卷二第141 頁反面至144 頁、卷三第118至121頁）。
②惟系爭專利說明書第18頁第8 行至第14行揭露本發明實施例中，非揮發性記憶體224 更包括替換區308 ，其用以暫時存放準備替換資料區304 之區塊的區塊，亦即圖1C或1D所示的替換區塊108 。一般來說母子區塊的關係（即區塊M1至M5與區塊C1至C5之間分別對應的關係）可依據緩衝記憶體的大小而定；系爭專利說明書第18頁第17行至第18行揭露之暫存區310 與暫態區塊110 之不同之處在於，暫態區塊110 是僅屬於其中一組母子區塊；爭專利說明書第18頁第21行至第22行揭露之多個區塊所組成的暫存區310 ，是整體作為五組母子區塊的暫存區，以暫時地存放資料；亦即由前述之系爭專利說明書內容，並參酌圖式第3 圖可知先前技術之替換區塊108 及暫態區塊110 與系爭專利之替換區308 及暫存區310 差異，在於替換區塊108
或暫態區塊110 是由一個區塊構成，而替換區308 以及暫存區310 是由多個區塊構成，透過多個區塊的設計進而可避免不斷搬移資料的頻率與抹除的動作，進而達到有效地增加快閃記憶體的存取效率以及存取資料的可靠度，並記載於獨立項1 、14中，自無違反專利法第26條第4 項暨專利法施行細則第18條第2 項獨立項「應敘明申請專利之標的及其實施之必要技術特徵」規定。
⒏承上所述，系爭專利請求項1 、4 、14、17項得由被證1
、2 之組合證明不具進步性、系爭專利請求項4 、6 、17得由被證1 、2 、3 之組合證明不具進步性、系爭專利請求項1 、4 、14、17得由被證1 、4 之組合證明不具進步性。其餘被告之抗辯均不足以證明系爭專利不具新穎性及進步性，且系爭專利已充分揭露可據以實施，並敘明其必要技術特徵，未違反核准時專利法第26條第2 項、第4 項及專利法施行細則第18條第2項規定。
㈡原告未能證明系爭產品落入系爭專利權利範圍：
⒈系爭產品照片如本判決附圖七所示。
⒉原告聲請本院向提供系爭產品控制器原始碼之訴外人慧榮科技股份有限公司（下稱慧榮公司）之韌體維護/ 開發部門，且熟知「SM3257 EN 控制器」適格技術人員到場，以證明系爭專利固有性質及被系爭產品寫入資料方法之說明及判讀等情，惟慧榮公司回覆本院因涉及該公司機密技術及產銷資訊難逐一回覆本院，亦不便派員到庭備詢等語（見本院卷三第82頁反面、256 頁）。是本件以原告所提出現有證據判斷。
⒊系爭產品1 （Gigastone GST200隨身碟）無法判斷落入系爭專利請求項1、4、6、14、17之文義範圍或均等範圍：
⑴系爭產品1 與系爭專利請求項1 之比對分析表：
┌──┬───────┬──┬───────┬──┬──┐
│要件│系爭專利技術 │要件│系爭產品1技術 │是否│是否│
│編號│特徵 │編號│內容 │文義│適用│
│ │ │ │ │讀取│均等│
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│ 1A │一種用於非揮發│ a │查系爭產品1 為│ 是 │ － │
│ │性記憶體的寫入│ │USB 介面的快閃│ │ │
│ │方法，包括： │ │驅動(flash dri│ │ │
│ │ │ │ve)之儲存裝置 │ │ │
│ │ │ │，由系爭產品1 │ │ │
│ │ │ │可以讀取到系爭│ │ │
│ │ │ │專利申請專利範│ │ │
│ │ │ │圍第1 項編號1A│ │ │
│ │ │ │要件「一種複數│ │ │
│ │ │ │電極之電容結構│ │ │
│ │ │ │，係設置於一印│ │ │
│ │ │ │刷電路板中」。│ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│ B │使用該非揮發性│ b │查系爭產品1 之│無法│無法│
│ │記憶體中一替換│ │區塊D 及區塊H │判斷│判斷│
│ │區的多個區塊用│ │在TLC 模式下可│ │ │
│ │以分別地替換一│ │放滿資料（參鑑│ │ │
│ │資料區的多個區│ │定報告第48頁之│ │ │
│ │塊，其中該替換│ │SLC mode合併至│ │ │
│ │區的區塊是用以│ │Normal mode 位│ │ │
│ │寫入欲在該資料│ │址對照圖㈠及第│ │ │
│ │區的區塊中寫入│ │51頁之SLC mode│ │ │
│ │的資料， │ │合併至Normal │ │ │
│ │ │ │mode位址對照圖│ │ │
│ │ │ │㈡），但無法判│ │ │
│ │ │ │斷區塊D 及區塊│ │ │
│ │ │ │H 是否為用以寫│ │ │
│ │ │ │入欲在該資料區│ │ │
│ │ │ │的區塊中寫入的│ │ │
│ │ │ │資料，由系爭產│ │ │
│ │ │ │品1 無法判斷系│ │ │
│ │ │ │爭專利申請專利│ │ │
│ │ │ │範圍第1 項編號│ │ │
│ │ │ │1B要件「使用該│ │ │
│ │ │ │非揮發性記憶體│ │ │
│ │ │ │中一替換區的多│ │ │
│ │ │ │個區塊用以分別│ │ │
│ │ │ │地替換一資料區│ │ │
│ │ │ │的多個區塊，其│ │ │
│ │ │ │中該替換區的區│ │ │
│ │ │ │塊是用以寫入欲│ │ │
│ │ │ │在該資料區的區│ │ │
│ │ │ │塊中寫入的資料│ │ │
│ │ │ │」 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│ C │並且該替換區的│ c │查系爭產品1 之│無法│無法│
│ │區塊是從該非揮│ │實際容量為8GB │判斷│判斷│
│ │發性記憶體的 │ │，而可使用的存│ │ │
│ │一備用區中提取│ │取容量為7.5GB │ │ │
│ │； │ │，此僅能說明系│ │ │
│ │ │ │爭產品1 有0.5G│ │ │
│ │ │ │B 未使用，但無│ │ │
│ │ │ │法判斷系爭產品│ │ │
│ │ │ │1 中是否有備用│ │ │
│ │ │ │區，亦無法判斷│ │ │
│ │ │ │鑑定報告中之區│ │ │
│ │ │ │塊A~區塊H 是否│ │ │
│ │ │ │由備用區提取。│ │ │
│ │ │ │系爭產品1 無法│ │ │
│ │ │ │判斷系爭專利申│ │ │
│ │ │ │請專利範圍第1 │ │ │
│ │ │ │項編號1C要件「│ │ │
│ │ │ │該替換區的區塊│ │ │
│ │ │ │是從該非揮發性│ │ │
│ │ │ │記憶體的一備用│ │ │
│ │ │ │區中提取」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│ D │以及使用該非揮│ d │查系爭產品1 之│無法│無法│
│ │發性記憶體的多│ │A 區塊、B 區塊│判斷│判斷│
│ │個暫存區塊作 │ │以及C 區塊每一│ │ │
│ │為該替換區的區│ │個page之lower │ │ │
│ │塊的一暫存區，│ │可以暫時地存入│ │ │
│ │其中該暫存區用│ │資料，而D 區塊│ │ │
│ │以暫時地儲存欲│ │之每一個page之│ │ │
│ │在該替換區的區│ │lower 、middle│ │ │
│ │塊中寫入的資料│ │以及upper 的資│ │ │
│ │。 │ │料則由A 區塊、│ │ │
│ │ │ │B 區塊以及C 區│ │ │
│ │ │ │塊之lower 整併│ │ │
│ │ │ │得到，由系爭產│ │ │
│ │ │ │品1 可以讀取到│ │ │
│ │ │ │系爭專利申請專│ │ │
│ │ │ │利範圍第1 項編│ │ │
│ │ │ │號1D要件「使用│ │ │
│ │ │ │該非揮發性記憶│ │ │
│ │ │ │體的多個暫存區│ │ │
│ │ │ │塊作為該替換區│ │ │
│ │ │ │的區塊的一暫存│ │ │
│ │ │ │區，其中該暫存│ │ │
│ │ │ │區用以暫時地儲│ │ │
│ │ │ │存欲在該替換區│ │ │
│ │ │ │的區塊中寫入的│ │ │
│ │ │ │資料」。 │ │ │
└──┴───────┴──┴───────┴──┴──┘
⑵系爭產品1 與系爭專利請求項1 之比對分析說明：
①系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置，透過該儲存裝置可將資料寫入區塊A 至H
中，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第1 項編號1A要件「一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，包括」。
②系爭產品1 之區塊D 及區塊H 在TLC 模式下可放滿資料（參鑑定報告第48頁SLC mode合併至Normal mode
位址對照圖㈠及第51頁SLC mode合併至Normal mode
位址對照圖㈡），但無法判斷區塊D 及區塊H 是否為用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，由系爭產品1 無法判斷系爭專利申請專利範圍第1 項編號1B要件「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料」。
③系爭產品1 之實際容量為8GB ，而可使用的存取容量為7.5GB ，此僅能說明系爭產品1 有0.5GB 未使用，但無法判斷系爭產品1 中是否有備用區，亦無法判斷鑑定報告中之區塊A 至區塊H 是否由備用區提取。系爭產品1 無法判斷系爭專利申請專利範圍第1 項編號1C要件「該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
④系爭產品1 之A 區塊、B 區塊及C 區塊的每一個page之lower 可以暫時地存入資料，而D 區塊每一個page之lower 、middle以及upper 的資料則由A 區塊、B
區塊以及C 區塊之lower 整併得到，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第1 項編號1D要件「使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。如本判決附圖所示。
⑤承上所述，系爭產品1 （Gigastone GST200隨身碟）無法判斷是否有要件B 以及要件C 。系爭產品1 無法判斷是否有落入系爭專利請求項1 之文義範圍及均等範圍。
⑥原告雖稱：「資料區的區塊已寫入更新的資料」或「替換區塊是由備用區中提取」為本領域業界所公知之通常知識及普遍技術，以區塊管理為架構的記憶體產品亦必定是採用此一技術方法，系爭產品已落入系爭專利之請求範圍中等語（見本院卷二第323 頁反面以下）。惟由原告提出之原證6 鑑定報告無法判斷系爭產品1 之區塊D 及區塊H 是否為用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，鑑定報告亦無法判斷系爭產品1 中是否有備用區，鑑定報告之實驗數據僅能證明有資料的搬移，但鑑定報告並無法說明區塊A 至H 是從何區塊取出，且鑑定報告並無法明確指出區塊D 及區塊H 為用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，原告係以系爭專利說明書之先前技術或其他專利之技術而推測系爭產品1 侵害系爭專利，但如同原告輔佐人所述「之前或之後抹除資料」不同的方法（見本院卷三第4 頁），被告亦有可能有其他不同的實施態樣，是原告並非以直接證據證明，而係以推測的方式證明系爭產品1 侵權，原告所稱並不可採。
⑦原告聲請詢問之證人吳○○表示：母子區塊的架構是業界常用的方式等語（見本院卷三第201 頁），故原告以此認為系爭產品已落入系爭專利之請求範圍中。惟母子區塊(mother-child)雖為業界常用的方法，且證人吳○○亦稱系爭專利之先前技術的圖式第1B、1C圖亦可稱為母子架構，此表示母子架構有很多種態樣，證人僅就記憶體管理運作方式及其相關技術提供其一般抽象性的描述，並非以系爭產品作比對，既然母子架構有很多種態樣，是以由原告提出之證據無法證明系爭產品一定是使用系爭專利之申請專利範圍所界定之技術，故證人所述，尚不可採。
⑶系爭產品與系爭專利請求項4 、6 之比對分析說明：
①系爭專利請求項4 係直接依附於請求項1 之附屬項，除了包含系爭專利請求項1 之所有要件（要件A 至D
）技術特徵外，另外增加要件E 技術特徵，既系爭產品1 無法判斷是否落入系爭專利請求項1 之文義及均等範圍，已如前述，則系爭產品1 自亦無法判斷是否落入系爭專利請求項4 之文義及均等範圍。
②系爭專利請求項6 係直接依附於請求項4 之附屬項，除了包含系爭專利請求項4 之所有要件（要件A 至E
）技術特徵外，另外增加要件F 技術特徵，既系爭產品1 無法判斷是否落入系爭專利請求項4 之文義及均等範圍已如前述，則系爭產品1 自亦無法判斷是否落入系爭專利請求項6 之文義及均等範圍
⑷ 系爭產品1(Gigastone GST200隨身碟) 與系爭專利請
求項14之比對分析表：
┌──┬───────┬──┬───────┬──┬──┐
│要件│系爭專利技術 │要件│系爭產品1技術 │是否│是否│
│編號│特徵 │編號│內容 │文義│適用│
│ │ │ │ │讀取│均等│
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14A │一種控制器，包│ a │系爭產品1 為US│ 是 │ － │
│ │括：一種控制器│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │，包括： │ │動(flash drive│ │ │
│ │ │ │)之儲存裝置， │ │ │
│ │ │ │其中該儲存裝置│ │ │
│ │ │ │設有控制器以執│ │ │
│ │ │ │行資料的讀寫功│ │ │
│ │ │ │能，由系爭產品│ │ │
│ │ │ │1 可以讀取到系│ │ │
│ │ │ │爭專利申請專利│ │ │
│ │ │ │範圍第14項編號│ │ │
│ │ │ │14A 要件「一種│ │ │
│ │ │ │控制器，包括」│ │ │
│ │ │ │。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14B │一微處理單元，│ │系爭產品1 為US│ 是 │ － │
│ │用以控制該控制│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │器的整體運作；│ │動(flash drive│ │ │
│ │ │ │)之儲存裝置之 │ │ │
│ │ │ │控制器設有微處│ │ │
│ │ │ │理單元控制整體│ │ │
│ │ │ │的運作，由系爭│ │ │
│ │ │ │產品1 可以讀取│ │ │
│ │ │ │到系爭專利申請│ │ │
│ │ │ │專利範圍第14項│ │ │
│ │ │ │編號14B 要件「│ │ │
│ │ │ │一微處理單元，│ │ │
│ │ │ │用以控制該控制│ │ │
│ │ │ │器的整體運作」│ │ │
│ │ │ │。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14C │一非揮發性記憶│ │系爭產品1 為US│ 是 │ － │
│ │體介面，電性連│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │接至該微處理單│ │動(flash drive│ │ │
│ │元並且用以存取│ │) 之儲存裝置之│ │ │
│ │非揮發性記憶體│ │控制器設有非揮│ │ │
│ │； │ │發性記憶體介面│ │ │
│ │ │ │與非揮發性記憶│ │ │
│ │ │ │體相電性連接，│ │ │
│ │ │ │如此可使區塊A │ │ │
│ │ │ │至H 之資料存入│ │ │
│ │ │ │非揮發性記憶體│ │ │
│ │ │ │中，由系爭產品│ │ │
│ │ │ │1 可以讀取到系│ │ │
│ │ │ │爭專利申請專利│ │ │
│ │ │ │範圍第14項編號│ │ │
│ │ │ │14C 要件「一非│ │ │
│ │ │ │揮發性記憶體介│ │ │
│ │ │ │面，電性連接至│ │ │
│ │ │ │該微處理單元並│ │ │
│ │ │ │且用以存取非揮│ │ │
│ │ │ │發性記憶體」。│ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│ │一緩衝記憶體，│ │系爭產品1 為US│ 是 │ － │
│14D │電性連接至該微│ d │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │處理單元並且用│ │動(flash drive│ │ │
│ │以暫時地儲存資│ │)之儲存裝置之 │ │ │
│ │料； │ │控制器設有緩衝│ │ │
│ │ │ │記憶體如此可將│ │ │
│ │ │ │區塊A 至C 及區│ │ │
│ │ │ │塊E 至G 之資料│ │ │
│ │ │ │暫時地儲存，由│ │ │
│ │ │ │系爭產品1 可以│ │ │
│ │ │ │讀取到系爭專利│ │ │
│ │ │ │申請專利範圍第│ │ │
│ │ │ │14項編號14D 要│ │ │
│ │ │ │件「一緩衝記憶│ │ │
│ │ │ │體，電性連接至│ │ │
│ │ │ │該微處理單元並│ │ │
│ │ │ │且用以暫時地儲│ │ │
│ │ │ │存資料」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14E │以及一記憶體管│ e │系爭產品1 為US│ 是 │ － │
│ │理模組，電性連│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │接至該微處理單│ │動(flash drive│ │ │
│ │元並且用以管理│ │) 之儲存裝置之│ │ │
│ │該非揮發性記憶│ │控制器設有記憶│ │ │
│ │體， │ │體管理模組管理│ │ │
│ │ │ │區塊A至G之寫入│ │ │
│ │ │ │與讀出，由系爭│ │ │
│ │ │ │產品1 可以讀取│ │ │
│ │ │ │到系爭專利申請│ │ │
│ │ │ │專利範圍第14項│ │ │
│ │ │ │編號14E 要件「│ │ │
│ │ │ │一記憶體管理模│ │ │
│ │ │ │組，電性連接至│ │ │
│ │ │ │該微處理單元並│ │ │
│ │ │ │且用以管理該非│ │ │
│ │ │ │揮發性記 │ │ │
│ │ │ │憶體」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14F │其中該記憶體管│ f │系爭產品1 為US│ 是 │ － │
│ │理模組會執行一│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │寫入方法，該寫│ │動(flash drive│ │ │
│ │入方法 │ │)之儲存裝置， │ │ │
│ │包括： │ │透過該儲存裝置│ │ │
│ │ │ │可將資料寫入區│ │ │
│ │ │ │塊A 至H 中，由│ │ │
│ │ │ │系爭產品1 可以│ │ │
│ │ │ │讀取到系爭專利│ │ │
│ │ │ │申請專利範圍第│ │ │
│ │ │ │14項編號14F 要│ │ │
│ │ │ │件「其中該記憶│ │ │
│ │ │ │體管理模組會執│ │ │
│ │ │ │行一寫入方法，│ │ │
│ │ │ │該寫入方法包括│ │ │
│ │ │ │」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14G │使用該非揮發性│ g │系爭產品1 之實│無法│無法│
│ │記憶體中一替換│ │際容量為8GB ，│判斷│判斷│
│ │區的多個區塊用│ │而可使用的存取│ │ │
│ │以分別地替換一│ │容量為7.5GB ，│ │ │
│ │資料區的多個區│ │此僅能說明系爭│ │ │
│ │塊，其中該替換│ │產品1 有0.5GB │ │ │
│ │區的區塊用以寫│ │未使用，但無法│ │ │
│ │入欲在該資料區│ │判斷系爭產品1 │ │ │
│ │的區塊中寫入的│ │中是否有備用區│ │ │
│ │資料， │ │，亦無法判斷鑑│ │ │
│ │ │ │定報告中之區塊│ │ │
│ │ │ │A~區塊H是 否由│ │ │
│ │ │ │備用區提取。系│ │ │
│ │ │ │爭產品1 無法判│ │ │
│ │ │ │斷系爭專利申請│ │ │
│ │ │ │專利範圍第14項│ │ │
│ │ │ │編號14G 要件「│ │ │
│ │ │ │該替換區的區塊│ │ │
│ │ │ │是從該非揮發性│ │ │
│ │ │ │記憶體的一備用│ │ │
│ │ │ │區中提取」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14H │並且該替換區的│ h │系爭產品1 之實│無法│無法│
│ │區塊是從該非揮│ │際容量為8GB ，│判斷│判斷│
│ │發性記憶體的一│ │而可使用的存取│ │ │
│ │備用區 │ │容量為7.5GB ，│ │ │
│ │中提取； │ │此僅能說明系爭│ │ │
│ │ │ │產品1 有0.5GB │ │ │
│ │ │ │未使用，但無法│ │ │
│ │ │ │判斷系爭產品1 │ │ │
│ │ │ │中是否有備用區│ │ │
│ │ │ │，亦無法判斷鑑│ │ │
│ │ │ │定報告中之區塊│ │ │
│ │ │ │A~區塊H 是否由│ │ │
│ │ │ │備用區提取。系│ │ │
│ │ │ │爭產品1 無法判│ │ │
│ │ │ │斷系爭專利申請│ │ │
│ │ │ │專利範圍第14 │ │ │
│ │ │ │項編號14H 要件│ │ │
│ │ │ │「該替換區的區│ │ │
│ │ │ │塊是從該非揮發│ │ │
│ │ │ │性記憶體的一備│ │ │
│ │ │ │用區中提取」。│ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│14I │以及用該非揮發│ i │系爭產品1 之A │ 是 │ － │
│ │性記憶體的多個│ │區塊、B 區塊以│ │ │
│ │暫存區塊作為該│ │及C 區塊的每一│ │ │
│ │替換區的區塊的│ │個page之lower │ │ │
│ │一暫存區，其中│ │可以暫時地存入│ │ │
│ │該暫存區用以暫│ │資料，而D 區塊│ │ │
│ │時地儲存欲在該│ │之每一個page之│ │ │
│ │替換區的區塊中│ │lower 、middle│ │ │
│ │寫入的資料。 │ │以及upper 的資│ │ │
│ │ │ │料則由A 區塊、│ │ │
│ │ │ │B 區塊以及C 區│ │ │
│ │ │ │塊之lower 整併│ │ │
│ │ │ │得到，由系爭產│ │ │
│ │ │ │品1 可以讀取到│ │ │
│ │ │ │系爭專利申請專│ │ │
│ │ │ │利範圍第14 項 │ │ │
│ │ │ │編號14I 要件「│ │ │
│ │ │ │使用該非揮發性│ │ │
│ │ │ │記憶體的多個暫│ │ │
│ │ │ │存區塊作為該替│ │ │
│ │ │ │換區的區塊的一│ │ │
│ │ │ │暫存區，其中該│ │ │
│ │ │ │暫存區用以暫時│ │ │
│ │ │ │地儲存欲在該替│ │ │
│ │ │ │換區的區塊中寫│ │ │
│ │ │ │入的資料」。 │ │ │
│ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │
└──┴───────┴──┴───────┴──┴──┘
⑸系爭產品1 與系爭專利請求項14之比對分析說明：
①系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置，其中該儲存裝置設有控制器以執行韌體而將資料寫入與讀出，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14A 要件「一種控制器，包括」。
②系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有微處理單元控制整體儲存裝置運作，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14B 要件「一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作」。
③系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有非揮發性記憶體介面與非揮發性記憶體相電性連接，如此可使區塊A~H 之資料存入非揮發性記憶體中，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14C 要件「一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元並且用以存取非揮發性記憶體」。
④系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有緩衝記憶體如此可將區塊A 至C 以及區塊E 至G 之資料暫時地儲存，由系爭產品1
可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14D 要件「一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料」。
⑤系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有記憶體管理模組管理區塊A 至G 之寫入與讀出，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14E 要件「一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體」。
⑥系爭產品1 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置，透過該儲存裝置可將資料寫入區塊A~H中
，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14F 要件「其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括」。
⑦系爭產品1 之區塊D 及區塊H 在TLC 模式下可放滿資料（參鑑定報告第48頁SLC mode合併至Normal mode
位址對照圖㈠以及第51頁之SLC mode 合併至Normal
mode位址對照圖㈡），但無法判斷區塊D 及區塊H 是否為用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，由系爭產品1 無法判斷系爭專利申請專利範圍第14項編號14G 要件「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料」。
⑧系爭產品1 之實際容量為8GB ，而可使用的存取容量為7.5GB ，此僅能說明系爭產品1 有0.5GB 未使用，但無法判斷系爭產品1 中是否有備用區，亦無法判斷鑑定報告中之區塊A~區塊H 是否由備用區提取。系爭產品1 無法判斷系爭專利申請專利範圍第14項編號14H 要件「該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
⑨系爭產品1 之A 區塊、B 區塊以及C 區塊的每一個page之lower 可以暫時地存入資料，而D 區塊之每一個page之lower 、middle以及upper 的資料則由A 區塊、B 區塊以及C 區塊之lower 整併得到，由系爭產品1 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號1I要件「使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。
⑩承上所述，系爭產品1 (Gigastone GST200隨身碟)無法判斷是否有要件G 以及要件H。系爭產品1無法判斷是否有落入系爭專利請求項14之文義範圍及均等範圍。
⑹系爭產品1與系爭專利請求項17之比對分析說明：
系爭專利請求項17係直接依附於請求項14之附屬項，除包含系爭專利請求項14之所有要件（要件A 至I ）技術特徵外，另外增加要件J 技術特徵，既系爭產品1 無法判斷是否落入系爭專利請求項14之文義及均等範圍已如前述，則系爭產品自亦無法判斷是否落入系爭專利請求項17之文義及均等範圍。
⒋系爭產品2(Gigastone SDHC記憶卡) 無法判斷是否落入系爭專利請求項1 、4 、6 、14、17之文義範圍或均等範圍：
⑴系爭產品2 與系爭專利請求項1 之比對分析表：
┌──┬───────┬──┬───────┬──┬──┐
│要件│系爭專利技術 │要件│系爭產品2 技術│是否│是否│
│編號│特徵 │編號│內容 │文義│適用│
│ │ │ │ │讀取│均等│
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│1A │一種用於非揮發│ a │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │性記憶體的寫入│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │方法，包括： │ │動(flash drive│ │ │
│ │ │ │) 之儲存裝置，│ │ │
│ │ │ │由系爭產品1 可│ │ │
│ │ │ │以讀取到系爭專│ │ │
│ │ │ │利申請專利範圍│ │ │
│ │ │ │第1 項編號1A要│ │ │
│ │ │ │件「一種複數電│ │ │
│ │ │ │極之電容結構，│ │ │
│ │ │ │係設置於一印刷│ │ │
│ │ │ │電路板中」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│1B │使用該非揮發性│ b │系爭產品2 之區│無法│無法│
│ │記憶體中一替換│ │塊D 及區塊H 在│判斷│判斷│
│ │區的多個區塊用│ │TLC 模式下可放│ │ │
│ │以分別地替 │ │滿資料（參鑑定│ │ │
│ │換一資料區的多│ │報告第84頁之SL│ │ │
│ │個區塊，其中該│ │C mode合併至No│ │ │
│ │替換區的區塊是│ │rmal mode 位址│ │ │
│ │用以寫入欲在該│ │對照圖㈠以及第│ │ │
│ │資料區的區塊中│ │87頁之SLC mode│ │ │
│ │寫入的資料， │ │合併至Normal │ │ │
│ │ │ │mode位址對照圖│ │ │
│ │ │ │㈡），但無法判│ │ │
│ │ │ │斷區塊D 及區塊│ │ │
│ │ │ │H 是否為用以寫│ │ │
│ │ │ │入欲在該資料區│ │ │
│ │ │ │的區塊中寫入的│ │ │
│ │ │ │資料，由系爭產│ │ │
│ │ │ │品1 無法判斷系│ │ │
│ │ │ │爭專利申請專利│ │ │
│ │ │ │範圍第1 項編號│ │ │
│ │ │ │1B要件「使用該│ │ │
│ │ │ │非揮發性記憶體│ │ │
│ │ │ │中一替換區的多│ │ │
│ │ │ │個區塊用以分別│ │ │
│ │ │ │地替換一資料區│ │ │
│ │ │ │的多個區塊，其│ │ │
│ │ │ │中該替換區的區│ │ │
│ │ │ │塊是用以寫入欲│ │ │
│ │ │ │在該資料區的區│ │ │
│ │ │ │塊中寫入的資料│ │ │
│ │ │ │」 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│1C │並且該替換區的│ c │系爭產品2 之實│無法│無法│
│ │區塊是從該非揮│ │際容量為16GB，│判斷│判斷│
│ │發性記憶體的一│ │而可使用的存取│ │ │
│ │備用區中提 │ │容量為14.8GB，│ │ │
│ │取； │ │此僅能說明系爭│ │ │
│ │ │ │產品1 有1.2GB │ │ │
│ │ │ │未使用，但無法│ │ │
│ │ │ │判斷系爭產品2 │ │ │
│ │ │ │中是否有備用區│ │ │
│ │ │ │，亦無法判斷鑑│ │ │
│ │ │ │定報告中之區塊│ │ │
│ │ │ │A 至區塊H 是否│ │ │
│ │ │ │由備用區提取。│ │ │
│ │ │ │系爭產品2 無法│ │ │
│ │ │ │判斷系爭專利申│ │ │
│ │ │ │請專利範圍第1 │ │ │
│ │ │ │項編號1C要件「│ │ │
│ │ │ │該替換區的區塊│ │ │
│ │ │ │是從該非揮發性│ │ │
│ │ │ │記憶體的一備用│ │ │
│ │ │ │區中提取」。 │ │ │
├──┼───────┼──┼───────┼──┼──┤
│1D │以及使用該非揮│ d │系爭產品2 之A │ 是 │ － │
│ │發性記憶體的多│ │區塊、B 區塊以│ │ │
│ │個暫存區塊作為│ │及C區 塊的每一│ │ │
│ │該替換區的 │ │個page之lower │ │ │
│ │區塊的一暫存區│ │可以暫時地存入│ │ │
│ │，其中該暫存區│ │資料，而D 區塊│ │ │
│ │用以暫時地儲存│ │之每一個page之│ │ │
│ │欲在該替換區的│ │lower 、middle│ │ │
│ │區塊中寫入的資│ │以及upper 的資│ │ │
│ │料。 │ │料則由A 區塊、│ │ │
│ │ │ │B 區塊以及C 區│ │ │
│ │ │ │塊之lower 整併│ │ │
│ │ │ │得到，由系爭產│ │ │
│ │ │ │品1 可以讀取到│ │ │
│ │ │ │系爭專利申請專│ │ │
│ │ │ │利範圍第1 項編│ │ │
│ │ │ │號1D 要 件「使│ │ │
│ │ │ │用該非揮發性記│ │ │
│ │ │ │憶體的多個暫存│ │ │
│ │ │ │區塊作為該替換│ │ │
│ │ │ │區的區塊的一暫│ │ │
│ │ │ │存區，其中該暫│ │ │
│ │ │ │存區用以暫時地│ │ │
│ │ │ │儲存欲在該替換│ │ │
│ │ │ │區的區塊中寫入│ │ │
│ │ │ │的資料」。 │ │ │
└──┴───────┴──┴───────┴──┴──┘
⑵系爭產品2 與系爭專利請求項1 之比對分析說明：
①系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置，透過該儲存裝置可將資料寫入區塊A 至H
中，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第1 項編號1A要件「一種用於非揮發性記憶體的寫入方法，包括」。
②系爭產品2 之區塊D 及區塊H 在TLC 模式下可放滿資料（參鑑定報告第48頁SLC mode合併至Normal mode
位址對照圖㈠及第51頁SLC mode合併至Normal mode
位址對照圖㈡），但無法判斷區塊D 及區塊H 是否為用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，由系爭產品2 無法判斷系爭專利申請專利範圍第1 項編號1B要件「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料」。
③系爭產品2 之實際容量為16GB，而可使用的存取容量為14.8GB，此僅能說明系爭產品1 有1.2GB 未使用，但無法判斷系爭產品2 中是否有備用區，亦無法判斷鑑定報告中之區塊A 至區塊H 是否由備用區提取。系爭產品2 無法判斷系爭專利申請專利範圍第1 項編號1C要件「該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
④系爭產品2 之A 區塊、B 區塊以及C 區塊的每一個page之lower 可以暫時地存入資料，而D 區塊之每一個page之lower 、middle以及upper 的資料則由A 區塊、B 區塊以及C 區塊之lower 整併得到，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第1 項編號1D要件「使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。
⑤承上所述，系爭產品2(Gigastone SDHC記憶卡) 無法判斷是否有要件B 以及要件C 。系爭產品2 無法判斷是否有落入系爭專利請求項1 之文義範圍及均等範圍。
⑶系爭產品2 與系爭專利請求項4 、6 之比對分析說明：①系爭專利請求項4 係直接依附於請求項1 之附屬項，除了包含系爭專利請求項1 之所有要件（要件A 至D
）技術特徵外，另外增加要件E 技術特徵，既系爭產品2 無法判斷是否落入系爭專利請求項2 之文義及均等範圍已如前述，則系爭產品2 自亦無法判斷是否落入系爭專利請求項4 之文義及均等範圍。
②系爭專利請求項6 係直接依附於請求項4 之附屬項，除了包含系爭專利請求項4 之所有要件（要件A 至E
）技術特徵外，另外增加要件F 技術特徵，既系爭產品2 無法判斷是否落入系爭專利請求項4 之文義及均等範圍已如前述，則系爭產品2 自亦無法判斷是否落入系爭專利請求項6 之文義及均等範圍。
⑷系爭產品2(Gigastone SDHC記憶卡) 與系爭專利請求項14、17之比對分析表：
┌──┬───────┬──┬───────┬──┬──┐
│要件│系爭專利技術 │要件│系爭產品2 技術│是否│是否│
│編號│特徵 │編號│內容 │文義│適用│
│ │ │ │ │讀取│均等│
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│14A │一種控制器，包│ a │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │括： │ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │ │ │動(flash drive│ │ │
│ │ │ │)之儲存裝置， │ │ │
│ │ │ │其中該儲存裝置│ │ │
│ │ │ │設有控制器以執│ │ │
│ │ │ │行資料的讀寫功│ │ │
│ │ │ │能，由系爭產品│ │ │
│ │ │ │2 可以讀取到系│ │ │
│ │ │ │爭專利申請專利│ │ │
│ │ │ │範圍第14項編號│ │ │
│ │ │ │14A 要件「一種│ │ │
│ │ │ │控制器，包括」│ │ │
│ │ │ │ 。 │ │ │
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│14B │一微處理單元，│ b │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │用以控制該控制│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │器的整體運作；│ │動(flash drive│ │ │
│ │ │ │)之儲存裝置之 │ │ │
│ │ │ │控制器設有微處│ │ │
│ │ │ │理單元控制整體│ │ │
│ │ │ │的運作，由系爭│ │ │
│ │ │ │產品2 可以讀取│ │ │
│ │ │ │到系爭專利申請│ │ │
│ │ │ │專利範圍第14項│ │ │
│ │ │ │編號14B 要件「│ │ │
│ │ │ │一微處理單元，│ │ │
│ │ │ │用以控制該控制│ │ │
│ │ │ │器的整體運作」│ │ │
│ │ │ │。 │ │ │
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│14C │一非揮發性記憶│ c │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │體介面，電性連│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │接至該微處理單│ │動(flash drive│ │ │
│ │元並且用以存取│ │)之儲存裝置之 │ │ │
│ │非揮發性記憶體│ │控制器設有非揮│ │ │
│ │； │ │發性記憶體介面│ │ │
│ │ │ │與非揮發性記憶│ │ │
│ │ │ │體相電性連接，│ │ │
│ │ │ │如此可使區塊A │ │ │
│ │ │ │至H 之資料存入│ │ │
│ │ │ │非揮發性記憶體│ │ │
│ │ │ │中，由系爭產品│ │ │
│ │ │ │2 可以讀取到系│ │ │
│ │ │ │爭專利申請專利│ │ │
│ │ │ │範圍第14項編號│ │ │
│ │ │ │14C 要件「一非│ │ │
│ │ │ │揮發性記憶體介│ │ │
│ │ │ │面，電性連接至│ │ │
│ │ │ │該微處理單元並│ │ │
│ │ │ │且用以存取非揮│ │ │
│ │ │ │發性記憶體」。│ │ │
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│14D │一緩衝記憶體，│ d │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │電性連接至該微│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │處理單元並且用│ │動(flash drive│ │ │
│ │以暫時地儲存資│ │)之儲存裝置之 │ │ │
│ │料； │ │控制器設有緩衝│ │ │
│ │ │ │記憶體如此可將│ │ │
│ │ │ │區塊A 至C 以及│ │ │
│ │ │ │區塊E 至G 之資│ │ │
│ │ │ │料暫時地儲存，│ │ │
│ │ │ │由系爭產品2 可│ │ │
│ │ │ │以讀取到系爭專│ │ │
│ │ │ │利申請專利範圍│ │ │
│ │ │ │第14項編號14D │ │ │
│ │ │ │要件「一緩衝記│ │ │
│ │ │ │憶體，電性連接│ │ │
│ │ │ │至該微處理單元│ │ │
│ │ │ │並且用以暫時地│ │ │
│ │ │ │儲存資料」。 │ │ │
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│14E │以及一記憶體管│ e │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │理模組，電性連│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │接至該微處理單│ │動(flash drive│ │ │
│ │元並且用以管理│ │)之儲存裝置之 │ │ │
│ │該非揮發性記憶│ │控制器設有記憶│ │ │
│ │體， │ │體管理模組管理│ │ │
│ │ │ │區塊A 至G 之寫│ │ │
│ │ │ │入與讀出，由系│ │ │
│ │ │ │爭產品2 可以讀│ │ │
│ │ │ │取到系爭專利申│ │ │
│ │ │ │請專利範圍第14│ │ │
│ │ │ │項編號14E 要件│ │ │
│ │ │ │「一記憶體管理│ │ │
│ │ │ │模組，電性連接│ │ │
│ │ │ │至該微處理單元│ │ │
│ │ │ │並且用以管理該│ │ │
│ │ │ │非揮發性記憶體│ │ │
│ │ │ │」。 │ │ │
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│14F │其中該記憶體管│ f │系爭產品2 為US│ 是 │ － │
│ │理模組會執行一│ │B 介面的快閃驅│ │ │
│ │寫入方法，該寫│ │動(flash drive│ │ │
│ │入方法包括： │ │)之儲存裝置， │ │ │
│ │ │ │透過該儲存裝置│ │ │
│ │ │ │可將資料寫入區│ │ │
│ │ │ │塊A 至H 中，由│ │ │
│ │ │ │系爭產品2 可以│ │ │
│ │ │ │讀取到系爭專利│ │ │
│ │ │ │申請專利範圍第│ │ │
│ │ │ │14項編號14F 要│ │ │
│ │ │ │件「其中該記憶│ │ │
│ │ │ │體管理模組會執│ │ │
│ │ │ │行一寫入方法，│ │ │
│ │ │ │該寫入方法包括│ │ │
│ │ │ │」。 │ │ │
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│14G │使用該非揮發性│ g │系爭產品2 之區│無法│無法│
│ │記憶體中一替換│ │塊D 及區塊H 在│判斷│判斷│
│ │區的多個區塊用│ │TLC 模式下可放│ │ │
│ │以分別地替換一│ │滿資料（參鑑定│ │ │
│ │資料區的多個區│ │報告第84頁之SL│ │ │
│ │塊，其中該替換│ │C mode合併至No│ │ │
│ │區的區塊用以寫│ │rmal mode 位址│ │ │
│ │入欲在該資料區│ │對照圖㈠及第87│ │ │
│ │的區塊中寫入的│ │頁SLC mode合併│ │ │
│ │資料， │ │至Normal mode │ │ │
│ │ │ │位址對照圖㈡）│ │ │
│ │ │ │，但無法判斷區│ │ │
│ │ │ │塊D 及區塊H 是│ │ │
│ │ │ │否為用以寫入欲│ │ │
│ │ │ │在該資料區的區│ │ │
│ │ │ │塊中寫入的資料│ │ │
│ │ │ │，由系爭產品2 │ │ │
│ │ │ │無法判斷系爭專│ │ │
│ │ │ │利申請專利範圍│ │ │
│ │ │ │第14項編號14G │ │ │
│ │ │ │要件「使用該非│ │ │
│ │ │ │揮發性記憶體中│ │ │
│ │ │ │一替換區的多個│ │ │
│ │ │ │區塊用以分別地│ │ │
│ │ │ │替換一資料區的│ │ │
│ │ │ │多個區塊，其中│ │ │
│ │ │ │該替換區的區塊│ │ │
│ │ │ │是用以寫入欲在│ │ │
│ │ │ │該資料區的區塊│ │ │
│ │ │ │中寫入的資料」│ │ │
│ │ │ │。 │ │ │
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│14H │並且該替換區的│ h │系爭產品2 之實│無法│無法│
│ │區塊是從該非揮│ │際容量為16GB，│判斷│判斷│
│ │發性記憶體的一│ │而可使用的存取│ │ │
│ │備用區中提取；│ │容量為14.8GB，│ │ │
│ │ │ │此僅能說明系爭│ │ │
│ │ │ │產品2 有1.2GB │ │ │
│ │ │ │未使用，但無法│ │ │
│ │ │ │判斷系爭產品2 │ │ │
│ │ │ │中是否有備用區│ │ │
│ │ │ │，亦無法判斷鑑│ │ │
│ │ │ │定報告中之區塊│ │ │
│ │ │ │A 至區塊H 是否│ │ │
│ │ │ │由備用區提取。│ │ │
│ │ │ │系爭產品2 無法│ │ │
│ │ │ │判斷系爭專利申│ │ │
│ │ │ │請專利範圍第14│ │ │
│ │ │ │項編號14H 要件│ │ │
│ │ │ │「該替換區的區│ │ │
│ │ │ │塊是從該非揮發│ │ │
│ │ │ │性記憶體的一備│ │ │
│ │ │ │用區中提取」。│ │ │
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│14I │以及用該非揮發│ i │系爭產品2 之A │ 是 │ － │
│ │性記憶體的多個│ │區塊、B 區塊以│ │ │
│ │暫存區塊作為該│ │及C 區塊的每一│ │ │
│ │替換區的區塊的│ │個page之lower │ │ │
│ │一暫存區，其中│ │可以暫時地存入│ │ │
│ │該暫存區用以暫│ │資料，而D 區塊│ │ │
│ │時地儲存欲在該│ │之每一個page之│ │ │
│ │替換區的區塊中│ │lower 、middle│ │ │
│ │寫入的資料。 │ │以及upper 的資│ │ │
│ │ │ │料則由A 區塊、│ │ │
│ │ │ │B 區塊以及C 區│ │ │
│ │ │ │塊之lower 整併│ │ │
│ │ │ │得到，由系爭產│ │ │
│ │ │ │品2 可以讀取到│ │ │
│ │ │ │系爭專利申請專│ │ │
│ │ │ │利範圍第14項編│ │ │
│ │ │ │號14I 要件「使│ │ │
│ │ │ │用該非揮發性記│ │ │
│ │ │ │憶體的多個暫存│ │ │
│ │ │ │區塊作為該替換│ │ │
│ │ │ │區的區塊的一暫│ │ │
│ │ │ │存區，其中該暫│ │ │
│ │ │ │存區用以暫時地│ │ │
│ │ │ │儲存欲在該替換│ │ │
│ │ │ │區的區塊中寫入│ │ │
│ │ │ │的資料」。 │ │ │
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⑸系爭產品2 與系爭專利請求項14之比對分析說明：
①系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置，其中該儲存裝置設有控制器以執行韌體而將資料寫入與讀出，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14A 要件「一種控制器，包括」。
②系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有微處理單元控制整體儲存裝置的運作，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14B 要件「一微處理單元，用以控制該控制器的整體運作」。
③系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive )之儲存裝置之控制器設有非揮發性記憶體介面與非揮發性記憶體相電性連接，如此可使區塊A~H 之資料存入非揮發性記憶體中，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14C 要件「一非揮發性記憶體介面，電性連接至該微處理單元並且用以存取非揮發性記憶體」。
④系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有緩衝記憶體如此可將區塊A 至C 及區塊E 至G 之資料暫時地儲存，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14D 要件「一緩衝記憶體，電性連接至該微處理單元並且用以暫時地儲存資料」。
⑤系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive) 之儲存裝置之控制器設有記憶體管理模組管理區塊A 至G 之寫入與讀出，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14E 要件「一記憶體管理模組，電性連接至該微處理單元並且用以管理該非揮發性記憶體」。
⑥系爭產品2 為USB 介面的快閃驅動(flash drive )之儲存裝置，透過該儲存裝置可將資料寫入區塊A 至H
中，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14F 要件「其中該記憶體管理模組會執行一寫入方法，該寫入方法包括」。
⑦系爭產品2 之區塊D 及區塊H 在TLC 模式下可放滿資料（參鑑定報告第84頁SLC mode合併至Normal mode
位址對照圖㈠以及第87頁之SLC mode合併至 Normal
mode位址對照圖㈡），但無法判斷區塊D 及區塊H 是否為用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料，由系爭產品2 無法判斷系爭專利申請專利範圍第14項編號14G 要件「使用該非揮發性記憶體中一替換區的多個區塊用以分別地替換一資料區的多個區塊，其中該替換區的區塊是用以寫入欲在該資料區的區塊中寫入的資料」。
⑧系爭產品2 之實際容量為16GB，而可使用的存取容量為14.8GB，此僅能說明系爭產品2 有1.2GB 未使用，但無法判斷系爭產品2 中是否有備用區，亦無法判斷鑑定報告中之區塊A 至區塊H 是否由備用區提取。系爭產品2 無法判斷系爭專利申請專利範圍第14項編號14H 要件「該替換區的區塊是從該非揮發性記憶體的一備用區中提取」。
⑨系爭產品2 之A 區塊、B 區塊以及C 區塊的每一個page之lower 可以暫時地存入資料，而D 區塊之每一個page之lower 、middle以及upper 的資料則由A 區塊、B 區塊以及C 區塊之lower 整併得到，由系爭產品2 可以讀取到系爭專利申請專利範圍第14項編號14I
要件「使用該非揮發性記憶體的多個暫存區塊作為該替換區的區塊的一暫存區，其中該暫存區用以暫時地儲存欲在該替換區的區塊中寫入的資料」。
⑩承上所述，無法判斷系爭產品2(Gigastone SDHC記憶卡) 是否有要件G 以及要件H 。無法判斷系爭產品2
是否落入系爭專利請求項14之文義範圍及均等範圍。六、綜上所述，系爭專利請求項1 、4 、14、17項得由被證1、2之組合證明不具進步性、系爭專利請求項4、6、17得由被證1 、2 、3 之組合證明不具進步性、系爭專利請求項1 、4
、14、17得由被證1 、4 之組合證明不具進步性，具得撤銷事由，從而，原告就此系爭專利1 、4 、6 、14、17不得主張專利權效力。又原告所提出之鑑定報告與其他證據無法證明系爭產品1 落入系爭專利1 、4 、6 、14、17之文義及均等範圍，亦不能證明系爭產品2 落入系爭專利請求項1 、4
、6 、14、17之文義及均等範圍。從而，原告基於專利法第96條第1 項、第2 項及第97條第1 項、第2 項規定，請求被告給付500 萬元及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息百分之5 計算之利息，暨不得自行或使他人或受人委託、製造、販賣、為販賣之要約、使用及為上述目的而進口及銷銷毀系爭產品1 、2 ，為無理由。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請失所附麗，應併予駁回。
七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，自無須逐一詳予論述，併此敘明。
八、結論：本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1
條、第78條，判決如主文。
中　　華　　民　　國　　104 　年　　2 　　月　　6 　　日智慧財產法院第一庭
法　官　李維心
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中　　華　　民　　國　　104 　年　　2 　　月　　17　　日書記官　丘若瑤