智慧財產及商業法院102年度民專訴字第95號

• 裁判案由: 排除侵害專利權等
• 案件類型: 智財
• 審判法院: 智慧財產及商業法院
• 裁判日期: 103 年 05 月 20 日

智慧財產法院民事判決
102年度民專訴字第95號原　　　告　美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司
（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Hold
ings, Inc.）
法定代理人　Blake T. Biederman
訴訟代理人　黃麗蓉律師
馮達發律師
被　　　告　美商奈平科技股份有限公司
（NexPlanar Corporation）
4樓
法定代理人　黃 衛
訴訟代理人　王仁君律師
徐瑞毅律師
被　　　告　華立企業股份有限公司
法定代理人　張瑞欽
訴訟代理人　林哲誠律師
羅秀培律師
上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於中華民國103 年4
月15日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及其假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、程序方面：
㈠本件乃涉外民事事件，且我國法院有國際裁判管轄權：
⒈本件涉訟之當事人，原告及被告美商奈平科技股份有限公司（下稱美商奈平公司）均為依美國法律設立之法人，本件依原告所起訴之事實，係主張被告等於我國有侵害原告專利權之行為，應負不得為一定行為及賠償損害之責任。是以本件就人的部分具有涉外案件所需具備之最基本要素（即涉外因素），本件所涉及者，核其性質屬於專利權民事事件，且原告業已證明客觀上損害事實之發生及該事實發生地點均發生於我國，亦即本件訴訟爭議法律類型之形式定性，屬關於由侵害專利權行為而生之債，故本件為涉外民事事件，且我國法院對之有國際裁判管轄權。
⒉原告就證書號第165490號「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」（下稱系爭專利），依我國專利法享有專利權，此為兩造所不爭執。而依專利法所保護之智慧財產權益所生之第一審民事訴訟事件，為本院管轄案件（智慧財產法院組織法第3 條第1 款、智慧財產案件審理法第7 條規定參照），故本院得就本案為審理，並適用涉外民事法律適用法以定涉外事件之準據法。
㈡準據法之選定：
按以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第42條第1 項定有明文。查原告依我國專利法取得專利權，主張被告等在我國有侵害其專利權之行為，則我國法院應依我國專利法決定原告在我國有無權利之問題，以解決在我國應否保護及如何保護之問題。揆諸前揭規定，本件關於專利權事件之準據法，應依中華民國之法律。而兩造對於本件應以我國法律為準據法復未作何爭執，故本院自得本此而為審判。
㈢查原告為依美國法律設立之外國法人，未依中華民國法律經經濟部認許，並指定我國境內之訴訟及非訟代理人（本院卷㈠第136 頁之公司及分公司基本資料查詢）。由Blake T.Biederman 為其法定代理人提起本件訴訟（本院卷㈠第9-12頁原告委任狀公認證本）。
㈣查被告美商奈平公司為依美國法律設立之外國法人，依中華民國法律經經濟部認許而設立在我國之分支機構，並指定黃衛為我國境內之訴訟及非訟代理人（本院卷㈠第177 頁之公司及分公司基本資料查詢），依公司法第372 條第2 項規定，應以黃衛為被告之法定代理人。
㈤原告起訴後對聲明第2 項利息起算日部分，於102 年11月12日當庭減縮自102 年6 月20日起算，經被告等無異議而為本案之辯論（本院卷㈡第39至40頁之言詞辯論筆錄）。因原告請求之基礎事實同一，並不甚礙被告等之防禦及訴訟之終結，亦皆擬制得被告等同意，與民事訴訟法第255 條第1 項第1 、2 、3 、7 款、第2 項規定相符，自應准許。
二、原告聲明求為判決：㈠被告等不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣使用或為上述目的而進口S-Groove型及SXR-Groove型之研磨墊。㈡被告等應連帶給付原告新台幣（下同）1,000 萬元整及自102 年6 月20日起至清償日止按年息百分之5 計算之利息。㈢前二項請求，原告願供擔保，請准宣告假執行。並主張：
㈠原告為研磨材料及設備之廠商，產品包括半導體製程須使用之研磨液及研磨墊（polishing pad ）等。訴外人羅德爾控股公司於90年5 月25日向經濟部智慧財產局（下稱智慧局）申請系爭專利核准後，發給系爭第165490號專利證書，專利權期間自91年11月1 日起至110 年5 月24日止，優先權日為89 年5月27日及89年6 月28日，後於94年4 月26日變更專利權人名稱為原告。
㈡被告美商奈平公司總部設於美國Oregon州，在我國設有辦事處，主要產品亦為使用於半導體製程之化學機械研磨墊，於100 年9 月9 日參與我國之SEMICON 展覽會時，於現場提供其研磨墊產品簡報。依該簡報顯示，其研磨墊產品均是用於半導體製程之化學機械研磨墊，亦即用於平面化一半導體元件或其先質表面之研磨墊，且共分成四型S- Groove 、SXR-Groove、E-Groove及A-Groove。並委由被告華立企業股份有限公司（下稱華立公司）為我國代理商，以對我國半導體廠商銷售其S-Groove型及SXR- Groove 型等產品（下稱系爭產品）。原告在另案曾主張被告奈平公司侵害原告中華民國證書號第176078號專利，而向本院起訴（案號100 年度民專訴字第134 號）。該案本院委請財團法人塑膠工業技術發展中心針對於本院100 年度民聲字第43號證據保全程序中所扣得之被告美商奈平公司產品進行分析，而於101 年10月31日出具之試驗報告，可證被告美商奈平公司之系爭產品落入系爭專利申請專利範圍第1 項文義，自構成文義侵害，復無逆均等論之適用，故被告美商奈平公司已侵害系爭專利申請專利範圍第1 項。
㈢被告美商奈平公司與被告華立公司未經原告同意而製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭產品，係共同侵害系爭專利，爰依專利法第第96條第1 項與第2 項、第97條第1 項第2 款及民法第185 條第1 項規定，請求排除及防止被告等侵害系爭專利權之行為，並請求自100 年9 月9 日起算，被告等連帶賠償1,000萬元之損害。
三、被告奈平公司聲明求為判決駁回原告之訴及假執行之聲請，願供擔保請准免為假執行，並抗辯：
㈠系爭專利申請專利範圍第1 項中「鋪網底形」之文義解釋應指「拋光襯墊之凹槽由二層構成，其底部為網形」。且「鋪網底形」應與「X-Y 格子形」不同。如參酌系爭專利申請時所使用之外文本，「鋪網底形」應為英文「cross-hatched
」之翻譯，應解釋為「由若干組平行線條相交形成」之圖形。
㈡系爭產品未落入系爭專利申請專利範圍第1 項文義範圍及均等範圍：
⒈財團法人塑膠工業技術發展中心於另案出具之鑑定報告不具可信度，完全無法證明系爭產品落入系爭專利申請專利範圍第1 項之文義。本院100 年度民專訴字第134 號案件一審法院最終係判定本件原告之第078 號專利與第224 號專利均屬無效。塑膠中心所測試之標的極可能並非被告產品，且鑑定報告內錯誤百出，具有諸多矛盾，整份鑑定報告數據顯然無法採用作為原告證明受鑑定物侵權之依據。塑膠中心在進行測試時之靜態力起始值與動態力起始值設定（分別為670mN 與660mN ），亦與原審法院指示應將靜態力起始值設為「67 0mN」、且「靜態力應為動態力之125%」完全不符。該案鑑定機關於附件一提供之測試全程數據，與附件二計算受鑑定物30℃和90℃之E'比值之數據顯有不同，整份鑑定報告欠缺可信度。而塑膠中心採為測量彈性儲存模數E'之儀器為「動態機械分析儀」，顯然與「分佈法」毫無關聯，而與系爭專利申請專利範圍不符。
⒉系爭產品之凹槽圖案並非系爭專利申請專利範圍第1 項所請之「同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」，且原告主張均等落入亦毫無理由。
⑴系爭產品之「NEXX-09AZ-29S-30-128TS-4CF」拋光墊之凹槽圖案並非「同心圓形」或「三角形」，亦不均等於系爭專利之「同心圓形」、「三角形」、或「六邊形」。且該拋光墊產品之宏觀凹槽圖案為由互不交會之放射狀直線與正十六邊形所構成，惟其中由內算起之第二圈凹槽並不連續。該產品之凹槽圖案顯非同心圓形，更非三角形，事實上並非由16組三角形凹槽構成，故該產品關於凹槽圖案之「技術手段」與系爭專利申請專利範圍第1 項並不相同，該凹槽圖案可達成之「功能」與「結果」亦與系爭專利申請專利範圍第1 項有顯著不同。故被告「NEXX -09AZ-29S-30-128TS-4CF 」拋光墊之凹槽圖案並非「同心圓形」或「三角形」，未落入系爭專利申請專利範圍第1項 所請凹槽圖案之文義範圍，亦未落入均等範圍。
⑵被告「E7070-20SXR-70-00A」拋光墊產品之凹槽圖案並非「同心圓形」，亦不均等於「同心圓形」或「六邊形」。該產品之宏觀凹槽圖案為正十邊形，其中由內算起第一圈與第二圈正十邊形凹槽間有另一不同方向之凹槽與二者相連。該產品之凹槽圖案顯非同心圓形。原告以被告「E7070- 20SXR-70-00A 」拋光墊產品GSQ 值與GFQ 值，作為其主張凹槽圖案落入系爭專利申請專利範圍第1 項所請之「同心圓形」或「六邊形」之均等範圍依據，而不足採。該產品關於凹槽圖案之「技術手段」與可達成之「結果」與系爭專利申請專利範圍第1 項均有顯著不同。準此，被告「E7070- 20SXR-70-00A 」拋光墊產品之凹槽圖案可達成之「功能」、「結果」與系爭專利申請專利範圍第1 項不同。
㈢系爭專利申請專利範圍第1 項具有應撤銷之事由：
⒈系爭專利申請專利範圍第1 項先前於101 年5 月獲准更正並公告，相較於其公告時之申請專利範圍，更正後申請專利範圍第1 項係將原申請專利範圍第5 項之附屬項改寫為獨立項，並加入「其在10弳度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」之技術特徵。技術特徵並未記載於更正前任一申請專利範圍，縱於發明說明中有所揭露，顯為公告時之申請專利範圍未涵蓋的技術內容。此外，原公告之申請專利範圍並未定義任何測量方法與條件，根本沒有任何有關「測量方法與條件」之技術特徵，故該新增之有關測量方法與條件之技術特徵並非「更正前申請專利範圍所載技術特徵之下位概念技術特徵」，亦非「更正前申請專利範圍所載技術特徵進一步界定之技術特徵」，構成「引進非屬更正前申請專利範圍所載技術特徵之下位概念技術特徵或進一步界定之技術特徵」之更正，依據專利審查基準核屬實質變更申請專利範圍，依新修正之專利法第67條第4 項及第71條第1 項規定，該申請專利範圍更正之內容已涉及實質變更，依現行專利法第67條第4 項不應准許，應予撤銷。
⒉IC1000拋光墊（被證4 ）、被證5 、被證6 、被證9 與通常知識之組合，足證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑴依Rodel 公司於1999年公開發行之產品型錄（被證4 ），型號「Rodel IC1000 CMP Pad」之拋光墊（下稱IC1000拋光墊) 早在1999年之前即已公開販售，在系爭專利之優先權日前早已因公開販售而被公開使用。美國第5,921,855 號專利（被證9 ）係揭露一種用於化學機械研磨系統之具有溝槽之拋光墊，該專利核准日期為1999年7 月13日，亦早於系爭專利之優先權日。
⑵先前技術IC1000拋光墊揭露了系爭專利申請專利範圍第1 項「在10弳度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的E'比例係在約1 到約4 之範圍內」之技術特徵。
⑶根據Irene Li等人於2000年4 月26至27日在MaterialResearch Society於美國舊金山所舉辦之研討會中所發表之論文（被證5 ）及簡報資料（被證6 ），作者針對當時已公開販售及使用之IC1000拋光墊進行動態機械分析（dynamicmechanical analysis），由被證5 之圖1 與被證6 第7 頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊之30℃和90℃時的E'比約為3. 3，顯然落於1 到4 之間。Irene Li等人於1998年至2000年間針對IC1000拋光墊進行動態機械分析，雖係在「1Hz 」( 即約6.28弳度/ 秒) 之頻率下進行測試，惟1Hz
與1.6Hz 僅屬試驗條件的簡單變換，熟習該項技術者根據當時之通常知識瞭解其使用1Hz 或1.6Hz 之頻率測試對測試結果並無影響，而可輕易推知縱以「10弳度/ 秒」（即約1.6 Hz）之頻率針對同一拋光墊進行動態機械分析，其所得之30℃和90℃時的E'比亦同樣會落於1 到4 之間。此由美國Exova-OCM 試驗實驗室公司對IC1000拋光墊之測試報告( 被證8)可證。美國Exova-OCM 實驗室以「1.6 Hz」( 即「10弳度/ 秒」) 之頻率對IC1000拋光墊進行動態機械分析，得出IC 1000 拋光墊在30℃和90℃時之E'比為約2. 55 或3.77，足證IC 1000 拋光墊「在10弳度/ 秒」之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的E'比例係在約1 到約4 之範圍內。
⑷被證9 揭露了系爭專利申請專利範圍第1 項「一約75到約2,540 微米的凹槽深度、一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度、以及一約500 到約3,600 微米的凹槽間距」之技術特徵。依據被證9 之申請專利範圍所載，其所請之拋光墊具有溝槽，該溝槽之深度可為0.02至0.05英吋（即約508 至1270微米）、寬度可為0.015 至0.04英吋（即約381 至1016微米）、間距可為0.09至0.24英吋（即約2286至6096微米，系爭專利申請專利範圍第1 項之「 一約75到約2,540 微米的凹槽深度、一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度、以及一約500 到約3,600 微米的凹槽間距」之技術特徵顯已為該先前技術所揭露。
⑸被證9 之美國專利之圖3 已揭露一具有「同心圓」狀溝槽之拋光墊，其已特定系爭專利專利申請專利範圍第1
項之「該凹槽圖案為同心圓形」之技術特徵，其他圖形亦為為所屬技術領域具有通常知識者所輕易思及。
⒊先前技術美國第6,022,268 號專利（被證10）、美國第5,622,535 號專利（被證11）、證據9 及通常知識之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑴先前技術被證10其公告日為2000年2 月8 日，早於系爭專利之優先權日。被證10係揭示可用於製造半導體元件或類似物之經改良之拋光墊，其具一親水性拋光層，且該拋光層在30℃時之張力模數對在60℃時之張力模數之比值為1.0 至2.5 。
⑵先前技術被證11其公告日為1997年4 月22日，早於系爭專利之優先權日。被證11係揭示一研磨材質，於其圖1
中EXAMPLE 2 已揭露一研磨材質在90℃時之彈性模數E'為約1. 0，而在30℃時之彈性模數E'則為約2.5 ，因此由該圖可知，30℃及90℃時之E'比即約為2.5 。
⑶被證10與11及申請專利時通常知識之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1 到約4 之範圍內」之技術特徵。
⑷被證9 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項技術特徵，已如前述，熟習該項技術者有清楚之動機將被證10、被證11及被證9 加以結合以完成系爭專利申請專利範圍第1 項所請之技術內容。
⒋先前技術Weidan Li 等人於1995年所發表之文章（被證12）、JohnJ. Aklon is 及William J. MacKnight所著且於1983年出版之「Introduction to Polymer Viscoel astic
ity 」（被證13）、證據9 及通常知識之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑴被證12其公開日早於系爭專利之優先權日，其揭示一種用於製造積體電路之拋光襯墊，其使用美國公司Rodel
Products Incorporated 所生產之Suba IV 及IC1000二種拋光襯墊做為測試標的。根據該證據第604 頁圖4 所示之剪力模數對溫度之曲線圖，Suba IV 拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數分別為43及28 MPa，而IC1000拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數則分別為90及32 MPa。
⑵被證13其公開日早於系爭專利之優先權日，其揭示一材料之拉伸模數E 與剪力模數G 間之關係式為「E=2(1+μ)G」，其中μ為蒲松氏比（Poisson's ratio ）；易言之，倘一材料之拉伸模數、剪力模數及蒲松氏比三者已知其二，則剩餘之第三者可輕易藉由該關係式計算而得。
⑶被證12與被證13及申請專利時通常知識之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「一彈性儲存模數，E'，其在10 弳 度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1 到約4 之範圍內」之技術特徵。
⑷被證9 已明白揭示該美國專利所請之拋光墊可為上、下兩層之組合，且此種雙層之拋光墊可由Rodel 公司之IC1000及SUBA- 4 拋光墊所組成。被證12係針對IC1000及SUBA IV 拋光墊進行研究，此與被證9 所述者完全相同；另被證13則係關於聚合物之一般關係式，而拋光墊主要皆由聚合物所構成一事則屬眾所皆知之通常知識，熟習該項技術者參酌前述自有將先前技術被證9 、被證12、被證13之技術內容加以結合之動機。
㈣原告請求被告不得製造、販賣、使用或進口特定紋路之產品，並賠償損害於法無據。系爭專利申請專利範圍第1 項具有應撤銷之事由，且被告系爭產品並未落入系爭專利申請專利範圍第1 項，原告自不得主張排除侵害及損害賠償。
四、被告華立公司聲明求為判決駁回原告之訴及假執行之聲請，願供擔保請准免為假執行，並援引被告美商奈平公司抗辯之陳述。
五、經查下列事實，有各該證據附卷可稽，且為兩造所不爭執（本院卷㈠第181 至第182 頁），自堪信為真實。
㈠訴外人羅德爾控股公司於90年5 月25日向智慧局申請「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」發明專利（即系爭專利），經該局審查核准後，發給第165490號專利證書，專利權期間自91年11月1 日起至110 年5 月24日止，優先權日為89年5 月27日及89年6 月28日，嗣94年4 月26日變更專利權人名稱為原告。（本院卷㈠第15至16頁之智慧局函文及專利證書）
㈡系爭專利申請專利範圍共計6 項，其中系爭專利申請專利範圍第4 項為附屬項，其餘為獨立項。原告主張被告產品侵害系爭專利申請專利範圍第1 項。（依101 年2 月21日更正本內容，本院卷㈠第39頁反面、第40頁、第35頁反面、第36頁，本院卷㈠第17至40頁之系爭專利說明書）
㈢依據本院100 年度民聲字第43號之民事裁定，及100 年11月21日證據保全所取得S-Groove型（產品型號為NEXX-09A2-29S-30-128TS-4CFX 、NEXX-09AZ-29S-30-128TS-4CF，下稱系爭產品1 ）、SXR- Groove 型（產品型號為E7070-20SXR-70-00A、7070-20SXR-70-00A ，PADID 不同，下稱系爭產品2
）之拋光襯墊產品為被告美商奈平公司（NexPlanar Corporation ）製造，且委由被告華立企業股份有限公司為我國代理商。
六、本件經依民事訴訟法第271 條之1 準用同法第270 條之1 第1 項第3 款、第3 項規定，整理並協議簡化爭點如下（本院卷㈠第182 頁、卷㈡第122 頁）：
㈠關於系爭專利申請專利範圍第1 項「鋪網底形」、「X-Y 格子形」解釋？
㈡系爭產品「拋光襯墊（S-Groove）」（即系爭產品1 ）、「拋光襯墊（SXR-Groove）」（即系爭產品2 ）是否落入系爭專利申請專利範圍第1 項，而侵害系爭專利？
㈢系爭專利申請專利範圍第1項是否有應撤銷之原因？
⒈系爭專利申請專利範圍第1 項與被證4 之先前技術IC1000拋光墊（含被證4 、5 、6 的輔助證據）、被證9 及申請時通常知識之組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第1
項不具進步性？
⒉系爭專利申請專利範圍第1 項相較先前技術被證10、被證11與被證9 及通常知識之組合不具進步性？
⒊系爭專利申請專利範圍第1 項相較先前技術被證12、被證13與被證9 及及通常知識之組合不具進步性？
⒋系爭專利是否違反審定時專利法第71條第3 款之規定？
㈣被告有無販賣系爭產品於我國？
㈤被告等有無侵害系爭專利之故意或過失？如構成侵權行為，原告得請求損害賠償金額為何？
㈥原告可否請求排除侵害？
七、得心證理由：
㈠專利侵權之判斷與申請專利範圍之解釋：
⒈原告主張其為系爭專利之專利權人，被告等製造、銷售之系爭產品1 、2 侵害其系爭專利申請專利範圍第1 項等情，被告則提出系爭專利有應撤銷之原因及系爭產品1 、2
未落入申請專利範圍之抗辯。是以下本院之判斷僅須針對系爭專利申請專利範圍第1 項論述，合先敘明。
⒉關於專利侵權判斷，首應審酌系爭產品是否落入系爭專利申請專利範圍，此係比對系爭產品之技術內容與系爭專利之技術特徵，而與依系爭專利所實施之產品無涉。至其判斷流程，應先解讀申請專利範圍，再以之與系爭產品進行技術特徵之比對，如符合全要件原則，始進而判斷文義讀取或均等論之適用。倘不符合全要件原則，即無須再論究涉案產品是否符合文義讀取或適用均等論。另有關均等論之適用，於全要件原則之下，係採「逐一元件（element
by element）比對原則」，逐一比對各技術特徵之技術手段、功能及結果是否實質相同，而非就申請專利範圍整體（claim as a whole）為比對。
⒊按發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式，專利法第58條第4 項定有明文。對於申請專利範圍之解讀，應將據以主張權利之該項申請專利範圍文字，原原本本地列述（recite），不可讀入（read into ）詳細說明書或摘要之內容，亦不可將任何部分之內容予以移除。如有含混或未臻明確之用語，可參酌發明說明、圖式，以求其所屬技術領域中具有通常知識者得以理解及認定之意涵。而於比對專利申請專利範圍與系爭產品時，應以專利申請專利範圍中所載之各個元件及其連結、作動關係等技術特徵作為比對說明之對象。
㈡系爭專利之技術內容：
⒈系爭專利之技術說明：
系爭專利係有關一種用來拋光半導體晶圓上之金屬鑲嵌結構的襯墊和方法，該襯墊具有低彈性回復力以及與高襯墊膠黏硬度有關的高散能性，且該襯墊具有包含凹槽的宏觀構造，該凹槽具有約75到約2540微米的凹槽深度、約125
到約1270微米的凹槽寬度以及約500 到約3600微米的凹槽間距。系爭專利所欲解決的技術問題為，在理想狀況下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚度會發生明顯的差異，且表面物件中心通常較邊緣具有較小厚度，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面物件）以一較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能。（本院卷㈠第17至40頁之系爭專利說明書【中文發明摘要】、【發明說明】）。
⒉系爭專利之申請專利範圍共6 項，其中第4 項為第1 項之附屬項，其餘為獨立項（依系爭專利101 年2 月21日更正本內容，本院卷㈠第39頁反面、第40頁、第35頁反面、第36頁）。而申請專利範圍第1 項：「一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 、一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1 到約4 之範圍內、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540 微米的凹槽深度；一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；以及一約500 到約
3,600 微米的凹槽間距；該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。」（本院卷㈠第39頁反面）其相關圖式如附圖一所示。
㈢系爭專利申請專利範圍第1 項有關「鋪網底形」、「X-Y
格子形」之解釋：
⒈解釋申請專利範圍，得參酌「內部證據」與「外部證據」：
⑴內部證據，係指請求項之文字、發明說明、圖式及申請歷史檔案。所謂申請歷史檔案，乃申請專利至維護專利權之過程有關申請時原說明書以外之文件，如申請、舉發或行政救濟階段之補充、修正文件、更正文件、申復書、答辯書、理由書等。專利權人於申請專利至維護專利權過程中所陳述之意見，得為確定申請專利範圍之字義意涵的證據。例如專利權人於說明書或為維護其專利權過程所提之申請歷史檔案中，對申請專利範圍賦予特定之定義或解釋，即應以之解釋申請專利範圍；又專利權人於審查過程中所放棄之內容，即應排除於申請專利範圍之外，無由容許專利權人於授權程序中採取一種解釋方式，而於專利侵權訴訟中改採另一種解釋方式。又專利權範圍主要取決於申請專利範圍中之文字，若申請專利範圍中之記載內容明確時，應以其所載之文字意義及該發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭解該文字在相關技術中通常所總括的範圍予以解釋。解釋申請專利範圍應以前述具有通常知識者之觀點為判斷主體，並以其中所載之文字為核心，探究該發明所屬技術領域中具有通常知識者於申請專利時所認知或瞭解該文字之字面意義，除非申請人在說明書中已賦予明確的定義。
⑵外部證據係指內部證據以外之其他證據，例如創作人之其他論文著作、其他專利，相關前案（如主張優先權之前案），專家證人之見解，該發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點、權威著作、字典、專業辭典、工具書、教科書等。
⑶關於內部證據與外部證據之適用順序，係先使用內部證據解釋申請專利範圍，如足使申請專利範圍清楚明確，即無考慮外部證據之必要。倘內部證據有所不足，始以外部證據加以解釋。若內部證據與外部證據對於申請專利範圍之解釋有所衝突或不一致者，以內部證據之適用為優先。
⒉關於系爭專利申請專利範圍第1 項之用語「鋪網底形」、「X-Y 格子形」之解釋，由系爭專利申請專利範圍第1 項文字記載之「以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540 微米的凹槽深度；一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；以及一約500 到約3,600 微米的凹槽間距；」內容觀之，應指凹槽圖案由拋光襯墊之上方觀之為「鋪網底」形狀、「X-Y 格子」形狀。
⑴其中「X-Y 格子」形，應指「如X-Y 座標或縱橫棋盤90度之方格子形狀」，與原告主張之「棋盤之格子形」（見本院卷㈡第6 頁反面）及被告主張之「X-Y 方格形」（見本院卷㈡第9 頁反面），意思均相同。
⑵至於「鋪網底」形狀之解釋，由其文字上並不能明確得出其具體形狀，惟參酌系爭專利說明書揭示之內容，有關於凹槽圖案的部分，有「襯墊表面具有宏觀結構，此種宏觀結構可為貫穿襯墊厚度之貫孔或表面凹槽設計，此種表面凹槽設計包括，但不限於，可為同心或螺旋形凹槽的圓形凹槽，排列如橫跨襯墊表面之X-Y 方格的鋪網底圖案，諸如六角形、三角形及輪胎著地面形圖案之類的其他規則圖案，諸如碎片圖案、或其組合之類的不規則圖案；」之說明（見系爭專利說明書第9 頁，本院卷㈠第21頁），可知表面凹槽設計，至少包括①圓形凹槽圖案（同心圓形或螺旋形）、②鋪網底圖案（X-Y 方格形）、③規則圖案（六角形、三角形及輪胎著地面形圖案之類的其他規則圖案）、④不規則圖案（碎片圖案、或其組合類圖案）。因此，「X-Y 格子形」實際上是「鋪網底圖案」的具體示例之一。另參酌系爭專利申請時之外文本，「鋪網底形」對應之英文為「cross-hatched 」，而由字典「cross-hatch 」之解釋係指「由二或多組平行線相交所組成之圖形」(to mark or shade
with two or more intersecting series of parallellines ）（見本院卷㈡第33頁），故「鋪網底形」實際上亦是「鋪網底圖案」的具體示例之一。是以「鋪網底形」用語應解釋為至少是包括二組平行線相交所成之圖形，如菱形格子，而相交角度若為90度則為X-Y 方格形。
⒊綜上所述，系爭專利申請專利範圍第1 項之「鋪網底形」用語應指「由多條平行線相交所構成的圖形」；「X-Y格
子形」應指「如X-Y 座標或縱棋盤90度之方格形狀」。
㈣系爭產品與系爭專利申請專利範圍第1 項之比對：
⒈有關專利侵權判斷，係比對系爭產品之技術內容與系爭專利之技術特徵，以判斷系爭產品是否落入系爭專利申請專利範圍，原告就此有利於己之事實應負舉證之責。原告主張本件侵權產品與本院100 年度民聲字第43號證據保全程序中所保全之產品相同（見本院卷㈠第5 頁反面，如附圖二所示，系爭產品並經本院100 年度民專訴字第134 號案件送經財團法人塑膠工業技術發展中心為鑑定，並經其出具鑑定報告，即原證7 ，下稱鑑定報告，見本院卷㈠第47至51頁），兩造業就此辯論，本院即得據此與系爭專利申請專利範圍第1 項為技術特徵之比對。綜觀系爭專利之專利說明書全文及圖式，解析其申請專利範圍第1 項如附表一、二「系爭專利之技術特徵」欄所示。而以系爭專利申請專利範圍第1 項之各項技術特徵為基礎，解析系爭產品1 、2 的技術內容（如附表一、二「系爭產品之技術內容」欄所示）予以對應。
⒉系爭產品1【拋光襯墊（S-Groove）】：
⑴系爭產品1 為平面化一半導體元件表面的拋光襯墊，係為一具有形狀的固體物，當然具有一定數值範圍的硬度、張力模數、能量損失因子，KEL 。又依據鑑定報告，系爭產品1 在1.6Hz （見原證8 第2 頁，相當於10弳度/ 秒，見本院卷㈠第53頁）之頻率下利用動態機械分佈法所量測之彈性儲存模數（E'），在30℃和90℃時的比例之平均值（Mean）係約為3.8 （見本院卷㈠第49頁之鑑定報告所示）；其表面為具同心16邊形之凹槽，及16條由最內側16邊形凹槽頂角向圓周放射之16條凹槽，原凹槽深約826 微米、凹槽寬度約673 微米、凹槽間距約3,000 微米（見鑑定報告之附圖三，本院卷㈠第50頁）。
⑵經對應系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵各要件解析系爭產品1 技術內容，可對應解析為如附表一「系爭產品之技術內容」欄所示 6 個要件，分別為：
要件編號a 「一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：」、要件編號b 「一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 、」、要件編號c 「一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約為3.8」、要件編號d 「以及一包含一具有多道凹
槽之凹槽圖案的宏觀結構，」、要件編號e 「該凹槽圖案具有：一約826 微米的凹槽深度；一約673 微米的凹槽寬度；以及一約3,000 微米的凹槽間距；」、要件編號f 「該凹槽圖案為同心16邊形凹槽，及16條放射線與16邊形凹槽 」。
⑶系爭產品1無法文義讀取系爭專利申請專利範圍第1項之要件F的技術特徵：
如附表一所示，系爭產品1的技術內容編號a、b、c、d
、e部分均可自系爭專利申請專利範圍第1項中讀取，而編號f部分，以文義分析時，系爭專利係「該凹槽圖案
為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。」，而系爭產品1有相對
應之元件，符合全要件原則，進而為文義侵害之判定，惟系爭產品1 為「該凹槽圖案為同心16邊形凹槽，及16條放射線與16邊形凹槽」（如附圖二中1.系爭產品S-Groove拋光襯墊照片所示），此部分無法完全讀取，而不符文義侵害，則應進一步為均等論之探討。
⑷原告雖主張系爭產品之16條放射線加16邊形凹槽，文義符合系爭專利申請專利範圍第1 項所載之三角形凹槽云云，惟查系爭產品1 的16條放射線彼此並未在彼此相交於圓心，而是與最內的16邊形凹槽的頂角相交，是以16邊形凹槽之任一邊與相鄰二條放射線並未形成三角形，故於系爭產品要件編號f 無法讀取系爭專利申請專利範圍第1項要件編號F之文義。
⑸關於附表一要件編號F部分之均等論分析（詳如附表一
之一所示）：
①就系爭專利凹槽圖案為同心圓形的情形，其技術手段為「凹槽所界定拋光襯墊凸出部分呈圓形」、功效為「拋光襯墊凸出部對晶圓接觸部分僅形成切線方向的研磨力」、結果為「晶圓表面研除的寬度為拋光襯墊凸出部的寬度，及其所造成研磨漿流場改變的模式」」；而系爭產品為具同心16邊形之多道凹槽，其技術手段為「凹槽所界定拋光襯墊凸出部分呈16邊形」、功效為「拋光襯墊凸出部對晶圓接觸部分形成切線方向及徑向的研磨力」、結果為「晶圓表面研除的寬度為拋光襯墊凸出部（頂角與旋轉中心的距離）與（邊長中點與旋轉中心的距離）的差，及其所造成研磨漿流場改變的模式」，兩者係非屬「實質相同的技術手段，達成實質相同的功能，產生實質相同的結果」，是此部分並未均等。
②就系爭專利凹槽圖案為三角形或六角形的情形，雖記載有凹槽圖案形狀，但其究係指凹槽所圍成的圖案形狀或是指配置在拋光襯墊表面而成的宏觀結構形狀，並不明確，故有必要參酌系爭專利說明書或圖式之相關內容。經查系爭專利說明書記載「....該襯墊表面具有宏觀結構，此種宏觀結構可為貫穿襯墊厚度之貫孔或表面凹槽設計，此種表面凹槽設計包括，但不限於，可為同心或螺旋形凹槽的圓形凹槽，排列如橫跨襯墊表面之X-Y方格的鋪網底圖案，諸如六角形、三
角形及輪胎著地面形圖案之類的其他規則圖案，諸如碎片圖案、或其組合之類的不規則圖案；...」（系
爭專利說明書第9 頁，見本院卷㈠第21頁），故可知同心或螺旋形凹槽係歸類於圓形凹槽，而六角形、三角形係歸類於規則圖案，圓形凹槽與規則圖案兩者為不相同的宏觀結構。是系爭專利申請專利範圍第1 項所記載之凹槽圖案若為三角形或六角形，係指由凹槽所圍繞而成的凸出物乃為一完整六角形或三角形的最小單元，凸出物內不具有其他凹槽，再將其排列成規則的宏觀圖案。原告雖主張系爭產品1 符合系爭專利申請專利範圍第1 項所記載之六角形或三角形之均等範圍云云，惟查系爭產品1 之宏觀結構係屬同心16邊形構造之凹槽結構，凸出物的最小單元包括在中央位置乃為一個16邊形及16個高梯形的構造，以及在其他位置的多個一細長梯形狀凸出物，且細長梯形的長度沿著拋光墊徑向方向而變長，均非完整六角形或三角形。系爭產品縱如原告認為之16組近似三角形圖案，惟查在系爭產品最外圍係由四條凹槽所組成之梯形，且內部仍有多道平行的凹槽存在而非如系爭專利所示之最小單元為三角形圖案，或六角形圖案，故系爭產品1 在凹槽所形成的凸出物之技術手段上與系爭專利之完整六角形或三角形的最小單元即非實質相同，從而導致「拋光襯墊凸出部對晶圓接觸部位所形成研磨力」的功效，以及「晶圓表面被研磨移除的寬度及研磨漿流場的模式」的結果均不相同。故兩者係非屬「實質相同的技術手段，達成實質相同的功能，產生實質相同的結果」，是此部分並未均等。
③又系爭專利凹槽圖案為舖網底形的情形，如上所述，同心或螺旋形凹槽係歸類於圓形凹槽，而鋪網底形則歸類於鋪網底圖案凹槽，圓形凹槽與鋪網底圖案凹槽兩者為不相同的宏觀結構。再依前述鋪網底形的解釋，至少是包括二組平行線相交所成之圖形，其由凹槽所圍繞而成的凸出物乃為一平行四邊形的最小單元，凸出物內不具有其他凹槽，再將其排列成規則的宏觀圖案。系爭產品1 之宏觀結構係屬同心16邊形構造之凹槽結構，凸出物在中央位置乃為一個16邊形及16個高梯形的構造，其他位置的凸出物則呈一細長梯形狀且細長梯形的長度沿著拋光墊徑向方向而變長，並非由多組平行相交所組成的最小單元，業如前述，均非由多組平行線相交所組成的完整平行四邊形，故系爭產品在凹槽所形成的凸出物形狀及由凸出物排列的宏觀圖案之技術手段上與系爭專利舖網底形之凸出物係為完整平行四邊形及由完整平行四邊所規則排列的宏觀結構，在技術手段上即非實質相同，且原告亦自承依本院關於「鋪網底形」的解釋，系爭產品1 並未落入系爭專利申請專利範圍第1 項（見本院卷㈡第121
頁之言詞辯論筆錄），故系爭產品1 在凹槽所形成的凸出物之技術手段上與系爭專利之完整平行四邊形的最小單元即非實質相同，從而導致「拋光襯墊凸出部對晶圓接觸部位所形成研磨力」的功效，以及「晶圓表面被研磨移除的寬度及研磨漿流場的模式」的結果亦均不相同。故系爭專利凹槽圖案為舖網底形，與系爭產品為具同心16邊形之多道凹槽，兩者係非屬「實質相同的技術手段，達成實質相同的功能，產生實質相同的結果」，是此部分亦未均等。
④綜上所述，系爭產品1 要件編號f 為同心16邊形凹槽、16條放射線與16邊形凹槽所組成之凹槽圖案與系爭專利申請專利範圍第1 項要件編號F 之凹槽圖案為同心圓形、六角形、三角形、舖網底形等，兩者相較分析，系爭產品1 之技術手段、功能及效果，與系爭專利申請專利範圍第1 項並非實質相同，此部分即非均等，而不適用均等論，故系爭產品1 並未落入系爭專利申請專利範圍第1 項之權利範圍。而本件既無均等論之適用，即無須再為分析有關禁反言、先前技術阻卻之適用。
⑤原告固又主張系爭專利發明目的為解決凹化作用，其主要的技術特徵之一為凹槽寬度、深度、間距等之設計，凹槽圖案僅是次要技術特徵，在協助達成系爭專利之功能及結果等，而系爭產品之凹槽尺寸符合系爭專利申請專利範圍第1 項之文義，故系爭產品之凹槽圖案與系爭專利申請專利範圍第1 項在技術手段、功效、結果上實質相同等云云。惟查「均等論」比對應以解析後申請專利範圍之技術特徵與待鑑定對象之對應元件、成分、步驟或其關係中不符合文義讀取之技術內容逐一比對（element by element），不得以申請專利範圍之整體（as a whole）與待鑑定對象比對。是原告僅以系爭產品1 要件編號e 之文義已為系爭專利申請專利範圍第1 項的凹槽尺寸技術特徵要件編號E 所讀取，而推論稱系爭產品1 凹槽圖案技術特徵要件編號f 之技術手段、功效、結果上實質相同於系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵要件編號F ，卻未就系爭專利申請專利範圍第1 項所記載之圓形、三角形、六角形、鋪網底形之技術特徵要件編號F 與系爭產品之對應不符合文義讀取之技術特徵要件編號f ，逐一比對其間的技術手段、功能及結果是如何地實質相同，尚難認原告已就系爭產品1 有均等侵害系爭專利申請專利範圍第1 項之情事盡舉證責任。
⒊系爭產品2【拋光襯墊（SXR-Groove）】：
⑴系爭產品2為平面化一半導體元件表面的拋光襯墊，係
為一具有形狀的固體物，當然具有一定數值範圍的硬度、張力模數、能量損失因子，KEL 。又依據鑑定報告，系爭產品2 在1.6Hz （見原證8 第2 頁，相當於10弳度/ 秒，見本院卷㈠第53頁）之頻率下利用動態機械分佈法所量測之彈性儲存模數（E'）在30℃和90℃時的比例之平均值（Mean）係在約3.3 （見本院卷㈠第49頁之鑑定報告所示）；其表面為同心10邊形凹槽，凹槽深約918 微米、凹槽寬度約673 微米、凹槽間距約3, 000微米（見鑑定報告之附圖四，本院卷㈠第51頁）。
⑵經對應系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵各要件
解析系爭產品2技術內容，可對應解析為如附表二「系
爭產品之技術內容」欄所示6個要件，分別為：
要件編號g「一種用來平面化一半導體元件或其先質之
表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：」、要件編號h「一硬
度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 」、要件編號i 「一彈性儲存模數，E'，其在1.6Hz 之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例之平均值(Mean) 係約為3.3 」、要件編號j 「以及一包含一具有多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，」、要件編號k 「該凹槽圖案具有：一約918 微米的凹槽深度；一約67 3微米的凹槽寬度；以及一約3,000 微米的凹槽間距；」、要件編號l 「該凹槽圖案為同心10邊形凹槽」。
⑶系爭產品2無法文義讀取系爭專利申請專利範圍第1項之要件F的技術特徵：
如附表二所示，系爭產品2的技術內容編號g、h、i、j
、k部分均可自系爭專利申請專利範圍第1項中讀取，而編號l部分，以文義分析時，系爭專利係「該凹槽圖案
為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形
、三角形、碎片形或其組合。」，而系爭產品2有相對
應之元件，符合全要件原則，進而為文義侵害之判定，惟系爭產品2為「該凹槽圖案為同心10邊形凹槽」（如
附圖二中2.系爭產品SXR-Groove拋光襯墊照片所示），此部分無法完全讀取，而不符文義侵害，則應進一步為均等論之探討。
⑷關於附表二要件編號F部分之均等論分析（詳如附表二
之一所示）：
系爭產品2 要件編號l 之技術手段為「為具同心10邊形之凹槽」，而系爭專利申請專利範圍第1 項要件編號F
之技術手段為「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」，如上述⒉⑸①②③所述，系爭專利申請專利範圍第1 項要件編號F 及系爭產品2 要件編號l ，兩者在「凹槽所界定拋光襯墊凸出部分的形狀」的技術手段上、「拋光襯墊凸出部對晶圓接觸部所形成研磨力」的功效，以及「晶圓表面被研磨移除的寬度及研磨漿流場的模式」的結果均不相同，故系爭產品2 與系爭專利並未以實質相同的技術手段，達成實質相同的功能與結果，系爭產品2 要件編號l 未落入系爭專利申請專利範圍第1 項要件編號F 之均等範圍。而本件既無均等論之適用，即無須再為分析有關禁反言、先前技術阻卻之適用。
⑸又原告對於系爭產品1 要件編號f 與系爭專利申請專利範圍第1 項要件編號F 之均等比對理由，和系爭產品2
要件編號l 與系爭專利申請專利範圍第1 項要件編號F
之均等比對理由類似，均僅以系爭產品2 要件編號k 之文義已為系爭專利申請專利範圍第1 項的凹槽尺寸技術特徵要件編號E 所讀取，而推論稱系爭產品2 凹槽圖案技術特徵要件編號l 之技術手段、功效、結果上實質相同於系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵要件編號F ，卻未就系爭專利申請專利範圍第1 項所記載之同心圓形、六角形、鋪網底形之技術特徵要件編號F 與系爭產品之對應不符合文義讀取之技術特徵要件編號l 逐一比對其間的技術手段、功能及結果是如何地實質相同，尚難認原告已就系爭產品2 有均等侵害系爭專利申請專利範圍第1 項之情事盡舉證責任。
㈤系爭產品1 、2 既不落入系爭專利申請專利範圍第1 項，則原告之請求即無理由，因此系爭專利申請專利範圍第1 項是否有應撤銷事由存在、系爭產品是否於我國販賣、原告請求被告等連帶賠償1,000 萬元本息並請求被告等排除、防止侵害是否有據等爭點，即無審究之必要，附此敘明。
八、綜上所述，系爭產品1 、2未落入系爭專利申請專利範圍第1項，是被告等並未侵害原告系爭專利權，從而原告依專利法第96條第1 項、第2 項、第97 條第1 項第2 款、民法第185條第1 項規定，請求被告等連帶賠償原告1,000 萬元及法定遲延利息，並請求被告等不得製造、委託製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口S-Groove型及SXR-Groove型之研磨墊等，為無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回。
九、本件事證已臻明確，兩造其餘主張陳述及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，均毋庸再予論述，附此敘明。
十、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條、民事訴訟法第78條規定，判決如主文。
中　　華　　民　　國　　103 　年　　5 　　月　　20　　日智慧財產法院第一庭
法　官　林靜雯
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日之不變期間內，向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　103 　年　　5 　　月　　20　　日書記官 陳彥君