104年度民專上字第28號｜智財：侵害專利權有關財產權爭議等｜裁判日期：105 年 06 月 30 日

智慧財產法院民事判決 104年度民專上字第28號上　訴　人　樂金股份有限公司法定代理人　蔡幸樺訴訟代理人　謝佩玲律師被上訴人　光大應用材料科技股份有限公司法定代理人　陳李賀訴訟代理人　陳群顯律師許凱婷律師陳翠華上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議事件，上訴人對於中華民國104 年7 月17日本院103 年度民專訴字第59號第一審判決提起上訴，本院於105 年6 月16日言詞辯論終結，判決如下：主文上訴駁回。第二審訴訟費用由上訴人負擔。事實及理由壹、程序事項：按依專利法、商標法、著作權法、光碟管理條例、營業秘密法、積體電路電路布局保護法、植物品種及種苗法或公平交易法所保護之智慧財產權益所生之第一審及第二審民事訴訟事件，暨其他依法律規定或經司法院指定由智慧財產法院管轄之民事事件，均由智慧財產法院管轄。對於智慧財產事件之第一審裁判不服而上訴或抗告者，向管轄之智慧財產法院為之。智慧財產法院組織法第3 條第1 款、第4 款與智慧財產案件審理法第7 條、第19條分別定有明文。職是，智慧財產第一審民事事件並非由智慧財產法院專屬管轄，其屬優先管轄之性質，雖得由普通法院管轄，然為統一法律見解，其上訴或抗告自應由專業之智慧財產法院受理。查本件因上訴人主張被上訴人侵害其專利權，係專利權法所生之第二審民事事件，揆諸前揭說明，本院依法自有專屬管轄權。貳、實體事項：一、上訴人主張： (一)上訴人起訴聲明求為：1.被上訴人應給付上訴人新臺幣（下同）100 萬元，並自起訴狀繕本送達翌日起，按年息5 ﹪計算利息。2.被上訴人不得為製造、為販賣之要約、販售、使用或為目的而進口系爭「AGOE」及「AGOF」合金線產品，暨其他侵害中華民國發明專利證書第I384082 號專利權之產品等侵權行為。3.訴訟費用由被上訴人負擔。4.第1 項聲明，上訴人願供擔保，請宣告准予假執行。並主張如後： 1.被上訴人侵害上訴人之專利：上訴人為我國第I384082 號「合金線材及其製造方法」發明專利（下稱系爭專利）專利權人，專利期間自民國102 年2 月1 日起至121 年6 月19日止。上訴人於系爭專利公告後，聽聞被上訴人所製造、銷售之銀合金線產品與系爭專利之銀合金線功能相當，遂透過訴外人興華電子工業股份有限公司（下稱興華公司）分別於102 年8 月7 日及同年8 月19日取得被上訴人所製造、銷售型號「AG0E」銀合金線產品兩批。嗣經上訴人以專業儀器分析，發現被上訴人型號「AG0E」銀合金線產品落入系爭專利請求項第1 項及第2 項範圍，構成文義侵害。上訴人嗣後依被上訴人簡介及其銀合金線產品之簡報得知，被上訴人同系列之銀合金線產品，亦有同系列具同功效之型號「AG0F」銀合金線產品，其組成比例落入系爭專利請求項第1 項及第2 項範圍，構成文義侵害。 2.被上訴人不得侵害系爭專利及應負損害賠償之責：因被上訴人所製造、銷售之型號「AG0E」及「AG0F」等銀合金線產品（下稱系爭產品）侵害系爭專利請求項第1 項及第2 項。準此，上訴人依專利法第96條第1 項、第2 項及民法第184 條等規定提起本件訴訟，並依民事訴訟法第244 條第1 項規定，就損害賠償金額先為100 萬元之一部請求。 (二)原審為上訴人全部敗訴之判決，上訴人提起上訴聲：1.原判決廢棄。2.被上訴人應給付上訴人100 萬元，並自起訴狀送達翌日起，按年息5 ﹪計算利息。3.被上訴人不得為製造、為販賣之要約、販售、使用或為上訴目的而進口其公司型號「AGOE」及「AGOF」合金線產品，暨其他侵害中華民國發明專利證明第I384082 號專利權之產品等侵權行為。4.第一審及第二審訴訟費用由被上訴人負擔。5.上訴人願供擔保，請准宣告假執行。並主張如後： 1.系爭專利說明書符合充分揭露要件： ⑴系爭專利說明書第6項明確說明專利技術內容：系爭專利於系爭發明專利說明書第6 項發明說明，有記載發明所屬之技術領域、先前技術、所欲解決之問題、解決問題之技術手段、所達成之功效及實施方式等內容。就實施方式而言，有提供大量篇幅說明、揭露如何製造、使用系爭專利所請合金線材，並提供實施例示，說明系爭專利經由具有退火孿晶之晶粒數量，占合金線材所有晶粒數量20% 以上之技術特徵（下稱要件1E），達到較傳統合金線為優之品質與可靠度之功效。 ⑵系爭專利請求項界定具有退火孿晶之晶粒：系爭專利請求項用以界定技術特徵之具有退火孿晶的晶粒，此性質早在系爭專利申請前已存在，系爭專利說明書內所援引1970年、1976年及2004年所公開之學術論文，有提及之。再者，參諸1997年由S.ASGARI等人發表之論文，可知關於論述觀察變形孿晶部分，其與退火孿晶有關，兩者均是採用具有變形/ 退火孿晶之晶粒，佔所有晶粒比例之定義。職是，系爭專利請求項第1 、2 項範圍，具有退火孿晶之晶粒的數量，占合金線材所有晶粒數量之20% ，20% 之數據並非新參數。 ⑶系爭專利說明書明確說明測量方式之記載：系爭專利說明書之發明內容、圖示說明及相關圖示明確記載，系爭專利採用FIB 聚焦離子束顯微鏡取得合金線材縱切面及橫截面之金相圖，並採用早於系爭專利申請前，即已存在於ASTM E112 及具有高度學術價值之期刊文獻，以直接清點晶粒之方法，測量該等金相圖之合金線材中具有退火孿晶之晶粒佔所有晶粒之百分比。再者，該方法與國內此材料領取者所採取之方式相同，顯見為材料領域通常知識者所普遍知悉之量測方式，符合專利審查基準中，為普遍使用而無須記載量測方法之情形。 ⑷專利說明書無須記載退火孿晶與機械孿晶定義及判斷：退火孿晶之機械孿晶之定義及如何判斷早廣見於各大材料領域之教科書及教學網站，參諸上證14、15，可知確為系爭專利申請前所屬領域具有通常知識者所應知悉之技術。 ⑸系爭專利請求項第1 項及第2 項製作方式已充分揭露：參諸系爭專利說明書第3 圖、第16頁倒數第10行起之記載及第17頁第3 段等記載，可知製造系爭專利合金線材之必要技術特徵條件；依系爭專利說明書第5 頁，可知粗線材之線徑，經由冷加工成型步驟逐漸縮減成細線材之製作方式。再者，系爭專利說明書雖未記載藉由伸線退火之技術，將粗線徑之合金線材處理至0.02mm線徑之細線材之內容，然參照上證17，可知此技術於系爭專利申請前已載於多篇期刊論文，國外知名廠商於2006年即有採用。故系爭專利說明書未記載與專利規定並無不合。復依系爭專利實施例1 ，見系爭專利說明書第20至21頁之記載可知，例示之具體實施退火或冷加工等條件，均符合前揭實施方式內所記載之必要操作條件，依據上述具體之實施操作，製得系爭專利合金線材，繼而隨機抽樣合金線材取得其縱剖面及橫剖面金相圖，觀察合金線材結構特徵，均符合系爭專利請求項第1 項之發明。職是，系爭專利說明書第23頁之記載及前述之內容，均可證明系爭專利說明書明確與充分揭露系爭專利之技術相關技術內容，具體記載發明所欲解決問題、解決問題所採用手段及對照先前技術之功效，使其所屬技術領域中具有通常知識者，得以瞭解並據以實施。 2.系爭產品侵害上訴人之專利權：上訴人依系爭專利實施例1 之分析方法，隨機取樣合金線材，取合金縱剖面與橫剖面金相圖，依系爭專利請求項及說明書所固有記載「數數」方法，清點統計縱剖面與橫剖面金相圖之晶粒，發現系爭產品之具有退火孿晶的晶粒比例大於20% ，落入系爭專利請求項要件，即要件1E之文義範圍。準此，系爭侵權產品侵害系爭專利權，被上訴人應負損害賠償責任。二、被上訴人答辯聲明：1.上訴人之上訴駁回。2.第二審訴訟費用由上訴人負擔。3.上訴人上訴聲明第2 項、第3 項，倘受不利之判決，被上訴人願供擔保，請准免予假執行。並答辯如後： (一)系爭專利有應撤銷事由： 1.系爭專利未充分揭露專利請求項1、2內容： ⑴未充分記載製造方法之冷加工成形步驟與退火步驟：系爭專利請求項1 、2 雖明確所請合金線材之一必要技術特徵為要件1E，並強調大小適中之冷加工變形量條件，同時配合最優化之退火溫度與時間，而獲得內部含有大量退火孿晶之創新線材組織。然於系爭專利說明書僅說明製造方法之眾多道冷加工及退火中之最後二道操作條件，就第N- 1道與第N 道以觀，完全未說明如N-2 、N-3 等其它道次之操作條件。除說明書未提供相關之充分說明外，說明書所提供之唯二例示性代表實施例，對於所例示態樣在進行第N-1 道之冷加工成形步驟前，如何將線徑6mm ，即6,000 μm 之粗線材加工處理成為線徑22. 6 μm 之細線，縮小後之線徑小於縮小前線徑之1/250 之巨大變形量相關處理，亦無具體敘明所採用之操作條件，僅略謂經過多次抽線延伸與退火熱處理。故說明書對於將線材線徑縮小到不及1/250 之巨大變化之詳細操作，未提供任何說明。職是，系爭專利之說明書，就應對各退火熱處理、退火熱處理前之冷加工成形步驟之變形量，未提供明確與充分揭露。 ⑵系爭專利實施例所例示之合金線材之真實製法不明： ①上訴人於民事上訴理由㈡狀中雖主張，依據ASTME112-13 之記載，可確認金屬組織是由不同尺寸與形狀之三維晶粒堆積而成，縱使該等晶粒之尺寸與形狀相同，通過組織之任一截面上分布之晶粒大小，將從最大值到零之間變化。故在檢測面上不可能有絕對尺寸均勻之晶粒分布，亦不能有兩個完全相同之晶粒面。ASTME112開宗明義指出，金屬組織是由不同尺寸與形狀之三維晶粒堆積而成，在一合金線材上，不可能出現兩個相同晶粒面。而上訴人亦於原審確認原證20係上訴人為申請系爭專利而延後公開之期刊內容。然被上訴人細查系爭專利說明書實施例1 與原證20之內容，發現兩者所記載之合金線材製造條件不同，退火條件互異。 ②系爭專利之發明說明對於用以製造系爭專利合金線之方法眾多道冷加工及退火中之最後二道，即第N-1 道及第N 道之操作條件，係說明在上述冷加工成形步驟之第N-1 道及第N 道中，相對於前一道冷加工成形步驟後之中間材料的變形量為1%至15% 。依系爭專利說明書第18頁第二段之定義說明，所謂變形量，係指因冷加工而對被冷加工材料造成之截面積縮減率。參照據系爭專利實施例1 中觀察，第N-1 道之線徑變化為22.6μm 縮減至20μm ，計算可知其變形量為21.7% ，計算式：[(π11.32 - π102) /π11.3 2] ×100%；而第N 道之線徑變化為20μm 縮減至17 .5 μm ，計算可知其變形量為23.4% ，計算式：[(π102 - π8.752) /π102]×100 % ），均遠超過15% ，明顯與系爭專利發明說明之記載及上訴人之確認不符。 2.系爭專利請求項1、2項記載未為說明書及圖式支持： ⑴系爭專利請求項1及2之記載不明確： ①系爭專利請求項第1 項及第2 項所請合金線材之一必要技術特徵為要件1E，涉及參數「Ga-twin 與G0」使用。對於要件1E之說明，就系爭專利說明書而言，除於第6 頁第一段倒數二行、第7 頁末段倒數一行、第10頁第三段倒數三行、第11頁第二段第6-7 行、第14頁第二段第1-2 行、第17頁第二段倒數第2 行等，多次出現以合金線材所有晶粒數量為基準而描述相關合金線材之相同用語外，並未對該用語給予額外之定義。再者，依上訴人民事上訴理由㈡狀第十點說明「由ASTM E3 及ADTM E112 教示可知，材料領域人士向來採用隨機抽樣線材，取線材之縱剖面與橫剖面金相圖，以二維截面分析結果代表整體性質。故系爭專利要件1E，係指在隨機抽樣合金線材截面金相圖中，具有退火孿晶之晶粒的數量，佔所有晶粒之數量20 %以上。是系爭專利要件1E針對合金線材之整體所界定之技術特徵，為合金線材之三維性質。職是，要件1E之解釋當然依其字面意思進行，意指合金線材之三維性質，要求於整體合金線材中，具有退火孿晶之晶粒的數量Ga-twin 佔合金線材所有晶粒數量G0於20% 以上，即(Ga-twin/G0) ×100%必須大於20% 。至於其計算方式，究係按隨機抽樣合金線材截面之金相圖計算，或是以整體合金線計算，系爭專利請求項1 未記載，自不得直接經由申請專利請求項解釋方法，而限定系爭專利請求項1內容。 ②本件合金線材之晶粒組成並不平均，孿晶結構亦非均勻存在於合金線材之各個區塊。故對於系爭專利請求項第1 、2 項之具有退火孿晶之晶粒的數量，佔合金線材所有晶粒數量的20% 以上，即(Ga-twin/G0)×100%＞20% 之技術特徵，自不能以合金線材切面之二維晶粒分析結果，代表整體線材之三維晶粒分析情形。而遍查公開資料，並無文獻教導說明如何量測合金線材之三維晶粒總數，更無關於確認合金線材具有退火孿晶的晶粒之數量，佔合金線材晶粒總數百分比之量測方法的說明。 ③上訴人前雖主張參數Ga-twin 與G0之認定，係以先對合金線材進行之橫切面與縱切面之切面取樣，並得到切面之金相圖，其後進行晶粒晶界判斷，再進行晶粒計數的方法進行量測分析，上訴人並先後提出多種不同手段，以透過合金線材之切面進行參數Ga-twin 與G0的認定。嗣後變更主張稱須將金相圖倍率放大至12,000倍，以判斷小晶粒中是否含有孿晶組織云云。然遍查系爭專利之說明書，未記載上訴人所稱方法之任一，上訴人所稱分析方法顯然超出系爭專利說明書及圖式之範圍，且上訴人多次調整其分析方法之事實，更加凸顯系爭專利之請求項與說明書，均未提供分析合金線三維性質Ga -twin與G0之量測方法、未提供可量測兩者之儀器的根本問題。再者，縱使簡化以二維切面樣本進行三維性質之確認，分析方法並非唯一，且無法得到一致性之相同結果，上訴人亦無法確定合宜方法。職是，對於要件1E所涉新參數「Ga-twin 與G0」，系爭專利說明書並未記載所涉Ga-twin 與G0的量測方法，亦未提供可供分析二者之儀器，一般大眾及本領域從業人士無從基於說明書內容，瞭解系爭專利請求項第1 、2項內容與範圍。 ④上訴人於105 年5 月17日準備程序庭簡報及民事上訴理由㈢狀主張原證28、30、39至43、TWI521104 （公告日2016年2 月11日）、UZ 00000000000A1（公開日2014年8 月7 日）、CZ 000000000A （公開日2014年8 月3 日）、DZ000000000000A1（公開日2014年8 月7 日）、US 0000000A （公告日1977年3 月8 日）、CZ 000000000A （公開日2009年3 月25日）、及CZ 000000000C （公告日2010年2 月17日），均可證明系爭專利未涉及新參數之使用云云。惟原證42、原證43、TW I521104、UZ 00000000000A1、CZ 000000000A 、DZ000000000000A1公開之日期，均晚於系爭專利之優先權日，無法用於證明系爭專利申請前之背景技術。至於原證28、原證30、原證39至41、US0000000A、CZ 000000000A 、CZ000000000C，未教示系爭專利要件1E所涉及之三維新參數「Ga-twin 與G0」。 ⑤學術論文著重於現象觀察，而專利需清楚界定其專利權範圍，對於請求項所涉之參數自應提供分析手段。上訴人用來比擬系爭專利情形之原證39及41，均於說明書明確記載請求項所涉參數之量測條件、量測方法及觀察倍率。兩相對照，更加凸顯系爭專利說明書未定義，或記載請求項所涉新參數之分析方法或條件之瑕疵，明顯存在請求項不明確之應撤銷事由。 ⑵系爭專利請求項1、2項無法為發明說明及圖式所支持： ①系爭專利請求項第1 、2 項所界定之合金線材，系爭專利說明書實施例僅提供單一組成，即8 wt% 金、3 wt% 鈀、其餘為銀之三成分合金線材的例示，未教導不同成分配比之選用的注意事項、亦未記載說明為何成分配比為重要或不重要。甚者，對於合金線材之製造，未提供可據以實現合金線材的詳實且充分的教導。系爭專利說明書無法支持系爭專利請求項第2 項所界定：銀- 金合金之金含量為0.01~30.00 wt% ，餘量為銀，此為「二成分」合金線材；銀- 鈀合金之鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀，此為「二成分」合金線材；銀- 金- 鈀合金之金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀，此為「三成分」合金線材。職是，無法支持系爭專利請求項第1 項所界定之毫無成分配比限制「銀- 金合金」、「銀- 鈀合金」或「銀- 金- 鈀合金」合金線材。 ②系爭專利說明書對於所例示之三成分單一組成，僅於實施例提及對所得到合金線材進行一個縱切面及一個橫切面之估計，雖估計有超過總晶粒數量30% 或40% 之晶粒具有退火孿晶組織，然未說明如何進行估計，且未說明如何判定退火孿晶與非退火孿晶。由於要件1E係針對整體合金線材中具有退火孿晶之晶粒所占百分比之三維性質，不能僅以系爭專利合金線材之切面二維分析結果逕為認定。準此，縱使系爭專利說明書之實施例所例示單一特定組成合金線材之單一切面，具有退火孿晶的晶粒所占百分比之估算值超過30% ，亦無法證明合金線材確實符合要件1E，亦無法證明，僅要合金線材符合要件1E，任何毫無成分配比限制「銀- 金合金」、「銀- 鈀合金」或「銀- 金- 鈀合金」合金線材，均具有如系爭專利說明書表1所呈現之優異性質。 ③系爭專利說明書實施例之結果，充其量僅顯示其以未明確記載於說明書之不明方法，所製得之單一特定組成合金線材具有所呈現之優異性質，無法證實該優異性質與要件1E之三維技術特徵之因果關係，亦無從確認優異性質之結果，是因三維技術特徵所直接產生。 ④依系爭專利於說明書第21頁中有關實施例與對照組之說明，實施例合金線材之橫切面金相圖中，具有退火孿晶的晶粒係超過40% 且顯示於第8B圖，而對照組習知傳統合金線材之橫切面金相圖，具有退火孿晶之晶粒約15% 且顯示於第9B 圖，而由第8B與9B圖觀之，其倍率僅為約6,400 倍。依上訴人所言，具有退火孿晶的晶粒之比例，會隨著觀察放大倍率之提高而增加，則系爭專利說明書實施例與對照組所例示合金線之具有退火孿晶的晶粒之數量，在上訴人所宣稱12,000倍之大倍率之觀察，勢必超過申請圖式所顯示之百分比，實施例將較40% 更高，遠超過20% ，而對照組之習知傳統合金線材將較15% 更高，甚至高於20% 而具有系爭專利發明之技術特徵。 3.系爭專利請求項1、2不具進步性： ⑴系爭專利請求項1不具進步性：系爭專利說明書於一般揭露說明中，對於申請專利請求項1 及2 所請合金線的製造，僅說明製造方法之眾多道冷加工及退火中之最後二道的操作條件，即第N-1 道與第N 道，並未說明第1 道至第N-2 道等其它道次之操作條件。除說明書未提供相關之充分說明外，說明書所提供用以表彰其發明功效之實施例1 及實施例2 ，對於所例示態樣在進行第N-1 道之冷加工成形步驟前，將線徑6 mm，即6,000 μm 之粗線材加工處理，成為線徑22.6μm 之細線之巨大變形量的相關處理，亦無有具體敘明所採用之操作條件，僅略稱經過多次抽線延伸與退火熱處理，並無進一步說明。無異認為於系爭專利合金線之製造過程，僅最後二道，即第N-1 道與第N 道之冷加工與退火操作必須符合一定條件即可，至於其餘道次，則完全不重要，可隨意操作進行。惟依原審附件5 至7 之內容，可知系爭專利申請前，通常知識者可透過退火操作，在銀、金、鈀及其合金之面心立方結構的金屬線材中產生孿晶，以提高線材性能，且退火溫度通常約0.6 Tm，此乃業界所習知之背景知識，被證2 號即記載退火處理溫度可為400 至700 ℃。 ⑵系爭專利請求項2不具進步性：系爭專利請求項2 ，雖針對第1 項進一步界定：銀- 金合金之金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；銀- 鈀合金之鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀；銀- 金- 鈀合金之金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀。惟原審被證3 號揭露一種銀合金焊線，包含0.1~ 10 wt% 之選自Pd（鈀）、Pt、Cu、Ru、Os、Rh、及Ir之至少一者，且可視需要包含0~40 wt%之Au（金），且其餘為銀，說明書實施例具體例示鈀含量為0.1 wt% 之銀- 鈀合金的態樣。系爭專利請求項2所進一步界定之成分含量組合，實與被證3 號所揭露者相重疊，且未提供不可預期之效益。職是，系爭專利請求項2 所請發明為所屬技術領域具有通常知識者，依據申請日前之通常知識與被證2 號結合被證3 號所能輕易完成者，不具進步性。 (二)系爭產品未落入系爭專利請求項1、2： 1.上訴人主張之二維性質量測方法與要件1E之定義不符： ⑴上訴人主張非系爭專利說明書及圖式範圍：系爭專利說明書未提供任何確認合金線材是否符合要件1E的手段或方法。上訴人雖主張三維性質之參數Ga-twin 與G0之認定，係以先對合金線材進行之橫切面與縱切面之切面取樣，並得到切面之金相圖，其後進行晶粒晶界判斷，再進行晶粒計數之方法進行量測分析，暨先後提出多種不同手段，以透過合金線材之切面，進行參數Ga-twin 與G0的認定云云。然系爭專利之說明書，未記載上訴人所稱之方法，是上訴人所稱分析方法，顯然超出系爭專利說明書及圖式之範圍。 ⑵二維分析結果非屬線材整體之三維性質：上訴人之原證24，無法以隨機切面之二維性質分析所得之數值，直接等同線材整體的三維性質。至少須透過體視學方程之適當轉換原則，始可進一步得到三維定量信息。對於本件合金線材之晶粒並非均勻分布，且孿晶組織亦非均勻存在於線材中之情形。倘系爭專利欲簡化以切面，作為樣本來進行合金線材整體之三維性質認定，至少應於說明書中對於包括應取長度多少之合金線材之切面、如何取切面、取多少個切面等方法，提供明確記載，使相關技藝人士有所依循，確定其所製造之合金線材未落入系爭專利之專利範圍。因系爭專利說明書未針對取切面之重要事項提供任何記載說明，自不得以系爭專利申請項之文字意義，逕以隨機之切面二維性質分析結果，認定為線材整體之三維性質。 2.無法認定系爭產品落入系爭專利要件1E： ⑴上訴人分析方法無法說明如何區分是否為退火孿晶：上訴人所主張之肉眼清點晶粒方法欠缺客觀性與晶粒判斷困難等問題，且上訴人未說明如何清楚區分非退火孿晶與退火孿晶，無法確認合金線材是否符合要件1E，即(Ga-twin/G0)×100%＞20% 要件。 ⑵上訴人方法無法清晰顯示晶粒輪廓及客觀唯一清點基礎：正確判斷晶粒晶界係判斷(Ga-twin/G0)×100%，是否大於20 % 之先決條件。因系爭專利說明書從未記載應跳脫字面意思，而採切面結果進行技術特徵要件1E之認定，故不得以合金線材之單一切面作為分析客體。縱以線材切面進行晶粒觀察，上訴人與被上訴人所提交之各金相圖均清楚顯示，切面上的晶粒輪廓並非均清晰可辨，晶界判斷將因人而異。如被上訴人原審所提呈之附件9 號顯示，即使針對相同之FIB 金相圖，上訴人先後二次自行描繪之晶界圖就存在顯著不同，晶粒清點結果當然互異。益證上訴人所稱分析方法，無法提供客觀與唯一之清點基礎。 ⑶肉眼清點方法無法一致性判別晶粒種類：就晶粒判別清點而言，上訴人所稱肉眼清點方法，存在人為判定標準不一，有清點結果各自不同之問題。如原審原證12、35係針對同一張描繪圖，先後進行二次清點的判別結果，原證35將原證12未納入計算之細小晶粒，均當作不具有孿晶的晶粒所得的結果。準此，則上訴人兩次清點所得具有孿晶之晶粒的數目應該相同。然依被上訴人於原審104 年5 月21日所提呈簡報編號第14至15頁所示，原證12與35於具有孿晶之晶粒的數目，兩次清點結果在橫切面之差異達23.7% ，在縱切面的差異則更達44% 。正因系爭專利說明書未清楚記載，使相關技藝人士據以判斷Ga-twin 與G0之量測方法或提供用以分析兩者之儀器，縱使以肉眼清點方法，亦無一致性之客觀判斷標準，而無法精準分辨晶粒輪廓、確認晶粒數目，更加凸顯系爭專利說明書，未針對申請專利範圍所涉新參數Ga -twin與G0之確定提供相關記載說明，所導致之根本問題。職是，系爭專利說明書未針對申請專利範圍所涉新參數Ga-twin 與G0記載任何量測方法或分析儀器之情形，上訴人所提出肉眼清點方法，除凸顯系爭專利有不明確之應撤銷事由外，亦衍生該等方法無法獲得一致性結果之問題，反映於上訴人與被上訴人對於相同標的進行清點，存有不一致之結果。 ⑷上訴人對孿晶數量計算與系爭專利請求項定義不符： ①判斷具有退火孿晶的晶粒之數量的前提，當為可清楚辨識區分退火孿晶與非退火孿晶，俾將具有非退火孿晶之晶粒予以排除。因系爭專利說明書未記載說明如何辨識區分退火孿晶與非退火孿晶。參諸被上訴人提出專業分析機構出具之報告，清楚指出目前並無相關國際組織認可之規範，提供具有孿晶之晶粒之數量的計算方法。而關於具有孿晶之晶粒的判定，亦無國際正式規範可供佐證，且以切面作為分析客體進行分析，無論採用方法為何，均會因為影像所呈現晶粒型態或對比相似，致產生誤判，進而影響分析結果之準確性，故實際上無法準確判斷具有孿晶之晶粒的數量。 ②原審之審理期間，並無可據以判定合金線材，具有孿晶之晶粒數量的公知方法，縱使是材料分析領域之專業機構，仍無法以上訴人之肉眼清點方法，準確判定合金線材之具有孿晶之晶粒數量，遑論判定合金線材「具有退火孿晶之晶粒」的數量。職是，上訴人對於孿晶數量之計算結果，充其量僅能顯示系爭產品部分線段合金線中，具有孿晶之晶粒數量佔縱截面或橫截面部分之所有晶粒數量之比例，不能確認縱截面或橫截面部分之具有退火孿晶的晶粒之比例，亦無法確認系爭產品整體合金線材之具有退火孿晶之晶粒比例。三、整理與協議簡化爭點：按受命法官為闡明訴訟關係，得整理並協議簡化爭點，民事訴訟法第270 條之1 第1 項第3 款、第463 條分別定有明文。法院於言詞辯論期日，依據兩造主張之事實與證據，經簡化爭點協議，作為本件訴訟中攻擊與防禦之範圍。茲說明如後（見本院卷一第176 至187 頁之105 年1 月26日準備程序筆錄、第248 至252 頁之105 年3月4 日準備程序筆錄）： (一)兩造不爭執之事實： 1.上訴人為中華民國發明專利第I384082 號系爭專利之專利權人，專利權期間自102 年2 月1 日至121 年6 月19日止。此有系爭專利之專利證書、系爭專利說明書暨申請專利範圍公告本附卷可稽（見原審卷一第13至41頁）。 2.被上訴人於102 年8 月7 日銷售編號「AG0E0020ME」、「AG0E0023ME」及「AG0E0025ME」銀合金線產品各2 卷予訴外人興華公司，其單價分別為550 元、680 元及780 元。復於102 年8 月19日銷售編號「AG0E0018ME」銀合金線產品乙捲予興華公司，其單價為500 元。此有被上訴人出貨單影本2 紙、銷售發票影本、產品規格書影本等件附卷可證（見原審卷一第42至49頁）。 3.系爭「AG0E」銀合金線產品之組成為Ag>96%、Pd<4% ；系爭「AG0F」銀合金線產品之組成為：Ag>97%、Au<0.2% 、Pd為2%。此有產品規格書影本及被上訴人之銀合金線產品簡報附卷可證（見原審卷一第46、65至76頁）。 4.被上訴人有製造、販賣及為販賣之要約系爭產品之行為。此有被上訴人出貨單影本、銷貨發票影本、產品規格書影本、產品照片及被上訴人銀合金線產品簡報等件附卷可憑（見原審卷一第42至51、65至76頁）。 5.系爭專利請求項1 之要件1E，係指合金線材中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材中所有晶粒數量之20% 以上。而合金線材中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材中所有晶粒數量之20% 以上，其計算方式，究係按隨機抽樣合金線材截面之金相圖計算或是以整體合金線計算，系爭專利請求項中未記載，不得直接經由申請專利範圍解釋方法，而限定系爭專利請求項1 之內容。 (二)兩造主要爭點： 1.系爭專利請求項1 所述其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量的20% 以上。上訴人主張應指「在隨機抽樣合金線材截面金相圖中」，具有退火孿晶之晶粒數量佔所有晶粒數量20% 以上。被上訴人主張應依字面意義解釋，係指合金線材之三維性質，要求於整體合金線材，具有退火孿晶之晶粒數量佔該合金線所有晶粒數量的百分比，必須大於20%。 2.系爭專利有無應撤銷事由？本院應審究事項如後：⑴系爭專利發明說明是否已明確且充分揭露使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施？⑵系爭專利請求項1 、2 是否記載明確且可為發明說明及圖示所支持？⑶被證2 號參酌附件5-7 號等系爭專利前之通常知識，可否證明係爭專利請求項1 不具進步性？⑷被證2 參酌附件5-7 號等系爭專利前之通常知識，組合被證3 號，可否證明系爭專利請求項2 不具進步性？ 3.上訴人請求被上訴人負擔損害賠償部分，有無理由？本院應探討事項如後：⑴系爭「AG0E」、「AG0F」等合金線產品，是否落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍？⑵被上訴人是否有侵害系爭專利之故意或過失？⑶倘被上訴人之產品落入系爭專利請求項1 、2 ，上訴人得否依專利法第96條第2 項及民法第184 條等規定，請求被上訴人負損害賠償責任？⑷本件損害賠償金額如何計算？⑸上訴人得否依專利法第96條第1項請求禁止侵害系爭專利權？參、本院得心證之理由：一、本院應判斷系爭專利之有效性：按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、專利法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條定有明文。上訴人雖主張被上訴人之系爭產品侵害系爭專利云云。惟被上訴人抗辯稱系爭專利有應撤銷原因等語。職是，系爭專利是否符合專利要件，厥為上訴人向被上訴人行使系爭專利之前提要件，本院自應探究系爭專利是否合法有效。上訴人前於101 年6 月20日向經濟部智慧財產局（下稱智慧局）申請系爭專利，主張優先權日為101 年1 月2 日，智慧局嗣於101 年12月19日核准審定、102 年2 月1 日公告。是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時即99年8 月25日修正公布，99年9 月12日施行之專利法（下稱修正前專利法）為斷。準此，本院先判斷系爭專利之發明說明是否違反修正前專利法第26條第2 項規定、系爭專利請求項1 與2 有無違反第26條第3 項規定、系爭專利請求項1 與2 有無進步性；繼而探討系爭產品是否落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍；最後認定請求損害賠償與禁止侵害系爭專利，有無理由（參照本院整理當事人爭執事項2 、3 ）。二、系爭專利之技術分析： (一)系爭專利技術內容： 1.習知技術說明：習知打線接合金屬線材之內部組織均為等軸之微細晶粒(Fine Grain)，此傳統微細晶粒組織雖可提供足夠之拉伸強度與延展性，然微細晶粒本身存在大量之高角度晶界( High Angle Grain Boundary ），該等高角度晶界會阻礙電子之傳輸，因而增加線材之電阻率，同時亦降低線材之導熱性。而該等高角度晶界具有較高界面能，亦提供環境氧化、硫化及氯離子腐蝕之有利路徑，使封裝後之電子產品可靠度降低。再者，習知微細晶粒組織金屬線材在打線接合過程易於第一接點或銲球點附近形成熱影響區，降低打線接合強度，同時在半導體或發光二極體產品使用時，易產生電遷移現象，均是造成一般習知打線接合封裝產品之品質及可靠度劣化主因（參照系爭專利說明書第5頁第12行至24行）。 2.系爭專利之技術特徵：系爭專利提供一種合金線材，其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，合金線材之線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶(Annealins Twin)晶粒之數量，佔合金線材之所有晶粒數量的20% 以上。系爭專利之相關圖式，如附圖1 所示。系爭專利亦提供一種合金線材，包含：⑴一基材線材，其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，基材線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，基材線材之線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材之所有晶粒數量的20% 以上；⑵一或多層薄膜金屬鍍層鍍於上述基材線材，鍍層之材質是選自實質上之純金、實質上之純鈀、金- 鈀合金所組成之族群的其中之一（參照系爭專利說明書第6 頁第2 至8 行、第15至23行）。 (二)系爭專利之申請專利範圍：系爭專利之申請專利範圍共17項，其中請求項1、4及8為獨立項，其餘為附屬項。因上訴人僅主張系爭產品侵害系爭專利請求項1 、2 ，故本院僅說明系爭專利請求項1 、2 內容如下： 1.系爭專利請求項1：一種合金線材，其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，合金線材之線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量之20%以上。 2.系爭專利請求項2：如請求項1 所述之合金線材，其中銀- 金合金之金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；銀- 鈀合金之鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀；銀- 金- 鈀合金之金含量為0.01~30.00wt% 、鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀。三、系爭專利請求項1之解釋： (一)當事人有爭執部分：系爭專利請求項1 所請為一種合金線材，其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，合金線材之線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上。當事人對系爭專利請求項1 所述：其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上之定義，有所爭執。上訴人主張應指「在隨機抽樣合金線材截面金相圖中」，具有退火孿晶之晶粒數量佔所有晶粒數量20% 以上。而被上訴人主張應依字面意義解釋，意指合金線材之三維性質，要求於整體合金線材，具有退火孿晶的晶粒數量佔合金線所有晶粒數量之百分比，必須大於20% （參照本院整理當事人爭執事項1）。 (二)本院依申請專利範圍為解釋之準據：按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式，修正前專利法第56條第3 項定有明文。故於解釋申請專利範圍時，原則上應以系爭專利之內部資料為優先。例如，說明書、圖式，或者系爭專利申請時或於維護專利時所為之陳述或所提供之資料為主，倘上開資料已臻明確，即無再援引其他系爭專利以外之外部資料，作為解釋申請專利範圍之依據。查系爭專利請求項1 所界定其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上之技術特徵（下稱請求項1 之參數特徵），依其上文記載：合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成等情。其已就系爭專利合金線材之整體結構特徵加以限定，熟悉該項技術者自可理解下文所述其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上，有關「合金線材所有晶粒數量」，係指「整體合金線材」所有晶粒數量而言。職是，由系爭專利請求項1 之上下文意，明確可知系爭專利請求項1 之其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量之 20% 以上。意指整體合金線材所有晶粒數量20% 以上之晶粒，具有退火孿晶組織。 (三)上訴人主張之定義不足為憑： 1.請求項1之參數特徵係指合金線材整體： ⑴請求項1之參數特徵非合金線材截面金相圖：上訴人固主張系爭專利請求項1 之參數特徵應指在隨機抽樣合金線材截面金相圖中，具有退火孿晶之晶粒數量佔所有晶粒數量20% 以上云云。惟由系爭專利請求項1 之上下文意，足以明確「合金線材所有晶粒數量」，係指「整體合金線材」所有晶粒數量而言。縱使參酌系爭專利說明書及圖式，因系爭專利說明書第6 頁第7 行及第20至21行記載：佔上述合金線材之所有晶粒數量的20% 以上；說明書第7 頁第25行及第17頁第13行記載：佔上述細線材之所有晶粒數量20% 以上；說明書第10頁第15至16行記載：是佔此合金線材(10)所有晶粒數量20% 以上；說明書第11頁第9 至10行記載：是佔此合金線材(20)所有晶粒數量20% 以上。其中之上述合金線材、上述細線材、合金線材(10)、合金線材(20)，均係指合金線材整體而言，並未有「合金線材截面金相圖」意涵，更遑論係指「隨機抽樣合金線材截面金相圖」而言。 ⑵請求項1之參數特徵隨機抽樣合金線材截面金相圖：系爭專利說明書第14頁第2 至8 行記載：欲顯現上述特性，在本發明之合金線材的所有晶粒中，至少20% 數量以上之晶粒含有退火孿晶組織時，始會具有上述特性。而在習知打線接合用之金屬線材情況，或許偶有出現退火孿晶組織之情況，而含退火孿晶組織之晶粒數量通常為此線材所有晶粒之10% 以下，或甚至完全不含退火孿晶組織，故無法展現前述本發明之合金線材的特性。準此，可證系爭專利所據與先前技術比較及區別之技術特徵，建立於整體合金線材之所有晶粒中所含退火孿晶組織之比例，並非基於隨機抽樣合金線材截面之金相圖之退火孿晶比例。 2.上訴人所稱之直接清點晶粒方法不可採：上訴人雖主張系爭專利說明書第21頁第二段記載：本發明上述實施例之合金線材之縱切面金相結構，如第8A圖所示，除線材中心部位存在一些細長條晶粒，其餘部位均為等軸晶粒，其中超過總晶粒數量30%之晶粒具有退火孿晶組織；第8B 圖為本發明上述實施例之合金線材之橫截面金相組織，估計超過總晶粒數量40%之晶粒具有退火孿晶組織等語，可佐證系爭專利是以合金線材縱剖面及橫剖面金相圖作為觀察對象，以清點縱剖面及橫剖面金相圖中晶粒，是以系爭專利採用直接清點晶粒方法，實際上已有記載於說明書中云云。然系爭專利之第8A圖、第8B圖為系爭專利實施例之金相圖，由系爭專利說明書第21頁第二段內容，可理解第8A圖、第8B圖僅用以顯示系爭專利請求項1 「合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成」微金相結構特徵。上開內容未載明「總晶粒數量」、「具有退火孿晶組織之數量」，係直接清點第8A圖、第8B圖中之晶粒數量所致，難以認定係上訴人實際清點縱剖面及橫剖面金相圖所獲得之結果。職是，上訴人上開主張，並無可採。 3.ASTM E3 、ASTM E112 與請求項1屬不同參數特徵：至上訴人主張由ASTM E3 及ASTM E112 教示可知，材料領域人士向來是採用隨機抽樣線材，取線材之縱剖面與橫剖面金相圖以二維截面分析結果代表整體性質云云。查ASTM E3 及ASTME112係屬外部證據，系爭專利請求項1 「其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」，意指整體合金線材所有晶粒數量之20% 以上晶粒具有退火孿晶組織，此由系爭專利請求項1 之上下文意及參酌系爭專利之發明說明及圖式之內容已明，是上開申請專利範圍解釋原則，無須再參考上開外部證據之必要。退步言，縱使參酌ASTM E3 及ASTM E112 ，然ASTM E3 係有關金相學樣本製備之標準指引，而ASTM E112 係有關以面積法分析「晶粒尺寸」，而「晶粒尺寸」與系爭專利請求項1 有關具有退火孿晶之比例之參數特徵，核屬不同之參數特徵，難認可援引ASTME3及ASTM E112 作為系爭專利請求項1 所載參數特徵之測量規範或解釋依據。 4.二維截面分析結果無法代表整體性質：上訴人另主張材料領域人士向來採用隨機抽樣線材，取線材之縱剖面與橫剖面金相圖，以二維截面分析結果代表整體性質云云。參諸原審原證24第249 頁第1 欄第4 段第14至18行記載：採用人工圖像分析方法或自動圖像分析儀，對材料顯微組織之截面或金相磨面圖像進行求值，繼而依統計與數學上合理推導所得之體視學方程，由二維圖像所測得之數據轉換為足夠準確之有關三維幾何形態的定量信息，熟悉該項技術者應理解欲以隨機抽樣線材截面之二維性質，詮釋線材之三維定量資訊，仍須建立在統計學之基礎（見原審卷二第79頁）。因ASTM E3 僅係有關金相學樣本製備之標準指引，ASTM E112 係以面積法分析「晶粒尺寸」，並無關整體合金線材中退火孿晶之比例的計算方式，是縱使參考ASTM E3 與ASTME112，尚難認系爭專利請求項1 之參數特徵，得在無需經過其他二維- 三維之轉化程序，逕依二維截面分析結果代表整體性質。職是，上訴人上開主張，洵無可採。四、系爭專利發明說明違反修正前專利法第26條第2項規定： (一)系爭專利發明說明未達明確且充分揭露而無法據以實施：按發明說明應明確且充分揭露，使發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施，修正前專利法第26條第2 項定有明文。因說明書作為技術文獻及專利文件，發明說明應明確且充分揭露申請專利之發明，使公眾能利用該發明，而專利權人能據以保護該發明。故發明說明形式上應敘明發明所屬之技術領域、先前技術、發明內容、實施方式及圖式簡單說明等項目，而其實質內容應明確且充分揭露申請專利之發明，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解該發明之內容，並可據以實施。反之，發明所屬技術領域中具有通常知識者在發明說明、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎，參酌申請時的通常知識，無法瞭解如何執行該技術手段以實施該申請專利之發明者。例如，需要大量之嘗試錯誤或複雜實驗，始能發現實施該發明之方法，而其已逾發明所屬技術領域中具有通常知識者合理預期之範圍時，該發明說明之記載不得被認定符合充分揭露，而可據以實施之要件。職是，本項爭點應以系爭專利請求項1 、2 所請發明為對象，判斷是否符合明確且充分揭露，而可據以實施之要件。本院應判斷系爭專利之發明說明有無包含瞭解、判斷是否具專利性及實施系爭專利請求項1 、2 之發明所需內容（參照本院整理當事人爭執事項2）。 1.系爭專利請求項1與2之技術特徵：系爭專利請求項1 所請之合金線材，其內容包括：⑴材質特徵：材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成。⑵一參數特徵：其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量之20% 以上。請求項2 為請求項1 之附屬項，解釋上應包含請求項1 之全部技術特徵，並進一步界定：銀- 金合金之金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；銀- 鈀合金之鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀；暨銀- 金- 鈀合金之金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00 wt%，餘量為銀，為其組成特徵。 2.未記載系爭專利請求項1 、2 之參數特徵的量測方法： ⑴發明說明或申請專利範圍均未記載：系爭專利請求項1 、2 之參數特徵須先求取整體合金線材中「所有晶粒數量」及「其中具有退火孿晶的晶粒數量」共2 項數值，始得以計算「其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量」之比例。查系爭專利之請求項1 、2 均未描述上開2 項數值之測量方法，其於系爭專利之發明說明中亦未有關於整體合金線材中上開2 項數值之求值方式、認定準據等相關記載。是系爭專利請求項1 、2 之參數特徵的量測方法，未於系爭專利之發明說明或申請專利範圍有記載。 ⑵依實施例無法估算比例數值： ①參酌應記載具體實施態樣之實施例部分的內容，僅見於說明書第21頁中記載：如第8A圖所示，除線材中心部位存在一些細長條晶粒，其餘部位均為等軸晶粒，其中超過總晶粒數量30% 之晶粒具有退火孿晶組織；第8B圖為本發明實施例之合金線材的橫截面金相組織，估計超過總晶粒數量40% 之晶粒具有退火孿晶組織；如第9A圖所示，其中心部位同樣呈現細長條晶粒，另夾雜少數粗大晶粒，其餘部位為微細晶粒組織，總晶粒數量僅有10% 以下具有退火孿晶組織。第9B圖為對照組合金線材的橫截面金相組織，呈現微細晶粒組織，估計其內部僅有大約15% 晶粒出現退火孿晶組織。而在第10A 圖之商用4N純金線材及第11A 圖之銅鍍鈀線材樣品，不論是縱切面或橫截面之金相組織，同樣僅有少量的晶粒出現退火孿晶組織。再者，依說明書第25頁記載：實施例2 之合金線材之縱切面金相結構，如第15A 圖所示，整體線材均為等軸晶粒，其中超過總晶粒數量30% 之晶粒具有退火孿晶組織等語。均未載明「總晶粒數量」、「具有退火孿晶的晶粒的數量」之計算依據，或獲得比例數值之過程。準此，可知金相圖僅用以顯示系爭專利請求項1 、2 之微金相結構特徵，尚無法判斷所估算之各比例數值，係依第8A圖、第8B圖、第9A圖、第9B圖、第10 A圖、第11A 圖及第15A 圖之金相圖中「所有晶粒數量」及「具有退火孿晶之晶粒數量」所計算而得。②系爭專利發明說明載明：本發明之合金線材的特徵之一，是此合金線材為多晶結構而具有複數個晶粒，線材中心部位為長條形晶粒，其餘部位為等軸晶粒，其晶粒之平均粒徑為1~10μm ，而略大於一般習知打線接合線材的晶粒的平均粒徑0.5~3 μm （參照系爭專利說明書第12頁第14至18行）；在本說明書中所述線材中心部位，係指從線材的軸心起算沿著線材半徑方向30% 之線材半徑值範圍內的部位（參照系爭專利說明書第10頁第18至20行）。可知系爭專利之合金線材中之晶粒大小有差異，且所形成之退火孿晶，在任兩個晶粒面不相同。職是，理解熟悉該項技術者，縱使運用系爭專利申請前之通常知識，倘欲數算出「整體合金線材」之「所有晶粒數量」及「具有退火孿晶的晶粒之數量」，實有相當之困難度。準此，系爭專利請求項1 、2 所請發明實為發明所屬技術領域中具有通常知識者，在發明說明、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎，參酌申請時之通常知識，仍無法瞭解其涵義並可據以實施者。 ⑶估計數值不具客觀性、準確性及代表性： ①系爭專利說明書第14頁第2 段記載：欲顯現上述特性，在本發明之合金線材的所有晶粒，至少20%數量以上之晶粒含有退火孿晶組織時，始會具有上述特性。而在習知打線接合用之金屬線材情況，或許雖偶有出現退火孿晶組織之情況，然含退火孿晶組織的晶粒數量，通常為此線材所有的晶粒10% 以下或甚至完全不含退火孿晶組織，故無法展現前述本發明之合金線材的特性。準此，可證系爭專利之合金線材相較於先前技術合金線材之區別在於合金線材的所有晶粒，含有退火孿晶組織之晶粒數量比例須至少20% 以上。質言之，該範圍之下限值「20% 」應具有與先前技術區別之臨界意義，是以系爭專利發明說明應記載系爭專利請求項1 、2 之參數特徵之量測方法，以明確其真正涵義，始足以作為與先前技術區別之技術特徵。 ②系爭專利請求項1 、2 之參數特徵未明確記載於發明說明，縱使系爭專利發明說明載有實施例之「超過總晶粒數量30% 之晶粒具有退火孿晶組織」、「超過總晶粒數量40% 的晶粒具有退火孿晶組織」及對照組合金線材「估計其內部僅有大約15% 晶粒出現退火孿晶組織」等結果，因無法明確得知量測方法，難認所得「估計」數值具有客觀性、準確性及代表性；亦難認系爭專利請求項1 、2 之合金線材，相較於對照組合金線材之先前技術「大約15% 晶粒出現退火孿晶組織」具有明顯可區別之技術特徵。 ⑷申請時之通常知識者須經過度實驗： ①依系爭專利說明書第15頁第25行至第16頁第6 行記載：退火熱處理前之冷加工變形量亦為關鍵條件，足夠之冷加工變形量所累積應變能可提供原子驅動力以產生退火孿晶，倘冷加工變形量太大，在退火熱處理初始再結晶(Primary Recrystallization) 階段，即會引發多數晶粒成核(Nuclei of Recrystallized Grains) ，因而形成大量之微細晶粒，降低退火孿晶的產生機會，反而成為一般習知金屬線材之組織，熟悉該項技術者可認知退火熱處理前之冷加工變形量，亦為達成系爭專利請求項1 、2 之參數特徵的關鍵條件。 ②關於冷加工變形量，系爭專利發明說明固記載：步驟104 以N 道之冷加工成形步驟，逐次縮減粗線材之線徑，成為線徑小於粗線材的線徑之一細線材，在冷加工成形步驟之第N-1 道及第N 道，相對於前一道冷加工成形步驟後之中間材料的變形量，為1%以上、不超過15% ，其中N 為大於或等於3 的正整數等語（參照系爭專利說明書第16頁第20至24行）。惟關於「N 」整數，並無上限值之限制或建議，而實施例1 、2 均僅記載：經過多次抽線延伸與退火熱處理至線徑22.6μm 之細線材，然後經過倒數第二道抽線延伸而成為線徑20μm 之細線材，最後抽線至17.5μm 之細線材等語（參照系爭專利說明書第20頁第16至19行及第25頁第3 至6 行）。並未具體載明實施例1 、2 於步驟104 中所選用之「N 」值為何？故可知熟悉該項技術者，欲參酌系爭專利發明說明所載內容，而使用及製造系爭專利之合金線材時，須同時為確認、驗證上開參數特徵及系爭專利所使用之適當冷加工變形量條件、退火條件等，而不可避免需要大量之嘗試錯誤或複雜實驗，難認系爭專利發明說明之記載，符合明確且充分揭露而可據以實施之要件。 ③發明所屬技術領域中具有通常知識者，從先前技術無法直接且無歧異得知有關申請專利之發明內容者，均應記載於說明書，始符合明確性。故申請專利之發明與用語應明確，使用發明所屬技術領域中之技術用語，且用語應清楚、易懂，以界定其真正涵義。系爭專利之發明說明並未明確且充分記載請求項1 、2 之發明，無法使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利之發明，解決問題，並且產生預期之功效，故系爭專利之發明說明不符合可據以實現要件，無法作為申請專利之發明為對象，已違反修正前專利法第26條第2 項規定。 (二)專利說明實質內容不符合充分揭露而可據以實施要件： 1.專利說明僅符合形式記載方式：上訴人雖主張系爭專利之發明說明已記載發明所屬之技術領域、先前技術、所欲解決之問題、解決問題之技術手段、所達成之功效及實施方式等內容，其於實施方式提供大量篇幅，配合圖式及具體例加以說明、揭露如何製造、使用系爭專利所請合金線材及其功效，故系爭專利發明說明未違反核准審定時專利法第26條第2 項規定云云。惟發明說明之記載是否明確且充分，是否可據以實施，其與記載方式並無必然關係，倘其內容實質上未明確或未充分揭露申請專利之發明者，仍屬不符合充分揭露而可據以實施之要件（參照智慧局2004年版審查基準第二篇第一章2-1-11頁1.4.3 違反充分揭露而可據以實施之要件的審查）。職是，系爭專利之發明說明之記載，實不足以使熟悉該項技術者能明瞭、判斷系爭專利是否具專利性，並為實施請求項1 、2 之發明所需內容，縱始形式上敘明發明所屬之技術領域、先前技術、發明內容、實施方式及圖式簡單說明等內容，仍應認不符合充分揭露而可據以實施之要件。 2.無法取得退火孿晶組織晶粒所佔總晶粒數量比例：上訴人固主張系爭專利採用隨機抽樣合金線材，直接清點線材金相圖中晶粒之分析方法，確實為系爭專利申請前之通常知識，是通常知識者在基於申請前通常知識基礎，當參酌系爭專利說明書第10頁第3 段、第14頁第2 段及第1B、1C圖等記載，可清楚明白系爭專利採用直接清點晶粒之分析方法，並無系爭專利所請不明確、系爭專利說明書揭露不充分、無法據以實施云云。然上訴人自承第1B及1C圖僅係系爭專利合金線結構之概要示意圖，用以呈現系爭專利合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒，中心具有長條形晶粒或可為等軸晶粒，其餘為等軸晶粒，孿晶形態為在晶粒內具有較寬之長條等語。職是，可知1B及1C圖並非第8A、8B金相圖之直接描繪圖。而將第8A、8B圖之金相圖與第1B及1C圖之示意圖比較，明顯可知第8A、8B圖之金相圖中之總晶粒數及具有退火孿晶組織晶粒，並非如第1B及1C圖所示一般之清晰可辨且可數算。再者，系爭專利說明書第10頁第3 段、第14頁第2 段完全未見有「金相圖中所有晶粒數量」等用語或意涵，要難認熟悉該項技術者，由系爭專利說明書第10頁第3 段、第14頁第2 段及第1B及1C圖，可直接且無歧異地理解系爭專利以隨機抽樣合金線材，直接清點線材金相圖中晶粒之分析方法來獲得整體合金線材「其中具有退火孿晶組織晶粒」所佔「總晶粒數量」比例，故上訴人上開主張，洵無可採。 3.直接清點晶粒法非普遍採用之量測方法：至上訴人主張系爭專利直接清點晶粒方法具有ASTME112及期刊文獻基礎，為系爭專利申請前通常知識，如同合金成分、晶粒大小等量測方法般為材料領域人士習知云云。查ASTME112係有關晶粒尺寸之分析方法，用以測量平均晶粒尺寸，並非系爭專利請求項1 、2 所界定參數特徵之標準量測方法。而原證28係以在光學顯微鏡下觀察多於100個晶粒中具有變形孿晶之比例；原證30係以所觀察之晶粒中含有「變形孿晶」之數目為分析基礎，均無關整體合金線材中總晶粒數或孿晶數目之計算，亦難認得援引作為系爭專利上開參數特徵之標準測量方法之通常知識復如上述。職是，上訴人上開證據不足以證明「直接清點晶粒法」，已為此技術領域人士普遍採用，作為系爭專利請求項1、2之參數特徵之量測方法。五、系爭專利請求項1、2違反修正前專利法第26條第3項規定： (一)請求項記載不明確且無法為發明說明及圖式所支持： 1.申請專利範圍明確與申請專利範圍為發明說明及圖式支持：按申請專利範圍應明確記載申請專利之發明，各請求項應以簡潔之方式記載，且必須為發明說明及圖式所支持，修正前專利法第26條第3 項定有明文。所謂申請專利範圍應明確者，係指申請專利範圍每一請求項及所有請求項整體之記載應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，從申請專利範圍之記載，參酌申請時的通常知識，即可明確瞭解其意義，而對其範圍不會產生疑義。而對於物之發明，請求項以性質界定發明時，該性質必須是該發明所屬技術領域中常用而明確之性質。倘該性質必須使用新的參數時，則該參數必須能使其所界定之物與先前技術有區別，且應於發明說明中記載該參數值之量測方法。倘以非屬公知之性質界定申請專利範圍而發明說明未記載量測其參數值之方法，或所記載之裝置無法測量參數值。因申請專利之發明無法與先前技術比較，應認定該請求項不明確。再者，所謂申請專利範圍必須為發明說明及圖式所支持，係指申請專利範圍中每一請求項所記載之申請標的，必須是該發明所屬技術領域中具有通常知識者，從發明說明所揭露的內容直接得到或總括得到之技術手段，即申請專利範圍不得超出發明說明所揭露之內容（參照2004年版審查基準第二篇第一章說明書及圖式第2-1-25頁第7 至10行、第2-1-45頁第5 至14行、第2-1-42 頁第2 至7 行）。 2.系爭專利請求項1、2之參數特徵不明確：系爭專利請求項1 、2 所請一種合金線材，係屬物之發明，其中包含一參數特徵：具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上，作為物之限定條件。請求項以參數值界定發明特徵時，原則上應記載參數值之量測方法。查系爭專利請求項1 、2 及發明說明均未記載系爭專利請求項1 、2 之參數特徵的量測方法。參諸系爭專利之發明說明，未能明確且充分記載系爭專利請求項1 、2 所請發明，是以系爭專利請求項1 、2 之參數特徵，自無從參照系爭專利之發明說明以界定其義涵，致所界定之參數特徵無法使系爭專利請求項1 、2 所請合金線材與先前技術區別，應認系爭專利請求項1 、2 之參數特徵不明確，致使系爭專利請求項1 、2 無法為發明說明及圖式所支持，已違反修正前專利法第26條第3 項規定（參照本院整理當事人爭執事項2）。 (二)系爭專利請求項1、2僅具形式記載與參數特徵不明確： 1.系爭專利請求項1、2實質上不為發明說明所支持：上訴人雖主張說明書之實施例僅為例示性質，僅要發明所屬技術領域中具有通常知識者基於發明說明所揭露之內容，利用例行之實驗或分析方法即可延伸者，或對於發明所揭露之內容僅作明顯之修飾即能獲致者，均應認定為發明說明所支持之範圍，系爭專利請求項1 、2 所請範圍確實為發明說明及圖式所支持云云。然請求項之內容不僅在形式上應獲得發明說明之支持，且在實質上應為發明說明所支持，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能就發明說明所揭露之內容直接得到或總括得到申請專利之發明。參諸系爭專利之發明說明及請求項1 、2 中關於系爭專利解決問題之技術手段，就具有退火孿晶的晶粒的數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上而言，其參數特徵之記載不明確，致無法與先前技術區別。系爭專利之發明說明雖形式上載有實施例及比較例，惟因技術手段有記載不明確等情，致該發明所屬技術領域中具有通常知識者，並無法利用例行之實驗或分析方法予以延伸，或僅作明顯之修飾即能直接得到或總括得到請求項1 、2 之發明，實質上無法為發明說明所支持。職是，上訴人上開主張，要無可採。 2.他案與系爭專利之參數特徵定義不同：上訴人固舉TWI400342 、JP0000-000000 、TWI439554 等專利案為例，主張系爭專利申請範圍之具有退火孿晶的晶粒數量並非新參數云云。惟所列舉之專利案所涉參數，係有關特定尺寸晶粒之個數密度、面積比例、體積比例或孿晶晶界比例等項目，而該等參數與系爭專利請求項1 、2 之參數特徵所定義「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量之比例」者，實有所不同，要難比附援引。準此，上訴人上開主張，亦無足取。六、本院無庸審究系爭專利請求項1與2之進步性： (一)當事人不爭執系爭專利請求項1與2之進步性：被上訴人前雖主張系爭專利不具進步性，然依被上訴人105 年5 月6 日民事答辯㈣狀第4 至5 頁、民事言詞辯論意旨狀第30至31頁主張，倘系爭專利之發明說明未達明確且充分揭露，無法使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施，違反修正前專利法第26條第2 項規定。暨系爭專利請求項1 、2 之記載不明確且無法為發明說明及圖式所支持，違反修正前專利法第26條第3 項規定，而有應撤銷原因，則無審理系爭專利是否具進步性之必要等語。（見本院卷二第30頁背面至31頁、第87頁背面至88頁）。上訴人就被上訴人上開主張，並不爭執（見本院卷二第13頁）。職是，系爭專利之發明說明違反修正前專利法第26條第2 項規定與系爭專利請求項1 、2 違反修正前專利法第26條第3 項規定，基於當事人進行與處分主義之原則，本院即無庸審究系爭專利請求項1 與2 之進步性。 (二)系爭專利違反修正前專利法第26條第2項與第3項規定：舉發理由同時主張不符合專利法第26條規定、不具新穎性或進步性等專利要件，經審查不符合本法第26條規定之專利要件，倘申請專利範圍仍屬明確而能瞭解其內容者，應再審查新穎性或進步性。例外情形，係申請專利範圍不明確而無法瞭解其內容者，則不再審查新穎性或進步性（102 年版專利審查基準第5-1-37頁）。因本院認系爭專利之發明說明違反修正前專利法第26條第2 項規定及系爭專利請求項1 、2 亦違反修正前專利法第26條第3 項規定，具有專利應撤銷原因，上訴人不得向被上訴人主張專利權，既如前述。準此，本院無庸審究系爭專利請求項1 與2 之進步性。七、系爭產品未侵害系爭專利： (一)系爭產品之技術分析：依原證5 及8 所示，系爭「AG0E」銀合金線產品之組成為Ag> 96% 、Pd<4% ；依原證8 所示，系爭「AG0F」銀合金線產品之組成為Ag>97%、Au<0.2% 、Pd為2%（參照本院整理當事人不爭執事項3 ）。系爭產品之外觀，如附圖2 所示。 (二)系爭「AG0E」銀合金線產品未落入請求項1之文義範圍： 1.系爭專利請求項1之要件解析：系爭專利請求項1 之技術特徵可解析為如下之要件1A至1E，如附表1所示：⑴要件1A：一種合金線材。⑵要件1B：其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一。⑶要件1C：合金線材為面心立方晶相之多晶結構而具有複數個晶粒。⑷要件1D：合金線材之線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成。⑸要件1E：其中具有退火孿晶的晶粒之數量，佔合金線材所有晶粒數量20%以上。 2.比對系爭「AG0E」銀合金線產品與系爭專利請求項1要件： ⑴要件1A至1D符合文義範圍：系爭「AG0E」銀合金線產品之組成為Ag>96%、Pd<4% ，是可知系爭「AG0E」銀合金線產品為屬銀- 鈀合金，其要件1a、1b，可為系爭專利請求項1 之要件1A及1B之文義所讀取，如附表1 所示。參諸被上訴人自承系爭「AG0E」銀合金線產品均為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，如要件1c所示，且線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，如要件1d所示，故系爭「AG0E」銀合金線產品亦可為系爭專利請求項1 之要件1C及1D之文義所讀取，如附表1 所示。準此，系爭「AG0E」銀合金線產品落入系爭專利請求項1 之要件1A至1D之文義範圍。 ⑵要件1E不符文義範圍：系爭專利請求項1 之要件1E為其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上。依上開申請專利範圍之解釋，所述「合金線材所有晶粒數量」應係指「整體合金線材所有晶粒數量」而言，並非指「隨機抽樣合金線材截面之金相圖之所有晶粒數量」。查上訴人所提之原證7 、原證12、原證35、原證36或上證2 至7 ，所分析之結果，均以系爭「AG0E」銀合金線產品之縱截面及橫截面金相圖為測量基礎。參諸上訴人主張系爭專利之合金線材中之晶粒大小彼此有差異，且所形成之退火孿晶，在任兩個晶粒面不相同。是基於系爭「AG0E」銀合金線產品縱截面及橫截面金相圖為測量基礎所獲得之比例，不足以代表整體合金線材當然具有相同比例。準此，依原證7 、原證12、原證35、原證36或上證2 、4 、6 所分析獲得之比例數值，均難認可符合系爭專利請求項1 之要件1E之定義，應認上訴人無法證明系爭「AG0E」銀合金線產品落入系爭專利請求項1 要件1E之文義範圍，如附表1 所示。 ⑶直接清點晶粒法作為孿晶比例之測量方法不可採： ①縱使以縱截面及橫截面金相圖為測量基礎，惟系爭專利請求項1 之要件1E以數值「20% 」為侵權與否之分界，是所採用之量測方法，應具一致性、客觀性及正確性，始足據所分析數值而為系爭「AG0E」銀合金線產品是否有侵權之判斷。查兩造於原審已就系爭「AG0E」銀合金線產品之相同縱截面及橫截面FIB 金相圖進行系爭專利請求項1 要件1E之分析，且有關「具有退火孿晶的晶粒」定義，不論在晶粒內所含退火孿晶之數量為半個、一個、二個等，均為「一個具有退火孿晶的晶粒」，並為當事人所不爭執。申言之，兩造各自分析之孿晶比例不同，就原證35為而言，上訴人分析結果雖為25.7 %或27.4% 及46.6% 或34.07%，孿晶比例大於20% ；然被上訴人之分析結果則為14.72%及14.36%（見原審卷二第227 至228 頁），孿晶比例小於20% 。當事人計算差異之原因，主要來自於對所翻印，並經人工描繪之金相圖中「具有退火孿晶之晶粒」、「總晶粒數量」判斷及計算有歧異。 ②上訴人固主張被上訴人之計算有多處遺漏攣晶、刻意悖離系爭專利申請專利範圍之定義，造成計算比例偏低，並主張應選擇適當觀察工具及放大倍率以提高「具有退火孿晶的晶粒」比例云云。惟被上訴人抗辯稱上訴人無法清晰顯示晶粒輪廓，無從獲得客觀、唯一之清點基礎，上訴人未區分退火孿晶與非退火攣晶。由專業分析機構出具之報告，說明目前並無相關國際組織認可之規範，提供具有孿晶之晶粒數量計算方法；而關於具有孿晶之晶粒的判定，亦無有國際正式規範可供佐證。因影像所呈現晶粒型態或對比相似而產生誤判，進而影響分析結果的準確性，所以實際上無法準確判斷具有孿晶之晶粒數量等語（見原審卷二第213 至217 頁）。參諸原證35所示，上訴人就同一描繪之金相圖，其先後判斷並計算之孿晶比例已有2 種不同之分析結果，是所採用之量測方法已難認具一致性、正確性（見原審二第276 至279 頁）。而由被上訴人所提附件9 可證，上訴人針對相同之FIB 金相圖，其先後自行描繪之晶界圖亦有差異產生（見原審卷一第240 、249 、297 頁），足認以翻印並經人工描圖方式反映金相圖之孿晶或晶粒，已使所得計算數值不可避免摻有相當之人為誤差在內，而難認具客觀性。職是，足認上訴人主張以直接清點晶粒法作為孿晶比例之測量方法，難認具有一致性、客觀性及正確性，所分析之結果，自不足作為本件侵權判斷之依據。 ③上訴人雖主張採用直接清點晶粒之分析方法為系爭專利申請前之通常知識，不僅有源自於ASTM E112-13、教科書及期刊文獻之基礎，且有原證19至22等由系爭專利發明人所發表之一系列論文，得證明直接清點晶粒之方法具有科學一致性及再現性，得以作為侵權分析方法之依據云云。惟上訴人援引之ASTM E112-13第5.1 節及第5.2 節、ASTM E112 第11 節、上證10及上證11，均係有關以「面積法」分析晶粒尺寸，無關整體合金線材中退火孿晶佔總晶粒數比例之計算，而「晶粒尺寸」與「退火孿晶佔總晶粒數之比例」，要屬不同參數性質。準此，難以作為系爭專利參數特徵之標準測量方法之通常知識。 ④上訴人提出原證28所示之2001年1 月，由AASHISH ROHAGI等人發表於"Metallurgical and Materials Transactions A"期刊，暨原證30所示之1997年，由S.ASGARI等人發表於Metallurgical and Materials Transactions期刊（見原審卷二第155 至175 、178 至185 頁），雖係有關變形孿晶比例。惟「變形孿晶」與系爭專利之「退火孿晶」，兩者形態不同。因原證28係以在光學顯微鏡下觀察多於100 個晶粒中具有變形孿晶之比例；原證30係以所觀察之晶粒中含有「變形孿晶」數目為分析基礎，並無關整體合金線材中總晶粒數或孿晶數目之計算，不得作為系爭專利參數特徵之標準測量方法之通常知識。 ⑤原證25、29及上證1 係William D.Callister, Jr.著，2007年出版之第7 版「Materials Science and Engineering ：An Introduction （材料科學與工程導論）」；原證26為Robert E. Reed- Hill著，1994年出版之第三版「Physical Metallurgy Principles（物理冶金）」；原證37係「Mechanical Metallurgy （機械冶金）」第138 頁；上證14美國麻省理工學院學者George Langford 教學網頁資料；上證15為英國劍橋大學材料科學及金相學科系教學網頁資料。均係教示辨識退火孿晶，辨識金相圖中之晶粒、晶界等基礎知識，無關「退火孿晶佔總晶粒數之比例」量測方法。 ⑥原證19至22，為系爭專利發明人於系爭專利優先權日後所發表之一系列論文，原證19僅揭示「退火孿晶比例」、原證20至22僅揭示「含退火孿晶之特定晶粒被計算作為FIB 金相圖中總晶粒數之比例」，均未記載退火孿晶比例之具體量測方法，難認可直接且無歧異理解，認採用隨機抽樣合金線材，取得合金線材截面金相圖，再直接清點晶粒之方法，以得到合金線材之孿晶比例之方法，亦無法據該等論文之發表，作為上訴人主張直接清點晶粒之分析方法，是否具有科學一致性及再現性之評價。 (二)系爭「AG0E」銀合金線產品未落入請求項2之文義範圍： 1.系爭專利請求項2之要件解析：系爭專利請求項2係依附於請求項1之附屬項，解釋上應包含請求項1 之全部技術特徵及進一步界定之技術特徵，是以系爭專利請求項2 之技術特徵包含系爭專利請求項1 之要件1A至1E及要件2F，如附表1 所示：銀- 金合金之金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；銀- 鈀合金之鈀含量為0.01~10.00wt% ，餘量為銀；暨銀- 金- 鈀合金之金含量為0.01~30.00wt% 、鈀含量為0.01~ 10.00wt%，餘量為銀。 2.比對系爭「AG0E」銀合金線產品與系爭專利請求項2要件：系爭「AG0E」銀合金線產品之組成為Ag>96%、Pd<4% ，要件2f所示，雖可為系爭專利請求項2 之要件2F之文義所讀取，如附表1 所示，惟上訴人無法證明系爭「AG0E」銀合金線產品落入系爭專利請求項1 之文義範圍，是無法證明系爭「AG0E」銀合金線產品落入系爭專利請求項2 之文義範圍。 (三)系爭「AG0F」銀合金線產品未落入請求項1文義範圍： 1.要件1A至1D符合文義範圍：系爭「AG0F」銀合金線產品之組成為Ag>97%、Au<0.2%、Pd 為2%，系爭產品「AG0F」為銀- 金- 鈀合金線材，如要件1a' 、1b' 所示，可為系爭專利請求項1 之要件1A及1B之文義所讀取，如附表2 所示。再者，系爭「AG0F」銀合金線產品為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，如要件1c' 所示，且線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，如要件1d' ，可為系爭專利請求項1 之要件1C及1D之文義所讀取，如附表2 所示。職是，系爭「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利請求項1 之要件1A至1D之文義範圍。 2.要件1E不符文義範圍： ⑴測量基礎所得比例不足代表整體合金線材具有相同比例：系爭專利請求項1 之要件1E「其中具有退火孿晶之晶粒數量，佔合金線材所有晶粒數量20% 以上」。而依上開申請專利範圍之解釋，所述「合金線材所有晶粒數量」係指「整體合金線材」所有晶粒數量而言，並非就「隨機抽樣合金線材截面之金相圖」而言。查上訴人所提之原證7 、12、36或上證3 、5 、7 ，所分析之結果，均以系爭「AG0F」銀合金線產品之縱截面及橫截面金相圖為測量基礎。且系爭專利之合金線材中之晶粒大小有差異，所形成之退火孿晶，在任兩個晶粒面不相同，是基於系爭「AG0F」銀合金線產品縱截面及橫截面金相圖為測量基礎所獲得之比例，不足以代表整體合金線材當然具有相同比例。準此，依原證7 、12、35或上證3 、5 、7 所分析獲得之比例數值，均難認可符合系爭專利請求項1 之要件1E之定義，應認上訴人無法證明系爭「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利請求項1 要件1E之文義範圍。 ⑵直接清點晶粒法不足為憑：縱使以縱截面及橫截面金相圖為測量基礎，惟系爭專利請求項1 之要件1E以數值「20% 」為侵權與否之分界，是所採用之量測方法應具一致性、客觀性及正確性，始足據所分析數值而為系爭「AG0F」銀合金線產品是否有侵權之判斷。因上訴人主張以直接清點晶粒法作為孿晶比例之測量方法，未具有一致性、客觀性、正確性及再現性，所分析之結果，不足為本件侵權判斷之依據。 (四)系爭「AG0F」銀合金線產品未落入請求項2文義範圍：系爭「AG0F」銀合金線產品之組成為Ag>97%、Au< 0.2%、Pd為2%，如要件2f，雖為系爭專利請求項2 之要件2F之文義所讀取，如附表2 所示。惟上訴人無法證明系爭「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利請求項1 之文義範圍，是其無法證明系爭「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利請求項2 之文義範圍。八、本判決結論：綜上所述，系爭產品未落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍。系爭專利之發明說明未達明確且充分揭露，無法使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施，違反修正前專利法第26條第2 項規定。而系爭專利請求項1 、2 之記載不明確且無法為發明說明及圖式所支持，亦違反修正前專利法第26條第3 項規定，有應撤銷專利原因，是上訴人於本件民事訴訟中不得對於被上訴人主張專利權。申言之，上訴人爰依專利法第96條第1 項、第2 項及民法第184 條等規定，上訴主張：㈠原判決廢棄。㈡被上訴人應給付上訴人100 萬元，並自起訴狀送達翌日起，按年息5 ﹪計算利息。㈢被上訴人不得為製造、為販賣之要約、販售、使用或為上訴目的而進口系爭產品，暨其他侵害系爭專利。㈣請准宣告假執行。均屬無據，應予駁回。原審為上訴人敗訴，核無不合。準此，上訴意旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為無理由，應駁回其上訴。九、本院無庸審究之說明：本件為判決之基礎已臻明確，因系爭專利違反修正前專利法第26條第2 項、第3 項規定，具有專利應撤銷原因，當事人不爭執系爭專利請求項1 與2 之進步性，本院基於當事人處分主義，自無須就系爭專利之有效性為審酌。暨兩造其餘爭點、陳述及所提之其他證據，經本院斟酌後，認為均於判決之結果不生影響，自毋庸逐一論述，併此敘明。據上論結，本件上訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條，民事訴訟法第449 條第1 項、第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　105 　年　　6 　　月　　30　　日智慧財產法院第一庭審判長法　官　陳忠行法　官　曾啟謀法　官　林洲富以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀(均須按他造當事人之人數附繕本) ，上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466 條之1 第1 項但書或第2 項( 詳附註) 所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　105　年　　6　　月　　30　　日書記官　蔡文揚附註：民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項) 對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。

智慧財產及商業法院104年度民專上字第28號

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