2107年度民專訴字第110號｜智財：排除侵害專利權等｜裁判日期：109 年 04 月 30 日

1智慧財產法院民事判決 2107年度民專訴字第110號 3原告頎邦科技股份有限公司 4 5 6法定代理人吳非艱 7訴訟代理人李宗德律師 8陳佩貞律師 9蔡毓貞律師 10劉昱劭律師 11輔佐人黃仁浩 12 13陳蓉慧 14被告易華電子股份有限公司 15 16兼法定代理人黃嘉能 17被告李宛霞 18共同 19訴訟代理人黃福雄律師 20洪郁棻律師 21王吟吏律師 22輔佐人夏志雄 23蔡宗昇 24上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國109年3月2325日言詞辯論終結，判決如下： 26主文 27原告之訴及假執行之聲請均駁回。 11訴訟費用由原告負擔。 2事實及理由 3壹、程序方面： 4按「訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴。但有下列 5各款情形之一者，不在此限：…擴張或減縮應受判決事項之 6聲明者。…」，民事訴訟法第255條第1項第3款定有明文。 7原告起訴時訴之聲明第1、2項原為：「一、被告易華電子股 8份有限公司（下稱被告公司）不得自行或使第三人製造、為販 9賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口型號為『HX8157- 10RCY65』及『RM91135FW-0EMA0』之捲帶式封裝載板及其他 11侵害中華民國發明專利第I397963號申請專利範圍第三項之產 12品。二、被告公司應將其型號為『HX8157-RCY65』及『RM9 131135FW-0EMA0』之捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明 14專利第I397963號申請專利範圍第三項之產品、半成品全部銷 15毀」（本院卷第15頁至第16頁），嗣於民國108年4月2 164日具狀變更為：「一、被告公司不得自行或使第三人製造、 17為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口型號為『HX8 18157-RCY65』、『RM91135FW-0EMA0』、『RM69330F62-B02 192A0』、『HX8157-RCY65-ANE』及『RM927A5FC-627A5』之 20捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號申 21請專利範圍第三項之產品。二、被告公司應將其型號為『HX8 22157-RCY65』、『RM91135FW-0EMA0』、『RM69330F62-B02 232A0』、『HX8157-RCY65-ANE』及『RM927A5FC-627A5』之 24捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號申 25請專利範圍第三項之產品、半成品全部銷毀」（本院卷第4 267頁至第48頁），經核上述變更係屬擴張應受判決事項之聲 27明，於法並無不符，應予准許。 21貳、實體部分： 2一、原告聲明求為判決：被告公司不得自行或使第三人製造、 3為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口型號為「HX8 4157-RCY65」、「RM91135FW-0EMA0」、「RM69330F62-B0 522A0」、「HX8157-RCY65-ANE」及「RM927A5FC-627A5」 6之捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號 7申請專利範圍第三項之產品。被告公司應將其型號為「HX8 8157-RCY65」、「RM91135FW-0EMA0」、「RM69330F62-B0 922A0」、「HX8157-RCY65-ANE」及「RM927A5FC-627A5」 10之捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號 11申請專利範圍第三項之產品、半成品全部銷毀。被告公司 12、○○○、○○○應連帶給付原告至少新台幣（下同）165萬 13元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，依年息百分之 14五計算之利息。第三項聲明，原告願供擔保，請准宣告假 15執行。訴訟費用由被告連帶負擔。並主張： 16原告為國內著名的驅動IC全程封裝測試廠商（原證2），並 17為我國第I397963號「印刷配線基板、其製造方法及電路裝置 18」發明專利（下稱系爭專利）之專利權人，專利權期間自102 19年6月1日至113年12月5日止（原證1），被告公司所生 20產之型號「HX8157-RCY65」（下稱系爭產品1）、「RM9113 215FW-0EMA0」（下稱系爭產品2）、「RM69330F62-B022A0 22」（下稱系爭產品3）、「RM927A5FC-627A5」（下稱系爭 23產品4）及「HX8157-RCY65-ANE」（下稱系爭產品5）等捲 24帶式封裝載板產品（又稱軟性基板、捲帶式高階覆晶薄膜IC 25基板或捲帶式覆晶薄膜，其英文名稱為ChiponFilmTape，業 26界簡稱未封裝IC載板為Tape），其結構特徵已落入系爭專利 27請求項3之文義範圍，有侵權認定報告為憑（原證4、5、17 31），被告公司係以製造、銷售Tape產品為主要業務之專業廠 2商（原證9），自負有查核他人專利技術之注意義務，且被告 3公司之現任總經理即被告○○○原任職於原告合併前之欣寶公 4司，不可能不知道原告有此系爭專利，被告等顯有侵害系爭專 5利權之故意，爰依專利法第96條第1至3項、第97條第1項 6第2款、公司法第23條第2項等規定，請求如訴之聲明所示 7。 8被告引系爭專利說明書實施例，主張系爭專利請求項3所保 9護者為基板「鍍錫前」之結構特徵云云，惟系爭專利請求項3 10所保護之發明為一結構特徵，並未限制印刷配線基板不得進一11步進行電鍍、拒焊或其他處理，且系爭專利說明書第16頁第 1224行、第18頁第24行更明文指出「本發明並不限制於該等 13實施例」、「作為如上述形成的配線圖案之電子顯微鏡相片之14一例表示於第7圖」，更印證系爭專利請求項3之範圍不限 15於鍍錫前基板，被告之解釋顯係誤將說明書及圖式讀入系爭專16利範圍，不當限制系爭專利範圍，是無論被告產品有或沒有施17加鍍錫、拒焊或任何其他製程，只要有上述結構特徵，即屬侵18權。 19系爭產品1至5已落入系爭專利請求項3之文義範圍： 20經解析系爭專利請求項3之技術特徵，可解析為4個要件分 21別為：編號A「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜 22及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案」、編號B「 23該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在 24該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成」、編號C「構成 25該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖 26案之導電性金屬層突出者」、編號D「其中自該配線圖案之 27寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至 41少一部份予以鈍化」。 2系爭產品1之部分： 3依閎康科技股份有限公司（下稱閎康公司）鑑定報告第1 44頁所附系爭產品1（即編號1產品）之外觀照片（如附 5件1圖1-1所示），系爭產品1為印刷配線基板，具有絕 6緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，可 7讀取系爭專利請求項3要件A之文義；鑑定報告第24頁 8之TEM斷面照片已標示出導電金屬層、基材金屬層及絕 9緣薄膜的相對位置（如附件1圖1-2所示），亦即系爭產 10品1中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，基材金屬層表面上 11又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請求項3要件B之 12文義；依鑑定報告第25頁之TEM斷面EDX分析結果， 13其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，銅分布代表導電性 14金屬層，系爭產品1中基材金屬層（鎳鉻層）上端部邊緣 15的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬層（不含錫的銅層 16）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（如附件1圖1-3所 17示），可知系爭產品1中基材金屬層（鎳鉻層）在寬度方 18向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層），可讀取系爭專 19利請求項3要件C之文義。 20鑑定報告第29頁所附系爭產品1標記1之位置，係屬於 21基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅 22層）部分（如附件1圖1-4所示），依據鑑定報告第29 23頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與 24鉻（Cr橘色）曲線約在45nm後開始上升（如附件1圖1- 255所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始 26自掃描線深度45nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描 27線深度45nm之後確實有測到氧（如附件1圖1-6所示） 51，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系 2爭專利技術領域所稱之鈍化，詳後所述），故系爭產品1 3可讀取系爭專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒 4焊層的氧可能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描 5線深度0至45nm的位置即拒焊層之所在，其氧含量甚低 6且曲線平滑，直到約深度45nm即基材金屬層表面位置， 7才明顯隨鎳、鉻含量一起上升（如附件1圖1-6所示）， 8可見基材金屬層表面確實有氧化，是本件鑑定之結果，拒 9焊層並未影響基材金屬層表面的氧含量偵測。 10系爭產品2之部分： 11依鑑定報告第15頁所附系爭產品2（即編號2產品）之 12外觀照片（如附件2圖2-1所示），系爭產品2為印刷配 13線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 14之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義； 15鑑定報告第53頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層、 16基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件2圖2-2所示 17），亦即系爭產品2中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，基 18材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請求 19項3要件B之文義；依鑑定報告第54頁之TEM斷面ED 20X分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，銅分 21布代表導電性金屬層，系爭產品2中基材金屬層（鎳鉻層 22）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬層（ 23不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（如附 24件2圖2-3所示），可知系爭產品2中基材金屬層（鎳鉻 25層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層）， 26可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。 27鑑定報告第58頁所附系爭產品2標記1之位置，係屬於 61基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅 2層）部分（如附件2圖2-4所示），依據鑑定報告第58 3頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與 4鉻（Cr橘色）曲線約在30nm後開始上升（如附件2圖2- 55所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始 6自掃描線深度30nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描 7線深度30nm之後確實有測到氧（如附件2圖2-6所示） 8，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系 9爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品2可讀取系爭 10專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可 11能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至 1230nm間非拒焊層（如附件2圖2-4所示），本即不會影 13響基材金屬層表面的氧含量偵測。 14系爭產品3之部分： 15依鑑定報告第16頁所附系爭產品3（即編號3產品）之 16外觀照片（如附件3圖3-1所示），系爭產品3為印刷配 17線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 18之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義； 19鑑定報告第82頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層、 20基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件3圖3-2所示 21），亦即系爭產品3中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，基 22材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請求 23項3要件B之文義；依鑑定報告第83頁之TEM斷面ED 24X分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，銅分 25布代表導電性金屬層，系爭產品3中基材金屬層（鎳鉻層 26）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬層（ 27不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（如附 71件3圖3-3所示），可知系爭產品3中基材金屬層（鎳鉻 2層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層）， 3可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。 4鑑定報告第82頁所附系爭產品3標記1之位置，係屬於 5基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅 6層）部分（如附件3圖3-4所示），依據鑑定報告第87 7頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與 8鉻（Cr橘色）曲線約在35nm後開始上升（如附件3圖3- 95所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始 10自掃描線深度35nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描 11線深度35nm之後確實有測到氧（如附件3圖3-6所示） 12，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系 13爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品3可讀取系爭 14專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可 15能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至 1635nm的位置即拒焊層之所在，其氧含量甚低且曲線平滑 17，直到約深度35nm即基材金屬層表面位置，才明顯隨鎳 18、鉻含量一起上升（如附件3圖3-6所示），可見基材金 19屬層表面確實有氧化，是本件鑑定之結果，拒焊層並未影 20響基材金屬層表面的氧含量偵測。 21系爭產品4之部分： 22依鑑定報告第17頁所附系爭產品4（即編號4產品）之 23外觀照片（如附件4圖4-1所示），系爭產品4為印刷配 24線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 25之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義； 26鑑定報告第111頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層 27、基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件4圖4-2所 81示），亦即系爭產品4中絕緣薄膜表面上有基材金屬層， 2基材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請 3求項3要件B之文義；依鑑定報告第112頁之TEM斷面 4EDX分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層， 5銅分布代表導電性金屬層，系爭產品4中基材金屬層（鎳 6鉻層）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬 7層（不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（ 8如附件4圖4-3所示），可知系爭產品4中基材金屬層（ 9鎳鉻層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層 10），可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。 11鑑定報告第111頁所附系爭產品4標記1之位置，係屬於 12基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅 13層）部分（如附件4圖4-4所示），依據鑑定報告第116 14頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與 15鉻（Cr橘色）曲線約在40nm後開始上升（如附件4圖4- 165所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始 17自掃描線深度40nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描 18線深度40nm之後確實有測到氧（如附件4圖4-6所示） 19，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系 20爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品4可讀取系爭 21專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可 22能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至 2340nm間非拒焊層（如附件4圖4-4所示），本即不會影 24響基材金屬層表面的氧含量偵測。 25系爭產品5之部分： 26依鑑定報告第18頁所附系爭產品5（即編號5產品）之 27外觀照片（如附件5圖5-1所示），系爭產品5為印刷配 91線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 2之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義； 3鑑定報告第140頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層 4、基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件5圖5-2所 5示），亦即系爭產品4中絕緣薄膜表面上有基材金屬層， 6基材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請 7求項3要件B之文義；依鑑定報告第141頁之TEM斷面 8EDX分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層， 9銅分布代表導電性金屬層，系爭產品5中基材金屬層（鎳 10鉻層）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬 11層（不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（ 12如附件5圖5-3所示），可知系爭產品5中基材金屬層（ 13鎳鉻層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層 14），可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。 15鑑定報告第140頁所附系爭產品5標記1之位置，係屬於 16基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅 17層）部分（如附件5圖5-4所示），依據鑑定報告第145 18頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與 19鉻（Cr橘色）曲線約在30nm後開始上升（如附件5圖5- 205所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始 21自掃描線深度30nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描 22線深度30nm之後確實有測到氧（如附件5圖5-6所示） 23，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系 24爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品5可讀取系爭 25專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可 26能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至 2730nm間非拒焊層（如附件5圖5-4所示），本即不會影 101響基材金屬層表面的氧含量偵測。 2被告等辯稱不應以是否測到氧元素為判斷「鈍化」之方法云 3云，惟查： 4「鈍化」與「不作用（化）態」之意義相同，兩者皆對應 5日文「不働態化」一詞，乃電化學界用以形容金屬氧化所 6呈現的結果，即金屬氧化物相較於未氧化的金屬，具有不 7容易發生電化學反應的性質，於系爭專利所屬電化學界之 8技術領域，因此採用「鈍化」形容基材金屬層「氧化」之 9結果，符合文義解釋方法。而相較於「不作用（化）態」 10，「鈍化」為國內電化學領域較普遍的用語，此所以在系 11爭專利申請過程中，申請人主動提出誤譯修正，將「不作 12用（化）態」修改為「鈍化」，並經智慧財產局接受及准 13予專利，此誤譯修正之歷史過程，更證明「鈍化」之意就 14是「不作用（化）態」，兩者都是日文之「不働態化」。 15系爭專利說明書通篇皆以「氧化而不作用化」說明專利範 16圍所稱「鈍化」，當電化學界熟此技藝者參酌系爭專利說 17明書第【0062】、【0070】、【0080】、【0088】段所述 18「…鉻作成氧化鉻而不作用化…」時，即知系爭專利中「 19鈍化」一詞所指為金屬（例如鉻）變成氧化金屬（例如氧 20化鉻）之結果，故將「鈍化」解釋為「氧化」、「不作用 21化」，亦與系爭專利說明書內容一致。被告等稱進行氧化 22作用，可能達到不作用態，也可能未達不作用態，需視氧 23化之程度而定云云，係欠缺根據，亦不符上述文義解釋（ 24參酌電化學界使用術語）、歷史解釋（參酌專利申請歷史 25）與體系解釋（參酌專利說明書），應不可採。 26況被告等於107年11月15日答辯狀中，對於系爭專利說 27明書中所記載「不作用態化」、「不作用化」等未完全一 111致的用語，亦解讀為「…系爭專利請求項3之基材金屬層 2所成之配線圖案之表面至少一部分予以『鈍化』用語，在 3所屬技術領識中通常知識者就上開文字於系爭專利申請時 4於相關技術領成中所被認知之範圍，應解釋為『基材金屬 5層所成之配線圖案之表面至少一部分藉氧化作用而使突出 6之鎳鉻合金部成為不作用態』…」，足見「不作用態化」 7、「不作用化」及「鈍化」等用語在系爭專利所屬技術領 8域中本即通用，皆指「藉由氧化作用使成為不作用態」。 9另EDSInTEM分析儀的元件包含「高真空系統」及「高 10速電子撞擊」，在開始收集化學元素訊號前，樣品必須進 11行「高速電子撞擊」以進行對焦，此時結合力弱的結構會 12被「高速電子撞擊」而分解，並由真空系統抽走，因此E 13DSInTEM分析儀只能偵測已穩定鍵結為化合物的化學結 14構，不可能偵測到處於單純吸附狀態的元素。因此，以E 15DSInTEM分析儀檢測系爭產品，若在突出部偵測到「氧 16」訊號，則必定是來自系爭產品中「已與鉻或鎳穩定鍵結 17的氧」，即與鉻或鎳形成金屬氧化物結構中的「氧」，而 18不可能是金屬表面單純吸附而存在的氧。被告等稱所偵測 19到的氧也可能是金屬表面單純吸附而存在的氧云云，其所 20述悖於EDSInTEM分析儀檢測原理及特性，顯不可採。 21綜上所述，系爭產品1至5已為系爭專利請求項3要件A 22至D所文義讀取，基於全要件原則，系爭產品1至5皆已 23落入系爭專利請求項3之文義範圍。至被告等辯稱原告所保 24全之編號1、2產品已變質而不適於鑑定或可能遭置換云云 25，惟系爭產品1、2之取樣及保存程序，係按鈞院指示，由 26公證人親赴工廠內產線為之，其過程如實記載於公證書，並 27無異常之處；又系爭產品1至5之取樣位置皆覆有拒焊層（ 121鑑定報告第14至18頁），可耐高溫、高濕，不因非處於真 2空包裝或因相當時間經過而產生質變、氧化，並有張正良教 3授出具之專家意見書可稽（原證12），況系爭產品係以暴 4露在空氣中的形態安裝在電視、手機等終端產品上，其使用 5期間長達五年、十年以上，自無可能在電鍍逾六個月或未抽 6真空包裝即產生質變；再者，系爭產品唯一可能接觸空氣之 7處，僅有系爭產品線路表面未包覆拒焊層之焊接點，而本件 8鑑定就系爭產品取樣之點皆是在拒焊層覆蓋之下（鑑定報告 9第14至18頁），並無因接觸空氣發生質變可能。依被告等 10引用之奇景公司Tape過期品驗證作業指導書第5.1及5.2條 11規定，所稱ILB乃內引腳焊接（InnerLeadBonding），即 12線路靠IC晶片一側之焊接，如確認內引腳錫層之焊接品質 13沒有問題，逾六個月的產品屬良品，而仍可正常使用（原證 1411），此亦證明六個月期限僅影響內引腳錫層的焊接效果， 15與位於基材金屬層之突出部結構無涉，亦與由拒焊層覆蓋之 16線路本體無關。 17鑑定報告之垂直掃描線的counts曲線圖已證明系爭產品1至 185之基材金屬層表面有氧化，EDX收集各組成元素所發出「 19特性X-ray」的數量，稱為counts，其為絕對值，也是第一 20手資料，以counts圖譜檢測系爭產品突出部是否有氧化， 21具有客觀可憑信性。被告等辯稱依閎康公司網頁之「半高寬 22」原則，原告分析之基材金屬層表面位置有誤云云，惟查： 23該網頁並未使用「半高寬」用語，乃被告等自行套用，且其 24所採分析理論，參照電子束散射圈相關文獻之說明，僅能用 25以估算材料層之「厚度」，而本件侵權分析是為偵測突出部 26表面此「位置」是否有「氧」，與突出部「厚度」無涉，故 27不需以電子散射圈中心接觸表面為絕對標準，而應以電子散 131射圈邊緣接觸突出部表面時表面組成訊號開始上升為準。是 2以，當垂直掃描線counts圖之鎳、鉻曲線自平緩趨勢明顯 3轉為上升趨勢時，代表電子散射圈邊緣開始觸及「突出部表 4面」，故應以此區域確認氧訊號之趨勢，始符合電子顯微鏡 5分析之專業標準。被告等將不同目的之分析方法混為一談， 6顯然無理。另兩造已就鑑定儀器在內之事項充分表示意見， 7被告等於得知鑑定結果不利於己後，才事後反復，主張鑑定 8儀器有限制云云，顯不可信。 9系爭專利請求項3並無應撤銷之事由： 10系爭專利未違反專利法第26條第1項、第2項之規定： 11系爭專利於審查階段時經審查員詳加檢驗，並已按其指示 12修改申請專利範圍，包括將「至少一部分予以鈍化」等用 13語自附屬項併入獨立項而成為系爭專利請求項3，由審查 14員確認專利範圍明確且為說明書所支持，說明書亦可據以 15實現後才獲准，此代表審查員亦認同「不作用態化」、「 16不作用化」及「鈍化」等用語在系爭專利所屬技術領域本 17即通用，而無不明確而不能據以實現之情形，並無違反專 18利法第26條第1項及第2項規定。 19系爭專利請求項3透過於配線圖案（即導電性金屬層）特 20意形成「突出部」構造並加以「鈍化」，達到遠優於先前 21技術的功效，有別於先前技術不考慮金屬殘留之具體結構 22而僅單純進行氧化或試圖完全去除殘存金屬之作法（系爭 23專利說明書第6頁第2行以下、第21行以下、第23頁） 24，且系爭專利說明書詳細說明特意形成突出部特徵之手段 25（系爭專利說明書第11頁第25行至第12頁第26行、第 2613頁末行至第14頁第4行、第17頁第18至21行及圖4 27、6），被告等故意忽略此「形成突出部」之重要特徵， 141辯稱系爭專利之氧化處理與先前技術無異，遽指系爭專利 2「無法據以實現」而違反專利法第26條第1項規定云云 3，顯然無理。 4系爭專利請求項3所稱「至少一部份予以鈍化」之客體， 5係指「沿配線圖案之寬度方向觀之，基材金屬層表面以其 6上端部比導電性金屬層下端部之寬度為寬的突出之部分」 7，甚為明確，該用語於申請之初是記載於其他附屬項，順 8應審查委員意見，始修正加入至請求項3，隨後即經核予 9專利，有系爭專利審查過程公開資訊可稽，足見系爭專利 10請求項3及其使用之「至少一部份予以鈍化」用語，經過 11審查機關充分審查，已認定無不明確情形。被告等徒然爭 12執請求項3就「予以鈍化之基板態樣」並不明確，實未舉 13證所屬技術領域具有通常知識之人閱讀系爭專利範圍及說 14明書後將有誤解，其上開主張自不足採。又被告等辯稱系 15爭專利說明書要求突出部「全部」形成不作用化，顯與事 16實不符，經查：系爭專利說明書第14頁第12至14行說 17明系爭專利防止金屬離子遷移導致短路的方法，是透過形 18成突出部特徵，使導電金屬層遠離絕緣薄膜層，第14頁 19第19至23行說明基材金屬層突出部中有經不作用化的部 20分就有不產生晶鬚的功效，上開說明均未要求突出部要「 21全部」不作用化，足以支持系爭專利請求項3「至少一部 22份予以鈍化」用語。 23系爭專利說明書第17頁第18至21行已揭露使用過錳酸 24鉀(KMnO4)＋KOH溶液「予以不作用化」，足以支持系爭 25專利請求項3之「予以鈍化」之用語，至被告等主張自然 26環境下或特定溶液以外之其他因素亦可包含在「予以鈍化 27」之技術手段內云云，應由被告等舉證證明所屬技術領域 151之人對於「予以鈍化」將有上述誤解。 2系爭專利說明書所載之不同實施例有不同的鈍化程度，例 13 3如表1所載實施例3之HHBT電阻為9×10歐姆，實施 14 4例1之HHBT電阻則為2×10歐姆，兩者鈍化程度即有 5不同，但都高於比較例1（亦即先前技術之被證3）之2 10 6×10歐姆，可見系爭專利請求項3「至少一部份予以鈍化 7」之用語可為說明書所支持。實務上，不同產品對於電氣 8絕緣程度的要求本有不同，低端產品對於鈍化的要求較低 9（如實施例3），高端產品對於鈍化的要求較高（如實施 10例1），因系爭專利可以同時運用於高端產品及低端產品 11，且皆顯著優於先前技術（如比較例1，亦即被證3）， 12自無須自我設限，要求「全部」鈍化。 13被證12無法證明系爭專利請求項3不具進步性： 14被證12揭露以氧化劑處理線路間殘留金屬（即蝕刻殘餘部 15204A'），並沒有如同系爭專利所特意形成的「突出部」技 16術特徵，自無將「突出部」予以鈍化的客體，故亦未揭露系 17爭專利之「鈍化」技術特徵。被告等稱該蝕刻殘餘部204A' 18即系爭專利之突出部結構，惟被證12之圖13a、13b、14、2 193清楚教示蝕刻殘餘部204A'實為線路蝕刻形成圖案203及2 2004時產生的殘存缺陷，乃被證12所擬解決的短路「問題」 21，而非「技術特徵」；況根據被證12之內容，熟習此技藝 22者會認為線路蝕刻形成蝕刻殘餘部204A'為結構上不利特徵 23，進而思考加以去除，自不會如系爭專利反向思考，在基材 24金屬層表面特意露出「突出」，再加以氧化（不作用化、鈍 25化），故相對於被證12，系爭專利的作法為熟習此技藝者 26所不可預期顯然有進步性。 27被證14無法證明系爭專利請求項3不具進步性： 161被證14揭露以「前處理劑」處理線路間殘留金屬（即突出 2部2a），前處理劑包含皮膜溶解劑、氧化劑等，係以氧化 3法或去除法處理線路間殘留金屬，並沒有如系爭專利所特意 4形成的「突出部」技術特徵，自亦未揭露系爭專利之「鈍化 5」技術特徵。被告等稱該突出部2a即為系爭專利之突出部 6結構，惟被證14第【0025】段清楚教示突出部2a實為線路 7蝕刻形成的殘存缺陷，乃被證14所擬解決的短路問題，而 8非「技術特徵」；況根據被證14之內容，熟習此技藝者會 9認為突出部2a為結構上不利特徵，進而思考加以去除或氧 10化，自不會如系爭專利反向思考，在基材金屬層表面特意形 11成「突出部結構」，再加以氧化（不作用化、鈍化），故相 12對於被證14，系爭專利的作法為熟習此技藝者所不可預期 13顯然有進步性。 14被證3、12、被證3、13、被證3、14之組合均無法證明系 15爭專利請求項3不具進步性： 16被證3揭露以氧化劑處理線路間殘留金屬（即金屬成分殘 17留），亦無如同系爭專利之「突出部」及「鈍化」技術特 18徵。被告等稱被證3針對蝕刻後殘留金屬可使用與系爭專 19利技術相同之氧化劑高錳酸鉀進行處理，則被證3的高錳 20酸鉀可運用於被證12蝕刻殘留之第一導體即鉻薄膜突出 21部，揭露系爭專利請求項3之「鈍化」特徵云云，惟如前 22述，被證12之鉻薄膜突出實為線路蝕刻產生的殘存缺陷 23，乃其欲解決的「問題」，顯非「技術特徵」，故被證3 24、12之組合無法證明系爭專利請求項3不具進步性。 25被證3、13均未揭露系爭專利請求項3之「突出部」及「 26鈍化」特徵，已如前述，故被證3、13之組合自不足以證 27明系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證13第【0 171006】段記載「因蝕刻係從銅箔開始溶解，故位於銅箔下 2方之鎳濺鍍層必然會延遲開始蝕刻。此蝕刻延遲導致如圖 35（按：應為圖4）所示，鎳濺鍍層為從銅箔形成之導體 4圖案的側面突出的狀態」，已揭露系爭專利請求項3之技 5術特徵云云，惟被證13第【0006】段明確教示側面突出 6實為在銅箔上形成光阻光罩之線路蝕刻產生的殘存缺陷， 7乃其所擬解決的短路「問題」，而非「技術特徵」。又被 8告等稱所屬技術領域中具有通常知識者能將被證3建議之 9氧化劑運用於被證13云云，惟被證3係揭露以氧化劑來 10處理金屬殘留，被證13卻建議必須鍍上另一層銅覆蓋金 11屬殘留，則金屬殘留表面之上既被銅層覆蓋，自無從再以 12被證3所述氧化劑為表面處理，由此可知被證3、13之組 13合顯有矛盾，非所屬技術領域中具有通常知識者可理解。 14被證3、14均未揭露系爭專利請求項3之「突出部」及「 15鈍化」特徵，已如前述，故被證3、14之組合自不足以證 16明系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證3教示利 17用氧化劑處理蝕刻表面，被證14教示以皮膜溶解劑、氧 18化劑等去除殘留的鎳濺鍍層，所屬領域中具有通常知識者 19因瞭解化學結構式之分子種類與結合情形可達成使基材金 20屬層之表面至少一部份不作用化，再依據被證3所揭示之 21元件設置位置關係，在此一基板表面施以氧化劑進行氧化 22處理並無困難云云，惟系爭專利請求項3的主要技術特徵 23為形成突出部構造，單純的基板氧化處理並非系爭專利之 24發明重點，又被證3所揭示之元件設置位置關係或被證1 254之殘留的鎳濺鍍層，其所處理的表面皆止於線路間的金 26屬殘留，與殘留之具體外型無涉。 27被證12、15、被證13、15、被證14、15之組合均無法證明 181請求項3不具進步性： 2被證15揭露以氧化劑處理線路間殘留金屬（即蝕刻無法 3去除的金屬鉑），並無如同系爭專利之「突出部」及「鈍 4化」特徵，又被證12亦未揭露系爭專利之「突出部」及 5「鈍化」特徵，已如前述，故被證12、15之組合自不足 6以證明系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證15 7教示針對蝕刻後無法完全去除之殘留進行氧化處理，運用 8於被證12以氧化殘存之第一導體可輕易完成系爭專利請 9求項3之發明云云，惟如前述，被證12殘存之第一導體 10204A'實為線路蝕刻形成圖案203及204時產生的殘存缺 11陷，乃待解決的「問題」，而非「技術特徵」，將被證1 125之氧化劑應用於被證12之金屬殘留，其結合之結果仍 13然等同被證12所揭露之內容，並不足以證明系爭專利請 14求項3不具進步性。 15被證13、15均未揭露同系爭專利之「突出部」及「鈍化 16」特徵，已如前述，故被證13、15之組合自不足以證明 17系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證15已揭示 18對蝕刻後殘存金屬鈀進行氧化處理以避免短路問題，其氧 19化處理包括過錳酸鉀等，具有與系爭專利請求項3實質相 20同之鈍化功能、作用與結構云云，惟被證15圖1c、1d及 21說明書第3欄第4段清楚教示殘存金屬（即圖1d中以1a 22表示）實為以光阻3為遮罩進行線路蝕刻形成線路圖案時 23產生的殘存缺陷，乃被證15所擬解決的短路問題，而非 24技術特徵；又被證15揭露以氧化劑來處理金屬殘留，與 25被證13建議必須鍍上另一層銅覆蓋金屬殘留，除與殘留 26之具體外型無涉之外，兩者技術亦相衝突而不能結合。 27被證14、15均未揭露同系爭專利之「突出部」及「鈍化 191」特徵，已如前述，故被證14、15之組合自不足以證明 2系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證14具鎳濺 3鍍層殘留形成突出部，基於被證15教示氧化處理去除殘 4留金屬，將被證15之技術內容運用於被證14可輕易完成 5系爭專利請求項3云云，惟如前述，被證14所揭露鎳濺 6鍍層殘留實為其所擬解決的短路「問題」，而非「技術特 7徵」，又被證15與被證14皆以氧化處理線路間殘留金屬 8，組合被證15之氧化技術內容運用於被證14之金屬殘留 9，其結果等同被證14單獨揭露之技術特徵，亦不足以證 10明系爭專利請求項3不具進步性。 11被證1至3之組合無法證明系爭專利請求項3不具進步性： 12被證1係關於配線基板的材料，與配線圖案之實作無關，自 13無揭露系爭專利請求項3之「突出部」及「鈍化」特徵；被 14證2為介紹本領域技術各種問題點的報導文獻，教示配線圖 15案間殘留金屬需移除，並無如同系爭專利所特意形成之「突 16出部」特徵，自亦未揭露系爭專利之「鈍化」特徵，又被證 173未揭露系爭專利之「突出部」及「鈍化」特徵，已見前述 18，故被證1、2、3之組合自不足以證明系爭專利請求項3不 19具進步性。被告等稱被證2之導電性金屬層下方由鎳鉻金屬 20所構成之基材金屬層，無法利用蝕刻完全去除而產生的殘留 21，已相當於系爭專利由上端部與下端部所定義之突出部特徵 22云云，惟被證2之殘留乃其擬解決的短路「問題」，並非「 23技術特徵」，業如前述，況被證2及被證3均教示配線圖案 24間殘留金屬為結構上不利特徵，熟習此技藝者自會進而思考 25將殘留金屬加以氧化或去除，不會如系爭專利反向思考，在 26基材金屬層表面刻意形成「突出部構造」，再加以鈍化，故 27相對於被證2及被證3，系爭專利的作法為熟習此技藝者所 201不可預期，顯然有進步性。 2二、被告等答辯聲明：原告之訴及假執行之聲請均駁回。若 3受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。訴訟費用由 4原告負擔。並辯稱： 5系爭專利請求項3申請專利範圍之解釋： 6系爭專利請求項3之「導電性金屬層」與「基材金屬層」應 7解釋為係指基板經鍍錫處理（即發生銅錫置換反應）「前」 8形成導電性金屬層與基材金屬層結構： 9依系爭專利說明書第8頁倒數第5行記載「於形成配線圖 10案的絕緣薄膜表面殘存有基材金屬層時，該基材金屬之露 11出面較好為不作用態。藉由使該配線基板周圍之基材金屬 12不作用態化，因此不會從該基材金屬層表面所形成之電鍍 13層發生晶鬚」，及第14頁第17行至第23行記載「如此 14由於對導電性金屬層之寬度方向突出之方式形成，藉由形 15成為不作用化之基材金屬，因此形成為輪廓狀的基材金屬 16層13係以不作用化狀態殘存。如此由於將配線圖案周圍 17的基材金屬層予以不作用化而殘存，因此在該不作用狀態 18之基材金屬層表面形成鍍錫層，亦不會自該電鍍層產生晶 19鬚，因而於本發明之印刷配線基板，不至於發生因此部分 20之晶鬚成長產生之短路」，可知系爭專利係藉由「基材金 21屬層在寬度方向比導電性金屬層突出，且該突出之基材金 22屬層之表面至少一部分予以鈍化」之技術特徵設計，而實 23現該基材金屬層表面「形成電鍍層時」避免發生晶鬚的效 24果。 25系爭專利說明書並無任何有關系爭專利請求項3之「導電 26性金屬層」與「基材金屬層」係指基板在「鍍錫處理後」 27始形成該導電性金屬層結構與該基材金屬層結構之記載； 211反觀，系爭專利說明書第15頁倒數第3行以下記載系爭 2專利請求項3所指印刷配線基板，可再經電鍍鍍錫處理， 3堪認系爭專利所指該印刷配線基板之技術特徵，係在基板 4「鍍錫處理前」即應具備。尤有進者，倘在基板鍍錫處理 5後，始具有基材金屬層突出於導電性金屬層，其中該突出 6之基材金屬層表面予以鈍化之技術特徵，並無法達到防止 7基板在鍍錫時自鍍錫層產生晶鬚之功效，蓋晶鬚在鍍錫時 8即已生成於鍍錫層，縱其後再令基材金屬層突出且鈍化， 9亦無從向前回溯使已經產生之晶鬚消失，是所屬技術領域 10中具有通常知識者均會直接且無歧異地認知系爭專利請求 11項3之「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向 12比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者，其中自該配線 13圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案 14之表面至少一部分予以鈍化」，其中「導電性金屬層」與 15「基材金屬層」應解釋為係指基板在鍍錫前之導電性金屬 16層與基材金屬層結構。 17據系爭專利申請人於100年10月14日所提申復說明書記 18載「…將原請求項8之技術特徵併入現呈請求項3（原請 19求項5）中。經此修正，現呈請求項3已明確界定本發明 20之基材金屬層配線圖案之寬度方向突出所成之配線圖案之 21表面至少一部分予以鈍化，因此不會在後續製程長出錫晶 22鬚」等語（被證9），勾稽原告主張系爭專利之功效係為 23防止基板在後續鍍錫製程而形成鍍錫層時產生晶鬚引發短 24路之問題」（107年11月28日爭點整理狀第8頁），故 25系爭專利係藉由使鍍錫前之基材金屬層突出於導電性金屬 26層之特徵，令後續鍍錫製程時能密封導電性金屬層與基材 27金屬層之邊界，並藉此使後續鍍錫層形成時不致產生晶鬚 221發生短路，足證上開技術特徵必須體現於鍍錫前之導電性 2金屬層與基材金屬層，始可達系爭專利之目的；再依系爭 3專利第2、7、8圖可知，系爭專利之印刷配線基板並不存 4在「鍍錫層」元件，益徵系爭專利請求項3之「導電性金 5屬層」與「基材金屬層」係指基板在鍍錫處理前之該導電 6性金屬層與該基材金屬層結構，否則，上開圖式必均會存 7在一錫層元件。 8綜上可知，系爭專利請求項3之「構成該配線圖案的基材 9金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬 10層突出者，其中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之基 11材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部分予以鈍化」技 12術特徵，其中「導電性金屬層」與「基材金屬層」應只包 13含「基板鍍錫前之導電性金屬層」與「基板在鍍錫前之基 14材金屬層」結構，而不包含鍍錫後始形成之導電性金屬層 15與基材金屬層結構，如此方能使請求項之解釋結果為實際 16可行，而可達成發明之目的及功效。 17系爭專利請求項3之「予以鈍化」應指「基材金屬層突出之 18表面藉處理液發生氧化作用而成為不作用態」： 19「鈍化」一詞未曾出現於系爭專利說明書，然依系爭專利 20說明書第13頁第7至9行、第14頁第28行至第15頁第 2113行、第16頁第9至21行、第17頁第18至21行等內 22容，所屬技術領域中具通常知識者就上開文字依系爭專利 23申請時於相關技術領域中所被認知之範圍，應係指「利用 24處理液使金屬氧化成為不作用態」，即上開技術特徵應解 25釋為「基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部分藉特 26定溶液產生氧化作用，使突出之鎳鉻合金部成為不作用態 27」。兩造於108年3月11日庭期均肯認「鈍化」係指「 231藉氧化作用而形成不作用態」，按客觀合理之文義解釋， 2係指利用氧化作用使形成、達到或成為不作用態，可知氧 3化作用屬一手段，不作用態為一結果，手段與結果兩者缺 4一不可，亦即氧化並不等同於鈍化，亦不當然等同於不作 5用態，再參酌系爭專利說明書之上開段落，可見系爭專利 6鈍化之技術特徵尤指「未能去除之『鉻』作成『氧化鉻』 7而不作用態化」。 8原告一方面主張鈍化係指「藉氧化作用而成為不作用態」 9，他方面卻主張鈍化即等同於氧化，二者顯有矛盾，如前 10所述，氧化作用屬一手段，不作用態為一結果，實施該手 11段非必然能達成該結果，亦即進行氧化作用，可能達到不 12作用態，也可能未達不作用態，需視氧化之程度而定；又 13系爭專利申請人於100年10月14日提出之申復說明書， 14明確表示：「…一併修正原請求項1語句不順及誤譯（不 15作用態化應為鈍化）之處。將原請求項8之技術特徵併入 16現呈請求項3（原請求項5）中」，可知正因「不作用態 17化」與「鈍化」為不同概念，申請人方認為請求項3原記 18載「予以不作用態化」一詞有誤，而將之修正為「予以鈍 19化」，原告將鈍化、氧化、不作用化等同解釋，明顯背離 20申請人對於系爭專利之真意。 21系爭產品未侵害系爭專利請求項3： 22原告藉分析報告主張系爭產品侵權，本非正確之命題： 23兩造針對「鈍化」於「藉氧化作用而形成不作用態」之範 24圍內持相同解釋，具體對應於系爭專利說明書對於形成不 25作用態化之說明，係基材金屬層之鉻金屬藉處理液發生氧 26化作用成為氧化鉻而形成不作用態（系爭專利說明書第1 277頁第18至21行、第18頁第20至23行、第19頁第25 241至29行、第20頁第22至25行），從而，暫不論氧化鉻 2之厚度是否足以達不作用態之程度，原告至少應證明突出 3之基材金屬層表面係藉由處理液而產生氧化鉻，而非僅證 4明單純存在氧元素即足，蓋氧元素於大氣環境下無所不在 5，系爭產品之製造亦非使用無氧製程，金屬置於非真空狀 6態會自然吸附環境中的氧，惟單純氧的吸附，與使金屬發 7生氧化反應，致生成氧化物，或使金屬失去電子之情形不 8同，是即便金屬表面因自然吸附而存在氧，亦不必然會生 9成金屬氧化物或發生電位變化之氧化反應（遑論相當於發 10生氧化作用且足以達不作用態），此乃基礎化學常識，原 11告企以氧元素之存在逕行推論基材金屬層表面因氧化作用 12而成為不作用態，邏輯上明顯跳躍不當，具重大謬誤。 13鉻本質上具有在空氣中發生鈍化之物理特性（被證11） 14，由鉻組成之基材金屬層表面會依鉻之固有特性而存在氧 15元素，此乃大氣下之自然反應，自無從以基材金屬層表面 16存在氧元素，即逕推論該表面之氧係「藉由特定處理液作 17用所產生」之結構特徵。 18TEM顯微鏡內真空裝置係將檢測環境形成真空狀態，目 19的係避免在「觀察與檢測時」，因外在環境因子透過一種 20成為電子束致沉澱的過程沉澱於待觀察樣品上，或電子於 21行進時與空氣分子發生碰撞，產生過多光子，進而影響觀 22察，要非謂真空裝置可將外界有機物吸附到樣品表面的氧 23、因原告取樣與保存不當致藉水氣介質滲入之氧，以及鉻 24自發性形成包覆於外之緻密氧化膜中的氧一一予以排除。 25簡言之，顯微鏡內設真空裝置係用以確保觀察待測樣品時 26影像之解析度及準確性，無從變更或除去既存於待測樣品 27本身之氧元素或其他元素，原告曲解真空裝置用途，稱E 251DXinTEM係以抽真空方式進行，檢測時突出部不可能有 2獨立存在的氧云云，委無足採。 3電化學科技辭典記載「鈍化現象是指電化學腐蝕中在金屬 4的表面形成一層薄膜，主要為薄層金屬氧化物，它們被當 5作一層保護層去保護表層下的金屬而不進行進一步的電化 6學反應，此時腐蝕電流極小，直到電位改變及更激烈的反 7應發生，鈍化現象便停止而有電化學腐蝕的腐蝕電流增加 8」等語，充其量係認鈍化現象是電化學腐蝕中在金屬表面 9形成「可達到不進行進一步電化學反應程度之金屬氧化物 10保護膜」，非謂金屬表面存在「氧」即形成若干氧化保護 11膜而達鈍化現象，更非謂氧化即必然造成鈍化，原告據此 12主張鈍化等於氧化、氧化即造成鈍化云云，顯已逾越上開 13辭典文義解釋之範圍，更與基本化學智識不符。 14依107年度雄院民公媛字第230號公證書照片可知，系爭產 15品1、2外袋於公證人赴現場取樣前已遭原告拆封，復未經 16原告妥善保存，存在重大瑕疵，不應作為分析標的，業經公 17證人○○○證述綦詳，是編號1、2產品因取樣與保存不當 18而有重大瑕疵，其分析結果自無審酌之必要。 19閎康公司使用EDX為定性分析，雖可偵測元素種類，惟無 20法偵測到元素組成之化學態與分子結構，以氧為例，EDX 21僅能偵測分析標的上存在氧，但無法判讀係單獨存在之元素 22或與其他元素結合之氧化物，自無從確認分析標的之基材金 23屬層表面是否因處理液而使氧與鉻結合而生成氧化鉻，遑論 24證明已達不作用態之鈍化程度，此為EDX本質上之分析限 25制；且EDX係半定量分析，對各元素「含量」偵測之準確 26性低，尤以對輕元素（如氧、氫）為甚，此乃分析領域之基 27礎知識，閎康公司之網頁亦明載「EDS為半定量分析，XPS 261定量較準確；若分析目的是要看較表層的元素成份，建議 2可由XPS分析」等語（被證16），可知欲以EDX證明特定 3元素於含量上之變化，可信度亟待商榷。 4元素半定量表或「Atomic%」（下稱At%）圖譜，係在總占 5比為100%之基礎下，列出各元素及其個別原子數量占比， 6惟分析報告檢附之At%圖譜經原告篩選後只揭露特定元素， 7致有嚴重失真現象，不足為參考： 8第一次分析報告第27頁以垂直線掃描（由上往下掃描載 9板）呈現圖譜，由左至右分別係錫層、導電性金屬層、基 10材金屬層及絕緣薄膜，以絕緣薄膜為例，其組成成分不含 11錫、銅、鎳、鉻等元素，如分析報告第29、31、33、35 12、37頁之「Counts圖譜」右側所示該等元素之訊號貼近 13X軸均趨近於無，惟分析報告第28、30、32、34、36頁 14之「At%圖譜」右側竟出現不應存在然呈明顯震盪之錫、 15銅、鎳、鉻波形（分析報告第54、81、108、135頁所示 16編號2至5產品之At%圖譜均有類此「無中生有」之錯誤 17），堪認利用At%圖譜呈現「部分元素」資訊，將明顯背 18離分析原始數據。 19探究「Counts」與「At%」圖譜所得結果不同之原因，乃 20前者以分析位置所激發之訊號接收數量呈現，後者以原子 21占比方式呈現，而原子占比會隨所擷取元素之多寡而浮動 22，唯有完整呈現「分析樣品所含所有元素」，始能真實反 23映各元素原子占比之原始分析數據，反之，倘只擷取特定 24或不完整之部分元素，則被排除元素所占之原子百分比將 25被強制性地分配至被擷取選定之特定元素中。例如，絕緣 26薄膜本身不含錫、銅、鎳、鉻元素，其主要係由氧、碳、 27氮、矽等元素組成，但因原告要求At%圖譜只能呈現鎳、 271鉻、銅、錫、氧五種元素，刻意排除碳、氮、矽等本即存 2在於分析樣品內之元素，導致碳、氮等原子占比被強制分 3配至預設選定之鎳、鉻、銅、錫、氧等元素中，致使At% 4圖譜違常地出現不應存在於絕緣薄膜之錫、銅、鎳、鉻等 5元素波形，足證除非完整呈現分析樣品所含所有元素，否 6則At%圖譜與元素半定量表必然偏離原始數據，此為分析 7領域之常識，本件分析報告所附At%圖譜，因已排除數個 8特定元素，無從如實反映原始分析數據，不具參考與判讀 9助益。 10原告要求第二次分析報告檢附之「元素半定量表」排除特 11定元素之資訊，必會導致氧元素相對的百分佔比被不當提 12高，偏離原始分析數據，已無參考意義。另拒焊層中存在 13高含量氧元素，必會影響緊鄰之基材金屬層表面，因拒焊 14層所含主要成分之碳元素係基材金屬層所無（基材金屬層 15由鎳鉻組成），故僅須觀察碳元素含量高低，即足確認基 16材金屬表面之分析結果是否觸及拒焊層，僅須觀察碳元素 17含量高低即足，原告要求半定量表排除呈現碳元素，正係 18為掩飾其所要求之第二次分析位置，其外側程度已經觸及 19拒焊層。 20第二次分析報告所附元素「半定量表」有以下瑕疵，難以 21採信：一般空氣中必然存在氧元素或有機物，容易吸附到 22樣品表面，以TEM/EDX偵測存在於樣品本身之氧元素， 23顯欠準確性；該半定量表完全未標註其所擷取之半定量區 24域為何，僅泛稱目標區或對照區，所擷取之數據範圍究係 25針對單點或特定區域皆未可知；以編號5產品為例，第二 26次分析報告第168頁記載，氧元素於對照區之百分佔比為 270%，然第161至166頁明顯可見對照區任一位置包括ED 281X-09、EDX-10及EDX-11，均有氧元素存在，自無可能於 2半定量表呈現0%之分析結果，有明顯錯誤之情形存在。 3EDX分析實務上採取「半高寬」判斷方式，即特定元素於 4圖譜中呈現由波峰波谷組成之顯著波形時，取波峰高度之半 5高寬為水平軸畫出水平線，該水平線與波形交會之兩點所對 6應之X軸（positionnm）位置即為該元素推測之界面所在位 7置，閎康公司網頁亦揭「半高寬」方式推測元素之所在位置 8（被證17），原告主張以各元素波形開始上升處判斷元素 9出現位置，明顯上開實務判斷方式不符，更遠遠偏離系爭產 10品之實際尺寸，以編號1產品為例，原告主張以曲線開始上 11升處起算元素位置，其基材金屬層厚度乃將近40nm，與系 12爭產品實際規格之原材厚度約22至24nm相去甚遠，堪認 13原告之判讀方式顯有錯誤。 14依閎康公司第一、二次分析報告檢附圖譜可知，系爭產品並 15無侵害系爭專利之情事： 16閎康公司熟習COF產品在鍍錫處理後會使部分導電性金 17屬層發生置換之化學反應，致導電性金屬層會擴及錫層輪 18廓之外緣所在，就編號1至5產品有無基材金屬層突出部 19，於第一次分析報告第159頁、第二次分析報告第169頁 20之結論均指出編號2、4、5產品皆未突出，故無系爭專利 21請求項3所述「構成配線圖案的基材金屬層形成為在寬度 22方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特 23徵。 24縱第一次分析報告認有突出部特徵之編號1、3產品，由 25其垂直線掃描、水平線掃描Counts圖譜所示，氧元素均 26呈現相當穩定之低伏狀態（第一次分析報告第29、38、8 273、92頁），未見據分析意義之顯著波形起伏，亦無原告 291所稱自外而內、自上而下遞減之趨勢，足證系爭產品之基 2材金屬層表面並無藉氧化作用而形成不作用態（鈍化）之 3特徵。以編號3產品為例，依半高寬判定可知，由鎳、鉻 4元素組成之基材金屬層約位於垂直線掃描圖譜之41至64 5nm之間約計23nm厚度區域，未見氧元素明顯於該處偏 6高，圖譜上雖顯示氧元素約於40nm處出現一波峰，惟40 7nm係位於錫層，而非落在基材金屬層所在之41至64nm 8區間，自非位於基材金屬層之表面。再細覽構成氧元素之 9藍色曲線，可見其波峰、波谷起伏與曲線走勢，與構成錫 10元素之灰色曲線波形震盪趨勢一致，合理推知氧元素係相 11依於錫元素而存在；反觀，當鎳元素之綠色曲線與鉻元素 12之橘色曲線同時出現時（即半高寬起點41nm處），此時 13代表氧元素之藍色曲線已呈低降走勢，顯見鎳鉻元素與氧 14元素之波形走勢並非一致，彼此亦無可相對應之波峰或波 15谷起伏關係，益徵氧元素與鎳、鉻組成之基材金屬層無關 16，足證編號3產品之基材金屬層表面並無原告所稱予以鈍 17化之特徵。另氧元素約於基材金屬層內部深處之62nm出 18現一明顯波峰，惟該處係藥水無法發揮效用之區域，足證 19氧元素是否升高與是否予以鈍化並無關係，原告自不得以 20氧元素升高或偵測到氧，逕自推論確實有被氧化。 21觀第二次分析報告所載編號1（第14、24、29頁）、編 22號3（第16、82、87頁）之「EDXlinescanLocations」 23，再對照選定縱切位置正係位於拒焊層即綠色區域以下， 24堪認按原告屬意之分析位置EDX-01進行分析，確實已跨 25越並接觸至拒焊層，則就基材金屬表面（緊鄰拒焊層）之 26氧元素偵測結果必受拒焊層所影響，不應採為裁判之基礎 27。且第二次分析報告中編號1、3產品之垂直線掃描、水 301平線掃描Counts圖譜所示，目標區與對照區之氧元素均 2呈穩定低伏狀態（第二次分析報告第29、38、87、96頁 3），並無原告所稱氧化程度以外側最顯著，且往內淡化之 4現象，足證系爭產品之基材金屬層表面並無藉氧化作用而 5形成不作用態（鈍化）之特徵。以編號3產品為例，依半 6高寬判定可知，鎳、鉻組成之基材金屬層位於EDX-01垂 7直線掃描圖譜之42至65nm之間約計23nm厚度，並未出 8現具有分析意義上之波峰起伏，未見氧元素明顯於該處偏 9高，圖譜上雖顯示氧元素約於40nm處出現一波峰，惟40 10nm係位於錫層，而非落在基材金屬層所在之42至65nm 11區間，自非位於基材金屬層之表面。 12系爭專利請求項3有應撤銷之事由： 13系爭專利請求項3記載「基材金屬層所成之配線圖案之表面 14至少一部份予以鈍化」之用語核未明確，且系爭專利說明書 15欠缺據以實現性，違反專利法第26條第1項、第2項之規 16定： 17系爭專利請求項3之技術用語，係使殘存之基材金屬層「 18至少一部份予以鈍化」，然系爭專利說明書全文與發明摘 19要均係記載使殘存基材金屬「不作用態化」或「不作用化 20」之技術用語，而無隻字片語提及「鈍化」之技術概念， 21足證系爭專利說明書與申請專利範圍之技術用語並不一致 22，難謂明確。 23系爭專利說明書第7頁第16至18行記載「由於銅層與在 24該下部之第1金屬層變得容易發生遷移，而成為於短時間 25內發生鄰接配線圖案間因遷移引起之短路問題之原因」， 26為解決該問題，於第8頁第20至23行記載「於形成配線 27圖案的絕緣薄膜表面殘存有基材金屬層時，該基材金屬之 311露出面較好為不作用態。藉由使該配線基板周圍之基材金 2屬不作用態化，因此不會從該基材金屬層表面所形成之電 3鍍層發生晶鬚」；另由第14頁第17至23行記載「如此 4由於對導電性金屬層之寬度方向突出之方式形成，藉由形 5成為不作用化之基材金屬，因此形成為輪廓狀的基材金屬 6層13係以不作用化狀態殘存。如此由於將配線圖案周圍 7的基材金屬層予以不作用化而殘存，因此在該不作用狀態 8之基材金屬層表面形成鍍錫層，亦不會自該電鍍層產生晶 9鬚，因而於本發明之印刷配線基板，不至於發生因此部分 10之晶鬚成長產生之短路」，可知系爭專利說明書係揭露使 11基材金屬層突出部「全部」形成不作用化，方能達「完全 12防止」電鍍錫時，從基材金屬層突出部之表面發生離子遷 13移或產生晶鬚引起短路之功效（事實上，說明書全文並未 14提及「一部份」不作用化之技術手段），蓋倘基材金屬層 15之表面僅「一部份」不作用化，則未為不作用化之他部份 16，仍會於後續處理發生離子遷移或於電鍍錫時產生晶鬚引 17發短路問題，如此即與先前技術並無二致，足認系爭專利 18請求項3之「至少一部份予以鈍化」，並未根據說明書揭 19露之內容為基礎，未敘明解決問題不可或缺之必要技術特 20徵，致請求項範圍超出說明書揭露之內容，無法達成其所 21欲解決之問題，未為說明書所支持。 22系爭專利說明書第6頁第10至17行揭示之先前技術係藉 23由氧化劑形成氧化作用，然因殘留之第1金屬層氧化程度 24不一，無法完全進行至不作用態，因此無法獲得足夠可靠 25之配線基板；第6頁第26行至第7頁第8行所記載之先 26前技術，揭示未完全去除而殘存之金屬層1會因電鍍時異 27常析出成為晶鬚，無法完全防止殘存之金屬層1從鍍錫層 321發生晶鬚而形成良好之絕緣性。為此，系爭專利說明書揭 2露使基材金屬層殘存之突出部「全部」予以不作用化之技 3術手段，以與習知技術區隔，亦即系爭專利說明書揭露使 4基材金屬層突出部百分之百成為不作用態，係「完全防止 5」該金屬於鍍錫時發生晶鬚所不可或缺之技術手段，惟系 6爭專利請求項3所述「至少一部份予以鈍化」，僅以「至 7少」之下限用語界定予以鈍化之範圍，解釋上包括1%、1 80%、50%、70%、99%等各種態樣，然所餘「未形成不作 9用態」之殘存基材金屬，仍會發生離子遷移或鍍錫時發生 10晶鬚，致於配線圖案間發生短路，無法改善先前技術既有 11之缺點，且與說明書記載使殘存基材金屬表面全部不作用 12化之技術手段產生矛盾，導致請求項不明確，超出說明書 13所揭內容，未為說明書所支持。 14由系爭專利說明書第7頁倒數第2行記載「本發明之印刷 15配線基板之製造方法…該方法特徵在於：將該表面金屬層 16藉蝕刻法選擇性去除而形成配線圖案後，使形成該基材金 17屬層的金屬用可溶解及/或可不作用態化的處理液處理」 18、第16頁第9至21行記載「本發明係例如於絕緣薄膜之 19表面依濺射等形成基材金屬層（晶種層或第1金屬層）… 20再將在絕緣薄膜表面上形成之形成基材金屬層之金屬藉由 21可溶解及/或使不作用化之蝕刻液處理，由而可去除存在 22於線間之形成基材金屬層的全部金屬之製程；與微量殘留 23於線間之形成基材金屬層之金屬以及導電性金屬層周圍以 24輪廓狀突出之基材金屬表面予以氧化，用由該等氧化皮膜 25所被覆之金屬基材表面，在高溫高濕環境中或在酸等溶液 26中使其不會離子化之不作用化製程所構成，藉由該等處理 27，不易顯著地發生遷移、絕緣電阻高、可獲得可靠性非常 331高的印刷配線基板」及前述第14頁第17至23行所載可 2知，在鍍錫處理／形成電鍍錫層前，藉處理液使殘存之基 3材金屬不作用態化，應為系爭專利請求項3解決問題所不 4可或缺的技術特徵，惟請求項3並未明確記載「配線圖案 5於鍍錫處理／形成電鍍層前之基材金屬表面予以不作用態 6」之技術特徵，且未敘明如何對殘存基材金屬層予以鈍化 7之必要技術特徵，導致請求項不明確，並已超出說明書揭 8露之內容。 9系爭專利請求項4記載「如申請專利範圍第3項之印刷配 10線基板，其中該基材金屬層係由含鎳及/或鉻的金屬所形 11成」，可知請求項3所指「基材金屬層」涵蓋由鎳鉻金屬 12所組成之情形。惟鉻具有很強的鈍化性，在空氣中很快鈍 13化，此乃鉻金屬本質上固有之物理特性，此有金屬百科資 14料可稽（被證11），吾人所熟知之「不銹鋼」即含有鉻 15金屬，其正是利用鉻會自發性形成緻密氧化鉻保護膜之物 16理特性，使不銹鋼具有防鏽抗腐蝕之功能。是以，縱使未 17特地針對殘存之基材金屬施以特定處理液，由鉻組成之基 18材金屬本身即會自發性地形成氧化膜而形成具鈍化功能特 19徵之基板，足徵系爭專利所稱基板之結構特徵，在不涉及 20技術思想創作之技術手段下，即可自然成就。而系爭專利 21請求項3僅記載「基材金屬層所成之配線圖案之表面至少 22一部份予以鈍化」，並未記載「該基材金屬層係以何種方 23式進行鈍化」，亦未記載「該基材金屬層氧化之厚度為何 24方達鈍化之程度」，導致構成基材金屬層之金屬鉻於製造 25過程中（即接觸大氣／空氣）自發性地產生予以鈍化之自 26然現象，形式上亦納入系爭專利請求項之總括範圍，且該 27所屬技術領域中具有通常知識者即使參酌申請時之通常知 341識，仍無法理解如何以其他技術手段，亦皆能達成使基材 2金屬層表面至少一部份予以鈍化之效果，故請求項3之整 3體無法為說明書所支持，且無法經由任意手段而據以實現 4，益證參酌該領域之通常知識，系爭專利說明書唯一揭露 5「藉處理液予以不作用化」之技術內容無法合理延伸至請 6求項3所載不明確且毫無節制之「予以鈍化」範圍，請求 7項3所載「予以鈍化」之涵蓋範圍過廣，無法為說明書所 8支持。 9另由系爭專利說明書第12頁第28行至第13頁第2行記 10載「在本發明，該等金屬使用可溶解或不作用態化之處理 11液處理…對於鉻，例如可使用高錳酸鉀＋KOH水溶液、 12重鉻酸鉀水溶液、高錳酸鈉＋NaOH水溶液」、第17頁 13第18至21行、第18頁第20至23行、第19頁第25至2 149行、第20頁第22至25行記載「使用濃度40克/升之高 15錳酸鉀＋20克/升KOH蝕刻液，以40℃×1分鐘將Ni-Cr 16合金突起部26予以不作用化，再將僅殘存於線間之鉻儘 17量溶出同時將未能去除的鉻作成氧化鉻而不作用化」等語 18，可知其所採取之技術手段顯然與先前技術「名異而實同 19」，均係針對殘存基材金屬實施「高錳酸鉀和氫氧化鉀水 20溶液」，僅先前技術將之稱為氧化劑，系爭專利則命名為 21可溶解/可不作用態化之處理液，然該所屬技術領域中具 22有通常知識者均可瞭解高錳酸鉀水溶液為適合處理基材金 23屬之氧化劑之具體下位概念。是系爭專利說明書未敘明何 24以利用與先前技術「相同」之處理液（氧化劑）所生氧化 25作用之技術手段，卻可達到較先前技術更進步之功效，此 26等記載之不明確，將使所屬技術領域中具有通常知識者無 27法據以實現。 351被證1至3之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 2被證1之申請專利範圍記載「(a)通過乾式電鍍方法在絕緣 3膜上沉積下面的金屬層A，該金屬層包括選自鎳的至少一 4種材料，鎳-銅合金、鉻和氧化鉻，(b)通過乾式電鍍方法 5在所述下層金屬層A上沉積由銅組成的另一個下層金屬 6層B；(c)在所述另外的下層金屬B上沉積初級電鍍銅層 7以形成基板」，已對應揭示系爭專利請求項3「一種印刷 8配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜及至少於該絕緣薄膜一 9側表面之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面 10之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層 11所形成」之技術特徵，且被證1與系爭專利屬相同之印刷 12基板技術領域，所屬技術領域中具有通常知識者有合理組 13合絕緣薄膜、基材金屬層與導電性金屬層之動機，而能輕 14易完成系爭專利之上述結構特徵。 15由系爭專利說明書第5頁倒數第7行以下之先前技術記載 16「因而取代此種3層構造之貼銅基層板，使用有直接將金 17屬層積層在絕緣薄膜表面的2層構造之積層體。此種2層 18構造之積層體，係在聚醯亞胺等的絕緣薄膜表面，藉由無 19解電鍍法、蒸鍍法、濺射法等析出晶種層金屬（即基材金 20屬層）所製造。隨後，以如上述之析出金屬表面以例如銅 21電鍍附著後（即導電金屬層），塗布光致抗蝕劑、經蝕刻 22、顯影，接著蝕刻形成所需配線圖案」等語，可知系爭專 23利說明書亦自承系爭專利請求項3「具有絕緣薄膜及至少 24於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖案係由形成 25在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面 26之導電性金屬層所形成」之結構特徵，為所屬基板技術領 27域之先前既有技術，益徵利用絕緣薄膜、基材金屬層（晶 361種層）及導電性金屬層作為印刷電路板之組合特徵，乃該 2領域所使用習知之慣用技術，不具進步性。 3被證2揭示「COF材料之製造方法係在Kapton（Toray‧ 4DuPontCo.,Ltd日本東麗杜邦有限公司生產之絕緣薄膜商 5品名稱）或Upilex（日本宇部興產公司生產之絕緣薄膜商 6品名稱）等之基材上，蒸鍍鎳及鉻作為種子層即上述基材 7金屬層（厚度約100Å），然後在此之上進行鍍銅之濺鍍 8法方式，或在銅箔上塗佈漆狀之聚醯亞胺之塗佈法二種製 9造方式」，可知由絕緣薄膜、鎳鉻金屬組成之基材金屬層 10及銅組成之導電金屬層所構成之配線基板結構，已相當於 11系爭專利請求項3「具有絕緣薄膜及至少於該絕緣薄膜一 12側表面之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面 13之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層 14所形成」之技術特徵。 15被證2第3頁及圖6指出上開結構與材質引發之問題，其 16記載「濺鍍法材料僅以蝕刻之方式，會產生無法將銅層下 17之鎳鉻基材金屬層完全去除之問題，尤其係細間距產品， 18更容易發生金屬殘留之情況。若為無電解鍍錫之情形，則 19易由此部分發生錫異常析出（如圖6），亦容易產生晶鬚 20現象。此一基材金屬層之殘留亦係發生電子游離之原因， 21對電氣上亦會產生不利」，可知該技術領域之人參酌上開 22內容即可直接且無歧異得知，導電性金屬層下方由鎳鉻金 23屬所構成之基材金屬層，無法利用蝕刻完全去除而產生殘 24留，已相當於系爭專利說明書第13頁倒數第1行以下「 25導電性金屬層20雖會被蝕刻，但基材金屬層13係不易被 26蝕刻，因此所形成的配線圖案在寬度方向之剖面，比由導 27電性金屬層20所形成之配線圖案下端部25之寬度為寬， 371基材金屬層13上端部26之寬度變大，如此基材金屬層1 23上端部26就比導電性金屬層20在寬度方向形成為較突 3出」之特徵，足見被證2已實質揭露系爭專利請求項3「 4構成配線圖案的基材金屬層在寬度方向比構成該配線圖案 5之導電性金屬層突出」此一基材金屬層殘留之結構上不利 6特徵，並提供基材金屬層必須避免殘留鎳鉻引發電子游離 7問題（migration）之教示。 8被證2針對「基材金屬層殘留之鎳鉻金屬易發生電子游離 9，對電氣上產生不利效果」此一配線基板之不利特徵，揭 10露「此一基材金屬層之殘留亦係發生電子游離之原因，對 11電氣上亦會產生不利，故必須以去除劑對基材金屬層作適 12當之處理」，可知被證2已揭露避免基材金屬層殘留鎳鉻 13金屬發生電子游離之重要性，及以去除劑作為解決手段之 14教示，又被證2與系爭專利具有相同之組成構件，對於熟 15習配線基板之技術者而言，為避免基材金屬層中鎳鉻金屬 16過度殘留所引發之電子游離問題，自有合理動機參酌被證 172習知關於配線基板結構之教示，在蝕刻處理後，極易以 18化學常識思及適合處理殘留於基材金屬層鎳鉻金屬之溶液 19，使該等金屬不發生作用，避免電子游離之不利電氣現象 20，從而輕易完成系爭專利請求項3「構成該配線圖案的基 21材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金 22屬層突出者，其中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之 23基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部分予以鈍化」 24之技術特徵。 25系爭專利說明書第6頁第10行以下之先前技術記載「記 26載於上述專利文獻（日本特開0000-000000專利公報文獻 27，即被證3）的方法，有藉由蝕刻形成圖案後，以氧化劑 381處理聚醯亞胺樹脂薄膜表面上之第1金屬層，但利用氧化 2劑之處理，將使該第1金屬層殘存相當量且無法完全進行 3到不作用態…形成第1金屬層之金屬雖全部以氧化劑進行 4處理，但該等金屬中有不一氧化者」等語，可知以「氧化 5劑」對第一金屬層即基材金屬層進行氧化處理，為該領域 6之習知技術，而無論氧化劑對金屬離子之氧化程度為「完 7全」或「不完全」、「一部」、「少部分」、「大部分」 8或「全部」，皆落入「至少一部分」之概念，已對應於系 9爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形 10成之基材金屬層所成之配線圖案之表面『至少一部分』予 11以鈍化」之技術特徵。又正因被證3之基材金屬層在寬度 12方向較導電性金屬層「突出」，該先前技術方如系爭專利 13說明書第6頁第2行以下所記載，須於蝕刻後再藉由氧化 14劑對蝕刻表面進行洗淨處理，已實質含有系爭專利請求項 153中基材金屬層較導電性金屬層突出之特徵，足證系爭專 16利請求項3乃該領域之習知慣用結構，無法產生未能預期 17之功效，不具進步性。 18被證3第【0008】段記載「為了解決上述問題，本發明目 19的之一是提供一種製造2層銅聚醯亞胺金屬噴鍍基板的方 20法，該基板即便是細線路產品，也具有足夠的絕緣信賴性 21」、第【0009】段記載「為了解決上述問題，本發明方法 22的特徵在於，一種在聚醯亞胺樹脂薄膜的一側或兩側，以 23乾式成膜方式形成第一金屬層，以及在其上使用電氣電鍍 24或無電解電鍍形成具有導電性之第二金屬層的金屬塗覆的 25聚醯亞胺膜上，蝕刻處理形成印刷線路板的製造方法，在 26蝕刻線路基板後，再以氧化劑清洗，氧化處理蝕刻表面」 27，可知被證3教示為解決殘留於表面之金屬易引發離子遷 391移問題，可在蝕刻線路基板後，再以氧化劑清洗、氧化處 2理蝕刻表面，而達使殘留之金屬不作用化之功效，已對應 3於系爭專利請求項3之「一部份鈍化」。 4被證3第【0014】段記載「本發明者檢討各種表面處理方 5法之後，發現使用氧化劑選擇性地去除殘留的金屬離子成 6分比較有效」、第【0015】段記載「為解決上述問題，在 7金屬噴鍍的2層基板，以蝕刻處理形成圖案的印刷線路板 8，提供了一種在蝕刻後用氧化劑清洗處理蝕刻表面的方法 9」、第【0037】段記載「藉本發明在蝕刻後的表面使用氧 10化劑清洗處理，氧化其表面略微殘留的金屬離子，並抑制 11離子遷移，以製造出即使是細線路也具有極佳絕緣信賴性 12（可靠性）的金屬噴鍍的銅聚醯亞胺線路板」，可知在被 13證3與系爭專利具有相同之組成構件下（皆由鎳鉻形成第 14一金屬層、銅形成第二金屬層），指出殘留在蝕刻表面之 15金屬成分，乃發生電子遷移之原因，並清楚教示為避免金 16屬遷移之缺點，可在蝕刻後使用「氧化劑」處理蝕刻表面 17，故系爭專利請求項3關於將基材金屬層殘留之鎳鉻藉氧 18化方式使之不作用，降低電子遷移之發生，並未產生無法 19預期之功效，而屬印刷電路基板領域中具有通常知識者參 20照被證3之教示所能輕易完成者，不具進步性。 21被證3請求項3揭示「在請求項1所述製造方法，氧化劑 22至少選用一種含有高錳酸鉀、過氧化氫、重鉻酸鉀的氧化 23劑沖洗為其特徵」，又第【0022】段記載實施例1使用高 24錳酸鉀與氫氧化鉀的水溶液洗滌，另於第【0031】段記載 25比較例1與實施例1不同之處在於，不使用含有高錳酸鉀 26和氫氧化鉀的水溶液洗滌，其結果如表1所示，即實施例 271之絕緣抵抗明顯較比較例1之絕緣抵抗優異，並於第【 4010037】段揭露「藉本發明在蝕刻後的表面使用氧化劑清洗 2處理，氧化其表面略微殘留的金屬離子，並抑制離子遷移 3，以製造出即使是細線路也具有極佳絕緣信賴性（可靠性 4）的金屬噴鍍的銅聚醯亞胺線路板」之發明效果，可知被 5證3已清楚教示為抑制殘留金屬離子發生於配線基板之遷 6移問題，可使用高錳酸鉀、氫氧化鉀作為氧化劑，達到抑 7制離子遷移、增強電路板絕緣性之效果，為電路基板所使 8用之習知慣用技術，故所屬技術領域中具通常知識者為增 9強電路板之絕緣可靠性，自有合理動機依據被證3所教示 10者而輕易完成系爭專利請求項3之發明，不具難以預期之 11功效，不具進步性。 12事實上，系爭專利請求項3正係直接參照、應用申請前既 13有之被證3習知技術所揭示之氧化劑即高錳酸鉀與氫氧化 14鉀而輕易完成，此觀系爭說明書第17頁第18至21行記 15載「使用濃度40克/升之『高錳酸鉀』＋20克/升『KOH 16（即氫氧化鉀）』蝕刻液，以40℃×1分鐘將Ni-Cr合金 17突起部26予以不作用化，再將僅殘存於線間之鉻儘量溶 18出同時將未能去除的鉻作成氧化鉻而不作用化」之具體實 19施方法甚明。被證3既已教示利用「氧化劑」可達抑制金 20屬離子遷移之技術特徵，該所屬技術領域中具有通常知識 21者當能瞭解化學結構式之分子種類、數目與結合情形，藉 22由被證3之教示，輕易思及適合氧化殘留鎳、鉻金屬之氧 23化劑具體下位化合物，如高錳酸鉀、過氧化氫、重鉻酸鉀 24等，而輕易達成系爭專利請求項3「基材金屬層之表面至 25少一部分予以鈍化（即藉氧化作用使金屬成為不作用態） 26」之特徵，則被證3當足證明系爭專利請求項3不具進步 27性。 411綜上，被證1、2、3皆屬於印刷配線電路板之技術領域， 2對於該技術領域中具有通常知識者而言，單獨參酌或組合 3運用被證1、2、3關連技術之動機係屬明顯。在被證1揭 4示絕緣薄膜、第一金屬層、第二金屬層所構成2層基板特 5徵之基礎上，鑒於被證2、3與系爭專利均屬抑制電路基 6板中金屬離子遷移問題之相同技術領域、所欲解決之問題 7具有同一性，且所產生之功效相同（即抑制金屬離子活性 8、使不發生作用、使不活潑、使鈍化），故所屬技術領域 9中具有通常知識者欲解決系爭專利基材金屬層離子遷移之 10問題時，參酌被證2、3教示「基材金屬層之金屬殘留係 11發生電子游離之原因，對電氣上會產生不利」、「殘留在 12表層的金屬成分是引起離子遷移的原因，在蝕刻後的表面 13使用氧化劑氧化處理殘留的金屬，可抑制離子遷移，製造 14出極佳絕緣信賴性（可靠性）的配線基板」之技術內容， 15自有將被證1、2、3加以組合之合理動機，而輕易完成系 16爭專利請求項3之發明，足證系爭專利請求項3不具進步 17性。 18原告爭執被證1、2、3未揭露系爭專利請求項3「構成該 19配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖 20案之導電性金屬層突出者，其中自該配線圖案之寬度方向 21突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部 22分予以鈍化」之技術特徵，惟查： 23依系爭專利說明書第7頁第14行以下所述，系爭專利 24所要解決的問題是習知技術「使用2層構成之積層體所 25形成之配線圖案，由直接配置在絕緣薄膜表面的第1金 26屬層（晶種層）及形成在該第1金屬層上的銅層構成， 27由於銅層與在該下部之第1金屬層變得容易發生遷移， 421而成為於短時間內發生鄰接配線圖案間因遷移引起之短 2路問題之原因」，與第7頁倒數第9行以下記載「本發 3明之目的係提供依上述方法所製造具有特定構造同時不 4會因遷移發生短路的印刷配線基板」相符。另據原告陳 5稱系爭專利請求項3關於「其中自該配線圖案之寬度方 6向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少 7一部分予以鈍化」技術特徵之解釋為「基材金屬層突出 8的表面中之局部或全部藉氧化作用而成為不作用態」， 9清晰可知系爭專利欲解決之問題為防止遷移（migration 10）發生，而解決該問題之方案係將基材金屬層突出的表 11面中之局部或全部藉氧化作用而成為不作用態，使鄰接 12配線圖案之金屬遷移難以發生，降低短路問題。 13被證2第3頁及圖6已揭露避免基材金屬層殘留鎳鉻金 14屬發生電子游離之重要性，及以去除劑作為解決手段之 15教示，業如前述，衡諸常情，欲避免物理上突出部分（ 16即鎳鉻基材金屬層無法完全去除部分）發生減損產品良 17率之不利電氣反應時，具通常智識之一般人均可想見解 18決之道為：盡可能地減少突出部分的存在；如減少程度 19有限，則盡可能地使突出部分不與外界發生電氣上作用 20或反應。上開概念在材料或化工技術領域之應用，前者 21為「剝離」或「去除」等，後者為「鈍化」或「不作用 22化」等，上述方法連一般人皆可輕易思及，電路基板領 23域中具有一般性專業知識及職業經驗者自更極易思及， 24是所屬領域中具有通常知識者，為避免基材金屬層中鎳 25鉻金屬過度殘留所引發之電子游離問題，自有合理動機 26基於被證2教示，在蝕刻處理後，基於專業知識與職業 27經驗，易於思及將去除劑置換為氧化劑，使突出之鎳鉻 431合金部藉氧化作用產生氧化膜，不易與鄰接線路發生電 2子游離反應，系爭專利請求項3自不具進步性。 3原告主張被證2係「因製程缺陷所生之基材金屬層殘留 4」，系爭專利則係「在基材金屬層表面刻意形成的突出 5」云云，惟無論造成基材金屬層突出之成因為何，均不 6影響系爭專利請求項3「構成該配線圖案的基材金屬層 7形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突 8出者」之結構特徵，早為被證2揭露之事實。況系爭專 9利中基材金屬層之突出亦非如原告所稱係刻意留取，參 10系爭專利說明書第13頁倒數第6行記載「將不完全溶 11解掉的稍微殘存的鉻予以不作用化」、第15頁第6行 12以下記載「將露出於配線圖案間之形成為基材金屬層之 13大部分金屬予以溶解去除，再使依此處理亦不溶解而殘 14存的極微小金屬（例如鉻）予以不作用化所形成者。特 15別是本發明之印刷配線基板，由於將基材金屬層以濺射 16複數種金屬而形成，由於依此形成的基材金屬層予以蝕 17刻，在酸洗之後，將不會藉酸洗所去除而殘留的形成基 18材金屬層之金屬，例如由於用酸洗處理液予以不作用化 19」等情，可知系爭專利基材金屬之殘留與突出，係本質 20上對濺射複種金屬形成的基材金屬層進行酸洗/溶解所 21必然發生之結果，即酸洗程序無法充分去除溶解基材金 22屬層之金屬，導致出現殘留突出部，應較偏向原告所謂 23之因製程缺陷而起，原告之主張亦難獲系爭專利說明書 24之支持。 25原告稱被證2所揭示之去除劑與系爭專利之不作用化二者 26實為相反之手段云云，惟被證2並未排除不作用化手段之 27運用，亦未揭露去除劑無法與氧化劑結合並用，事實上， 441除去突出的基材金屬僅係降低離子遷移的其一方式，藉由 2氧化反應使突出金屬不作用化為另一方式，二者本質上未 3有不相容之處，恰如系爭專利說明書第13頁倒數第7行 4以下記載「處理含有鎳及鉻之基材金屬層13之際，各使 5鎳及鉻不作用化，且邊溶解存在於配線圖案間的鉻層，且 6將不完全溶解掉的稍微殘存的鉻予以不作用化較為理想」 7，即知去除（溶解）與不作用化（氧化）可併同存在。換 8言之，被證2目的為提出一種解決配線基板離子遷移引發 9短路問題的方法，且未明確排除將殘存基材金屬不作用化 10（氧化）之手段，被證3提供以氧化劑作為解決金屬離子 11遷移的方法，亦為所屬技術領域中具有通常知識者所得參 12考、運用之對象，況以剝離去除或不作用化本為避免特定 13部位構件發生預期特性之常見手段，因此所屬技術領域中 14具有通常知識者將被證3之氧化步驟運用於被證2之去除 15步驟後，自然可避免離子遷移發生短路的問題，並不必然 16須採取與被證2技術手段相反方向之措施，難認被證2為 17原告所稱形成系爭專利之反向教示。具體而言，若使用被 18證2揭示之去除劑/溶解液，無法充分溶解殘存突出之鎳 19鉻，則基材金屬層在寬度方向將較導電性金屬層突出，就 20該未能溶解之「突出」部分，當有在突出之「上端部或側 21端部」施用氧化劑使之產生氧化膜而不作用（圖a）；若 22去除劑/溶解液可充分溶解突出之鎳鉻金屬，則基材金屬 23層與導電性金屬層即處於「切齊」狀態，就該切齊部分之 24基材金屬「側端部」仍有形成氧化膜使殘存鎳鉻不作用化 25之可能（圖b），是去除（溶解）與不作用化（氧化）技 26術本質上即不存在先天不相容之情形。 27原告以系爭專利說明書表一宣稱系爭專利效果明顯優於先 451前技術（即被證3）云云，惟表一中無論係系爭專利之實 2施例1至4或比較例1（即被證3），皆有對基材金屬鎳 3、鉻施以KMnO4＋KOH（高錳酸鉀＋氫氧化鉀），足證 4系爭專利之實施例與比較例1均將未能去除的鉻作成氧化 5鉻而不作用化，從而皆已對應於系爭專利請求項3之結構 6特徵，是原告所稱系爭專利效果優於先前技術，顯非因系 7爭專利請求項3之技術特徵所致。又由於印刷配線基板製 8程繁複，被證3雖具有與系爭專利相同之技術特徵，然尚 9有諸多細部製程設計未盡相同，縱其具體實施結果（HHB 10T）出現歧異，亦屬正常，惟此無改於系爭專利藉氧化劑 11抑制基材金屬離子遷移以降低短路發生之技術特徵，已為 12被證3所揭露之事實。 13被證12足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 14被證12係一種配線基板，與系爭專利請求項3均為一種 15印刷配線基板結構。被證12圖23揭示絕緣基板1，其上 16設有第一導體204，第一導體上設有第二導體203，分別 17可對應於系爭專利請求項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導 18電性金屬層；又被證12第【0006】段記載「在聚醯亞胺 19等絕緣基板1的表面上，形成作為基底的第一導體204的 20薄膜。此時，在第一導體204，主要是鎳銅合金或鎳鉻合 21金的鎳合金，經由濺鍍形成5nm至20nm厚度」、第【00 2209】段記載「在第一導體（鎳合金）204上未被電鍍resist 235覆蓋的部分形成第二導體203。第二導體203主要由第 24一導體（鎳合金）204作為陰極，經由電解鍍銅形成的」 25，揭示一種印刷配線板，係至少在以聚醯亞胺形成之絕緣 26薄膜一側上，形成以鎳鉻合金所組成之第一導體，再於第 27一導體上電解形成由銅組成之第二導體，已揭露系爭專利 461請求項3「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜及 2至少於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖案係由 3形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬層 4表面之導電性金屬層所形成」之技術特徵。 5由被證12圖23及第【0026】段記載「前述使用過去加成 6法配線基板的製造方法，以蝕刻處理去除第一導體204不 7需要的204A部分時，不能進行充分的蝕刻，存在如下問 8題：如圖23(a)所示，蝕刻殘餘物204A'容易發生在第二導 9體（電解銅鍍層）203的外部區域…如圖23(b)所示，相 10鄰的導體線路（第二導體203）由於第一導體204的蝕刻 11殘餘204A'而出現短路，形成不良品等問題」、第【0027 12】段記載「特別是，使用如鎳銅合金或鎳鉻合金等鎳合金 13，作為第一導體204時，使用氯化鐵溶液或氯化銅溶液作 14為蝕刻溶液進行蝕刻處理時，由於第一導體（鎳合金）20 154的蝕刻速度比第二導體（電解銅鍍層）203慢，因此如 16圖23(a)和23(b)所示，更容易產生第一導體蝕刻殘餘204 17A之問題」，已揭示使用氯化鐵或氯化銅等蝕刻溶液時， 18由於第一導體204的蝕刻速度較第二導體203的蝕刻速度 19緩慢，形成被證12配線基板的第一導體204產生蝕刻殘 20餘部204A'，亦揭露系爭專利請求項3「構成該配線圖案 21的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電 22性金屬層突出者」之技術特徵。 23被證12請求項2「如請求項1之配線基板之製造方法， 24係以鉻作為前述的第一導體以形成薄膜，銅做為前述的第 25二導體，以形成配線圖案為其特徵」、請求項3「如請求 26項2之配線基板之製造方法，係使用前述的銅，形成配線 27圖案之後，使用高錳酸鉀溶液蝕刻處理前述的鉻薄膜為其 471特徵」，及第【0036】、【0037】、【0038】段分別記載 2：「當蝕刻處理第一導體時，由於第二導體幾乎不被蝕刻 3，因此即使導體線路微細化、高密度化，而且第一導體的 4蝕刻速率下降，可以在幾乎不蝕刻第二導體的情況下執行 5第一導體的蝕刻，以減少第一導體的蝕刻殘留」、「此外 6，藉由減少第一導體的蝕刻殘留，可以減少由於配線基板 7的蝕刻殘留引起的短路缺陷，進而提高配線基板的良率、 8降低配線基板的製造成本」、「在的方法中，第一導體 9和第二導體的搭配組合以傾向選用鉻作為第一導體，並且 10使用銅作為第二導體。此時，例如可使用高錳酸鉀水溶液 11作為用於溶解鉻的蝕刻溶液。由於用作第二導體的銅相對 12於高錳酸鉀水溶液的不溶（難溶），所以第二導體（銅） 13幾乎不被蝕刻」，已揭露利用高錳酸鉀水溶液處理第一導 14體突出之蝕刻殘餘部，可達減少短路缺陷、提高線路基板 15良率之功效。 16被證12已教示利用高錳酸鉀水溶液處理第一導體鉻薄膜 17，因被證12及系爭專利均係針對相同結構之鉻或鉻合金 18使用相同之處理液即高錳酸鉀水溶液，而所屬技術領域中 19具有通常知識者均可瞭解高錳酸鉀水溶液係氧化劑之下位 20概念，利用相同之水溶液（高錳酸鉀）處理相同之金屬結 21構（鉻或鉻合金），其結果在化學反應上具有重複性及再 22現性，是所屬技術領域中具有通常知識者為解決系爭專利 23說明書第7頁第17行所述「短時間內發生鄰接配線圖案 24間因遷移引起短路」之問題時，依據被證12圖23所揭示 25絕緣基板1、第一導體204、第二導體203之結構與元件 26位置關係，將被證12教示之高錳酸鉀水溶液處理由鉻形 27成之第一導體，並無困難，故被證12足以證明系爭專利 481請求項3不具進步性。 2被證14足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 3被證14係一種半導體裝置用配線基板，與系爭專利均為 4配線基板技術領域。被證14圖1(a)揭示聚醯亞胺樹脂膜 51，其上設有鎳濺鍍層2，鎳濺鍍層2上設有銅箔3，分別 6可對應於系爭專利請求項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導 7電性金屬層，其印刷配線基板之結構相同，又被證14第 8【0004】段記載「最近也考慮封裝技術的高密度、微細間 9距化、輕量化的觀點，開發在聚醯亞胺樹脂膜1上施加鎳 10濺鍍層2後，再以電解法形成銅箔3的材料」，已揭露系 11爭專利請求項3「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣 12薄膜及至少於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖 13案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材 14金屬層表面之導電性金屬層所形成」之技術特徵。 15由被證14圖1(a)及第【0025】段記載「於圖1，首先對藉 16由鎳濺鍍層2設置在聚醯亞胺樹脂膜1上之銅箔3，以蝕 17刻方式藉此產生圖案，形成包含銅線路8的佈線圖案（圖 181(a)）。此時，在線路側面之8a，進行銅蝕刻時，由於銅 19被咬蝕，殘留有銅線路8下方之鎳濺鍍層2的一部分作為 20突出部2a」，揭示蝕刻銅層時，會使鎳濺鍍層殘留而突 21出於銅層，已揭露系爭專利請求項3「構成該配線圖案的 22基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性 23金屬層突出者」之技術特徵。 24被證14第【0028】段記載「前處理劑是由皮膜溶解劑、 25氧化劑…中的一種以上組合而成」、第【0029】段記載「 26如此作為鍍錫的前處理，在線路側面8a一旦將突出銅線 27路8下方的鎳濺鍍層2去除，以無電解電鍍進行鍍錫時， 491即可防止線路側面的鎳濺鍍層與銅的界面產生過度鍍錫」 2，已教示利用氧化劑處理殘留突出之鎳濺鍍層，可防止線 3路出現過度鍍錫或異常沉澱，致與相鄰線路接觸而產生短 4路之情形，而依被證14圖5的SEM照片可知，「過度鍍 5錫或錫的異常沉澱」係指系爭專利所欲避免之晶鬚缺點。 6是所屬技術領域中具有通常知識者為解決系爭專利說明書 7第7頁第13行所述「使用如上述之2層構成之積層體來 8形成配線圖案，顯示有時於比較短時間內會損及配線圖案 9間之絕緣性」之問題時，依被證14所揭示聚醯亞胺樹脂 10膜1、鎳濺鍍層2、銅箔3之結構與元件位置關係，可輕 11易思及利用被證14教示之氧化劑處理鎳濺鍍層2，並無 12困難，此與系爭專利請求項3藉處理液氧化基材金屬層之 13技術手段相同，且可達防止錫的異常沉澱（晶鬚）之效果 14，故被證14足以證明系爭專利請求項3不具進步性。 15被證3、12、被證3、13、被證3、14之組合均足以證明系 16爭專利請求項3不具進步性： 17系爭專利請求項3之所有技術特徵已為被證3、12揭露， 18業如前述，又被證3係印刷配線基板，被證12為配線基 19板，二者屬相同之技術領域，其結構亦相同，由被證3第 20【0009】、【0011】段之記載，已教示習知配線基板，蝕 21刻後表面因離子遷移致生絕緣信賴性不佳之問題，並揭示 22使用至少高錳酸鉀、重鉻酸鉀、過氧化氫中其中一種作為 23氧化劑，氧化處理蝕刻表面，藉此可達到第【0037】段所 24載「…抑制離子遷移，以製造出即使是細線路也具有極佳 25絕緣信賴性（可靠性）的金屬噴鍍的銅聚醯亞胺線路板」 26之功能（即相當於系爭專利說明書第7頁第22行所欲達 27成「抑制離子遷離，具極佳絕緣信賴性基板」之功效）， 501由上述被證3之教示或建議，已促使所屬技術領域中具有 2通常知識者有強烈動機將被證12蝕刻殘留之第一導體即 3鉻薄膜突出部，利用被證3教示以氧化劑抑制殘留金屬離 4子的遷移，提升基板之絕緣信賴性。是系爭專利請求項3 5僅為被證3、12之簡單結合，為印刷配線基板領域中具有 6通常知識者所能輕易完成者，且未產生無法預期之功效， 7故被證3、12之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步 8性。 9被證13係一種半導體裝置用配線基板，與系爭專利均為 10配線基板技術領域，依被證13圖4及第【0005】段記載 11「…已開發有在聚醯亞胺樹脂薄膜1上施加鎳濺鍍層2後 12，以電解法形成有銅箔3的材料，可達成Tape材料的薄 13型化」，揭示一種配線基板，其結構包含由形成於聚醯亞 14胺樹脂薄膜1一側表面上的鎳濺鍍層2，及電解法形成的 15銅箔3所組成，分別可對應於系爭專利請求項3之絕緣薄 16膜、基材金屬層、導電性金屬層，已揭露系爭專利請求項 173「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜及至少於 18該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖案係由形成在 19絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之 20導電性金屬層所形成」之技術特徵。 21由被證13圖4所示構成導體圖樣之鎳濺鍍層2在寬度方 22向上比銅箔3突出，及第【0006】段記載「於此兩層TA 23BTape形成銅箔之導體圖案的情況下，一般而言係在該銅 24箔上形成光阻光罩（resistmask）後，同時蝕刻銅箔及鎳 25濺鍍層。因蝕刻係從銅箔開始溶解，故位於銅箔下方之鎳 26濺鍍層必然會延遲開始蝕刻。此蝕刻延遲導致如圖5（按 27：應為圖4）所示，鎳濺鍍層為從由銅箔形成之導體圖案 511的側面突出的狀態」，已揭露系爭專利請求項3「構成該 2配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖 3案之導電性金屬層突出者」之技術特徵。 4系爭專利請求項3之所有技術特徵已為被證3、13揭露， 5業如前述，又被證3係印刷配線基板，被證13則為半導 6體裝置用配線基板，具有技術領域之關聯性，且其結構相 7同，被證3已教示習知配線基板，蝕刻後表面因離子遷移 8致生絕緣信賴性不佳之問題，並揭示使用高錳酸鉀、重鉻 9酸鉀、過氧化氫中其中一種作為氧化劑，氧化處理蝕刻表 10面，藉此可達到抑制離子遷移之功能，俱見前述，由被證 113之教示或建議，已促使所屬技術領域中具有通常知識者 12有強烈動機將被證3建議之氧化劑抑制殘留金屬離子的遷 13移以提升基板之絕緣信賴性之教示運用於被證13，完成 14與系爭專利請求項3相同之構造，且系爭專利請求項3之 15基板構造未有任何不可預期之效果，故被證3、13之組合 16足以證明系爭專利請求項3不具進步性。 17系爭專利請求項3之所有技術特徵已為被證3、被證14 18所揭露，業如前述，又被證3係印刷配線基板，依被證1 194第【0001】段所載亦應用於印刷配線基板，二者具有技 20術領域之關聯性，且其結構相同，被證3已教示利用氧化 21劑處理習知配線基板，氧化處理蝕刻表面，藉此可達抑制 22離子遷移之功能，亦見前述，而被證14亦教示藉氧化劑 23處理殘留突出之鎳濺鍍層，可防止線路側面出現過度鍍錫 24或異常沉澱，致與相鄰線路接觸而產生短路，藉此可達被 25證14第【0042】段所載「防止在鍍錫時線路側面出現異 26常的沉澱（即系爭專利所稱晶鬚）」之功能，是所屬技術 27領域中具有通常知識者為解決系爭專利說明書第7頁第1 5212行所述「使用2層構成之積層體來形成配線圖案，有時 2於比較短時間內會損及配線圖案間之絕緣性」之問題時， 3依據被證3、14所揭示之元件設置位置關係，在此一基板 4表面施以氧化劑進行氧化處理，以完成系爭專利請求項3 5之發明並無困難，且系爭專利請求項3未產生無法預期之 6功效，故被證3、14之組合足以證明系爭專利請求項3不 7具進步性。 8被證12、15、被證13、15、被證14、15之組合均足以證明 9系爭專利請求項3不具進步性： 10被證15係一種配線基板，其說明書第3欄第2至11行記 11載「圖1(a)顯示其上形成有鈀吸附層1的基板10，作為構 12成基板10的絕緣材料，不僅可以使用諸如環氧樹脂，酚 13醛樹脂，聚醯亞胺和聚酯之類的熱固性樹脂」、第3欄第 1422至23行記載「如圖1(b)所示，藉由化學鍍方式，在鈀 15吸附層1上形成鍍銅導體層2」，可見被證15之基板10 16、鈀吸附層1、鍍銅導體層2分別可對應於系爭專利請求 17項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導電性金屬層，已揭露系 18爭專利請求項3「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣 19薄膜及至少於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖 20案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材 21金屬層表面之導電性金屬層所形成」之技術特徵。 22被證15係一種配線基板，與系爭專利為相同技術領域， 23且被證15之配線基板與被證12之線路基板二者結構相同 24，又由被證15第2欄第1至11行記載「根據本發明，可 25以通過在蝕刻之後對基板表面進行氧化處理來避免該問題 26。…這又使得基板表面上的吸附層中所含的如鈀之類的催 27化金屬與吸附層一起被去除。其結果防止了在隨後的金屬 531塗覆作業中，因金屬生成在不希望的地方而導致短路的產 2生」、第3欄第44至52行記載「部分鈀1a無法透過蝕 3刻作業去除，並且仍會吸附在基板10的樹脂上。根據本 4發明，在蝕刻之後，該基板的表面將如第1(d)圖所示，進 5行氧化處理。氧化處理包括高錳酸鹽處理、電漿處理、臭 6氧處理等」，已教示利用高錳酸鹽對蝕刻後無法完全去除 7之殘存金屬進行氧化處理，藉此可達防止短路發生之功能 8，是所屬技術領域中具有通常知識者在面臨如何解決未被 9蝕刻完全而殘存之金屬所引發的短路問題，自有動機參考 10、組合被證15所揭示之技術內容並將之運用於被證12， 11氧化處理殘存之第一導體，進而輕易完成系爭專利請求項 123之發明，且系爭專利請求項3並未有何無法預期之功效 13，故被證12、被證15之組合足以證明系爭專利請求項3 14不具進步性。 15系爭專利請求項3與被證12、被證15關於「藉高錳酸鉀 16等氧化劑處理蝕刻殘餘之金屬」之技術內容實質相同，由 17系爭專利說明書第13頁第7至9行、第17頁第18至21 18行之記載，可知系爭專利請求項3係藉由可溶解及可不作 19用化之溶液處理殘存之基材金屬表面，其實施例指出該可 20溶解及可不作用化之溶液可為高錳酸鉀水溶液，此已為被 21證12請求項3、被證15第3欄第47至52行之記載所揭 22示；又由被證12請求項2、被證15第3欄第2行所載， 23可知被證12、被證15均係利用高錳酸鉀等高錳酸鹽溶液 24氧化處理形成於絕緣基板及銅層間之金屬層（例如鉻或鈀 25）的殘存金屬，相當於系爭專利請求項3之基材金屬，既 26系爭專利請求項3與被證12、被證15均係利用相同之高 27錳酸鉀／鹽溶液處理相同結構之殘存金屬，自應具有與系 541爭專利請求項3所稱「基材金屬層所成之配線圖案之表面 2至少一部分鈍化」實質相同之功能、作用與結構，而難認 3系爭專利請求項3有無法預期之功效。 4被證13、15與系爭專利屬相同技術領域，且被證15之電 5路板與被證13之半導體裝置用配線基板二者結構相同， 6欲解決之問題相關聯，該所屬領域具有通常知識者由被證 713、15之上開教示，應可輕易完成系爭專利請求項3之 8發明，故被證13、15之組合足以證明系爭專利請求項3 9不具進步性。 10被證15之配線基板與被證14之半導體裝置用配線基板二 11者構件相同，欲解決之問題相關聯，既被證14具上開構 12件，且因蝕刻後產生銅線路下方之鎳濺鍍層殘留形成突出 13部，形成鎳濺鍍層之寬度方向比銅層向外突出，產生異常 14沉澱之晶鬚現象，導致與相鄰線路間產生短路問題，則基 15於被證15教示針對未能透過蝕刻去除之殘餘金屬可藉氧 16化處理以防止短路，可知所屬技術領域中具有通常知識者 17在面臨如何解決未被完全蝕刻而殘存之金屬所引發的短路 18問題，自有動機參考、組合被證15所揭示之技術內容並 19將之運用於被證14，進而輕易完成系爭專利請求項3之 20發明，且系爭專利請求項3之基板構造未有任何不可預期 21之效果，故被證14、15之組合足以證明系爭專利請求項 223不具進步性。 23三、本件不爭執事項（本院卷第345頁至第347頁）： 24原告係發明第I397963號「印刷配線基板、其製造方法及電路 25裝置」專利（即系爭專利）之專利權人，專利期間自102年6 26月1日起至113年12月5日止。 27被告公司現任總經理即被告○○○自92年7月28日起至102 551年6月25日止，曾任職於原告合併前之欣寶公司。 2四、本件爭點如下（本院卷第347頁至第349頁、本院卷第4 38頁、第149頁、本院卷第368頁至第388頁、第477頁至 4第493頁）： 5系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形 6成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部份予以鈍化」 7之技術特徵，關於「鈍化」如何解釋？ 8公證書（指107年度雄院民公媛字第00230號公證書）所保全 9證據之產品（即系爭產品1、2）是否為被告公司所生產？ 10系爭產品1至5（即本件送請鑑定之編號1至5產品）是否侵 11害系爭專利請求項3？ 12系爭專利請求項3是否有應撤銷之事由： 13系爭專利請求項3記載之「其中自該配線圖案之寬度方向突 14出而形成基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部分予以 15鈍化」，其中「配線圖案之表面至少一部份」技術特徵是否 16有不明確之情形，而違反專利法第26條第2項規定？ 17被證1、2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進 18步性？ 19被證12是否足以證明系爭專利請求項3不具進步性？ 20被證14是否足以證明系爭專利請求項3不具進步性？ 21被證3、12之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進步 22性？ 23被證3、13之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進步 24性？ 25被證3、14之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進步 26性？ 27被證12、15之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進 561步性？ 2被證13、15之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進 3步性？ 4被證14、15之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進 5步性？ 6如果系爭產品1至5侵害系爭專利請求項3，且系爭專利請求 7項3不具應撤銷之事由，被告公司、○○○是否有侵權之故 8意或過失？原告依專利法第97條請求被告等連帶負損害賠償 9責任是否有理由？其賠償金額為何？ 10五、得心證之理由 11系爭專利技術分析： 12系爭專利所欲解決的問題： 13依系爭專利說明書第【0011】至【0012】段所載，習知使用 142層構成之積層體來形成配線圖案，顯示有時於比較短時間 15內會損及配線圖案間之絕緣性。對此現象進行檢討，則使用 162層構成之積層體所形成之配線圖案，由直接配置在絕緣薄 17膜表面的第1金屬層（晶種層）及形成在該第1金屬層上的 18銅層構成，由於銅層與在該下部之第1金屬層變得容易發生 19遷移，而成為於短時間內發生鄰接配線圖案間因遷移引起之 20短路問題之原因（本院卷第32頁）。 21系爭專利之技術手段： 22依系爭專利說明書第【0013】至【0020】段所載，本發明之 23目的係提供不易發生因此遷移產生之短路、於長時間內電氣 24可以維持穩定狀態的印刷配線基板之製造方法。又本發明之 25目的係提供依上述方法所製造之具有特定構造同時不會因遷 26移發生短路的印刷配線基板。本發明之印刷配線基板之製造 27方法，係具有於絕緣薄膜表面析出基材金屬而形成基材金屬 571層，使經由在該基材金屬層表面析出銅等之導電金屬之製程 2所形成之表面金屬層（基材金屬層與導電性金屬層之積層體 3）藉由蝕刻法選擇性地去除而形成配線圖案之製程，該方法 4特徵在於：將該表面金屬層藉蝕刻法選擇性去除而形成配線 5圖案後，使形成該基材金屬層的金屬用可溶解及/或可不作 6用態化的處理液處理。亦即，本發明之印刷配線基板之製造 7方法，係包含至少在絕緣薄膜之一側表面析出基材金屬而形 8成基材金屬層，使經過在該基材金屬層表面析出銅或銅合金 9而形成導電金屬層之製程所形成之基材薄膜之金屬層藉由蝕 10刻法選擇性去除而形成配線圖案之製程之印刷配線基板之製 11造方法，其特徵為將該基材薄膜之金屬層藉蝕刻法選擇性去 12除而形成配線圖案後，使形成該基材金屬層的金屬用可溶解 13及/或可不作用態化的處理液處理。例如依上述製造方法可 14獲得之本發明之印刷配線基板係由絕緣薄膜及形成在該絕緣 15薄膜表面之配線圖案所形成，該配線圖案係由析出之基材金 16屬層與在該基材金屬層表面析出之銅層等導電性金屬層所形 17成，該配線圖案寬度方向剖面之基材金屬層上端部，形成為 18從在該基材金屬層表面析出之導電性金屬層下端部之寬度方 19向突出為特徵者。亦即，本發明之印刷配線基板之特徵為具 20有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案， 21該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在 22該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構成該配線圖案 23的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性 24金屬層突出者。再者，本發明之印刷配線基板具有大致與掩 25模圖案相同的型態，配線圖案及絕緣薄膜較好藉由導電性金 26屬層所形成之配線圖案下端部與該配線圖案周圍自導電性金 27屬突出寬方向形成的基材金屬層予以接合者。再者，於形成 581配線圖案的絕緣薄膜表面殘存有基材金屬層時，該基材金屬 2之露出面較好為不作用化態。藉由使該配線基板周圍之基材 3金屬不作用態化，因此不會從該基材金屬層表面所形成之電 4鍍層發生晶鬚（本院卷第32頁至第33頁）。 5系爭專利主要圖式： 6第1、2圖為表示製造本發明之印刷配線基板製程之基板剖 7面圖、第3、4圖為選擇性蝕刻銅層形成所需配線圖案之際 8之圖、第5、6圖為去除基材金屬層後，予以微蝕刻時之配 9線圖案剖面圖（如附圖1所示）。 10系爭專利申請專利範圍： 11系爭專利之申請專利範圍共計8項，其中請求項1、3、8為 12獨立項，其餘為附屬項，本件原告主張受侵害者為請求項3 13，其內容為：「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜 14及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖案 15係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬 16層表面之導電性金屬層所形成，構成該配線圖案的基材金屬 17層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出 18者，其中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層 19所成之配線圖案之表面至少一部份予以鈍化」。 20系爭產品技術分析： 21系爭產品1至5分別為被告公司所製造型號「HX8157-RCY65 22」（原證4）、「RM91135FW-0EMA0」（原證5）、「RM69 23330F62-B022A0」（原證17）、「RM927A5FC-627A5」（原 24證17）、「HX8157-RCY65-ANE」（原證17）之捲帶式封裝 25載板，係一種在絕緣薄膜之表面形成配線結構之印刷電路板，26其實物照片如附圖2所示。 27有效性證據技術分析： 591被證1為美國第US6045713號「MethodofManufacturingA 22-layeredFlexiblesubstrate」專利，其公開日係西元2000年 34月4日，早於系爭專利優先權日（即2003年12月5日） 4，得作為系爭專利之先前技術。被證1為一種印刷電路基板 5的製造方法，包括通過乾鍍法在絕緣膜上沉積下面的金屬層 6A，該金屬層包括選自鎳的至少一種材料，鎳-銅合金，鉻和 7氧化鉻，再通過乾鍍法在所述下層金屬層A上沉積由銅組 8成的另一個下層金屬層B；在所述另外的下層金屬B上沉積 9初級電鍍銅層以形成基板（本院卷第108頁、第109頁、 10第125頁至第134頁）。 11被證2為新藤電工業株式會社公開發表於Electronics實裝技 12術月刊之「TAB材料之現狀與未來」，其公開日係2003年 132月，早於系爭專利優先權日（即2003年12月5日），得 14作為系爭專利之先前技術。被證2揭示印刷配線基板之演進 15過程，從過去由絕緣薄膜、黏合劑及銅箔組成之三層結構， 16進入以塗佈法或濺鍍法製造出聚醯亞胺覆銅層基板之兩層結 17構；並揭示構成基板之種子層（即基材金屬層）易發生鎳鉻 18無法完全去除之問題，而鎳鉻等殘存金屬將好發電子游離反 19應，應以去除劑對基材金屬層作適當之處理（本院卷第1 2009頁、第135頁至第138頁）。被證2之圖1、圖6，如附 21圖3所示。 22被證3為日本特開第0000-000000號「配線基板 23製造方法」專利，其公開日係2003年7月4日，早於系爭 24專利優先權日（即2003年12月5日），得作為系爭專利之 25先前技術。被證3為一種使印刷電路基板COF捲帶具有足 26夠絕緣可靠性的製造方法，在以乾膜形成方法在聚醯亞胺樹 27脂膜之一側或兩側上形成Ni（鎳）、Cu、MO、Ta、Ti、V 601、Cr（鉻）、Fe、Co及其合金的第一金屬層，以及其上使 2用電氣電鍍或無電解電鍍形成具導電性之第二導電層的金屬 3塗覆聚醯亞胺膠膜，根據蝕刻法形成圖形的印刷配線基板的 4製造方法，其特徵為在蝕刻後至少選用含有高錳酸鉀、過氧 5化氫、重鉻酸鉀之一的氧化劑沖洗，處理蝕刻表面殘留的金 6屬離子，抑制離子遷移，使基板具足夠絕緣可靠性（本院卷 7第109頁、第139頁至第143頁）。 8被證12為日本特開第0000-00000號「配線基板製造方法 9及配線基板」專利，其公開日係2003年2月7日，早於 10系爭專利優先權日（即2003年12月5日），得作為系爭專 11利之先前技術。被證12係由形成在絕緣基板表面之第一導 12體鉻合金與形成在第一導體表面之第二導體銅所構成之線路 13基板，針對未蝕刻完全而殘留之第一導體鉻合金，使用高錳 14酸鉀水溶液，藉此減少由線路基板的蝕刻殘留物引起之短路 15缺陷問題，提高線路基板之良率（本院卷第369頁、第3 1693頁至第407頁）。被證12之圖23，如附圖4所示。 17被證13為日本特開第0000-000000號「半導体裝置用ㄧ 18」專利，其公開日係2002年7月19日，早於系 19爭專利優先權日（即2003年12月5日），得作為系爭專利 20之先前技術。被證13為一種半導體設備用之配線基板（Tap 21eCarrier），其結構為透過鎳濺鍍層在聚醯亞胺樹脂膜施加 22銅箔的導體圖案上，形成鍍銅層，並在該鍍銅層的上層形成 23無電解鍍錫層，防止線路側面之鎳濺鍍層殘留，並得以抑制 24的異常沉澱（即晶鬚），提供具高信賴度的半導體設備用配 25線基板（本院卷第369頁、第413頁至第416頁）。被證 2613之圖4，如附圖5所示。 27被證14為日本特開第0000-000000號「半導体裝置用ㄧ 611及製造方法」專利，其公開日係2002年 210月4日，早於系爭專利優先權日（即2003年12月5日 3），得作為系爭專利之先前技術。被證14為一種半導體設 4備配線基板，藉由鎳濺鍍層設置在聚醯亞胺樹脂膜的銅箔圖 5案化，形成包含銅線路的佈線圖案，以鍍前處理劑去除突出 6於銅線路下方的鎳濺鍍層，藉此防止施加無電解鍍錫時，線 7路側面的錫過度沉澱（即晶鬚），取得具高信賴的半導體設 8備用配線基板。前處理劑任選皮膜溶解劑、氧化劑、穩定劑 9、腐蝕抑制劑、界面活性劑、添加劑、錯合劑、胺基化合物 10中的一種以上組合而成（本院卷第369頁至第370頁、第 11419頁至第425頁）。被證14之圖1，如附圖6所示。 12被證15為美國第US5998739號「STEPPEDCONFIGURED 13CIRCUITBOARD」專利，其公開日係1999年12月7日， 14早於系爭專利優先權日（即2003年12月5日），得作為系 15爭專利之先前技術。被證15為一種階梯式配線基板，具有 16絕緣材料基板及形成於該基板一側吸收第二金屬元素（例如 17：鈀）之吸附層及導體層（例如：銅），透過在蝕刻之後對 18基板表面進行氧化處理，避免不必要之金屬殘留導致短路的 19產生（本院卷第370頁、第429頁至第433頁）。被證1 205之圖1a至圖1e，如附圖7所示。 21侵權部分： 22系爭專利請求項3中「鈍化」一詞之解釋： 23按「發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請 24專利範圍時，並得審酌說明書及圖式」，專利法第58條 25第4項定有明文。是申請專利範圍解釋上仍應以專利申請 26範圍所載之內容為準，且原則上於文義有疑義時，必要時 27得審酌說明書及圖式。 621所謂鈍化（passivation）係指電化學腐蝕中在金屬的表面 2形成一層薄膜，主要為薄層金屬氧化物，被當作一保護層 3去保護表層下的金屬而不被進一步的電化學反應，如腐蝕 4、電滲析或溶化分解，有原告提出○○○著2005年1月 51日出版「電化學科技辭典」第274頁在卷可參（本院卷 6第455頁），故欲達成鈍化之效果需於結構表面形成一 7金屬氧化膜之結構，使金屬和腐蝕環境隔絕，阻止腐蝕的 8進行，非謂金屬表面存在氧即可形成若干氧化保護膜而達 9成鈍化現象；復參酌系爭專利說明書第【0053】段記載「 10…再將在絕緣薄膜表面上形成之形成基材金屬層之金屬藉 11由可溶解及/或使不作用化之蝕刻液處理，由而可去除存 12在於線間之形成基材金屬層的全部金屬之製程；與微量殘 13留於線間之形成基材金屬層之金屬以及導電性金屬層周圍 14以輪廓狀突出之基材金屬表面予以氧化，用由該等氧化皮 15膜所被覆之金屬基材表面，在高溫高濕環境中或在酸等溶 16液中使其不會離子化之不作用化製程所構成，藉由該等處 17理，不易顯著地發生遷移…」（本院卷第36頁）、第 18【0062】、【0070】、【0080】、【0088】段記載「使用 19濃度40克/升之高錳酸鉀＋20克/升KOH蝕刻液，以40 20℃×1分鐘將Ni-Cr合金突起部26予以不作用化，再將僅 21殘存於線間之鉻儘量溶出同時將未能去除的鉻作成氧化鉻 22而不作用化」（本院卷第36頁、第37頁），可知基材 23金屬層之金屬藉由可溶解及/或使不作用化之蝕刻液（如 24高錳酸鉀＋KOH蝕刻液）處理，使其表面形成氧化薄膜 25，保護氧化薄膜下的金屬層，在高溫高濕環境或在酸液中 26不會離子化，可有效防止遷移。承上所述，系爭專利請求 27項3之「鈍化」一詞應解釋為藉氧化作用而使配線圖案中 631突出於導電金屬層之基材金屬層表面的至少一部份形成氧 2化薄膜而成為不作用態。 3原告主張鈍化即氧化、氧化即不作用化云云，惟「鈍化」 4係指電化學腐蝕中在金屬的表面形成一層金屬氧化物薄層 5，以保護表層下的金屬而不被進一步的腐蝕、電滲析或溶 6化分解，誠如前述，故如測到氧，尚不能代表鈍化，需視 7其是否形成氧化膜並足以保護層下的金屬不遭腐蝕，是原 8告之主張尚不可採。 9本件判決關於使用鑑定報告之說明： 10系爭產品1-5經本院送請閎康公司鑑定，經閎康公司於10 118年11月15日函覆鑑定結果，有材料分析報告在卷可稽 12（下稱分析報告），惟因原告主張分析報告之內容尚 13未完備復聲請本院送請補充鑑定，經本院再次函請閎康公 14司就不足部分補充說明及鑑定，經閎康公司於109年3月 1516日函覆鑑定結果，有材料分析報告（下稱分析報告 16）附卷可按，本院爰以接近完備之分析報告作為下列論 17述系爭產品1-5是否侵害系爭專利請求項3之依據，先予 18敘明。 19分析報告利用TEM/EDX進行各系爭產品分析之垂直掃 20描線EDX-01至EDX-05有2種表示法，分別以At%及Co 21unts繪製，因At%僅列出O、Cr、Ni、Cu、Sn等特定元 22素，未提供全元素比較，致特定元素（如氧）會因排除其 23他元素造成占比提高而失真，且原告亦僅以Counts主張 24侵權，故本院以分析報告之Counts圖作侵權分析比對 25，不採用At%圖，再予敘明。 26被告等辯稱分析報告編號1、3產品之EDX-01分析位 27置觸及拒焊層，足影響基材金屬材表面氧元素分析之正確 641性，不應採為裁判基礎云云。惟本院函送鑑定時係指示「 2…目標區之垂直線掃描應跨越至基材金屬層上方之拒焊 3層或錫層，並跨越至基材金屬層下方之絕緣薄膜」（本院 4卷第371頁），故垂直線掃描之上方可接觸拒焊層。被 5告等又稱本院指示「…針對目標區外側之垂直線掃描應儘 6可能靠近基材金屬層外側端點，『但不能接觸到拒焊層』 7」等語，惟查，本院送鑑定時關於分析機關注意事項載明 8「…垂直掃描包含目標區之垂直掃描應進行至少4條； 9分別針對目標區外側之垂直掃描應儘可能靠近基材金屬層 10外側端點，但不能接觸到拒焊層（如圖1標示1），…」 11（本院卷第371頁），是本院係指示左側（即外側）之 12垂直線掃描不得接觸拒焊層，故分析報告有關編號1、 133產品之EDX-01分析仍得作為裁判基礎。 14被告等爭執原告所提出之系爭產品1、2無法確認係被告公 15司之產品，且系爭產品1、2品質保證期間為「自電鍍日起 16算6個月」(被證6、7)，而自被告送交至原告，至少已逾1 170個月，易受外界環境影響而變質云云。經查： 18原告於本院107年度民聲字第42號保全證據事件，依本 19院指示提出第三人奇景公司、瑞鼎公司向被告公司訂購並 20直接送到原告公司封裝及檢測之系爭產品1、2，有107 21年度雄院民公媛字第00230號公證書附卷可稽（本院107 22年度民聲字第42號保全證據卷─下稱民聲卷，第137 23頁至第153頁），被告等亦不否認第三人奇景公司、瑞鼎 24公司向被告公司訂購系爭產品1、2之後送至原告公司進 25行封裝及檢測，是原告有正當取得系爭產品1、2之管道 26，原告因認無權擅自留置系爭產品1、2而向本院聲請保 27全證據，經本院諭知原告提出系爭產品1、2，原告乃偕 651同民間公證人○○○採證取得系爭產品1、2；復據製作 2前開公證書之民間公證人○○○證稱：這份公證書是依照 3我親身經歷的過程事實體驗所製作的公證書，當天是○○ 4○律師引導我到頎邦公司廠區。公證書型號HX8157-RCY 565捲帶式封裝載板（按係系爭產品1）之包裝外觀及JMC 6ELECTRONICSCO.,LTD.標籤標示及取出包裝內之產 7品外觀及標籤細部，就如照片所示，並非未拆封的狀態， 8我檢視它的鋁箔包上的標籤及塑膠捲軸的標籤，其型號與 9原告請求採樣的相同，我包裝及密封的部分都有特別註記 10並有拍照片，採樣是由原告之工作人員從同一個捲軸扣除 11不良品依序裁切20片載板，我在現場如實記載，並就其 12一張特寫拍照並記載型號。公證書型號「RM91135FW-OE 13M」捲帶式封裝載板（按係系爭產品2），我有核對鋁箔 14包裝上之型號，但塑膠捲軸上沒有貼標籤，故無特寫照片 15，裁切方式與系爭產品1相同，我也是就其一張作特寫拍 16照並記載型號等語（本院卷第9頁、第11頁、第13頁 17），是由原告之業務經營其得取得系爭產品1、2，但基 18於舉證之實質真正考量，其向本院聲請保全證據，經本院 19命原告提出持有之系爭產品1、2實品，原告乃會同民間 20公證人取證提出本院，衡其過程適法且有誠實舉證之作為 21，堪信其所提出之系爭產品1、2為真正。 22查系爭產品1、2之鑑定區域位置皆覆有拒焊層，由於拒 23焊層具可隔絕水氣、耐濕、耐熱之性質，可隔絕拒焊層下 24方之導電金屬層或基材金屬層受到外界環境影響，即使受 25高溫、高濕也不會產生質變，也不會影響結構，有原證1 262之專家意見書在卷可稽（本院卷第415頁至第431頁 27）；又被告等所提被證6第5.1及5.2條係指將於6個月 661之產品進行「ILB製程試作」，若確認品質無問題則可用 2於生產，而ILB(InnerLeadBonding)為內引腳焊接，係位 3於線路靠近IC側之焊接，而由分析報告第14至18頁 4之鑑定區域，可知鑑定區域係基材金屬層之突出部，不含 5內引腳焊接，故系爭產品1、2不會因電鍍後逾6個月而 6影響鑑定結論，故被告等前揭所辯尚不足採。 7系爭產品1未落入系爭專利請求項3之範圍： 8依系爭產品1之實物照片（如附圖2-1-1所示，本院卷 9第57頁，分析報告第11頁），其為一捲帶基板，其上 10有電路配線圖案，可為系爭專利請求項3「一種印刷配線 11基板，其特徵為具有」所文義讀取。又查，依系爭產品1 12之SEM及TEM斷面照片（如附圖2-1-2、2-1-3所示，分 13析報告第24頁）所示，其配線圖案係形成於絕緣薄膜 14之一側表面，可為系爭專利請求項3「絕緣薄膜及至少形 15成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案」所文義讀取。再查 16，由系爭產品1之TEM斷面分析（如附圖2-1-3所示， 17分析報告第24頁），可知其配線圖案係由基材金屬層 18與導電性金屬層所形成，導電性金屬層形成於基材金屬層 19上，而基材金屬層形成在絕緣薄膜表面，且基材金屬層在 20寬度方向上突出於導電性金屬層，可為系爭專利請求項3 21「該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形 22成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構成該配 23線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案 24之導電性金屬層突出者」所文義讀取。 25參酌分析報告第25、26頁（如附圖2-1-4所示）及第1 2669頁所示，系爭產品1之導電金屬層為銅層，基材金屬 27層為鎳鉻層，目標區（本院鑑定指示之分析區域1，本院 671卷第369頁、第370頁）顯示基材金屬層突出於導電金 2屬層，即為系爭專利請求項3之「其中自該配線圖案之寬 3度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案」所文義 4讀取。 5前開系爭產品1目標區中基材金屬層上方有拒焊層或錫層 6，下方為絕緣薄膜，鑑定目標區之垂直線掃描跨越拒焊層 7或錫層、基材金屬層及絕緣薄膜等不同介面，分析報告 8第29、31、33、35頁（如附圖2-1-4所示）是系爭產品1 9目標區4條垂直掃描線即EDX-01、EDX-02、EDX-03、E 10DX-04圖之EDXlinescan圖，並將分析結果以計數（Coun 11ts）方式呈現，因垂直掃描線跨越不同介面，實務以半高 12寬方式界定不同元素所在位置，例如系爭產品1之EDX-0 131圖垂直掃描線之計數所示，鎳鉻層所在位置約為52至7 144nm處（分析報告第29頁），而在該鎳鉻層範圍氧訊 15號在表面（52nm處）並無明顯攀升且往內遞減之趨勢； 16同理，復觀EDX-02、EDX-03、EDX-04各圖之個別垂直 17掃描線之計數所示，於鎳鉻層之氧訊號在表面亦無明顯攀 18升且往內遞減之趨勢；復查，比較EDX-01圖至EDX-04 19圖由外而內個別垂直掃描線於鎳鉻層之氧訊號並無自突出 20部外側向內側減少之變化，氧元素均呈現低伏之狀態，易 21言之，由分析報告所示，系爭產品1並無原告所主張之 22氧化現象係由外側向內側、上緣至下遞減之情形，故系爭 23產品1之突出部表面無鈍化之現象。是系爭產品1未為系 24爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形 25成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部份予以鈍 26化」所文義讀取。 27綜上，系爭產品1未落入系爭專利請求項3之文義範圍。 681原告稱分析報告EDX-01圖計數分析鎳、鉻元素波型開 2始上升處為基材金屬層表面，是判讀元素訊號應以電子束 3散射圈邊緣接觸突出部表面時表面組成訊號開始上升為準 4云云，惟查： 5EDS（能量散射光譜儀）主要是利用電子束激發原子 6，當原子的內層電子受到電子束之激發而脫離原子時， 7原子外層的電子將遷降至內層電子的空穴並釋放出兩能 8階差能量。而被釋出的能量可能以X光的形式釋出， 9或轉而激發另一外層電子使其脫離原子，利用此特徵X 10光可對待測樣品之成分組成進行定性或半定量化學成分 11分析。而特徵X光具離散能量，在EDS偵測過程中， 12會擴散為高斯峰，不同元素之特徵X光呈現於頻譜時 13可能產生重疊峰，故在EDX分析實務上，常以半高寬 14（Fullwidthathalfmaximum，FWHM）判斷方式分析高 15斯函數波型，藉以定義X光圖譜寬度及光譜解析度， 16以分離重疊之各特徵波峰，識別各元素分布，且分析儀 17器之電子束其強度為高斯分佈，越往中心強度越強，越 18靠邊緣強度越弱，實務亦常以半高寬來定義電子束直徑 19，故考量電子束能量分布及儀器解析度皆以半高寬方式 20定義，在分析元素分布時亦應由半高寬方式判定，即將 21電子束散射圈之中心及邊緣激發而得之訊號整體納入考 22量，將峰之光譜解析度定義為峰高一半處測得之峰寬， 23代表波峰化學作用的範圍大小，原告直接以元素開始上 24升處認定為是基材金屬層之起點較不客觀。 25設若以原告所稱表面組成訊號開始上升即代表電子束散 26射圈邊緣開始接觸突出部表面之論點來判讀本件分析報 27告，以系爭產品1為例，於EDX-01圖中，在Ni/Cr 691訊號開始上升前約1nm處Sn訊號亦開始上升，在Ni 2訊號開始上升後，Cu訊號亦開始上升，會解讀成Sn、 3Cu係包含在Ni/Cr層表面；又在EDX-02至EDX-04圖 4中，Ni/Cr訊號開始上升處是在Sn/Cu內，會解讀成Ni/ 5Cr在Sn/Cu內重疊幾十nm；又在EDX-05圖中，在Ni/ 6Cr訊號開始上升處為Cu層內，會解讀成Ni/Cr與Cu 7重疊幾十nm，同理，系爭產品2至5亦會得到相似結 8論，是原告前開主張顯與實際狀況不符。 9原告主張系爭產品1之鎳、鉻元素波型在45nm後開始上 10升，在45nm後確實測到氧云云。惟系爭產品1之基材金 11屬層（鎳鉻層）之範圍約為52至75nm，誠如前述，原告 12稱氧訊號約在45nm處上升，而在50nm處為波峰，並不 13在基材金屬層（鎳鉻層）之範圍，而氧訊號在52nm處已 14趨平坦，與對照區之垂直掃描線（即EDX-05圖）相比無 15明顯差異；再者，由氧訊號之藍色曲線之波形走勢與構成 16錫元素之灰色曲線波形走勢較一致，氧元素較可能相依於 17錫元素，是原告所稱並不可採，尚難認系爭產品1之基材 18金屬層表面有予以鈍化之特徵。 19系爭產品2未落入系爭專利請求項3之範圍： 20依系爭產品2之實物照片（如附圖2-2-1所示，本院卷 21第67頁，分析報告第11頁），其為一捲帶基板，其上 22有電路配線圖案，可為系爭專利請求項3「一種印刷配線 23基板，其特徵為具有」所文義讀取。又查，依系爭產品2 24之SEM及TEM斷面照片（如附圖2-2-2、2-2-3所示，分 25析報告第53頁），其配線圖案係形成於絕緣薄膜之一 26側表面，可為系爭專利請求項3「絕緣薄膜及至少形成於 27該絕緣薄膜一側表面之配線圖案」所文義讀取。再查，由 701系爭產品2之TEM斷面分析（如附圖2-2-3所示，分析 2報告第53頁），可知其配線圖案係由基材金屬層與導 3電性金屬層所形成，導電性金屬層形成於基材金屬層上， 4而基材金屬層形成在絕緣薄膜表面，且基材金屬層在寬度 5方向上突出於導電性金屬層，可為系爭專利請求項3「該 6配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在 7該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構成該配線圖 8案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導 9電性金屬層突出者」所文義讀取。 10參酌分析報告第54、55頁（如附圖2-2-4所示）及第1 1169頁所示，系爭產品2之導電金屬層為銅層，基材金屬 12層為鎳鉻層，目標區（同前所述）顯示基材金屬層突出於 13導電金屬層，即為系爭專利請求項3「自該配線圖案之寬 14度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案」所文義 15讀取。 16前開系爭產品2目標區中基材金屬層上方有拒焊層或錫層 17，下方為絕緣薄膜，鑑定目標區之垂直線掃描跨越拒焊層 18或錫層、基材金屬層及絕緣薄膜等不同介面，分析報告 19第58、60、62、64頁（如附圖2-2-4所示）是系爭產品2 20目標區4條垂直掃描線即EDX-01、EDX-02、EDX-03、E 21DX-04各圖之EDXlinescan圖，並將分析結果以計數（Co 22unts）方式呈現，因垂直掃描線跨越不同介面，實務以半 23高寬方式界定不同元素所在位置，例如系爭產品2之ED 24X-01圖垂直掃描線之計數所示，鎳鉻層所在位置約為38 25至57nm處（分析報告第58頁），而在該鎳鉻層範圍 26氧訊號在表面（38nm處）並無明顯攀升且往內遞減之趨 27勢；同理，復觀系爭產品2之EDX-02、EDX-03、EDX-04 711各圖之個別垂直掃描線之計數所示，於鎳鉻層之氧訊號在 2表面亦無明顯攀升且往內遞減之趨勢；繼查，比較EDX-0 31圖至EDX-04圖由外而內個別垂直掃描線於鎳鉻層之氧 4訊號並無自突出部外側向內側減少之變化，氧元素均呈現 5低伏之狀態，易言之，由分析報告所示，系爭產品2並 6無原告所主張之氧化現象係由外側向內側、上緣至下遞減 7之情形，故系爭產品2之突出部表面無鈍化之現象，是系 8爭產品2未為系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬 9度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至 10少一部份予以鈍化」所文義讀取。 11綜上，系爭產品2未落入系爭專利請求項3之文義範圍。 12原告主張系爭產品2之鎳、鉻元素波型在30nm後開始上 13升，在30nm後確實測到氧云云。惟系爭產品2之基材金 14屬層之範圍約為38至57nm，已如前述，原告所稱氧訊號 15在30nm處，所指之處並不在基材金屬層（鎳鉻層）之範 16圍，且氧訊號在30nm至57nm處呈低伏平坦，與對照區 17之垂直掃描線（即EDX-05圖）相比無明顯差異，原告所 18稱並不可採。另原告主張計數分析鎳、鉻元素波型開始上 19升處為基材金屬層表面，本件判讀元素訊號應以電子束散 20射圈邊緣接觸突出部表面時表面組成訊號開始上升為準云 21云，其主張並不可採，理由同前，茲不復贅。 22系爭產品3未落入系爭專利請求項3之範圍： 23依系爭產品3之實物照片（如附圖2-3-1所示，本院卷 24第54頁，分析報告第12頁），其為一捲帶基板，其上 25有電路配線圖案，可為系爭專利請求項3「一種印刷配線 26基板，其特徵為具有」所文義讀取。又查，依系爭產品3 27之SEM及TEM斷面照片（如附圖2-3-2、2-3-3所示，分 721析報告第82頁），其配線圖案係形成於絕緣薄膜之一 2側表面，可為系爭專利請求項3「絕緣薄膜及至少形成於 3該絕緣薄膜一側表面之配線圖案」所文義讀取。再查，由 4系爭產品3之TEM斷面分析（如附圖2-3-3所示，分析 5報告第82頁），可知其配線圖案係由基材金屬層與導 6電性金屬層所形成，導電性金屬層形成於基材金屬層上， 7而基材金屬層形成在絕緣薄膜表面，且基材金屬層在寬度 8方向上突出於導電性金屬層，可為系爭專利請求項3「該 9配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在 10該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構成該配線圖 11案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導 12電性金屬層突出者」所文義讀取。 13參酌分析報告第83、84頁（如附圖2-3-4所示）及第1 1469頁所示，系爭產品3之導電金屬層為銅層，基材金屬 15層為鎳鉻層，目標區（如前所述）顯示基材金屬層突出於 16導電金屬層之部分，即為系爭專利請求項3「自該配線圖 17案之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案」 18所文義讀取。 19前開系爭產品3目標區中基材金屬層上方有拒焊層或錫層 20，下方為絕緣薄膜，鑑定目標區之垂直線掃描跨越拒焊層 21或錫層、基材金屬層及絕緣薄膜等不同介面，分析報告 22第87、89、91、93頁（如附圖2-3-4所示）是系爭產品3 23目標區4條垂直掃描線即EDX-01、EDX-02、EDX-03、E 24DX-04各圖之EDXlinescan圖，並將分析結果以計數（Co 25unts）方式呈現，因垂直掃描線跨越不同介面，實務以半 26高寬方式界定不同元素所在位置，例如EDX-01鎳鉻層所 27在位置為42至65nm，鎳鉻層之氧訊號在表面（42nm處 731）並無明顯攀升且往內遞減之趨勢；同理，復觀系爭產品 23之EDX-02、EDX-03、EDX-04圖之個別垂直掃描線之計 3數所示，於鎳鉻層之氧訊號在表面亦無明顯攀升且往內遞 4減之趨勢；復查，比較系爭產品3之EDX-01圖至EDX-0 54圖由外而內個別垂直掃描線於鎳鉻層之氧訊號並無自突 6出部外側向內側減少之變化，氧元素均呈現低伏之狀態， 7易言之，由分析報告所示，系爭產品3並無原告所主張 8之氧化現象係由外側向內側、上緣至下遞減之情形，故系 9爭產品3之突出部表面無鈍化之現象。是系爭產品3未為 10系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而 11形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部份予以 12鈍化」所文義讀取。 13綜上，系爭產品3未落入系爭專利請求項3之文義範圍。 14原告主張系爭產品3之鎳、鉻元素波型在35nm後開始上 15升，確實測到氧云云。惟系爭產品3之基材金屬層（鎳鉻 16層）之範圍約為42至65nm，誠如前述，原告所稱氧訊號 17約在35nm處隨鎳鉻一起上升，其所指之處並不在基材金 18屬層之範圍，且氧訊號在42nm後呈平坦，與對照區之垂 19直掃描線（即EDX-05圖）相比無明顯差異，且氧訊號之 20波形走勢與錫訊號較一致，氧元素較可能相依於錫元素， 21是原告前開所稱並不可採，尚難認系爭產品3之基材金屬 22層表面有予以鈍化之特徵。 23系爭產品4未落入系爭專利請求項3之範圍： 24依系爭產品4之實物照片（如附圖2-4-1所示，本院卷 25第70頁，分析報告第12頁），其為一捲帶基板，其上 26有電路配線圖案，可為系爭專利請求項3「一種印刷配線 27基板，其特徵為具有」所文義讀取。又查，依系爭產品4 741之SEM及TEM斷面照片（如附圖2-4-2、2-4-3所示，分 2析報告第111頁）所示，其配線圖案係形成於絕緣薄膜 3之一側表面，可為系爭專利請求項3「絕緣薄膜及至少形 4成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案」所文義讀取。再查 5，由系爭產品4之TEM斷面分析（如附圖2-4-3所示， 6分析報告第111頁）可知，其配線圖案係由基材金屬層 7與導電性金屬層所形成，導電性金屬層形成於基材金屬層 8上，而基材金屬層形成在絕緣薄膜表面，且基材金屬層在 9寬度方向上突出於導電性金屬層，可為系爭專利請求項3 10「該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形 11成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構成該配 12線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案 13之導電性金屬層突出者」所文義讀取。 14參酌分析報告第112、113頁（如附圖2-4-4所示）及第 15169頁所示，系爭產品4之導電金屬層為銅層，基材金屬 16層為鎳鉻層，目標區（如前所述）為基材金屬層突出於導 17電金屬層之部分，即為系爭專利請求項3「自該配線圖案 18之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案」所 19文義讀取。 20前開系爭產品4目標區中基材金屬層上方有拒焊層或錫層 21，下方為絕緣薄膜，鑑定目標區之垂直線掃描跨越拒焊層 22或錫層、基材金屬層及絕緣薄膜等不同介面，分析報告 23第116、118、120、122頁（如附圖2-4-4所示）是系爭產 24品4目標區4條垂直掃描線即EDX-01、EDX-02、EDX-0 253、EDX-04各圖之EDXlinescan圖，並將分析結果以計數 26（Counts）方式呈現，因垂直掃描線跨越不同介面，實務 27以半高寬方式界定不同元素所在位置，例如系爭產品4之 751EDX-01圖垂直掃描線之計數所示，鎳鉻層所在位置約為 242至63nm處（分析報告第29頁），而在該鎳鉻層範 3圍氧訊號在表面並無明顯攀升且往內遞減之趨勢；同理， 4復觀系爭產品4之EDX-02、EDX-03、EDX-04各圖之個 5別垂直掃描線之計數所示，於鎳鉻層之氧訊號在表面亦無 6明顯攀升且往內遞減之趨勢；復查，比較系爭產品4之E 7DX-01圖至EDX-04圖由外而內個別垂直掃描線於鎳鉻層 8之氧訊號並無自突出部外側向內側減少之變化，氧元素均 9呈現低伏之狀態，易言之，由分析報告所示，系爭產品 104並無原告所主張之氧化現象係由外側向內側、上緣至下 11遞減之情形，故系爭產品4之突出部表面無鈍化之現象。 12是系爭產品4未為系爭專利請求項3「其中自該配線圖案 13之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表 14面至少一部份予以鈍化」所文義讀取。 15綜上，系爭產品4未落入系爭專利請求項3之文義範圍。 16原告稱系爭產品4之鎳、鉻元素波型在40nm後開始上升 17，確實測到氧云云。惟系爭產品4之基材金屬層之範圍約 18為42至63nm，已如前述，原告所稱氧訊號約在40nm處 19隨鎳鉻一起上升，其所指之處並不在基材金屬層之範圍， 20且氧訊號在42nm後呈平坦，與對照區之垂直掃描線（即 21EDX-05圖）相比並無明顯差異，是原告前開所稱並不可 22採，尚難認系爭產品4之基材金屬層表面有予以鈍化之特 23徵。 24系爭產品5未落入系爭專利請求項3之範圍： 25依系爭產品5之實物照片（如附圖2-5-1所示，本院卷 26第62頁，分析報告第13頁），其為一捲帶基板，其上 27有電路配線圖案，可為系爭專利請求項3「一種印刷配線 761基板，其特徵為具有」所文義讀取。又查，依系爭產品5 2之SEM及TEM斷面照片（如附圖2-5-2、2-5-3）所示， 3其配線圖案係形成於絕緣薄膜之一側表面，可為系爭專利 4請求項3「絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之 5配線圖案」所文義讀取。再查，由系爭產品5之TEM斷 6面分析（如附圖2-5-3所示，分析報告第140頁），可 7知其配線圖案係由基材金屬層與導電性金屬層所形成，導 8電性金屬層形成於基材金屬層上，而基材金屬層形成在絕 9緣薄膜表面，且基材金屬層在寬度方向上突出於導電性金 10屬層，可為系爭專利請求項3「該配線圖案係由形成在絕 11緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之導 12電性金屬層所形成，構成該配線圖案的基材金屬層形成為 13在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」所 14文義讀取。 15參酌分析報告第141、142頁（如附圖2-5-4）及第169 16頁所示，系爭產品5之導電金屬層為銅層，基材金屬層為 17鎳鉻層，目標區（如前所述）顯示基材金屬層突出於導電 18金屬層，即為系爭專利請求項3「自該配線圖案之寬度方 19向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案」所文義讀取 20。 21前開系爭產品5目標區中基材金屬層上方有拒焊層或錫層 22，下方為絕緣薄膜，鑑定目標區之垂直掃描線跨越拒焊層 23或錫層、基材金屬層及絕緣薄膜等不同介面，分析報告 24第145、147、149、151頁（如附圖2-5-4所示）是系爭產 25品5目標區4條垂直掃描線即EDX-01、EDX-02、EDX-0 263、EDX-04圖之EDXlinescan圖，並將分析結果以計數（ 27Counts）方式呈現，因垂直掃描線跨越不同介面，實務以 771半高寬方式界定不同元素所在位置，例如系爭產品5之E 2DX-01圖垂直掃描線之計數所示，鎳鉻層所在位置約為3 38至61nm處（分析報告第145頁），而在該鎳鉻層範 4圍氧訊號在表面並無明顯攀升且往內遞減之趨勢；同理， 5復觀系爭產品5之EDX-02、EDX-03、EDX-04圖之個別 6垂直掃描線之計數所示，於鎳鉻層之氧訊號在表面亦無明 7顯攀升且往內遞減之趨勢；復查，比較系爭產品5之ED 8X-01至EDX-04各圖由外而內個別垂直掃描線於鎳鉻層之 9氧訊號並無自突出部外側向內側減少之變化，氧元素均呈 10現低伏之狀態，易言之，由分析報告所示，系爭產品5 11並無原告所主張之氧化現象係由外側向內側、上緣至下遞 12減之情形，故系爭產品5之突出部表面無鈍化之現象。是 13系爭產品5未為系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之 14寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面 15至少一部份予以鈍化」所文義讀取。 16綜上，系爭產品5未落入系爭專利請求項3之文義範圍。 17原告主張系爭產品5之鎳、鉻元素波型在30nm後開始上 18升，確實測到氧云云。惟系爭產品5之基材金屬層之範圍 19約為38至61nm，已如前述，原告所稱氧訊號約在30nm 20處隨鎳鉻一起上升，其並不在基材金屬層之範圍，且氧訊 21號在38nm後呈平坦，與對照區之垂直掃描線（即EDX-0 225圖）相比無明顯差異，是原告前開所稱並不可採，尚難 23認系爭產品5之基材金屬層表面有予以鈍化之特徵。 24專利有效性部分： 25查系爭專利係於93年12月6日申請，經審定核准專利後， 26於102年6月1日公告（本院卷第29頁），則系爭專利 27有無應撤銷之原因，應以核准審定時即100年12月21日修 781正公布、102年1月1日施行之專利法為斷。 2系爭專利說明書未違反核准時專利法第26條第1項規定： 3按系爭專利核准時專利法第26條第1項規定：「說明書 4應明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知 5識者，能瞭解其內容，並可據以實現」。又專利審查基準 6第二篇第一章第1.3.2節「違反可據以實施要件的審查」 7載稱，為達成可據以實現要件，說明書之記載必須以明確 8且充分的方式為之，其責任在於申請人。說明書之記載是 9否明確且充分，是否可據以實現，與記載方式並無必然關 10係，必須審慎考量並合理指出說明書之內容實質上未明確 11或未充分揭露申請專利之發明，始得以不符合可據以實現 12要件，依專利法第26條第1項之規定核駁申請案；不得 13僅以不符合記載方式的形式規定，即認定不符合可據以實 14現要件。 15系爭專利說明書第【0013】、【0014】段記載「本發明之 16目的係提供不易發生因此遷移產生之短路、於長時間內電 17氣可以維持穩定狀態的印刷配線基板之製造方法。又本發 18明之目的係提供依上述方法所製造之具有特定構造同時不 19會因遷移發生短路的印刷配線基板」（本院卷第32頁 20），其發明目的在於提供一不易發生因遷移產生短路、於 21長時間內電氣可以維持穩定狀態之具特定結構的印刷電路 22板。 23系爭專利說明書第【0025】至【0028】段揭露在絕緣薄膜 24形成基材金屬層之方法（本院卷第33頁）；第【0029 25】至【0033】段揭露在基材金屬層上形成導電金屬層之方 26法（本院卷第33頁至第34頁）；第【0034】至【0039 27】段揭露經曝光顯影後，選擇性蝕刻導電金屬層形成所需 791的配線圖案，再進行微蝕刻（本院卷第34頁）；第【0 2040】至【0046】段揭露以處理液使配線圖案間殘存的金 3屬及基材金屬層突出於導電金屬層之部分作成不作用態（ 4本院卷第34頁至第35頁）；第【0047】段揭露基材金 5屬層上端部之寬對導電性金屬層下端部之寬，作成1.001 6倍至1.5倍或較好為1.01至1.25倍之範圍內，可有效地 7防止發生遷移（本院卷第35頁）。 8承上，系爭專利說明書已充分揭露形成一具特定結構的印 9刷電路板之製造方法，且該特定結構為將基材金屬層形成 10突出於導電金屬層之突出部，其寬度比例為1.001倍至1. 115倍，並將突出部作成不作用態，即可達成不易因離子遷 12移或析出晶鬚而引發短路，且長時間內電氣可以維持穩定 13狀態之功效，故系爭專利說明書未違反核准時專利法第2 146條第1項之規定。 15系爭專利請求項3記載之「配線圖案之表面至少一部分」技 16術特徵，未違反核准時專利法第26條第2項規定： 17按系爭專利核准時專利法第26條第2項規定：「申請專 18利範圍應界定申請專利之發明；其得包括一項以上之請求 19項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說明 20書所支持」。又2013年版專利審查基準第二篇第一章第 212.4.3節「為說明書所支持」載稱，請求項必須為說明書 22所支持，係要求每一請求項記載之申請標的必須根據說明 23書揭露之內容為基礎，且請求項之範圍不得超出說明書揭 24露之內容。請求項一般由一個或一個以上的實施方式或實 25施例總括而成，請求項總括的範圍應恰當，使請求項之範 26圍相當於說明書揭露之內容。審查時，應參酌申請時之通 27常知識，包括相關的先前技術，判斷請求項總括的範圍是 801否恰當，而使請求項之範圍未超出說明書揭露之內容。 2系爭專利請求項3記載「…該配線圖案係由形成在絕緣薄 3膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性 4金屬層所形成，構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬 5度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者，其中自 6該配線圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配 7線圖案之表面至少一部份予以鈍化」，可知「配線圖案之 8表面至少一部分」係指配線圖案之寬度方向上突出於導電 9性金屬層之基材金屬層的表面至少一部分；而系爭專利說 10明書第【0046】段記載「如此由於對導電性金屬層之寬度 11方向突出之方式形成，藉由形成為不作用化之基材金屬， 12因此形成為輪廓狀的基材金屬層13係以不作用化狀態殘 13存。如此由於將配線圖案周圍的基材金屬層予以不作用化 14而殘存，因此在該不作用狀態之基材金屬層表面形成鍍錫 15層，亦不會自該電鍍層產生晶鬚，因而於本發明之印刷配 16線基板，不至於發生因此部分之晶鬚成長產生之短路」（ 17本院卷第35頁），可知系爭專利請求項3「配線圖案 18之表面至少一部分」係為系爭專利說明書上開「輪廓狀的 19基材金屬層」所支持，故系爭專利請求項3「配線圖案之 20表面至少一部分」之技術特徵係明確且可為說明書所支持 21，未違反核准時專利法第26條第2項之規定。 22被告等辯稱依系爭專利說明書之技術內容，係使基材金屬 23層突出部「全部」形成不作用化，方能達「完全防止」電 24鍍錫時，從基材金屬層突出部之表面發生離子遷移或產生 25晶鬚引起短路之功效云云。惟查，系爭專利說明書第【00 2620】段記載「於形成配線圖案的絕緣薄膜表面殘存有基材 27金屬層時，該基材金屬之露出面較好為不作用化態。藉由 811使該配線基板周圍之基材金屬不作用態化，因此不會從該 2基材金屬層表面所形成之電鍍層發生晶鬚。」（本院卷 3第33頁）、第【0046】段記載「如此由於對導電性金屬 4層之寬度方向突出之方式形成，藉由形成為不作用化之基 5材金屬，因此形成為輪廓狀的基材金屬層13係以不作用 6化狀態殘存。如此由於將配線圖案周圍的基材金屬層予以 7不作用化而殘存，因此在該不作用狀態之基材金屬層表面 8形成鍍錫層，亦不會自該電鍍層產生晶鬚，因而於本發明 9之印刷配線基板，不至於發生因此部分之晶鬚成長產生之 10短路」（本院卷第35頁），係揭露對基層金屬層之突 11出部進行不作用化程序，並未要求突出部全部均須不作用 12化，有經不作用化處理之部分，該部分即有不產生晶鬚之 13功效，是被告等前開所辯，尚不足採。 14被告等稱系爭專利說明書「予以鈍化」之技術手段，係利 15用特定處理液，並不包含自然環境下或特定溶液以外之其 16他因素而生之鈍化，系爭專利請求項3就基材金屬突出部 17「如何予以鈍化」並不明確，超出說明書揭露之內容，未 18為說明書所支持云云。惟查，由系爭專利說明書第【0040 19】段第4至7行記載「…在本發明，該等金屬使用可溶解 20或不作用態化之處理液處理。例如用鎳及鉻形成基材金屬 21層蝕，對於鎳例如可使用各濃度為5至15重量%程度之 22硫酸、鹽酸混合液，又對於鉻，例如可使用高錳酸鉀＋K 23OH水溶液、重鉻酸鉀水溶液、高錳酸鈉＋NaOH水溶液 24」（本院卷第34頁）、第【0062】、【0070】、【008 250】段記載「使用濃度40克/升之高錳酸鉀＋20克/升KOH 26蝕刻液，以40℃×1分鐘將Ni-Cr合金突起部26予以不作 27用化，再將僅殘存於線間之鉻儘量溶出同時將未能去除的 821鉻作成氧化鉻而不作用化」（本院卷第36頁、第37頁 2），所屬技術領域中具通常知識者可理解系爭專利請求項 33之「予以鈍化」係在微蝕刻程序中，藉由特定處理液（ 4如濃度40克/升之高錳酸鉀＋20克/升KOH蝕刻液）予以 5達成，故所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通 6常知識，可由前述說明書揭露之內容合理預測或延伸請求 7項之範圍，以探究是否有其他能產生鈍化之方式而達成系 8爭專利之功效，故被告等所辯並不可採。 9被告等稱系爭專利請求項3就「予以鈍化之基板態樣」並 10不明確，超出說明書揭露之內容云云。惟系爭專利請求項 113「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構 12成該配線圖案之導電性金屬層突出者，其中自該配線圖案 13之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表 14面至少一部份予以鈍化」之技術特徵，已明確界定予以鈍 15化之基板範圍，且可為說明書所支持，所屬技術領域中具 16通常知識者參酌系爭專利之發明目的及實施方式應可理解 17予以鈍化之基板態樣，被告等所辯並不足採。 18被證1、2、3之組合不足以證明系爭專利請求項3不具進 19步性： 20被證1請求項1記載「…(a)通過乾式電鍍方法在絕緣膜上 21沉積下面的金屬層A，該金屬層包括選自鎳的至少一種材 22料，鎳-銅合金、鉻和氧化鉻；(b)通過乾式電鍍方法在所 23述下層金屬層A上沉積由銅組成的另一個下層金屬層B； 24(c)在所述另外的下層金屬B上沉積初級電鍍銅層以形成 25基板」（本院卷第110頁、第134頁），已揭示系爭專 26利請求項3「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜 27及至少於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖案係 831由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬 2層表面之導電性金屬層所形成」之技術特徵。 3被證2圖1（如附圖3所示）及第58頁揭示「…COF材 4料之製造方法係在Kapton或Upilex等之絕緣薄膜基材上 5，蒸鍍鎳及鉻作為種子層，而後在此之上進行鍍銅之濺鍍 6法方式，或在銅箔上塗佈漆狀之聚醯亞胺之塗佈法二種製 7造方式（圖1）」（本院卷第112頁、第135頁），承 8此，Kapton或Upilex等之絕緣薄膜基材、鎳鉻金屬組成 9之種子層、濺鍍法鍍成之鍍銅，分別可對應系爭專利請求 10項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導電金屬層，並由其絕緣 11薄膜上為蒸鍍之鎳鉻種子層，在鎳鉻層上方是鍍銅所構成 12之配線基板結構，已揭露系爭專利請求項3「一種印刷配 13線基板，其特徵為具有絕緣薄膜及至少於該絕緣薄膜一側 14表面之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之 15基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所 16形成」之技術特徵。 17被證2圖6（如附圖3所示）及第59頁揭示「濺鍍法材 18料僅以蝕刻之方式，會產生無法將銅層下之鎳鉻種子層完 19全去除之問題，尤其細間距產品，更容易發生金屬殘留之 20情況。若為無電解鍍錫之情形，則易由此部分發生錫異常 21析出（如圖6），亦易產生晶鬚現象。此一種子層之殘留 22亦係發生電子游離之原因，對電氣上亦會產生不利，故必 23須以去除劑作適當處理」（本院卷第112頁至第113頁 24、第136頁），可知蝕刻方式無法將銅層下之鎳鉻基材金 25屬層完全去除，需以去除劑對鎳鉻種子層作適當處理，是 26被證2雖揭示以去除劑處理鎳鉻金屬層，但未揭示系爭專 27利請求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度 841方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者，其中自該 2配線圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線 3圖案之表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵。 4被證3說明書第【0008】段揭示「…本發明目的之一是提 5供一種製造2層銅聚醯亞胺金屬噴鍍基板的方法」、第【 60009】段揭示「一種聚醯亞胺樹脂薄膜的一側或兩側，以 7乾式成膜方式形成第一金屬層，以及在其上使用電氣電鍍 8或無電解電鍍形成具有導電之第二金屬層的金屬塗覆的聚 9醯亞胺膜上，蝕刻處理形成印刷線路板的製造方法，在蝕 10刻線路基板後，再以氧化劑清洗，氧化處理蝕刻表面」（ 11本院卷第116頁、第140頁），可知被證3揭示在蝕刻 12線路基板後，再以氧化劑清洗、氧化處理蝕刻表面，使殘 13留之金屬不作用化，可對應於系爭專利請求項3之「鈍化 14」，惟被證3未揭示系爭專利請求項3「構成該配線圖案 15的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電 16性金屬層突出者」之有關基材金屬層之突出部，自亦未揭 17示將該突出部予以鈍化之技術特徵，是被證3未揭示系爭 18專利請求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬 19度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者，其中自 20該配線圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配 21線圖案之表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵。 22綜上所述，被證1至3均未揭示系爭專利請求項3「構成 23該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線 24圖案之導電性金屬層突出者，其中自該配線圖案之寬度方 25向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一 26部份予以鈍化」之技術特徵，縱使加以組合亦未揭示前述 27技術特徵，故被證1、2、3之組合不足以證明系爭專利請 851求項3不具進步性。 2被證12不足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 3被證12圖23(a)（如附圖4所示）及其說明書第【0006】 4段記載「在聚醯亞胺等絕緣基板1的表面上，形成作為基 5底的第一導體204的薄膜。此時，在第一導體204，主要 6是鎳銅合金或鎳鉻合金的鎳合金…」、第【0009】段記載 7「在第一導體（鎳合金）204上未被電鍍抗蝕劑5覆蓋的 8部分形成第二導體203。第二導體203主要由第一導體（ 9鎳合金）204作為陰極，經由電解鍍銅形成的」（本院卷 10第370頁、第394頁），可知被證12之絕緣基板1、 11第一導體204、第二導體203可分別對應於系爭專利請求 12項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導電性金屬層，已揭示系 13爭專利請求項3「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣 14薄膜及至少於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖 15案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材 16金屬層表面之導電性金屬層所形成」之技術特徵。 17被證12圖23(a)（如附圖4所示）及其說明書第【0026】 18段記載「前述使用過去加成法配線基板的製造方法，以蝕 19刻處理去除第一導體204不需要的204A部分時，不能進 20行充分的蝕刻，存在如下問題：如圖23(a)所示，蝕刻殘 21餘物204A'容易發生在第二導體（電解銅鍍層）203的外 22部區域…」、第【0027】段記載「特別是，使用如鎳銅合 23金或鎳鉻合金等鎳合金，作為第一導體204時，使用氯化 24鐵溶液或氯化銅溶液作為蝕刻溶液進行蝕刻處理時，由於 25第一導體（鎳合金）204的蝕刻速度比第二導體（電解銅 26鍍層）203慢，因此如圖23(a)和23(b)所示，更容易產生 27第一導體蝕刻殘餘204A之問題」（本院卷第371頁、 861第396頁），已揭露使用氯化鐵或氯化銅作為蝕刻溶液時 2，第一導體（相當於系爭專利請求項3之基材金屬層）的 3蝕刻速度會較第二導體（相當於系爭專利請求項3之導電 4性金屬層）的蝕刻速度慢，因此會形成如圖23(a)所示第 5一導體的產生蝕刻殘餘部204A'，可對應於系爭專利請求 6項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比 7構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵。 8被證12說明書第【0036】至【0038】段揭示第一導體和 9第二導體的搭配組合以傾向選用鉻作為第一導體，並且使 10用銅作為第二導體。可以使用高錳酸鉀水溶液作為用於溶 11解鉻的蝕刻溶液。由於用作第二導體的銅相對於高錳酸鉀 12水溶液的不溶（難溶），所以第二導體（銅）幾乎不被蝕 13刻。藉由減少第一導體的蝕刻殘留，可以減少由於配線基 14板的蝕刻殘留引起的短路缺陷，進而提高配線基板的良率 15、降低配線基板的製造成本（本院卷第372頁至第373 16頁、第396頁至第397頁），可知被證12是以高錳酸鉀 17作為第一導體的蝕刻溶液，減少第一導體的蝕刻殘留，但 18未刻意揭示將第一導體的蝕刻殘餘部予以鈍化，故被證1 192未揭示系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方 20向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一 21部份予以鈍化」之技術特徵，而不足以證明系爭專利請求 22項3不具進步性。 23被證14不足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 24被證14圖1(a)（如附圖6所示）及其說明書第【0025】 25段揭示「於圖1，首先對藉由鎳濺鍍層2設置在聚醯亞胺 26樹脂膜1上之銅箔3，以蝕刻方式藉此產生圖案，形成包 27含銅線路8的佈線圖案（圖1(a)）。此時，在線路側面 871之8a，進行銅蝕刻時，由於銅被咬蝕，殘留有銅線路8 2下方之鎳濺鍍層2的一部分作為突出部2a」（本院卷 3第374頁、第422頁），承此，被證14之聚醯亞胺樹脂 4膜、鎳濺鍍層、銅線路、突出部可分別對應於系爭專利請 5求項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導電性金屬層、基材金 6屬層突出於導電金屬層之部分，已揭示系爭專利請求項3 7「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜及至少於該 8絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕 9緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金屬層表面之導 10電性金屬層所形成，構成該配線圖案的基材金屬層形成為 11在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之 12技術特徵。 13被證14說明書第【0028】至【0029】段揭示「前處理劑 14是由皮膜溶解劑、氧化劑…的一種以上組合而成的。…如 15此作為鍍錫的前處理，在線路側面8a一旦將突出銅線路 168下方的鎳濺鍍層2去除，以無電解電鍍進行鍍錫時，即 17可防止線路側面的鎳濺鍍層與銅的界面產生過度鍍錫」（ 18本院卷第375頁、第422頁），係教示利用氧化劑將殘 19留突出的鎳濺鍍層去除後，可防止線路出現過度鍍錫或異 20常沉澱，而非揭露將殘留突出的鎳濺鍍層予以鈍化，故被 21證14未揭示系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬 22度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至 23少一部份予以鈍化」之技術特徵，而不足以證明系爭專利 24請求項3不具進步性。 25被證3、12之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 26被證12已揭露系爭專利請求項3「一種印刷配線基板， 27其特徵為具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 881之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材 2金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成 3，構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成 4該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵，誠如前 5述；又被證3說明書第【0009】段揭示在蝕刻線路基板後 6，再以氧化劑清洗、氧化處理蝕刻表面，使殘留之金屬不 7作用化（本院卷第116頁、第140頁），且被證3請求 8項3揭示「氧化劑至少選用一種含有高錳酸鉀、過氧化氫 9、重鉻酸鉀的氧化劑沖洗為其特徵」（本院卷第117頁 10、第140頁），及其第【0014】段揭示「因此，本發明者 11檢討各種表面處理方法之後，選擇使用氧化劑選擇性地去 12除殘留金屬離子成分，而不是採用通過蝕刻來完全去除殘 13留在表面層上的金屬成分的方法，他們發現氧化處理更有 14效」（本院卷第116頁、第141頁），可知被證12與 15被證3同為以蝕刻處理形成印刷配線基板之技術領域，具 16有技術領域關聯性，且其結構皆為絕緣基板上形成第一導 17體及第二導體，在蝕刻成配線圖案後，使用高錳酸鉀溶液 18，去除殘留金屬殘餘物，具所欲解決問題之共通性，被證 1912雖以高錳酸鉀溶液通過蝕刻方式去除殘留金屬，惟被 20證3已教示氧化處理比完全蝕刻金屬殘留物更可抑制離子 21遷移，是所屬技術領域中具通常知識者具有動機結合被證 2212、被證3之技術內容，將被證12之第一導體的蝕刻殘 23餘部204A'（對應於系爭專利請求項3「構成該配線圖案 24的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電 25性金屬層突出者」）以被證3教示之氧化處理，而完成系 26爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形 27成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部份予以鈍 891化」之技術特徵，故被證3、12之組合足以證明系爭專利 2請求項3不具進步性。 3原告雖稱被證3沒有突出部，自無將突出部予以鈍化的客 4體，並未揭露系爭專利請求項3之鈍化技術特徵云云。惟 5查，被證3雖未揭示突出部，然其說明書第【0009】段已 6揭示在蝕刻線路基板後，再以氧化劑清洗、氧化處理蝕刻 7表面，使殘留之金屬不作用化（本院卷第116頁、第1 840頁），誠如前述，已揭露鈍化之技術特徵，是原告前 9開所稱並不可採。 10原告主張被證12之鉻薄膜突出實為線路蝕刻產生的殘存 11缺陷，乃其所欲解決之問題而非技術特徵，且將被證3之 12氧化劑應用於被證12之金屬殘留，其結果仍等同被證12 13所揭露之內容云云。惟查，被證12第一導體（相當於系 14爭專利請求項3之基材金屬層）之鉻或鉻合金突出，雖為 15線路蝕刻產生的殘存缺陷，仍係突出於第一導體，而與系 16爭專利請求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在 17寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技 18術特徵相符，已見前述；且被證12係以高錳酸鉀溶液通 19過蝕刻方式來去除殘留金屬，而被證3教示之氧化處理比 20完全蝕刻金屬殘留物更可抑制離子遷移，是將被證12第 21一導體之鉻或鉻合金突出，用被證3之氧化方法處理自比 22用被證12之蝕刻方法處理，更具有抑制離子遷移之效果 23，是原告前開所稱結果並無不同云云，並不足採。 24被證3、13之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 25被證13圖4（如附圖5所示）及其說明書第【0005】段 26揭示「…在聚醯亞胺樹脂薄膜1上施加鎳濺鍍層2後，以 27電解法形成銅箔3的材料，可達成Tape材料的薄型化」 901（本院卷第379頁、第414頁），承此，被證13之聚 2醯亞胺樹脂薄膜1、鎳濺鍍層2、銅箔3分別可對應於系 3爭專利請求項3之絕緣薄膜、基材金屬層、導電性金屬層 4，已揭示系爭專利請求項3「一種印刷配線基板，其特徵 5為具有絕緣薄膜及至少於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案 6，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形 7成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成」之技術特 8徵。 9被證13圖4（如附圖5所示）及其說明書第【0006】段 10揭示「…於此兩層TABTape形成銅箔之導體圖案的情況 11下，一般而言係在該銅箔上形成光阻光罩（resistmask） 12後，同時蝕刻銅箔及鎳濺鍍層。因蝕刻係從銅箔開始溶解 13，故位於銅箔下方之鎳濺鍍層必然會延遲開始蝕刻。此蝕 14刻延遲導致如圖5（按：應為圖4之誤載）所示，鎳濺鍍 15層為從由銅箔形成之導體圖案的側面突出的狀態」（本院 16卷第379頁、第414頁），是被證13之鎳濺鍍層從銅 17箔形成之導體圖案側面突出的部分，可對應於系爭專利請 18求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向 19比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵。 20被證13雖未揭示系爭專利請求項3「其中自該配線圖案 21之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表 22面至少一部份予以鈍化」之技術特徵，以改善電鍍錫之異 23常析出現象，惟被證3說明書第【0009】段揭示在蝕刻線 24路基板後，再以氧化劑清洗、氧化處理蝕刻表面，使殘留 25之金屬不作用化，及第【0014】段揭示本發明者檢討各種 26表面處理方法之後，選擇使用氧化劑選擇性地去除殘留金 27屬離子成分，而不是採用通過蝕刻來完全去除殘留在表面 911層上的金屬成分的方法，他們發現氧化處理更有效（本院 2卷第116頁、第140頁、第141頁），可見被證13與 3被證3同為以蝕刻處理形成印刷配線基板之技術領域，具 4有技術領域關聯性，同樣面臨殘存的金屬造成電鍍錫之異 5常析出，具所欲解決問題之共通性，又被證3已教示氧化 6處理比完全蝕刻金屬殘留物更可抑制離子遷移，是所屬技 7術領域中具通常知識者具有動機結合被證13、被證3之 8技術內容，將被證13之鎳濺鍍層從銅箔形成之導體圖案 9側面突出的部分以被證3教示之氧化處理，而完成系爭專 10利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之 11基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部份予以鈍化」 12之技術特徵，故被證3、13之組合足以證明系爭專利請求 13項3不具進步性。 14原告稱被證13之側面突出為線路蝕刻產生的殘存缺陷， 15乃其所欲解決之問題而非技術特徵，且被證3係以氧化劑 16來處理金屬殘留，被證13卻建議必須鍍上另一層銅覆蓋 17金屬殘留，兩者技術相衝突，不能結合云云。惟查，被證 1813鎳濺鍍層（相當於系爭專利請求項3之基材金屬層） 19之側面突出雖為線路蝕刻產生的殘存缺陷，仍係突出於銅 20箔（對應於系爭專利請求項3之導電性金屬層），而與系 21爭專利請求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在 22寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技 23術特徵相符。又查，被證13雖以另一層銅覆蓋金屬殘留 24，然被證3已教示氧化劑處理金屬殘留物可抑制離子遷移 25，是所屬技術領域中具通常知識者自有動機結合被證3、 26被證13之技術內容，在另一層銅覆蓋金屬殘留前，對殘 27留的金屬進行氧化處理，以完成系爭專利請求項3之發明 921，是原告前開所稱尚不足採。 2被證3、14之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性： 3被證14已揭露系爭專利請求項3「一種印刷配線基板， 4其特徵為具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 5之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材 6金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成 7，構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成 8該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵，業如前 9述；又由被證3說明書第【0009】、【0014】段所載前述 10內容，可知被證14與被證3同為以蝕刻處理形成印刷配 11線基板之技術領域，具有技術領域關聯性，且其結構皆為 12絕緣基板上形成第一導體及第二導體，在蝕刻成配線圖案 13後，使用氧化劑溶液，去除殘留金屬殘餘物，以降低離子 14遷移，具所欲解決問題之共通性，被證14雖以氧化劑溶 15液通過蝕刻方式來去除殘留金屬，惟被證3已教示氧化處 16理比完全蝕刻金屬殘留物更可抑制離子遷移，是所屬技術 17領域中具通常知識者具有動機結合被證14、被證3之技 18術內容，將被證14之鎳濺鍍層突出部2a以被證3教示之 19氧化處理，而完成系爭專利請求項3「其中自該配線圖案 20之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表 21面至少一部份予以鈍化」之技術特徵，故被證3、14之組 22合足以證明系爭專利請求項3不具進步性。 23原告稱被證3、14沒有突出部，自無將突出部予以鈍化的 24客體，並未揭露系爭專利請求項3之鈍化技術特徵云云。 25惟被證14已揭示突出部2a（如附圖6所示），誠如前述 26，被證3雖未揭示突出部，然其說明書第【0009】段已揭 27示在蝕刻線路基板後，再以氧化劑清洗、氧化處理蝕刻表 931面，使殘留之金屬不作用化，即為鈍化，亦如前述，故被 2證3、14之組合已揭露系爭專利請求項3將突出部鈍化之 3技術特徵，是原告前開所稱尚不足採。 4原告主張被證14與被證3皆止於線路間金屬殘留，而與 5殘留之具體外型無涉，被證3與被證14結合之結果屬系 6爭專利所排除之先前技術範圍云云。惟查，被證14之突 7出部2a雖為線路蝕刻產生的金屬缺陷，惟其係鎳濺鍍層 8（對應於系爭專利請求項3基材金屬層）突出於銅線路（ 9對應於系爭專利請求項3之導電性金屬層）之部分，該部 10分係對應於系爭專利請求項3之基材金屬層突出於導電金 11屬層之部分，與系爭專利請求項3「構成該配線圖案的基 12材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金 13屬層突出者」之技術特徵相符，且被證14已揭示利用氧 14化劑將殘留突出的鎳濺鍍層去除，藉由被證3教示之氧化 15處理比完全蝕刻金屬殘留物更可抑制離子遷移，故所屬技 16術領域中具通常知識者自有動機結合被證3、被證14之 17技術內容，以完成系爭專利請求項3之發明，原告上開主 18張亦不可採。 19被證12、15之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性 20： 21被證12已揭露系爭專利請求項3「一種印刷配線基板， 22其特徵為具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面 23之配線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材 24金屬層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成 25，構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成 26該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵，業如前 27述；又查，被證15說明書第2欄第1行至第11行揭示「 941根據本發明，可以通過在蝕刻之後對基板表面進行氧化處 2理來避免該問題…這又使得基板表面上的吸附層中所含的 3如鈀之類的催化金屬與吸附層一起被去除。其結果防止了 4在隨後的金屬塗覆作業中，因金屬生成在不希望的地方而 5導致短路的產生」、第3欄第44行至第46行揭示「部分 6鈀無法透過蝕刻作業去除，並且仍會吸附在基板10的樹 7脂上…在蝕刻之後，該基板的表面將如第1(d)圖所示，進 8行氧化處理。氧化處理包括高錳酸鹽處理，電漿處理，臭 9氧處理等」（本院卷第384頁、第431頁、第432頁） 10，可知被證15利用高錳酸鹽對殘留的部分鈀進行氧化處 11理，以防止短路發生，且被證12與被證15同為以蝕刻處 12理形成印刷配線基板之技術領域，具有技術領域關聯性， 13其結構皆為絕緣基板上形成第一導體（鈀吸附層）及第二 14導體（鍍銅導體層），在蝕刻成配線圖案後殘留金屬殘餘 15物，皆以高錳酸鹽作後續處理，具所欲解決問題之共通性 16，被證12雖以高錳酸鉀溶液通過蝕刻方式來去除殘留金 17屬，惟被證15已教示利用高錳酸鹽對殘留的部分鈀進行 18氧化處理，可防止短路發生，是所屬技術領域中具通常知 19識者為了解決線路間殘留金屬造成短路之問題，具有動機 20結合被證12、被證15之技術內容，將被證12之第一導 21體的蝕刻殘留以被證15教示之氧化處理，而完成系爭專 22利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之 23基材金屬層所成之配線圖案之表面至少一部份予以鈍化」 24之技術特徵，故被證12、15之組合足以證明系爭專利請 25求項3不具進步性。 26原告主張被證12、15均無突出部及鈍化之技術特徵，且 27被證12之鉻薄膜突出實為線路蝕刻產生的殘存缺陷，乃 951其所欲解決問題而非技術特徵，將被證15之氧化劑應用 2於被證12之金屬殘留，其結果仍等同被證12所揭露之內 3容云云。惟查，被證12揭示之鉻薄膜突出雖為線路蝕刻 4產生的殘存缺陷，即為突出部，而與系爭專利請求項3「 5構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該 6配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵相符，已見 7前述；被證15教示以氧化劑對未完全去除之殘留進行氧 8化處理，即為鈍化，而被證12係以高錳酸鉀溶液通過蝕 9刻方式來去除殘留金屬，與被證15教示以氧化劑對未完 10全去除之殘留進行氧化處理，二者處理結果難謂相同，原 11告前開所稱，尚不可採。 12被證13、15之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性 13： 14被證13已揭露系爭專利請求項3「一種印刷配線基板， 15其特徵為具有絕緣薄膜及至少於該絕緣薄膜一側表面之配 16線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬 17層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構 18成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配 19線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵，業如前述； 20又由被證15說明書第2欄第1至11行、第3欄第44至 2146行如前揭示之內容，可知被證13與被證15同為以蝕 22刻處理形成印刷配線基板之技術領域，具有技術領域關聯 23性，且其結構皆為絕緣基板上形成鎳濺鍍層（鈀吸射層） 24及銅箔（鍍銅導體層），在蝕刻成配線圖案後殘留金屬殘 25餘物（即被證13之鎳濺鍍層從銅箔形成之導體圖案側面 26突出的部分，被證15之線路間殘留的部分鈀），具所欲 27解決問題之共通性，被證15已教示利用高錳酸鹽對殘留 961的部分鈀進行氧化處理，可防止短路發生，是所屬技術領 2域中具通常知識者為了解決線路間殘留金屬造成短路之問 3題，具有動機結合被證13、被證15之技術內容，將被證 413之鎳濺鍍層從銅箔側面突出的部分以被證15教示之氧 5化處理，而完成系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之 6寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面 7至少一部份予以鈍化」之技術特徵，故被證13、15之組 8合足以證明系爭專利請求項3不具進步性。 9原告主張被證13、15均無突出部及鈍化之技術特徵，且 10被證13之側面突出為線路蝕刻產生的殘存缺陷，乃其所 11欲解決之問題而非技術特徵，又被證15係以氧化劑來處 12理金屬殘留，被證13卻建議必須鍍上另一層銅覆蓋金屬 13殘留，兩者技術相衝突不能結合云云。惟被證13揭示鎳 14濺鍍層從銅箔形成之導體圖案側面突出的部分，已揭示系 15爭專利請求項3之突出部技術特徵，已見前述；被證15 16雖未揭示突出部，然被證15利用高錳酸鹽對殘留的部分 17鈀進行氧化處理，即為鈍化，亦見前述；又被證13之側 18面突出雖為線路蝕刻產生的殘存缺陷，其仍係突出於銅箔 19而與系爭專利請求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形 20成為在寬度方向比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者 21」之技術特徵相符，被證13雖以另一層銅覆蓋金屬殘留 22，然被證15已教示利用高錳酸鹽對殘留的金屬進行氧化 23處理，是所屬技術領域中具通常知識者自有動機結合被證 2413、被證15之技術內容，在另一層銅覆蓋金屬殘留前， 25對殘留的金屬進行氧化處理，而完成系爭專利請求項3之 26發明，是原告前開所稱並不足採。 27被證14、15之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性 971： 2被證14已揭露系爭專利請求項3「一種印刷配線基板， 3其特徵為具有絕緣薄膜及至少於該絕緣薄膜一側表面之配 4線圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬 5層與形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成，構 6成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配 7線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵，業如前述， 8又由被證15說明書第2欄第1至11行、第3欄第44至 946行如前揭示之內容，可知被證14與被證15同為以蝕 10刻處理形成印刷配線基板之技術領域，具有技術領域關聯 11性，且其結構皆為絕緣基板上形成鎳濺鍍層（鈀吸附層） 12及銅線路（鍍銅導體層），在蝕刻成配線圖案後殘留金屬 13殘餘物（即被證14之突出部2a，被證15之線路間殘留的 14部分鈀），具所欲解決問題之共通性，被證15已教示利 15用高錳酸鹽對殘留的部分鈀進行氧化處理，可防止短路發 16生，是所屬技術領域中具通常知識者為了解決線路間殘留 17金屬造成短路之問題，具有動機結合被證14、被證15之 18技術內容，將被證14之突出部2a以被證15教示之氧化 19處理，而完成系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬 20度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至 21少一部份予以鈍化」之技術特徵，故被證14、15之組合 22足以證明系爭專利請求項3不具進步性。 23原告稱被證14、15均無突出部及鈍化之技術特徵，且被 24證14與被證15皆以氧化處理線路間殘留金屬，將被證1 255之氧化技術運用於被證14之金屬殘留，其結果等同於 26被證14單獨揭露之內容云云。惟被證14已揭示突出部2a 27，被證15雖未揭示突出部，然被證15教示以氧化劑對未 981完全去除之殘留部分進行氧化處理，即為鈍化，俱如前述 2，又被證14之突出部2a雖為線路蝕刻產生的金屬缺陷， 3仍係突出於銅線路之鎳濺鍍層之突出部，而與系爭專利請 4求項3「構成該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向 5比構成該配線圖案之導電性金屬層突出者」之技術特徵相 6符，且被證14已揭示利用氧化劑將殘留突出的鎳濺鍍層 7去除，藉由被證15以氧化劑對未完全去除之殘留部分進 8行氧化之教示，所屬技術領域中具通常知識者自有動機結 9合被證14、被證15之技術內容以完成系爭專利請求項3 10之發明，其結果當不等同於被證14單獨揭露之技術特徵 11，原告上開所稱均不可採。 12六、綜上所述，系爭產品1至5均未侵害系爭專利請求項3，且被 13證3、12之組合、被證3、13之組合、被證3、14之組合、被 14證12、15之組合、被證13、15之組合、被證14、15之組合 15均足以證明系爭專利請求項3不具進步性，依智慧財產案件 16審理法第16條第2項之規定，原告於本件民事訴訟即不得對 17被告等主張權利，從而原告依專利法第96條第1至3項、第 1897條第1項第2款、公司法第23條第2項等規定，請求如訴 19之聲明所示，即無理由，不應准許。原告之訴既經駁回，其 20假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回。 21七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及未經援用之 22證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不逐一論列 23，附此敘明。 24八、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法 25第1條，民事訴訟法第78條，判決如主文。 26中華民國109年4月30日 27智慧財產法院第三庭 991法官杜惠錦 2以上正本係照原本作成。 3如對本判決上訴，須於判決送達後20日之不變期間內，向本院提 4出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。 5中華民國109年5月1日 6書記官林佳蘋 1001附圖： 2附圖1（系爭專利圖式）： 3 4 1011 2附圖2（系爭產品之實物及分析結果照片）： 3附圖2-1（系爭產品1之部分）： 42-1-1配線圖案（本院卷一第57頁、分析報告第11頁） 5 10212-1-2配線圖案之剖面掃描電子顯微鏡（SEM）照片（本院卷一第57頁） 2 32-1-3TEM斷面分析照片（分析報告第24頁） 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 10312-1-4TEM斷面EDX分析結果（分析報告第25、26、29、31、33、35、 237頁） 3 4 1041 2 3 1051 2 3 1061附圖2-2（系爭產品2之部分）： 22-2-1配線圖案（本院卷一第67頁、分析報告第11頁） 3 42-2-2配線圖案之剖面掃描電子顯微鏡（SEM）照片（本院卷一第69頁） 5 6 7 8 9 10 11 12 10712-2-3TEM斷面分析照片（分析報告第53頁） 2 32-2-4TEM斷面EDX分析結果（分析報告第54、55、58、60、62、64、 466頁） 5 1081 2 1091 2 3 1101 2 3附圖2-3（系爭產品3之部分）： 42-3-1配線圖案（本院卷二第54頁、分析報告第12頁） 5 1111 22-3-2配線圖案之剖面掃描電子顯微鏡（SEM）照片（本院卷二第54頁） 3 42-3-3TEM斷面分析照片（分析報告第82頁） 5 6 7 8 9 10 11 12 11212-3-4TEM斷面EDX分析結果（分析報告第83、84、87、89、91、93、 295頁） 3 4 1131 2 3 1141 2 3 1151附圖2-4（系爭產品4之部分）： 22-4-1配線圖案（本院卷二第70頁、分析報告第12頁） 3 42-4-2配線圖案之剖面掃描電子顯微鏡（SEM）照片（本院卷二第70頁） 5 62-4-3TEM斷面分析照片（分析報告第111頁） 7 11612-4-4TEM斷面EDX分析結果（分析報告第112、113、116、118、120、 2122、124頁） 3 4 1171 2 3 1181 2 3 1191附圖2-5（系爭產品5之部分）： 22-5-1配線圖案（本院卷二第62頁、分析報告第13頁） 3 42-5-2配線圖案之剖面掃描電子顯微鏡（SEM）照片（本院卷二第62頁） 5 62-5-3TEM斷面分析照片（分析報告第140頁） 7 12012-5-4TEM斷面EDX分析結果（分析報告第141、142、145、147、149、 2151、153頁） 3 4 1211 2 3 1221 2 3 1231附圖3（被證2圖式）： 2 3 4附圖4（被證12圖式）： 5 1241附圖5（被證13圖式）： 2 3附圖6（被證14圖式）： 4 5附圖7（被證15圖式）： 6 1251 2 126

智慧財產及商業法院2107年度民專訴字第110號

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