2108年度民營訴字第2號｜智財：營業秘密排除侵害｜裁判日期：109 年 01 月 13 日

1智慧財產法院民事判決 2108年度民營訴字第2號 3原告富晶電子股份有限公司 4 5法定代理人俞再鈞 6訴訟代理人郭雨嵐律師 7汪家倩律師 8潘皇維律師 9輔佐人陳建銘 10陳國強 11被告紘康科技股份有限公司 12 13兼法定代理人趙伯寅 14 15被告許文怡 16 17 18黃俊錡 19劉瑞謙 20 21林祥民 22 23陳宏維 24 25 26吳曉龍 27 11郭姿妤 2李彥緒 3吳忠任 4卓彥宏 5李金幸 6李水竹 7蔡欣洲 8上列16人 9共同 10訴訟代理人李威廷律師 11上列當事人間營業秘密排除侵害事件，本院於民國108年12月212日言詞辯論終結，判決如下： 13主文 14原告之訴及假執行之聲請均駁回。 15訴訟費用由原告負擔。 16事實及理由 17一、原告聲明求為判決：被告等不得取得、使用、或洩漏原告18「自燒錄OTP產品設計」之營業秘密。被告紘康科技股份 19有限公司（下稱被告公司）應停止製造、銷售侵害如附表A 20所列型號之晶片，其已製造者應予回收銷燬。原告願供擔 21保，請准宣告假執行。訴訟費用由被告負擔。並主張略以 22： 23自然人被告○○○等為原告離職員工，且為原告業務部、研發24處、產品工程處、品保部、系統工程部、財務部、銷售部、管25理部門之前主管，任職期間均與原告公司推出之產品業務有關26（起訴暨保全證據聲請狀─下稱起訴狀，附表B、民事準備 27附表C），皆參與以被告○○○為首之共同離職、竊取原 21告營業秘密另起被告公司之計畫與行為，而共同侵害原告營業2秘密。被告等竊取原告關於「自燒錄OTP產品設計（下稱據 3爭產品設計）」之營業秘密，即階層架構下所有電路功能模組 4之間介面I/O接腳的定義、數量等總和（限閱卷第585頁、原 5證25至27），並利用該營業秘密生產相同或高度類似之HY1 61P52B晶片（下稱H晶片），而附表A所列型號之晶片係被 7告公司所販售產品中具有SRAM電路之型號，且起訴狀附表 8A所列型號之晶片均應具有相同於H晶片之SRAM電路，侵 9害原告上開營業秘密。被告公司違反營業秘密法第10條第1 10項第1至3款與第2項規定，自然人被告等違反同法第10條 11第1項第1至4款與第2項規定。原告依營業秘密法第11條 12規定提起本件訴訟，請求如訴之聲明所示。 13原告之據爭產品設計之研發、製程、測試、參數等資訊，包括14原告之SRAM設計資料，均屬非一般涉及該類資訊之人所知 15、因其秘密性而具有實際經濟價值、且所有人已採取合理之保16密措施： 17原告於民國95年12月間完成據爭產品之測試，96年初推 18出據爭產品，96年至100年間據爭產品之營業額合計達新 19臺幣（下同）1億元以上，是該據爭產品設計顯為原告重要 20之核心技術，並為具有高度市場價值之重要資產。 21原告為維護據爭產品設計之營業秘密及研發成果，不僅將據 22爭產品設計之研發、製程、測試、參數等資訊自91年開始 23納入原告ISO作業程序文件即資訊管理作業程序（原證8 24）外，更具體採行諸多保護措施，例如： 25就原告內部控管而言，原告程式及資料之存取控制均有規 26範（原證8第3頁以下），包括內部連線系統之電腦存取 27控制作業，明定個人密碼不得借他人使用、各單位電腦存 31取控制均有特定權限、電腦作業系統應自動產生日誌檔L 2ogfile記載每日執行情形、系統應設置AuditLog記錄危 3害系統安全事件；權限控制、要求填據相關業務的保密條 4款等。原告研發人員工作站亦有管制，必須先申請工作站 5帳號，始能接觸使用工作站，且限於IC設計業務有關人 6員才會被同意申請帳號。103年（含）之前的申請管制流 7程，要以EHR電子表單申請帳號（原證9）；103年後 8的申請管制流程因採用新系統，改以WebEIP電子表單申 9請之（原證10）。研發人員之工作成果及資訊，存於原 10告之工作站，依專案及個人建立檔案資料（原證11）， 11並依前述ISO作業程序責成專屬人員（工作站管理員）加 12以控管及稽核（原證8）。而有關「據爭產品設計」之研 13發、製程、測試、參數、或其他文件或資訊等，例如SRA 14M設計資料、布局圖、布局規劃書等，即屬置於工作站， 15僅限研發人員得以憑其帳號、密碼、及專案權限加以接觸 16使用之機密資料。 17原告為保護原告之營業秘密，於聘僱人員時，與員工簽訂 18「聘僱合約書」時，除於聘僱合約書第7條至第9條約定 19機密資訊及保密條款（原證12、原證13）外，就員工任 20職期間執行之工作及其產出或工作成果，除於聘僱合約第 216條明確約定智慧財產歸屬於原告（原證12、原證13） 22，並要求員工詳實記載於工作紀錄簿，且工作紀錄簿為原 23告之財產，工作紀錄簿之領取及歸還均有管控及紀錄（原 24證14、原證15、附表B）。 25就據爭產品相關技術，原告如有與其他公司往來而有使用 26或揭露該等資訊之可能，為確保上開研發、製程、測試、 27參數等資訊之安全與機密性，原告亦會與往來公司〔例如 41，○○○○○○○○公司（下稱○○公司）等〕簽訂「保 2密合約」（原證16、原證17）。 3被告等已侵害原告之營業秘密，依營業秘密法第11條規定， 4被告公司應停止製造、銷售侵害起訴狀附表A所列型號之晶 5片，其已製造者應予回收銷毀，且被告等均不得取得、使用、 6或洩漏原告「據爭產品設計」之營業秘密： 7被告公司乃原告前總經理即被告○○○率眾主管離職後，旋 8即設立之公司，所營事業與原告完全相同。被告公司現為上 9櫃公司，原告自被告公司104年6月5日之公開說明書（原 10證3）中，察覺被告有極大可能涉嫌盜用原告之營業秘密。 11原告將所購得之被告公司IC產品送請專業機構進行還原工 12程及比對分析，發現該等產品係利用原告營業秘密而成（原 13證6）。徵諸被告公司成立及推出競爭產品的時間等各情， 14可知是因被告等挪用原告的資料開發自己的產品，始能在不 15合理的短時間內即有產品發表問世： 16因各家公司的研發團隊成員不同，一家IC設計公司所完 17成的電路設計，尤其是原始電路設計圖部分，會因其研發 18團隊成員的人別、數量、與能力的獨特性而有不同。一顆 19IC的設計，依其複雜程度不同，可以由數十、數百、甚 20至數千張電路圖完成，而原始電路設計圖的階層式結構如 21何分層、如何再細分個別的電路模組等等，都因設計人員 22有別，而有其原創的表達與設計。亦即，不同的設計團隊 23，如果是各自獨立開發，不會有一樣的電路階層式結構、 24或一樣的電路模組細分方式。若不同公司的IC產品有相 25同的電路階層式結構、電路模組等，則只有四種可能性， 26即自行開發、還原工程、授權或買入、非法偷盜∕集體偷 27盜。 51依被告公司公開說明書所言（原證3第48至49頁），已 2設計完成的類比晶片產品，單是要更換供應商，就需要9 3個月至18個月的準備，遑論從頭開始、全新開發的類比I 4C產品。然則，被告公司在96年7月9日成立，竟在97 5年2月就推出自家產品？時程上顯然不合理。依被告公司 6上櫃前104年5月26日法人說明會簡報（原證5），該 7公司表示產品導入不易，生命週期長，而被告公司的競爭 8優勢在於「產品須做二次開發並重新取得認證」；此外， 9被告公司簡報提到高精度量測技術需長期投入，該公司稱 10其競爭優勢在於「所有高精度量測IP皆自主開發」（原 11證5法說會簡報第17頁）。亦即，被告公司的晶片產品 12，至少有「自主開發」、跟「二次開發」兩種型態。就「 13自主開發」而言，由前述可知，從頭開始開發全新產品， 14所需時間顯然遠遠長過9到18個月，因此被告公司97年 152月推出之晶片產品顯然不是自主全新開發之產品；被告 16公司縱使是將現成產品進行二次開發，在7個月內能夠全 17部完成，亦顯然過於迅速，況且被告公司才新成立，何來 18「既有產品」可以二次開發。 19原告因懷疑被告公司不合理之產品上市時程等與原告有關 20，於發現前述被告公司公開說明書等資訊後，決定蒐集 21購買被告公司產品加以求證。原告將所購得的被告公司H 22晶片，連同原告自己的IC設計資料，於104年底送交專 23業機構進行還原工程（reverseengineering）分析，經專 24業公司拆解（decap、delayer）被告公司H晶片並進行 25電路分析，與原告SRAMIP檔案、原告FS98031B晶片 26（下稱F晶片）電路布局加以分析比對後，於105年10 27月3日出具SRAM電路比對報告（原證6）及同年月7 61日出具布局比對報告予原告（原證7），該兩份報告證 2實被告等人的確盜用原告公司之IC設計資料。 3原告晶片之SRAM電路設計（SRAMIP），最初是由原 4告員工○○○於89年所完成，後續原告採用相同製程的 5晶片產品如F晶片，均沿用修改自此SRAMIP。被告公 6司具OTP自我燒錄功能的H晶片，則是遲至99年以後始 7推出之產品（原證3第81頁）。然依專業機構105年10 8月3日出具之SRAM電路比對報告（原證6），被告公 9司H晶片的SRAM電路設計不僅所呈現的「階層式架構 10」與原告SRAMIP具有非常高度的相似性，且被告公司 11H晶片的「SRAMcell模組」、「DataPath模組」、「Ad 12dressPath模組」、「WriteandReadControl模組」，竟 13均完全對應至原告SRAMIP的模組。此外，被告公司H 14晶片之該等模組之功能、連接關係、接腳數、接腳定義等 15也與原告公司SRAMIP的模組完全相同（原證6第25至 1626頁）。甚且，依專業機構105年10月7日出具之布局 17比對報告（原證7），被告公司H晶片之SRAMCell的 18「1-bitCell」與「Multi-bitcell」布局，也與原告F晶片 19近乎相同（原證7第16頁）。 20原證6電路比對報告，用以比對的原告SRAM電路設計 21（SRAMIP）是原告採用○○公司0.35μm製程的晶片的 22SRAM電路設計（下稱0000.35μmSRAMIP或原告公 23司SRAMIP），是原告員工○○○於89年所完成，相關 24多個尺寸（size）的SRAMIP資料皆存於原告研發（RD 25）工作站名稱為0000000的資料庫（Library），其中的「 26000000000」是128位元組（128bytes）的SRAMIP，有 27○○○在89年做的設計模擬報告「工作站00000000.doc 71」（原證25）可證。後續原告公司採用0000.35μmSR 2AMIP製程的MCU產品，例如型號FS9912、FS9932、FS 399O32、F晶片產品皆沿用此SRAMIP。 4原告公司MCU產品型號FS9932的晶片於91年開始量產 5，量產的時間點可由原告客戶的hexcode製作的光罩編號 6紀錄證之。晶片產品從設計到製造量產的過程中，原告客 7戶寫好應用的hexcode對應的布局圖需製作於光罩（MAS 8K）上，須由原告公司提供布局圖資料，經光罩公司作光 9罩編號後，製作不同的光罩再去生產。原告公司「FS9932 10光罩編號.pdf」（原證26）檔案為91-92的光罩編號紀錄 11，可證明原告公司FS9932晶片於91年開始即量產出貨， 12亦可證明其SRAMIP完成時間點至少早於91年。 13原告公司型號FS9932之晶片、F晶片，使用的都是原告 14公司0000000.35μmSRAMIP。由原告公司RD工作站中 15的資料，FS9932的SRAM電路名稱為「000000000」，是 16從0000000資料庫（Library）的「000000000」IP複製而 17來，打開000000000的電路圖，與000000000的電路圖完 18全相同。而F晶片的SRAM電路名稱同樣為「000000000 19」，同樣與「000000000」的電路完全相同（原證27）。 20透過還原工程取得IC的組成元件與連接方式後，雖然仍 21無法還原出該IC的研發團隊是如何分層設計的原始電路 22設計圖（originalcircuitschematicdesign），不過，透過 23還原工程的電路擷取手段，仍可比對該積體電路的電路系 24統與一特定階層式結構（hierarchicalarchitecture）的原始25電路設計圖之間的關係。亦即，還原工程雖無法還原出研 26發團隊當初原始電路設計圖（originalcircuitschematicdesi27gn）的圖面，但比對還原而得之電路，可推知該電路系統 81與原始電路設計圖之間的關係。 2就IC設計而言，如要從頭、全新設計開發某一IC產品的 3所有電路，相當困難；但如透過非法的方式取得另一間公 4司的電路設計資料再加以利用、或抄襲，或保留電路設計 5的主要模組與架構不變，但就不重要的電路細節為細部變 6更，則屬容易。原告SRAM電路設計，乃原告重要資產 7，依員工與原告間之合約（原證12、原證13），該等SR 8AM電路設計資料，其智慧財產權等權利均歸屬於原告。 9而自原告成立以來，原告從未將自己的SRAM電路設計 10資料等營業秘密內容授權或讓與被告等。 11原告除發現被告公司H晶片產品係利用原告營業秘密而 12成外，被告公司之發起人、代表人、股東、現任諸多重要 13成員等，均係由原告離職赴任。除被告○○○為原告前總 14經理兼研發處處長外，其餘被告分別為原告業務部、研發 15處、產品工程處、品保部、系統工程部、財務部、銷售部 16、管理部門之前主管（被告等在原告之職務及到離職日期 17如起訴狀附表B），對原告營業秘密及相關管控措施知之 18甚詳。其中，被告○○○更為原告前總經理，在設立被告 19公司前，原為原告總經理及董事，曾歷任原告的研發處長 20（研發最高主管）、業務處長，於原告成立後不久即長期 21擔任研發最高主管，並於95年8月25日起兼任總經理及 22研發最高主管，96年1月1日開始專任總經理一職，被 23告○○○因其職位對原告IC產品之研發、產銷等重要資 24訊知之甚詳，此類資訊，非公司經營者難以知悉，外人難 25以窺見。 26被告○○○在96年6月8日離開原告後，僅約1個月的 27時間，即於同年7月9日成立被告公司，半年後即對外推 91出一系列與原告相同產品快速搶佔市場。依原告內部調查 2的結果，雖然諸多物證早已在被告○○○及其同夥分任原 3告公司總經理、研發主管、工作站管理員、業務主管、及 4財務主管等期間，分別被其以職務之便攜走或銷毀，以各 5項事件的前後時間點來看，被告等人顯係在陸續從原告離 6職之前，即已著手為攜走原告資訊及成立被告公司的各樣 7安排。 8從被告公司官方網站【新聞中心：＜2008/09/02＞紘康科 9技新產品發表會圓滿落幕】之記載可知（原證22），被 10告於97年9月2日前即發表HY11P系列晶片及其開發工 11具與各項應用技術，甚且於96年12月24日（或之前） 12已開始撰寫型號HY11P系列晶片之democode（範例程 13式源代碼，原證23第23頁），基此，被告公司確實於公 14司成立後「不到半年（96年7月設立至96年12月24日 15）」即完成型號HY11P系列晶片之IC樣品取得驗證、可 16送樣或是可接單出貨階段。此外，被告公司於公司成立後 17「約一年（96年7月設立至97年9月2日）」即在深圳 18上海賓館發表HY11P系列晶片，甚至同時推出該系列晶 19片完整的開發平台及相關應用等。 20綜上所述，自然人被告○○○等人全為原告離職員工，且 21為原告業務部、研發處、產品工程處、品保部、系統工程 22部、財務部、銷售部、管理部門之前主管，足證自然人被 23告○○○等人各自及全體確實充分接觸並瞭解原告「據爭 24產品設計」之營業秘密。被告全體均明知「據爭產品之設 25計」，包括SRAM電路、ADC、數位以及類比IP設計等 26均屬原告所有且其上載有原告重要之研發、製程、測試、 27參數等等營業秘密，卻未經原告同意或授權，擅自竊取並 101持以使用於被告公司之IC產品，且該等使用原告營業秘 2密之行為仍持續中，被告各自及全體業已該當營業秘密法 3第10條第1項第1、2、3款與第2項之規定，侵害原告 4之營業秘密。 5鈞院107年度民聲字第46號保全證據事件之107年12月2 65日執行保全證據攝影光碟內容，顯示被告公司之電腦有公 7司成立「前」之資料，以及被告公司明知其有應提出之電路 8圖檔、布局圖檔、lvs檔與drc檔等證據資料，卻刻意隱匿 9證據。如被告未有違法情事，何須隱匿？參以原證6及原證 107之比對結果，足證被告等確有竊取原告營業秘密之情事。 11如被告欲為未侵害之抗辯、或主張被告公司產品均為自行開 12發，則應提出被告公司開發系爭產品之時程、及設計資料等 13證據，以實其說，否則依民事訴訟法第277條、第282條之 141、智慧財產案件審理法第10條之1等規定，認原告之主 15張為真。 16原告上述主張均已證明被告等侵害原告之營業秘密，至少已 17有釋明之程度。鈞院107年度民聲字第46號民事裁定亦已 18肯認原告就被告等侵害原告營業秘密已盡釋明之責。從而， 19原告爰依智慧財產案件審理法第10條之1第1項規定，被 20告等應為具體答辯並提出相關資料。若被告等逾期未具體答 21辯或未提出相關資料，則鈞院應依同條第2項規定認原告已 22釋明之內容為真實。經查，被告等既主張其為自行開發，則 23其必然有購入開發軟體記錄、設計相關資料（如電路IP設 24計者、IP設計和模擬過程資料、報告文件等）、工作記錄 25簿等設計開發各階段歷史資料，並應有合理的時間戳記可佐 26證，被告應可自行提出相關資料以具體答辯其如何沒有侵害 27原告之營業秘密，並應有合理的時間戳記可佐證。 111依營業秘密法第11條規定，被告等應立即停止其侵害行為， 2且對於侵害行為作成之物應回收銷燬： 3被告等竊取原告關於「據爭產品設計」之營業秘密，並利用 4該營業秘密生產相同或高度類似之H晶片，已如前述，是 5原告自得依營業秘密法第11條請求排除及防止其侵害，至 6屬明確。從而，原告訴請被告公司應停止製造、銷售侵害H 7晶片，其已製造者應予回收銷燬，並訴請被告等不得使用 8或洩漏原告所有「據爭產品設計」之營業秘密，以避免原告 9之損害持續擴大，於法有據，自應准許。 10起訴狀附表A所列型號之晶片係被告公司所販售產品中具 11有SRAM電路之型號。因IC產品設計及產銷之特性，晶片 12產品重新設計所需耗費的人力時間及費用過分巨大，一般而 13言，SRAM電路設計短時間內不會進行修改。故附表A所 14列型號之晶片均應具有相同於H晶片之SRAM電路，侵害 15原告之營業秘密，自應亦停止製造、銷售及回收銷燬。 16二、被告等答辯聲明：原告之訴及假執行之聲請均駁回。如 17受不利之判決，被告願供擔保請准免為假執行。訴訟費用 18由原告負擔。並辯稱略以： 19被告等有無取得、使用或洩漏原告F晶片SRAM電路及布局 20資訊；被告公司H晶片電路及布局資訊內是否有使用以不正 21當方法取得之資訊： 22被告○○○辯稱其在職原告期間職務為研發工程師，主要工 23作內容負責LDO產品及研發修改（此產品也未在被告公司 24產品線之列），且被告○○○皆未參與兩造公司間之OTP 25或SRAM元件設計、開發或布局工程，否認使用原告關於S 26RAM設計資料、布局圖、布局規劃書等之機密資料，亦否 27認於任職原告期間或離職時備份、銷燬或攜走原告關於據爭 121產品設計之SRAM電路及布局資訊等營業秘密，或利用系 2統管理權限將系統中儲存之登入員工資料存取及作業過程（ 3LOG檔）刪除。被告○○○於被告公司職務由96至106年 4為產品工程師，主要負責產品生產測試，完全與設計開發無 5關，且其已於106年10月間離職被告公司，就原告之F晶 6片及被告公司之H晶片等SRAM電路及布局比對資訊，已 7無從對此為辯論。 8被告○○○、○○○、○○○辯稱其等於任職原告期間雖因 9從事研發工作有取得及使用原告研發檔案資料之權限，惟因 10研發職務分工之關係，並無取得或使用SRAM電路及布局 11資訊之必要，且於任職原告期間及離職後均無取得、使用或 12洩漏原告F晶片SRAM電路及布局資訊情事。又被告○○ 13○於96年7月至8月任職被告公司僅1個月期間，即於同 14年8月15日赴美求學，對被告公司所研發之產品，完全沒 15有參與，亦不知悉。 16被告公司抗辯：被告公司並無取得、使用或洩漏原告F晶片 17SRAM電路及布局資訊情事，是被告公司H晶片電路及布 18局資訊內並無以不正當方法取得之資訊。 19被告○○○、○○○辯稱其等於任職原告期間因從事研發工 20作有取得及使用原告研發檔案資料之權限，若F晶片之SR 21AM電路及布局資訊於被告等在職期間已存在於原告研發檔 22案資料內，則被告因職務關係或有可能需要取得及或使用該 23等資訊。惟被告等離職前，原告並未開發F晶片，該晶片之 24SRAM電路及布局資訊於被告在職期間並不存在於原告研發 25檔案資料內，被告無從取得、使用或洩漏該SRAM電路及 26布局資訊。被告於離職之後亦無取得、使用或洩漏原告F晶 27片SRAM電路及布局資訊情事。 131其餘被告抗辯：被告於任職原告期間並無取得及使用原告公 2司研發檔案資料之權限，於任職原告期間及離職後均無取得 3、使用或洩漏原告F晶片SRAM電路及布局資訊情事。 4原告主張被告等侵害其據爭產品設計之營業秘密，其論據為： 5原告於104年在將被告公司H晶片送交專業機構進行還原工 6程分析，並與原告SRAMIP檔案及F晶片電路及布局加以分 7析比對後，確認被告公司晶片與原告產品之相似度高達令人匪 8夷所思之程度。惟查： 9依營業秘密法第2條第1款規定，所稱「營業秘密」，需符 10合要件之一為「非一般涉及該類資訊之人所知者」，因此一 11般涉及該類資訊之人所習知之資訊，任何人皆可自由使用， 12並非營業秘密法保護之標的。如原證5簡報第13頁所示， 13RAM僅係混合訊號晶片十數種電路之一種，原告既自稱已 14就被告公司H晶片進行還原工程分析，則其分析結果所取 15得之電路資訊，當不以SRAM電路為限。然原告卻僅提出S 16RAM電路之分析比對報告，足證兩造晶片之其他電路有顯 17著差異。至於二晶片之SRAM電路有類似之處，係因SRA 18M電路相較於其他十數種電路，其內容相對簡單且為習知 19資訊之故。 20SRAM記憶體之電路設計為一般涉及此類資訊之人所習知 21之資訊，因此兩造晶片之SRAM記憶體之電路設計，諸如 22「階層式架構」、「SRAMcell模組」、「DataPath模組」 23、「AddressPath模組」、「WriteandReadControl模組」 24等通用模組，模組之功能、連接關係、接腳數、接腳定義等 25，乃至於SRAMCell之布局，如有相似之處，自是理所當 26然。原告輔佐人於鈞院107年10月22日保全證據程序調查 27時，亦自認被告H晶片的SRAM1-bitCell電路架構是習知 141的（電路架構）等語。 2原告前於106年間依據原證6及原證7還原工程分析之比對 3報告，以被告公司H晶片之SRAM部分與原告F晶片之SR 4AM部分之設計模組與電路布局相同為由向臺灣士林地方檢 5察署（下稱士林地檢署）提出告訴，案經士林地檢署及臺灣 6高等檢察署智慧財產檢察分署（下稱高檢智財分署）以「上 7開二晶片除SRAMCELL主體部分使用與業界相同設計外， 8其餘SRAMcd、SRAMpr之電路設計均非相同」（被證二 9）、「二者在晶片之DataPath模組之SRAM00_w（1/2） 10、SRAM00_w（2/2）、SRAMsa亦有不同的設計；而二者 11在控制電流穩定之電流鏡（CurrentMirror）設計組態、Addr 12essPath模組、WriteandReadControl模組亦均有所不同」 13等為由處分不起訴並駁回再議確定（被證一）。此外，本案 14技術審查官於鈞院107年10月22日保全證據事件調查時， 15亦依據原證6及原證7之比對報告指出兩造晶片之SRAM 16記憶體電路設計之諸多差異，該等差異均具功能或設計上之 17實質意義，而非只是形式上之差異。 18原告關於據爭產品設計之F晶片SRAM電路及布局資訊並 19非屬「非一般涉及該類資訊之人所知」之資訊，自非營業秘 20密法所定義之營業秘密。被告公司H晶片並未使用原告公 21司關於據爭產品設計之SRAM電路及布局資訊等營業秘密 22。 23原證6比對報告所謂：兩晶片SRAM的階層式架構高度相 24似，皆具有四個功能模組，模組間連接關係相同，對應功能 25區塊亦有相同之接腳數及接腳定義，及原證7比對報告所謂 26兩晶片SRAM布局高度相似云云，均非事實。且原證6比 27對報告所自行製作之兩晶片電路圖已顯示兩晶片電路設計不 151同，縱使不同電路設計之功能相同，惟功能並非營業秘密， 2電路設計不同即足以證明被告晶片SRAM未侵害原告晶片S 3RAM之營業秘密。又縱然有部分電路相同，亦係因為相關 4電路是習知資訊，況相同電路亦因元件參數不同而成為不同 5之電路設計，布局圖也會因而有所不同。原告依據原證6電 6路比對報告及原證7布局比對報告主張被告侵害其營業秘密 7，顯無可採。 8原告主張被告侵害其「據爭產品設計」之營業秘密，論據之一 9為：被告公司乃原告前總經理率眾主管離職後於96年7月成 10立之公司，在短短7個月即於97年2月開始推出各項與原告 11公司競爭之IC產品，時程上顯不合理。惟查： 12被告公司主要產品線包括「混合訊號單晶片」及「鋰電池管 13理晶片」（原證5第4頁）。原告依據被告公司104年6月 145日公開說明書第46頁所載，主張被告公司於97年2月推 15出之自家產品，係指該公開說明書第46頁「公司沿革」項 16下之「單節鋰電池保護晶片」（原證3），該產品係屬「鋰 17電池管理晶片」產品，而據爭產品則屬「混合訊號單晶片」 18產品，兩者並非相同系列產品。且「單節鋰電池保護晶片」 19產品係「鋰電池管理晶片」之初階產品，相較於其他「鋰電 20池管理晶片」，乃至於「混合訊號單晶片」，「單節鋰電池 21保護晶片」之研發及設計相對單純，其所須時程較短，乃理 22所當然。此由被告公司於96年7月設立後，於97年2月推 23出「單節鋰電池保護晶片」，於98年9月完成「兩節鋰電 24池保護晶片」之開發，於99年始成功開發有自燒錄功能之 25OTP產品等情可證（原證3第81頁）。因此被告公司於設 26立後七個月後推出「鋰電池管理晶片」之初階產品，於時程 27上並無任何不合理之處。 161被告公司之晶片產品，自開案至量產可分為產品開案、設計 2、下線、驗證、試產及量產6個階段，每個階段均應召開審 3查會議依據相關文件進行討論並作成結論。某一產品如經驗 4證審查會議通過（或有條件通過），即為完成開發，可對外 5發表（或推出）該產品，惟需經量產審查會議通過，始可正 6式進行該產品之量產。被告公司97年1月17日就HY2110 7型號單節鋰電池保護晶片召開產品驗證審查會議，該會議結 8論通過該項產品之驗證審查（被證三）。被告公司98年9 9月11日就HY2120型號雙節鋰電池保護晶片召開產品驗證 10審查會議，該會議結論通過該項產品之驗證審查（被證四） 11。被告公司99年11月26日就HY11P52型號晶片（具自燒 12錄功能之OTP產品）召開產品驗證審查會議，該會議結論 13有條件通過該項產品之驗證審查（被證五）。原告起訴書附 14件A所列之被告公司晶片產品中，HY10P、HY13P、HY14 15E、HY15P、HY16F18、HY16F19、HY16F39系列晶片產 16品迄未經量產審查會議通過，尚未進行量產。其餘晶片產品 17經量產審查會議通過之日期如鈞院卷第266、267頁表格 18所示；被告公司鋰電池保護晶片於100年（含）前經量產審 19查會議通過之日期如鈞院卷第267頁表格所示；被告公司 20自96年成立至100年12月31日止，每年度保護晶片、MC 21U晶片之營業額（千元）如鈞院卷第267頁表格所示。 22綜上所述，被告公司於96年7月成立2年後才開始有微控 23制器晶片產品之量產，而「單節鋰電池保護晶片」產品係「 24鋰電池管理晶片」之初階產品，相較於其他「鋰電池管理晶 25片」，乃至於「微控制器晶片」，「單節鋰電池保護晶片」 26之研發及設計相對單純，其所須時程較短，乃理所當然。被 27告公司於公司設立後7個月後之97年2月推出「鋰電池管 171理晶片」之初階產品，並於同年6月開始量產，至於微控制 2器晶片則於98年8月以後才開始有產品量產，於時程上並 3無任何不合理之處。又由於被告公司自98年8月以後才開 4始有微控制器晶片產品之量產，而「鋰電池管理晶片」於9 57年6月即開始量產，因此被告公司96年7月成立以來， 6前3年度之營業額，主要來自鋰電池保護晶片產品之銷售， 7微控制器晶片產品之營業額僅占全部營業額約百分之16。 8況被告公司於97年2月推出之「單節鋰電池保護晶片」並 9無SRAM記憶體，無需使用SRAM電路設計。因此被告公 10司推出「單節鋰電池保護晶片」之時程及營業額是否合理， 11即與被告有無侵害原告「據爭產品」SRAM電路設計營業秘 12密無任何關連性。原告以被告公司成立後短短數年即有不合 13理之營業額，推論被告有侵害原告「據爭產品」SRAM電路 14設計營業秘密，殊屬無稽。 15又查更換晶圓供應商，除必須就晶片產品進行重新設計、工 16程試樣外，尚須進行晶片產品的規格認可、製程兼容性認可 17、可靠度認可等作業。至於推出新的晶片產品，係指完成設 18計及工程試樣，並未涉及更換供應商時所需之規格、製程兼 19容性、可靠度認可等作業程序，故其時程較更換晶圓供應商 20之時程為短。被告公司於公開說明書第46頁之「公司沿革 21」項下所載於97年2月推出「單節鋰電池保護晶片」，係 22指該產品已於97年2月間完成設計及工程試樣而對外發表 23推出，其時間在被告公司96年7月設立後七個月，與被告 24公司為解釋進貨集中○○電子集團之原因，於公開說明書上 25所稱更換晶圓供應商之轉換期至少需九個月至一年半左右的 26時間，亦無任何矛盾或不合理之處。 27況查原告主張被告公司使用相同於H晶片SRAM電路之晶 181片產品係利用原告據爭產品設計之營業秘密而成，無非以被 2告公司H晶片與原告F晶片之SRAM電路設計極大部分相 3同為論據。換言之，原告主張其受被告侵害者，係關於其據 4爭產品SRAM電路設計之營業秘密。惟查被告公司於97年 52月推出之「單節鋰電池保護晶片」並無SRAM記憶體，無 6需使用原告之SRAM電路設計。因此被告公司推出「單節 7鋰電池保護晶片」之時程是否合理，即與被告有無侵害原告 8據爭產品SRAM電路設計營業秘密無任何關連性。 9原告既自認「是亞洲最早切入類比IC設計的先驅之一，精 10通電路設計與整合技術」，即應知「鋰電池保護晶片」之設 11計難度遠低於據爭產品，以及晶片產品推出所需時程與更換 12晶圓供應商所需時程並不相同，更應知「鋰電池保護晶片」 13並無SRAM記憶體，無需使用SRAM電路設計。此外，原 14告既係依據被告公司公開說明書所載主張被告公司於97年 152月推出自家產品，即應明知被告公司於97年2月推出之 16自家產品係「鋰電池保護晶片」，且原告亦明知被告公司之 17自燒錄OTP產品係於99年始開發成功，而具OTP自我燒 18錄功能的H晶片，則是遲至99年以後始推出產品（詳原告 19民事起訴狀第12頁倒數第4行），詎原告訴訟代理人於鈞 20院107年10月22日保全證據事件調查時聲稱被告公司成立 21不到一年即推出自燒錄OTP產品云云。足證原告以被告公 22司於公司設立後短短7個月即推出自家產品為論據，主張被 23告竊取自燒錄OTP產品設計之SRAM電路設計之營業秘密 24云云，其論理謬誤且混淆誤導事實。 25查被告公司於原證5簡報第17頁「產品技術競爭優勢」已 26明載「所有高精度量測IP皆自主開發」，至於同頁簡報說 27明被告公司競爭優勢之一「產品導入不易，生命週期長」時 191，表示「產品需做二次開發，重新取得認證」，係指客戶就 2所購買之內含MCU晶片做軟體開發及周邊的應用電路與零 3件設計，以適用於客戶自己產品特性與需求（例如重量量測 4、溫度量測、電能量測），如被告公司之客戶擬改向其他供 5應商購買晶片，則需就其產品特性及需求再次作軟體開發及 6周邊的應用電路與零件設計開發，並重新取得認證，故客戶 7不會輕易更換供應商，此為被告公司產品競爭優勢之一。是 8被告公司於該簡報所稱之「二次開發」，係指客戶就被告公 9司之晶片所作之軟體開發及周邊的應用電路與零件設計，而 10非被告公司就自己之晶片作二次開發，原告主張被告公司才 11新成立，何來「既有產品」可以二次開發云云，殊有誤會。 12原告自認被告公司之「據爭產品」係於99年始開發成功（ 13被告公司具OTP自我燒錄功能的H晶片，是遲至99年以後 14始推出之產品，詳原告民事起訴狀第12頁倒數第4行）， 15若原告所謂「被告等人顯係在陸續從原告離職之前，即已著 16手為攜走原告資訊及成立被告公司的各項安排、擅自竊取並 17持（據爭產品之營業秘密）以使用於渠等（於96年7月） 18成立之被告公司之IC產品」等情屬實，被告公司當不至於 19遲至99年以後始推出具OTP自我燒錄功能晶片。況如原證 205簡報第13頁所示，RAM僅係混合訊號晶片十數種電路之 21一種，其困難度及重要性之較其它電路為低，如被告已取得 22原告「據爭產品」之營業秘密，當不至於僅使用其中之SR 23AM電路設計。足證被告公司之「據爭產品」係自行開發完 24成，並未使用原告公司關於「據爭產品設計」之SRAM電 25路及布局資訊等營業秘密。 26末查原告前於106年間依據原證6及原證7還原工程分析之 27比對報告，以被告公司H晶片之SRAM部分與原告F晶片 201之SRAM部分之設計模組與電路布局相同為由向士林地檢 2署提出告訴，案經檢察官處分不起訴，原告聲請再議，高檢 3智財分署以「另從聲請人（即本件原告）公司網站（https 4：//www.ic-fortune.com/）中所列出的產品資訊，其中並無 5生產、銷售系爭FS98031B晶片之資訊。自難僅憑聲請人提 6出資利通公司之報告，即認被告等人在任職於聲請人公司期 7間，即取得系爭FS98031B晶片之資訊，並在96年間離職 8後，將資訊洩漏予被告紘康公司」等為由處分駁回確定（被 9證一）。是原告F晶片於被告等人自原告公司離職前既未曾 10存在，則原告主張「被告等人顯係在陸續從原告離職之前， 11即已著手為攜走原告資訊及成立被告公司的各項安排」、「 12擅自竊取並持（據爭產品之營業秘密）以使用於渠等（於9 136年7月）成立之被告公司之IC產品」等情，顯非事實。 14三、協商兩造整理不爭執事項如下（本院卷第203頁）： 15原告起訴狀附表A（本院卷第63頁）所列型號HY10P、H 16Y11P、HY12P及HY13P系列晶片具有類似於型號HY11P52B 17晶片（即H晶片）之SRAM電路。 18原告所提起訴狀附表B（本院卷第65頁）所列被告等於原 19告任職期間之職務、到職日期與離職日期。 20原證1至原證5形式上真正。 21四、協商兩造整理爭執事項如下（本院卷第203頁）： 22原告據爭產品設計例如：型號FS98031B晶片（即F晶片）之 23SRAM電路及布局資訊是否是原告之營業秘密〔F晶片之SRA 24M電路及布局資訊是否非一般涉及該類資訊之人所知（秘密 25性）？其經濟價值（經濟性）？原告是否採取合理保密措施〕26？ 27被告等是否以不正當方法取得、或取得後知悉例如F晶片之S 211RAM電路及布局資訊是營業秘密而使用或洩漏？ 2如果原告F晶片之SRAM電路及布局資訊是原告之營業秘密 3，被告等有侵害原告前開營業秘密之故意，原告請求排除侵害 4是否有理由？ 5五、得心證之理由： 6營業秘密之要件： 7按營業秘密法第2條規定「本法所稱營業秘密，係指方法、 8技術、製程、配方、程式、設計或其他可用於生產、銷售或 9經營之資訊，而符合左列要件者：一、非一般涉及該類資訊 10之人所知者。二、因其秘密性而具有實際或潛在之經濟價值 11者。三、所有人已採取合理之保密措施者。」，是營業秘密 12法所保護之營業秘密須具備秘密性、經濟性及合理之保密措 13施三要件，茲分述如下： 14秘密性：係指非一般涉及該類資訊之人士所知悉之資訊，故 15屬於產業間可輕易取得之資訊，則非營業秘密之標的。申言 16之，秘密性之判斷，係採業界標準，除一般公眾所不知者外 17，須相關專業領域中之人亦不知悉，倘為普遍共知或可輕易 18得知者，則不具秘密性要件。 19經濟性：係指技術或資訊有秘密性，且具備實際或潛在之經 20濟價值者，始有保護之必要性。是營業秘密之保護範圍，包 21括實際及潛在之經濟價值，故尚在研發而未能量產之技術或 22相關資訊，其具有潛在之經濟價值，亦受營業秘密法之保護 23，不論是否得以獲利。 24合理保密措施：營業秘密之所有人主觀上有保護之意願，且 25客觀上有保密的積極作為，使人了解其有將該資訊當成秘密 26加以保守之意思，例如：與可能接觸該營業秘密之員工簽署 27保密合約、對接觸該營業秘密者加以管制、於文件上標明「 221機密」或「限閱」等註記、對營業秘密之資料予以上鎖、設 2定密碼等，若營業秘密之所有人客觀上已為一定之行為，使 3人了解其有將該資訊作為營業秘密保護之意，並將該資訊以 4不易被任意接觸之方式予以控管，即足當之。 5原告據爭產品IC晶片之SRAMIP之階層式架構是原告之營業 6秘密： 7原告據爭產品之研發、製程、測試、參數等資訊，包括IC 8晶片之SRAMIP之階層式架構，並非一般涉及該類資訊相 9關專業領域中之人所知悉，堪認具秘密性。 10原告主張於96年推出據爭產品，迄至100年間原告據爭產 11品之營業額計達1億元以上（本院卷第36頁），是據爭 12產品設計，包括IC晶片之SRAMIP之階層式架構即為原告 13之核心技術，並具有經濟價值。 14原告就程式及資料之存取控制定有規範（原證8第3頁以 15下，限制閱覽卷─下稱限閱卷，第205頁至第211頁），10 163年（含）之前的申請管制流程，要以EHR電子表單申請 17帳號（原證9，限閱卷第213頁）；103年後的申請管制流 18程改以WebEIP電子表單申請（原證10，限閱卷第215頁） 19；另研發人員之工作成果及資訊，存於原告之工作站，依專 20案及個人建立檔案資料（原證11，限閱卷第217頁），並 21依ISO作業程序責成工作站專責管理員加以控管及稽核（ 22原證8，限閱卷第205頁至第211頁）。再查，原告與員工 23簽訂「聘僱合約書」時，於該合約書第6條約定智慧財產權 24歸屬於原告，第7條至第9條約定機密資訊及保密條款（原 25證12、原證13，限閱卷第219頁至第242頁），並要求員 26工詳實記載於工作紀錄簿，且工作紀錄簿之領取及歸還均有 27管控及紀錄（原證14、原證15，限閱卷第243頁至第269 231頁）。復查，原告與其他公司往來如有使用或揭露據爭產 2品相關技術，原告會與往來公司簽訂「保密合約」（原證1 36、原證17，限閱卷第271頁至第277頁），堪認原告就據 4爭產品有關IC晶片之SRAMIP階層式架構，已採取合理之 5保密措施。 6被告公司之SRAMIP之階層式架構與原告之SRAMIP之階層 7式架構是否相似，且在該階層架構下之所有電路功能模組之間 8介面I/O接腳的定義、數量等總和是否相同： 9被告公司之SRAMIP之階層式架構與原告公司之SRAMIP 10階層式架構並非相同或近似： 11原告稱被告公司H晶片的SRAM電路設計所呈現的「階 12層式架構」與原告公司SRAMIP具有非常高度的相似性 13，且被告公司H晶片的「SRAMcell模組」、「DataPath 14模組」、「AddressPath模組」、「WriteandReadContro 15l模組」，均完全對應至原告公司SRAMIP的模組。此外 16，被告公司H晶片之該等模組之功能、連接關係、接腳 17數、接腳定義等也與原告公司SRAMIP的模組完全相同 18，並提出原證6電路比對報告（原證6第25頁、第26頁 19即限閱卷第135頁、第136頁、第319頁原證6-1中譯文 20），以附其說；另原告訴訟代理人於108年12月2日言 21詞辯論期日表示本件營業秘密範圍為「如今日庭提簡報第 222頁所示（限閱卷585頁），即階層式架構下所有電路功 23能模組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和」等語（本 24院卷第330、331頁）。經查，原告上開庭呈簡報第2 25頁（限閱卷第585頁）所述之階層式架構圖為原證6第7 26頁3.1所示之IC-Fortune之階層式架構圖（限閱卷第127 27頁，如附圖1-1所示），並經原告確認其中IC-Fortune為 241其F晶片所使用的SRAMIP（本院卷第334頁第17至 219行）。 3原告稱因各家IC設計公司的研發團隊成員不同，在完成 4一個新設計的電路系統，會依其研發團隊成員的人別、數 5量與能力的獨特性，創作出階層式結構（hierarchicalarchi 6tecture）的原始電路設計圖（originalcircuitschematicdesi7gn）來表達IC電路系統，該原始電路設計圖的階層式結 8構如何分層及再細分個別的電路模組，都有其原創的表達 9與設計。IC製造與設計的流程，即是從IC設計公司的研 10發團隊創作出階層式結構的原始電路設計圖開始，通過模 11擬分析（Simulat00nanalysis）與驗證（Verificat00n）後 12，可將原始電路設計圖轉換為積體電路布局（IClayout） 13，再將積體電路布局製作成光罩（Mask），經由晶圓製 14程（waferfabricat00n）與封裝（package），而得積體電 15路（IC）產品，故主張系爭SRAM階層式架構圖為其公 16司之營業秘密等語（本院卷第37、38頁）。經查： 17從原證6比對報告第25及26頁記載將被告H晶片透過 18還原工程與原告IC-Fortune使用之SRAMIP做比對，( 19a)若是H晶片之SRAM電路上的某一接腳，其功能與I 20C-Fortune電路上的另一接腳相同，即將相同的定義及 21名稱用於H晶片電路上的接腳；(b)若是H晶片之SRA 22M的某一功能區塊／模組，其功能與IC-Fortune電路上 23的另一功能區塊／模組相同，即將相同的定義及名稱用 24於H晶片電路上的該功能區塊／模組，故比對結果無 25論是接腳定義或模組之分類係依據功能來作定義或歸類 26等語（限閱卷第135、136頁、第319頁）。又查，原 27證6比對報告第4頁「1.0概述」記載「雖然可透過對 251一IC執行還原工程推導出該IC的組成元件及連接方式 2，但無法藉此完全重建該IC的原始電路設計圖，原始 3電路設計圖可顯示IC研發團隊如何設計階層式架構」 4等語（限閱卷第114頁、第316頁），可見還原工程無 5法正確還原或重建電路設計之原始階層式架構。而原告 6主張依前開所述之比對方式將IC-fortune與H晶片兩者 7個別的功能區塊與I/O接腳進行比較，進而得出兩者之 8階層架構R1至R5顯示出高度的相似性（限閱卷第135 9頁、第319頁）云云，惟由原證6上開之比對方式，可 10知其中之SRAMIP之各模組係以功能來作劃分，因而 11得出上開之結論，惟該領域中具通常知識者皆知具有相 12同功能之電路模組，並不一定係以相同之電路或組成達 13成，亦即同一種功能之電路，可藉由不同之電路組成或 14構成元件來達成，且由於階層式架構係無法藉由還原工 15程還原重建，是原告雖主張IC-Fortune之階層式架構圖 16（如附圖1-1所示）為其生產F晶片使用之架構圖，然 17而被告等依原告所提供其F晶片之SRAM.inc（原證2 181為原告之F晶片SRAM之「電路圖.inc檔」與「布局 19圖.gds檔」光碟，限閱外放證物袋）所得出之階層式架 20構（被證9，限閱卷第416頁，如附圖1-3所示），與 21被告公司依H晶片之SRAM.inc檔所得之階層式架構（ 22被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-2所示）相比較， 23兩者之階層式架構有如附圖1-4所示顯著之差異，故原 24告主張原證6之比對報告所得兩晶片的階層式架構有高 25度相似性，難認可採。 26次查，若以被告公司經由H晶片之SRAM.inc檔所取得 27之階層式架構圖（被證8，限閱卷第402頁，如附圖1- 2612所示）與原證6比對報告第17頁所載原告之IC-Fortu 2ne之階層式架構圖（附圖1-1）作比較，其中原告附圖 31-1所示之架構包含R1至R5，其中R1包含4個模組 4，分別為「SRAMcell模組」、「DataPath模組」、「 5AddressPath模組」、「WriteandReadControl模組」 6，而被告公司H晶片之階層式架構圖（被證8，限閱卷 7第402頁，如附圖1-2所示）之第一層架構包含「RAM 8_CRT模組」、「RAM_00003模組」、「RAM_RDEC4 9模組」、「RAM_W4ARRAYx8模組」，比較兩者之第 10一層架構即有不同；再者，原告如附圖1-1所示之第二 11層架構R2至R5亦未有與被告公司H晶片之階層式架 12構圖（限閱卷第402頁，如附圖1-2所示）對應之相同 13模組。故原告主張被告公司之H晶片之SRAMIP係採 14用原證6所提出之IC-Fortune之階層式架構，尚不足採 15。 16再查，被告公司依原告提供其F晶片SRAM之「電路 17圖.inc檔」與「布局圖.gds檔」（原證21，限閱外放證 18物袋）得出之F晶片階層式架構（被證9，限閱卷第41 196頁，如附圖1-3所示）之第一層架構具有6種模組（ 2000000,00,0000,0000,00000及000000），與原告108 21年12月2日言詞辯論期日庭呈簡報第2頁（限閱卷第 22585頁）即原證6第7頁3.1其所主張F晶片所使用IC- 23Fortune之階層式架構圖（限閱卷第127頁，如附圖1-1 24所示），並不相同，足見原證6比對報告第17頁所載 25之原告F晶片SRAM之階層式架構（附圖1-1），並非 26依據該F晶片之SRAM.inc所得之真實階層式架構。再 27者，比對被告公司經由H晶片之SRAM.inc檔所取得之 271階層式架構圖（被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-2 2所示）與原告所提供其F晶片之SRAM.inc（原證21 3，為原告之F晶片SRAM之「電路圖.inc檔」與「布局 4圖.gds檔」光碟，限閱外放證物袋）所得出之階層式架 5構（如附圖1-3所示），兩者之階層式架構迥異，其 6中附圖1-2之第一階層架構具有4個模組，而附圖1-3 7則有6個模組，而兩者第一層架構下之第二層架構下延 8伸細分出來之模組分別為9個及7個亦不相同，其更下 9層之模組差異更大，承上，以原告與被告公司所提晶片 10之SRAM.inc檔所得之階層式架構，二者使用之階層式 11架構亦非相同。 12原告於108年12月2日言詞辯論期日簡報第5頁（限閱 13卷第591頁，如附圖1-4所示）主張被告公司以兩造晶片 14之SRAM.inc檔所得之階層式架構圖僅是重新群聚（group 15）原告之電路模組，兩者其實是相同的且與原證6第17 16頁IC-Fortune之階層式架構圖（如附圖1-1所示）完全相 17同云云。惟查： 18原告係主張被告公司之H晶片侵害其原證6第17頁之 19IC-Fortune之階層式架構圖（如附圖1-1所示），其營 20業秘密即為該階層架構下所有電路功能模組之間介面I/ 21O接腳的定義、數量等總和，業經原告陳明在卷（本院 22卷第330至331頁）。惟嗣後被告公司依原告所提供 23之F晶片之SRAM.inc（原證21為原告之F晶片SRA 24M之「電路圖.inc檔」與「布局圖.gds檔」光碟，限閱 25外放證物袋）所得出之階層式架構（被證9，限閱卷第 26416頁，如附圖1-3所示），與原告前開主張之原證6 27第17頁F晶片所使用之階層式架構（閱卷第127頁， 281如附圖1-1所示）完全不同，換言之，原告所主張原證 26第17頁之F晶片階層式架構並非依據原告之F晶片 3之SRAM.inc檔所得，故原告以原證6第17頁之階層 4式架構主張被告公司侵害之F晶片之SRAMIP即有可 5議。 6原告於108年12月2日言詞辯論期日簡報第5頁（限 7閱卷第591頁，如附圖1-4所示），主張依被告等所提 8之附圖1-2、附圖1-3之架構圖，將該階層式架構之6 9個模組（A、B、C、D、E、F）重組，經（B,E） 10模組群聚，（C,D）模組群聚，可對應被告公司之階層 11式架構之4個模組云云。惟查，原告係以如附圖1-2所 12示被告公司依H晶片之SRAM.inc檔所得之階層式架構 13，及如附圖1-3所示被告公司依原告所提供其F晶片之 14SRAM.inc所得出之階層式架構作比對，而非以如附圖 151-2所示階層式架構與附圖1-1所示原告所主張之IC-Fo 16rtune之階層式架構圖作比對，該比對基礎即有未洽。 17況原告稱各家公司的研發團隊成員不同，IC設計公司 18要完成一個新設計的電路系統，會依其研發團隊成員的 19人別、數量、與能力的獨特性，創作出階層式結構（hi 20erarchicalarchitecture）的原始電路設計圖（originalcirc21uitschematicdesign）來表達IC電路系統。原始電路設 22計圖的階層式結構如何分層及再細分個別的電路模組， 23都有其原創的表達與設計，故原告之SRAM階層式架構 24圖為其公司之營業秘密等語（本院卷第37至38頁） 25，承此所述，如果認為被告公司之階層式架構係藉由將 26原告之階層式架構之群聚及重組，並於群聚及重組後認 27為兩者相同或近似，則形同主張該階層式架構可由電路 291設計者依據功能自行作不同分類及定義，之後可以藉由 2群聚重組模組而得，並因此認為群聚重組之後與之前設 3計均相同，則此等階層式架構有何原創性之表達與設計 4可言。再者，由如附圖1-4所示之階層式架構比對分析 5，可知如附圖1-2與附圖1-3所示之階層式架構越往底 6層之架構定義差異越大，益證如附圖1-2所示（限閱卷 7第402頁）之階層式架構圖並非僅是如附圖1-3（限閱 8卷第416頁）經單純地群聚、重組而得。在電路設計領 9域中，一具有相同功能的電路模組可藉由不同設計方式 10達成，且電路中之模組的改變或模組中元件之替換、增 11減對於模組間或元件間的連接關係可能就牽動產生很大 12的影響及差異，並非如原告所稱兩者之階層式架構及電 13路設計僅是模組之間群聚重組或是電路元件之簡單替換 14，故原告主張並無可取。 15被告公司H晶片SRAMIP之階層式架構下所有電路功能模 16組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和與原告公司之SRA 17MIP之階層式架構下所有電路功能模組之間介面I/O接腳 18的定義、數量等總和及電路設計並非相同，已見前述。再以 19原證6比對報告原告F晶片使用IC-Fortune之階層式架構圖 20（如附圖1-1所示）及被告等以兩造F晶片、H晶片之SR 21AM.inc檔分析結果（被證10，限閱卷第439至443頁）， 22兩造晶片之SRAMIP模組間之設計亦有如下不同之處： 23關於SRAMTOP部分： 24被告公司依原告所提供其F晶片之SRAM.inc所得出之 25階層式架構（被證9，限閱卷第416頁，如附圖1-3所 26示），原告F晶片具有6種模組（00000,00,0000,000 270,00000及000000），各使用1次至8次不等，共計有 30129個模組；被告公司依其H晶片之SRAM.inc檔所得之 2階層式架構（被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-2所 3示），被告H晶片則有4種模組（RAM_CTR,RAM_0 40003,RAM_RDEC4,RAMW4ARRAY），各使用1次 5或8次，共計有11個模組，兩者不但模組名稱、數目 6、功能不同，各模組之連接關係、功能區塊數目，乃至 7於接腳數及接腳名稱均不相同。此外，對外接腳數部分 8，原告F晶片有17個，被告公司H晶片有25個；內 9部連線部分，原告F晶片有108線，被告公司H晶片 10則有30線（被證10，限閱卷第440至443頁、簡報檔 11第532至535頁），其中內部連線數量差異甚大，足見 12其元件間之連接關係不同。 13依原證6比對報告第27至29頁（限閱卷第27頁至第2 149頁）之兩晶片的電路圖及兩晶片.inc檔分析結果亦可 15證兩晶片各模組間之連接關係並不相同，例如：模組間 16之連線部分，原告F晶片沒有00_連線，被告H晶片沒 17有CKS連線；00連線連接的模組不同；0000使用次 18數不同：原告8次，被告1次；原告晶片連接0000及 19SRAMcells的連線有64條，被告H晶片與之相對應的 20連線只有8條（限閱卷第440至443頁、第528頁，如 21附圖1-5所示）。 22關於SRAMCELL之差異： 23原告與被告公司之晶片均為128bytes即1024bit，皆使 24用習知6TSRAMCELL，此未據兩造爭執，而被告公司 25係採用8bitline，此與原告係採用64bitline（限閱卷第 26528頁，如附圖1-5所示之Net8及0000欄）之陣列結 27構不同；再者兩晶片之6TSRAMCELL係採用不同元 311件參數，兩者電晶體之gatewide及gatelenth之製程參 2數大小不同（限閱卷第445、538頁，如附圖1-6所示 3），由於該參數及比例為積體電路設計之重要參數之一 4，其與記憶體Cell的反應速度、功率損耗及晶片之面積 5有關，故參數不同則電路設計即不同。 6關於SRAMcd部分： 7原告主張SRAMcd「同時具有○○○○○○開關及兩 8個○○○，此兩個電路為等效電路並具有同功能」（原 9證6第30頁、限閱卷第320頁）云云，惟查： 10A.依被證12R.JacobBaker"CMOScircuitdesign,layout 11andsimulat00n2ndedit00n",IEEEPress,ISBN0-000-00 1200-X,2005.Page375,376（限閱卷第448頁，如附圖 131-8所示）之公開日為94年，早於96年被告公司設 14立日期及原告所主張被告公司開始撰寫HY11P系列 15晶片之democode（範例程式源代碼）之96年12月 1624日（限閱卷第336頁），是依被證12可證明SRA 17Mcd電路圖為習知技術，而該電路使用由○○○○ 18○○開關作為傳輸閘電路，原告就此並未爭執，而比 19對原告與被告公司之SRAMcd電路圖（限閱卷第146 20頁、第148頁、第539至540頁，如附圖1-7所示） 21，兩者皆使用CMOS開關作為傳輸閘，即是使用前揭 22已揭露積體電路設計之基本電路，故屬習知之技術。 23B.如前所述，利用CMOS傳輸閘作為SRAM之cd電路 24，為電路設計中所使用之習知技術。再由原證6比對 25報告所載兩晶片之SRAMcd雖同有○○○○○○開 26關（如附圖1-7所示），惟被告H晶片之開關共享一 27個○○○且並未使用NMOS元件，而原告F晶片之 321開關則各自有○○○○○，被告公司H晶片使用較少 2之元件，有成本上優勢，故兩者之電路設計並不相同 3。 4關於SRAMPR部分： 5經比對原告與被告公司之SRAMPR電路圖（限閱卷第 6149頁、第543頁，如附圖1-9所示），原告F晶片之 7SRAMPR電路使用ＮMOS元件，被告公司H晶片SRA 8MPR電路使用PMOS元件，由於使用PMOS與ＮMOS 9作為讀取資料前之pre-charge（預充電）時，PMOS元 10件會pre-charge至Ｖdd，而使用NMOS則只會pre-charg 11e至Ｖdd-Vth，故需藉由○○○○○○來確保ＮMOS之 12bitline與bitlinebar充電電壓的一致性，故原告之SRA 13MPR需使用○○○○○○○來達成充電功能；反觀， 14被告公司僅需以2個PMOS元件即可達成相同功能，兩 15者於預充電之電路設計即有不同，且因使用元件及元件 16個數均不同，被告公司之電路設計使用較少之元件，相 17較於原告之電路具有成本優勢，故兩者電路設計並非相 18同。 19關於DataPath之差異： 20關於SRAM00_w部分： 21依原告提出之原證6比對報告認為兩晶片之SRAM00_ 22w之邏輯表示方式不同，兩者功能是相同的（限閱卷第 23152頁、第321頁第4.3.1SRAM00_w段第3至4行） 24，惟邏輯表示不同即表示電路設計不同，即便可達成的 25功能相同，亦不可認為相同之電路設計。再者，比對兩 26者之電路（限閱卷第155頁、第157頁、第546至547 27頁，如附圖1-10所示），兩者無論於MOS使用個數及 331邏輯閘之型態均不同，整體電路明顯不同。 2關於SRAMsa部分： 3由原告提出之原證6比對報告認為兩晶片之SRAMsa 4之電路不同，兩者功能是相同的（限閱卷第152頁、第 5321頁第4.3.2SRAMsa段第3至4行），原告於原證6 6並自認該部分之電路不同，即表示電路設計不同，即便 7可達成的功能相同，亦不可認為相同之電路設計。再者 8，比對兩者之電路（限閱卷第158至160頁、第549頁 9，如附圖1-11所示），被告公司H晶片之SRAMsa部 10分電路並無outm這條線路，且兩者接腳數量不同（原 11告6條，被告5條），使用的元件個數不同，連接方式 12差異很大，電路設計明顯迥異。 13關於SRAM00_r部分： 14由原告所提之原證6比對報告認為被告公司之SRAM00 15_r不具有輸入訊號OUTm，且其邏輯表示式與原告的S 16RAM00_r之邏輯表示式不同，兩者功能是相同的（限 17閱卷第152頁、第321頁第4.3.2SRAM00_r段第1至 183行），惟邏輯表示不同即表示電路設計不同，即便可 19達成的功能相同，亦不可認為相同之電路設計。再者， 20比對兩者之電路（限閱卷第161頁、第553頁，如附圖 211-12所示），被告公司H晶片之電路之input輸入接腳 22數2個，原告F晶片則有3個；被告公司H晶片電路係 23使用NAND閘去驅動PMOS，以NOR閘去驅動NMOS 24，原告F晶片則使用○○○○○及○○○○閘去驅動○ 25○及○○○○○（00000000）加上○○○○○○去驅動 26○○○元件，兩者使用的電路元件組成及個數均不同， 27整體電路設計明顯不同。 341關於AddressPath之差異： 2關於SRAM000000部分： 3由原告提出之原證6之比對報告認為兩者的SRAM具 4有一4-bit列位址（rowaddress），其000000為一4線 5-16解碼器，雖然被告的00_2為一CMOS開關，而原 6告的00為一○○○○○○○○○○，兩者具有相同功 7能，因為兩者的輸入00與00是反向的（限閱卷第164 8頁、第322頁第4.4.1SRAM000000段）。惟查： 9A.比對兩者電路圖（限閱卷第165頁、第555頁，如附 10圖1-13所示），原告之SRAM000000電路係由latch 11電路及decoder電路所組成，被告公司主張該等電路 12為一習知技術，並提出JacobBaker所著作"CMOScir 13cuitdesign,layoutandsimulat00n2ndedit00n",IEEE\P 14ress,ISBN0-000-0000-X,2005.Page457,386,331,461 15（被證13，限閱卷第449至451頁，如附圖1-14所 16示），由該內文（限閱卷第449頁，如附圖1-14-1所 17示）可知訊號由Addressinput先經過Rowaddresslatc 18hes及Columnaddresslatch後才會到達decoder，至於 19latch與decoder等電路為被證13所揭示之習知電路 20結構（限閱卷第450至451頁，如附圖1-14-2及1-14 21-3所示），故被告公司之電路僅係採用習知之電路結 22構，而原告對於被告公司H晶片依前開著作主張SR 23AM000000電路圖為習知技術並未爭執。 24B.經比對原告與被告公司電路圖（限閱卷第165頁、第 25555頁，如附圖1-13所示），被告公司H晶片的00_ 262為一CMOS開關，而原告F晶片的00為○○○○ 27○○○○○○○○，兩者的輸入00與00是相反的； 351又相較於被告公司之電路圖，原告之SRAM000000 2多加了00000000電路之元件，故兩者之電路設計並 3非相同，被告公司H晶片電路設計少一個○○○，具 4有成本上優勢，且兩者之輸入00與00是相反的，故 5電路之控制方式不同，因認兩者之電路設計並不相同 6。 7關於SRAM0000部分： 8由原告提出原證6之比對報告認為原告與被告公司的S 9RAM具有一3-bit行位址（columnaddress），其0000 10為一行位址閂，雖然被告公司的00_2為一CMOS開關 11，而原告的00為○○○○○○○○○○○○，兩者具 12有相同功能，兩者的輸入00與00是反向的（限閱卷第 13164頁、第322頁第4.4.2SRAM0000段）。惟查： 14A.如前所述，以latch作為記憶體之行位址SRAM0000 15模組，乃習知電路結構（限閱卷第449頁被證13，如 16附圖1-14-1所示），故被告公司H晶片之電路僅係 17採用習知之電路結構，而原告對於被告公司依該證據 18主張SRAM0000電路圖為習知技術並未爭執。 19B.原證6比對報告已載明被告公司H晶片的00_2為一 20CMOS開關，而原告F晶片的00為○○○○○○○ 21○○○○○，兩者的輸入00與00是相反的，再由原 22證6比對報告第58頁所示之兩晶片之電路圖（限閱 23卷第168、561頁，如附圖1-15所示）亦明顯不同， 24被告公司H晶片設計少一個○○○，有成本上優勢， 25且兩者之輸入00與00是相反的，故電路之控制方式 26不同，因認兩者之電路設計並不相同。 27關於SRAM0000部分： 361A.由原告所提原證6之比對報告認為兩者的SRAM000 20均為一3線-8線解碼器（限閱卷第164頁、第322 3頁第4.4.3SRAM0000段），惟以3線-8線解碼器 4（2的3次方＝8）作為記憶體之行位址解碼器，乃 5前述被證13所揭露之習知電路結構（限閱卷第449 6至451頁，如附圖1-14-3所示），故非屬營業秘密 7，且原告對被告公司就該證據主張可以證明SRAM0 8000電路圖為習知技術並未爭執。 9B.經比對原告與被告公司晶片之SRAM0000電路圖（ 10限閱卷第171頁、第563頁，如附圖1-16所示）， 11被告公司H晶片係以1個○○○加上PMOS作回授 12，原告F晶片則以○○○○○○○○○○○，故電 13路設計上呈現甚大差異。另查被告公司H晶片的電 14路使用8個decoder（解碼器），原告F晶片則使用 1564個解碼器，數量相差達8倍之多，被告公司H晶 16片之設計具有較大之成本優勢，故兩者電路明顯不 17相同。 18原告稱被告公司僅係「簡單改變」原告之晶片電路，被告雖 19指出兩晶片「少數部分」之電路不相同，然而該等不相同之 20電路均係為「微小差異」或「等效元件」的差別，屬於「簡 21單置換或等效置換」，並就被告等稱「兩晶片SRAMTOP之 22對外接腳數並不相同，原告晶片有17個，被告晶片有25個 23」，稱其原因僅係在於被告公司晶片將原告晶片設計的○○ 24○○○○○，原告增加了8個接腳…被告公司所指僅係「簡 25單置換或等效置換」，且○○○○○○○○○○○○○的設 26計，在原告SRAMIP都有這樣的設計云云（限閱卷第470至 27472頁）。惟查： 371被告公司經由比對原告所提供其F晶片之SRAM.inc及被 2告公司H晶片之SRAM.inc檔所得之階層式架構，證明二 3者無論是模組個數及各模組之使用次數、模組連接關係均 4不同，且模組之間之內部連線原告晶片有108線，被告晶 5片有30線，兩者差異甚大，已見前述，因內部連線係各模 6組之間的連接關係，若電路設計不同，則連接方式則不同 7，由此可證兩者之晶片設計並非相同。 8至於原告所主張SRAMTOP之對外接腳大抵包含位址接腳 9A（X）與資料接腳D（X）及RE,WE讀寫控制接腳（ 10原告108年12月2日簡報第15頁，限閱卷第611頁）， 11該外部接腳個數與記憶體本身之位元數有關，電路設計者 12可依所需之位元數去搭配設計外部接腳個數，實則兩晶片S 13RAMTOP之對外接腳數並不相同，原告F晶片有17個， 14被告公司H晶片有25個，被告公司H晶片多8個接腳， 15係因被告公司將○○○○○○○○○，其設計即與原告F 16晶片不同；至於兩晶片之資料接腳同為8個，係因為1byte 17有8bit；兩晶片之位址接腳同為7個，係因為兩晶片均為1 1828bytes，是2的7次方，須有7個位元來定義不同之位置 19，是接腳數差別縱使如原告所稱僅在於○○○○○○○○ 20與否而實際輸出入接腳數均相同，惟此對外接腳數與電路 21設計是否相同並無關連，原告以接腳數相同主張被告公司 22H晶片侵害其營業秘密，並不足採。 23原告公司之SRAMIP之GDS布局圖（layout圖）與被告公司 24之SRAMIP布局圖（layout）是否相同或近似： 25原告之SRAMIP之GDS布局圖（layout圖）與被告公司之 26SRAMIP布局圖（layout）並不相同或近似： 27原告主張被告公司之H晶片之SRAMCELL的「1bitCE 381LL」與「Multi-bitcell」布局，與原告F晶片相同，並提 2出原證7，以附其說，惟查，原告稱原證7第10頁中之 3H晶片及F晶片的SRAM（1bitCELL）電路架構中之S 4RAM1-bitCELL電路架構是習知的，原證7比對的是兩 5者的電路布局等語（本院卷第34至35頁、本院卷 6第291至293頁、限閱卷第194、324頁第3至8行）； 7原告既稱1-bitCell電路係習知資訊，則原證7第13頁、 8第14頁之H晶片與F晶片之SRAMCELL的「1bitCEL 9L」」電路圖與布局圖（限閱卷第191至192頁，如附圖 102-1所示）相同，乃為當然。又雖電路圖相同，若電路所 11使用之元件參數不同，其電路設計即有所不同，業如前 12述，則電路布局圖也會不同，而由附圖2-1所示（限閱卷 13第191頁、192頁）照片雖不甚清晰，惟仍可見兩者之布 14局圖並非相似。再查，原證7第15頁為H晶片與F晶片 15之SRAMCELL的「multiple-bitCELL」」布局圖（限閱 16卷第193頁，如附圖2-2所示），其照片雖非清晰，惟仍 17可見兩者之布局圖其部分布局圖形及佈設相對位置並不 18相同（如附圖2-2紅、藍、綠框標示處），故二者SRAM 19IP布局圖並非相同或近似。 20被告依兩造晶片SRAM.gds檔分析取得上開兩晶片SRAM 21之布局圖（被證15，限閱卷第455至459頁），無論是 221-bitCell布局圖（限閱卷第456頁，如附圖2-3所示）或 23是multiple-bitCell布局圖（限閱卷第455頁，如附圖2-4 24所示）兩者之出線位置不同，SRAMTop布局圖（限閱卷 25第457、459頁，如附圖2-5所示）之比對顯示，除了Cel 26larray呈現之布局不同且其周邊之出線電路亦完全不同， 27故兩晶片並非相同之layout方式。 391由原證7之第7至8頁H晶片與F晶片之SRAMＡreaSi 2ze（包含陣列及其他周邊電路）及SRAMArraySize（包 3含陣列）之量測結果（限閱卷第185至186頁，如附圖2 4-6所示），關於SRAMAreaSize部分，被告公司H晶片 2 5之全部面積為0.159mmx0.370mm=0.05883mm，原告公司 2 6F晶片為000000mmx0000000mm=0.000000mm，可見被告 7公司之SRAMＡreaSize面積比原告公司的小00%；關 8於SRAMArraySize面積部分，被告公司H晶片為0.099 2 9mmx0.302mm=0.02998mm，原告公司F晶片為0000mmx0 2 1000000mm=0.00000000mm，可見被告公司之SRAMArray 11Size面積比原告公司的大0%。是兩者cell晶胞數量雖相 12同（均為1024bits），惟記憶體整體面積（包含陣列及 13周邊電路）相差00%，顯示兩者之電路設計及布局方式 14應為不同。 15原告另稱依原證7第23頁，H晶片與F晶片OTPROMT 16op區域比較結果為兩造晶片應是經由相同的製程製造； 17列/行解碼器高度相似；OTPROMIPs呈現出高度的相似 18性（限閱卷第324頁）云云。經查，兩造晶片均係委託 19○○公司（○○○）使用相同之製程製造，且兩晶片之 20OTPROMIP均係使用○○公司授權之IP，此為兩造所不 21爭執（本院卷第329至330頁），因此原證7比對報 22告獲得前開分析結果實屬當然，況原告與被告公司之OT 23PROMIP均係來自○○公司授權，該權利應歸屬○○公 24司，原告據此指被告公司侵害原告之營業秘密，並不可 25採。 26原告稱被告公司僅係「簡單改變」原告F晶片布局，兩 27造晶片之Multi-bitcell雖有微小不同，但顯然具有高度相 401似，至於1-bitcell布局圖兩者雖有微小不同，亦顯然具 2有高度相似，被告公司顯係「竊取」原告F晶片SRAM1 3-bitcell的布局後，基於SRAM1-bitcell電路的連線架構 4對稱性，而將原告F晶片SRAM1-bitCell的布局中「藍 5色」區域（Diffusionlayer，擴散層）以中心線為軸簡單 6對調左右兩側，兩晶片之SRAMCell布局不同，僅係簡 7單改變之不同云云，並提出兩造之CELLARRAY（晶胞 8陣列）比對圖（限閱卷第601頁，如附圖2-7所示），以 9附其說。惟查： 10如附圖2-7所示兩造晶片晶胞陣列布局圖，比對如圖示 11紅、綠、紫、藍、黃、棕色框標示處，顯示兩造晶片之 12CELLARRAY布局圖有諸多不同之處，兩者並非相同 13或近似。 14被告公司稱一般SRAM6TCell之SRAM晶胞及○○○ 15（00000000）layout，其風格大概分成Category1至5 16類（限閱卷第572頁，如附圖2-8所示），依附圖2-8 17所示，其中Category1之SRAM晶胞layout又分成Typ 18e-1a及Type-1b，被告公司H晶片之SRAM晶胞係採la 19youtType-1acell，而觀原告之F晶片SRAM晶胞係採T 20ype-2cell，兩者之布局方式不同，此部分原告並未爭執 21，故原告主張兩造晶片之SRAMCell布局不同，僅係 22簡單改變之不同，並無理由。 23原告固主張據爭產品IC晶片之SRAM電路設計（SRAMIP 24），係由原告員工○○○於89年所完成，採用○○公司0 25000.35μm製程晶片之SRAMIP，後續相同製程之MCU產 26品如FS9912、FS9932、FS99032晶片、F晶片皆沿用此SR 27AMIP，而此相同之SRAMIP之相關產品自91年即量產出 411貨，原告並以此作為原證6之電路設計比對云云。惟查， 2原告公司之SRAMIP之GDS布局圖（layout圖）與被告公 3司之SRAMIP布局圖（layout）並不相同或近似，俱如前 4述，且積體電路電路布局經作成晶片散布至市場後，極易 5以還原工程加以分析、評估積體電路而得知其原電子電路 6圖或功能圖，並據以設計功能相同之積體電路之電路布局 7，此由原證6第25頁記載「IC還原工程是一種識別IC上 8電路系統的組成元件並重建系統中連接方式的手段，藉由 9對封裝IC進行逆向解析，回推該IC是如何創建的。IC還 10原工程的工作流程包括去封裝、去層、拍照等步驟。之後 11透過分析，可識別並確定電路系統中的組成元件及連接方 12式。進一步則可完成電路擷取，以及獲得電路的功能配置 13。」（限閱卷第135頁、第319頁）即明，是本件原告以 14還原工程還原被告公司之H晶片之電路設計，而原告既主 15張其自91年即使用○○○於89年所完成IC晶片之SRAM 16IP量產出貨，迄今已10餘年在市場流通，而該等晶片（ 17包含F晶片）之SRAMIP既可藉由還原工程得知其電路布 18局，即使其喪失秘密性，而不應認為是營業秘密。 19對原告下列主張之論駁理由： 20原告主張已證明被告等侵害原告之營業秘密，至少107年度 21民聲字第46號民事保全證據裁定已肯認原告就被告等侵害 22原告營業秘密已盡釋明之責。依智慧財產案件審理法第10 23條之1第1項規定，被告等應為具體答辯並提出相關資料。 24若被告等逾期未具體答辯或未提出相關資料，則依同條第2 25項規定應認原告已釋明之內容為真實，被告等應提出開發軟 26體記錄、設計相關資料（如電路IP設計者、IP設計和模擬 27過程資料、報告文件等）、工作記錄簿等各階段開發歷史資 421料，並應有合理的時間戳記可佐證，否則依民事訴訟法第2 277條、第282條之1、智慧財產案件審理法第10條之1等 3規定，認原告主張被告等侵害原告之營業秘密為真云云。經 4查： 5本院認定被告公司H晶片SRAMIP之階層式架構下所有 6電路功能模組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和及S 7RAMIP模組間之設計均與原告公司據爭產品設計不同； 8再者，SRAMIP可藉由還原工程得知其電路布局，是其 9布局圖得否認係營業秘密即屬有疑，況原告與被告公司S 10RAMIP之GDS電路布局圖（layout圖）並不相同或近似 11，俱如前述；被告等已就其否認侵害原告前揭營業秘密為 12具體答辯，已如前述，是並無原告主張依前揭法條規定認 13原告主張被告等侵害營業秘密為真之適用。 14按證據有滅失或礙難使用之虞，或經他造同意者，得向法 15院聲請保全；就確定事、物之現狀有法律上利益並有必要 16時，亦得聲請為鑑定、勘驗或保全書證（民事訴訟法第3 1768條第1項規定參照）。本條後段規定擴大容許聲請保 18全證據之範圍，其立法目的在於促使主張權利之人得蒐集 19事證資料，以瞭解事實或物體之現狀，將有助於當事人研 20判紛爭之實際狀況，進而成立調解或和解，以消弭訴訟， 21達到預防訴訟之目的；此外亦得藉此賦予當事人充分蒐集 22及整理事證資料之機會，而有助於法院於審理本案訴訟時 23發現真實及妥適進行訴訟，以達審理集中化之目的。末按 24民事訴訟法第370條、第284條規定，保全證據之聲請 25，應表明應保全之證據、依該證據應證之事實，及應保全 26證據之理由，且聲請人應提出證據以為釋明，使法院信其 27主張為真實，以審酌應否准許保全證據之聲請。而查，R 431AM僅係混合訊號晶片十數種電路之一種（原證5簡報第 213頁，本院卷第313頁），故電路資訊不以SRAM電 3路為限，原告於本院107年度民聲字第46號民事保全證 4據僅提出SRAM電路之分析比對報告（原證6），本院承 5前保全證據之立法意旨，為賦予當事人「充分蒐集及整理 6事證資料之機會」，爰審酌原告提出之SRAM電路比對報 7告、保密合約等證據，認原告就「保全證據之聲請理由」 8已盡釋明之責，而為准許保全證據聲請之裁定，惟於本院 9審理時，原告就被告等是否侵害原告之營業秘密，因與保 10全證據聲請釋明標的不同，其釋明即應有所區別，自不得 11以本院曾准為保全證據之裁定，執為原告就被告等侵害營 12業秘密已為釋明之理由，併此敘明。 13原告主張被告等以不正當方法取得、使用或洩漏原告F晶片 14SRAM電路及布局資料云云。惟查，自然人被告○○○等人 15離開原告，分別係在94年1月14日至96年8月31日之間 16，有原告起訴狀之附表B可稽（本院卷第65頁），並為 17兩造所不爭執（本院卷第203頁），而原告亦陳稱被告○ 18○○、○○○都有超級使用權限，在他們離職後檢查他們電 19腦找不到下載紀錄等語（本院卷第213頁），原告亦未舉 20證其他自然人被告等有取得原告前開營業秘密之資料，迄自 21然人被告○○○等人離職已逾10年，原告始於107年9月 2226日提起本件訴訟，指稱自然人被告○○○等人離職時不 23法取得原告前開營業秘密，殊違情理；況被告公司前開H 24晶片SRAMIP之階層式架構及GDS電路布局圖（layout圖 25）與原告據爭產品SRAM電路設計並不相同或近似，業如 26前述，是原告前開主張並不可採。 27原告稱被告公司乃原告前總經理即被告○○○率眾主管離職 441後於96年7月成立之公司，在短短7個月即於97年2月開 2始推出各項與原告公司競爭之IC產品，其時程與營業額不 3合理云云。惟查： 4被告公司辯稱其主要產品線包括「混合訊號單晶片」及「 5鋰電池管理晶片」，有被告公司上櫃前104年5月26日 6法人說明會簡報（本院卷第109頁），而被告公司104 7年6月5日公開說明書第46頁所載於97年2月推出之自 8家產品，係指該頁「公司沿革」項下之「單節鋰電池保護 9晶片」（本院卷第97頁），該產品係屬「鋰電池管理 10晶片」產品，而原告之據爭產品則屬「混合訊號單晶片」 11產品，兩者並非相同系列產品；又「單節鋰電池保護晶片 12」產品係「鋰電池管理晶片」之初階產品，此由前開說明 13書所載被告公司於96年7月設立後，於97年2月推出「 14單節鋰電池保護晶片」，於98年9月完成「兩節鋰電池 15保護晶片」之開發，於99年始成功開發有自燒錄功能之 16OTP產品等情可參（本院卷第101頁），此亦未據原 17告爭執，「單節鋰電池保護晶片」之研發及設計相對單純 18，其所須時程較短，是被告公司於設立後7個月後推出「 19鋰電池管理晶片」之初階產品，於時程上並無不合理之處 20。 21被告公司稱其晶片產品自開案至量產，可分為產品開案、 22設計、下線、驗證、試產及量產6個階段，每一階段均應 23召開審查會議依據相關文件進行討論並作成結論。某一產 24品如經驗證審查會議通過（或有條件通過），即為完成開 25發，可對外發表（或推出）該產品，惟需經量產審查會議 26通過，始可正式進行該產品之量產。經查，被告公司97 27年1月17日就HY2110型號單節鋰電池保護晶片召開產 451品驗證審查會議，通過該項產品之驗證審查，有被告公司 2之產品驗證審查會議紀錄影本附卷可稽（本院卷第271 3頁），又於98年9月11日就HY2120型號雙節鋰電池保 4護晶片召開產品驗證審查會議，通過該項產品之驗證審查 5（本院卷第273頁），繼於99年11月26日就HY11P5 62型號晶片（具自燒錄功能之OTP產品）召開產品驗證審 7查會議，有條件通過該項產品之驗證審查（本院卷第2 875頁）；至於原告起訴狀之附表A（本院卷第63頁） 9所列被告公司晶片產品之HY10P、HY13P、HY14E、H 10Y15P、HY16F18、HY16F19、HY16F39系列晶片產品迄 11未經量產審查會議通過，未進行量產，其餘晶片產品經量 12產審查會議通過之日期如被告公司陳報本院卷第266、 13267頁表格所示（期間為98年8月21日至105年12月2 146日止不等日期）。 15承前被告公司於公開說明書第46頁（本院卷第97頁） 16之「公司沿革」項下所載於97年2月推出「單節鋰電池 17保護晶片」，據被告公司稱該時間係指該產品已於97年 182月間完成設計及工程試樣而對外發表推出，其時間是在 19被告公司設立後7個月，此與被告公司說明何以進貨集中 20○○電子集團之原因，而於公開說明書上所稱「更換晶圓 21供應商之轉換期」至少需9個月至1年半左右的時間，並 22無任何矛盾或不合理之處。再者，被告說明更換晶圓供應 23商，除必須就晶片產品進行重新設計、工程試樣外，尚須 24進行晶片產品的規格認可、製程兼容性認可、可靠度認可 25等作業，而推出新的晶片產品，係指完成設計及工程試樣 26，並未涉及更換供應商時所需之規格、製程兼容性、可靠 27度認可等作業程序，故其時程較更換晶圓供應商之時程為 461短，是被告公司所述並無扞格，非不足採。 2承上，被告公司於96年7月設立後7個月，於97年2月 3推出「鋰電池管理晶片」之初階產品，並於同年6月開始 4量產，該產品並無SRAM記憶體，無需使用SRAM電路 5設計，即與被告等有無侵害原告據爭產品SRAM電路設 6計之營業秘密無任何關連性。被告公司迄98年8月以後 7才量產微控制器晶片產品，時間已在公司設立2年之後， 8是於生產時程上並無任何不合理之處，是由上述被告公司 9量產「鋰電池管理晶片」、微控制器晶片之先後時間，及 10被告公司陳報本院卷第267頁自96年至100年保護晶 11片及MCU晶片每年度營業額，及原告於起訴狀亦稱被告 12公司具OTP自我燒錄功能的H晶片，是遲至99年以後始 13推出之產品（本院卷第34頁），推估被告公司自96年 147月成立前3年度之營業額，主要來自鋰電池保護晶片產 15品之銷售，其與被告公司有無侵害原告據爭產品SRAM 16電路設計之營業秘密無關，原告以被告公司成立後短短數 17年即有不合理之營業額，推論被告有侵害原告據爭產品S 18RAM電路設計之營業秘密，殊無可採。 19原告稱自然人被告○○○等係在陸續從原告離職之前，即已 20著手為攜走原告資訊及成立被告公司的各項安排、擅自竊取 21據爭產品設計之營業秘密云云。惟自然人被告○○○等離開 22原告，分別係在94年1月14日至96年8月31日之間，誠 23如前述，原告亦自認被告公司於99年才開發成功具OTP自 24我燒錄功能的H晶片，於99年以後始推出產品，誠如前述 25，如自然人被告○○○等人早已不法取得原告主張本件之營 26業秘密，當不至於遲至99年以後始推出具OTP自我燒錄功 27能之晶片，且原證5簡報第13頁所示（本院卷第313頁 471），RAM僅係混合訊號晶片十數種電路之一種，其困難度 2及重要性較之其它電路為低，如被告已取得原告據爭產品設 3計之營業秘密，當不至於僅使用其中之SRAM電路設計。 4足證被告公司係自行開發完成H晶片之電路設計，並未使 5用原告公司據爭產品設計之營業秘密。 6六、綜上所述，被告公司H晶片SRAMIP之階層式架構下所有電 7路功能模組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和及SRAMI 8P模組間之設計均與原告公司據爭產品設計不同；再者，SRA 9MIP可藉由還原工程得知其電路布局，是其布局圖難認係營 10業秘密，況原告與被告公司SRAMIP之GDS電路布局圖（la 11yout圖）並不相同或近似，此外，原告亦無法證明被告等有 12以不正當方法取得或使用原告前開之營業秘密，是其提起本 13件訴訟，訴請判決如聲明所示，即無理由，應予駁回。又原 14告之訴既經駁回，其假執行之聲請即失其依據，應併予駁回 15。 16七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及未經援用之 17證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不逐一論列 18，附此敘明。 19八、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法 20第1條，民事訴訟法第78條規定，判決如主文。 21中華民國109年1月13日 22智慧財產法院第三庭 23法官杜惠錦 24以上正本係照原本作成。 25如對本判決上訴，須於判決送達後20日之不變期間內，向本院提 26出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。 27中華民國109年1月14日 481書記官林佳蘋 491 50

智慧財產及商業法院2108年度民營訴字第2號

關鍵資訊