智慧財產及商業法院99年度民專訴字第206號

• 裁判案由: 侵害專利權有關財產權爭議等
• 案件類型: 智財
• 審判法院: 智慧財產及商業法院
• 裁判日期: 100 年 10 月 26 日
• 當事人: 齊瀚光電股份有限公司、劉家齊

智慧財產法院民事判決
99年度民專訴字第206號原 告　 齊瀚光電股份有限公司
法定代理人　 劉家齊
訴訟代理人　 張哲倫律師
林嘉興專利師
陳佳菁律師
被 告　 艾笛森光電股份有限公司
兼法定代理人　 吳建榮
共同訴訟代理人　周延鵬律師
張淑貞律師
游昕儒律師
複代理人 　黃上上律師
李順天
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於100 年9 月28日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及其假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、原告起訴主張：
㈠緣原告與光鼎電子股份有限公司（下稱「光鼎公司」）共有之「發光二極體晶片之串聯結構」新型專利（下稱「系爭專利」），專利保護期間自民國92年9 月21日至103 年5 月5
日止。系爭專利係在提供一種發光二極體晶片之串聯結構，該晶片係以二維矩陣之方式配置複數個於基板上；且該複數個晶片之P 型半導體層與N 型半導體層係以一導體電性連接，使該複數個晶片之P 、N 型半導體層呈一串聯連接之狀態，並於該未與導體電性連接之P 、N 型半導體層分別電性連接有導電部，該導電部可供連接外部電源使用；如此，可使發光二極體增加晶片尺寸(CHIP SIZE) 時提高亮度以及提高操作電壓，並以降低操作電流之方式提高單一發光二極體之亮度，進而改善外部供電設備與發光二極體之操作條件與其所附加之電器設備。
㈡系爭專利權係原告與光鼎公司共有，原告與光鼎公司並協議原告可單獨起訴行使其損害賠償請求權及請求全部之損害賠償，故原告以被告等侵害系爭專利，依性質上為民法侵權行為法律關係特別規定之專利法第106 條、第108 條準用同法第84條第1 項之規定，排除侵害及請求損害賠償，於法應無不合，合先敘明。
㈢被告艾笛森光電股份有限公司（下稱「艾笛森公司」）製造銷售之EB1W-0500 （Low Bay Module 50EW ）產品（下稱「被控侵權產品1 」）及EDIS-M050-W10(Module Circular
50W) 及CLG-60-27 2.4A 定電流產品（下稱「被控侵權產品2 」），侵害原告系爭專利權：
⒈被告艾笛森公司之業務主要為照明設備製造業、電子零組件製造業等，其從事與原告相同之業務，均係有關電子零組件（如：LED 燈具）之製造。原告頃悉被告艾笛森公司製造、銷售之被控侵權產品1 及2 ，根據原告所製作之比對表，顯已落入系爭專利之申請專利範圍第1 項中，而侵害原告之系爭專利，被告艾笛森公司製造、販售侵害系爭專利之系爭侵權產品，原告自得依專利法第106 條第1 項及第108 條準用第84條第1 項前段規定訴請排除侵害及損害賠償。
⒉被告吳建榮擔任被告艾笛森公司之法定代理人，依據民法第184 條第1 項前段、第2 項及同法第185 條、公司法第8 條及第23條等規定，自應就其擔任被告艾笛森公司法定代理人期間，被告艾笛森公司之侵權行為對原告負連帶賠償責任。
㈣依據被告艾笛森公司98年度年報資料顯示，其98年「高功率LED 模組」產品之營業收入為新台幣227,094,000 元，故可預期其因侵害行為所得之利益勢必相當可觀，是原告爰依專利法第108 條準用第84條第1 項、第85條第1 項第2 款及民事訴訟法第244 條第4 項之規定，請求被告給付新台幣（下同）500 萬元作為損害賠償請求之最低金額。
㈤原告系爭專利權早在92年9 月21日即為我國專利主管機關公開於專利公報，故以發光二極體應用產品為主要產品之被告艾笛森公司，應無不知之理，其未經授權而利用系爭專利製造、販賣、為販賣之要約或使用系爭侵權產品，顯屬故意侵害原告之系爭專利。為此，原告請求鈞院依專利法第108 條準用專利法第85條第3 項之規定，酌定被告故意侵害系爭專利之損害賠償額。
㈥原告依據侵權行為之法律關係，聲明請求：⒈被告等應連帶給付原告5,000,000 元整暨自本起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。⒉被告等不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口侵害中華民國第213086號新型專利「發光二極體晶片之串聯結構」之產品。⒊訴訟費用由被告等連帶負擔。⒋就第一項及第二項聲明，原告願以現金或同額之可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。
二、被告則抗辯：
㈠系爭專利為原告與訴外人光鼎公司所共有，但其間共有關係或約定究竟如何，原告是否有權自行逕提起排除侵害與損害賠償之訴，似難僅憑原告空言所謂「原告與光鼎公司並協議原告可單獨起訴行使其損害賠償請求權及請求全部之損害」即得採信。我國專利權應是排他權性質，非為以使用權益為主，原告亦未證明已有使用系爭專利事實在先，則何以認為被告侵害其使用權益？又何以可引該等法律見解說明有權起訴為當事人適格，進而稱可自行取得賠償？是於原告提出自稱與訴外人光鼎公司之共有協議以釐清其是否確有權利提起本件訴訟前，原告之當事人適格性不無疑問。
㈡原告所提之比對表，並非依一般實務所接受之專利侵害鑑定要點中的鑑定原則與流程進行，未解釋原告系爭專利申請專利範圍、解析待鑑定對象之技術內容，也未基於全要件原則，判斷待鑑定對象是否符合文義讀取或是否適用均等論，是原告之侵害主張與比對表，當不可採，被告等否認。況查，被告將被控侵權產品1 與被控侵權產品2 進行專利侵害比對分析，已確認得到不侵害原告系爭專利申請專利範圍之結論。是原告之主張顯不可採。
㈢被告另提出美國2001年10月25日第2001/0032985A1號專利公開案（下稱被證二）、我國公告第574759號專利案（下稱被證二之一）、美國1994年1 月11日第5278432 號專利公開案（下稱被證四）、美國1999年8 月10日第5936353 號公開案（下稱被證六）、美國1990年8 月7 日第4947291 號專利案（下稱被證十四）、美國1990年10月23日0000000 號專利案（下稱被證十五）、美國1996年10月19日第5575459 號專利案（下稱被證二十五）亦可證明系爭專利申請專利範圍第1
項不具有新穎性與進步性（詳本院卷第16頁，至於其餘引證案被告暫予保留），是系爭專利申請專利範圍第1 項自有無效得撤銷之原因。
㈣為此，請求駁回原告之訴。
三、兩造不爭執之事實：
㈠訴外人光鼎公司於91年5 月6 日向智慧財產局申請「發光二極體晶片之串聯結構」新型專利，經智慧財產局於92月9 月21 日 以公告第555156號核准專利（下稱系爭專利），專利期間自92年9 月2 日起至103 年5 月5 日止，系爭專利之申請專利範圍計有9 項，第1 項為獨立項，其餘為附屬項（詳本院卷第16頁）。
㈡如原證五、六照片所示之EB1W-0500(Low BayModule50EW)、EDIS-M050-W10(Module Circular 50W)產品係被告所生產、製造與銷售；CLG-60-27 2.4A定電流產品係被告銷售（下稱被控侵權物品，詳本院卷第41、42、101、232、249頁）。
㈢被控侵權產品之技術特徵，經拆解為如被告所提出之比對分所表所示之A 、B 、C 、D 、E 五個分析項（詳附表一），其中A 、D 分析項之技術特徵為系爭專利申請專利範圍之文義所讀取之事實，已據兩造所不爭執（詳本院卷第71頁、本院卷第216-220 頁；註：關於分析項B 部分被告原先並未爭執為文義所讀取，嗣對於為文義讀取乙節加以爭執）。
四、申請專利範圍之解釋：
㈠系爭專利申請專利範圍第1項為：「一種發光二極體晶片之
串聯結構，該發光二極體之晶片係由一P 型半導體層及一N
型半導體層電性耦接於一基板上所構成，其特徵在於；該基板上係以二維矩陣之方式配置有複數個晶片；且該複數個晶片之P 型半導體層與N 型半導體層係以一導體電性連接，使該複數個晶片之P 、N 型半導體層以串聯之方式呈一導通之狀態，並於該未與導體電性連接之P 、N 型半導體層分別電性連接有導電部，該導電部可供連接外部電源使用；如此，可使單一發光二極體產生高亮度與提高操作電壓、降低操作電流之特性，並可改善外部供電設備與發光二極體（LED ）操作條件及其所附加之電器設備。」惟兩造對於前揭申請專利範圍所記載「該發光二極體之晶片係由一P 型半導體層及一N 型半導體層電性耦接於一基板上」、「二維矩陣」、「配置有複數個晶片」、「單一發光二極體」之技術特徵，均有爭執存在，則前揭申請專利範圍所記載之技術特徵，自有解釋之必要。
㈡關於「該發光二極體之晶片係由一P 型半導體層及一N 型半導體層電性耦接於一基板上」之解釋：
⒈經查系爭專利申請專利範圍第1 項係採吉普森型式撰寫，關於「該發光二極體之晶片係由一P 型半導體層及一N 型半導體層電性耦接於一基板上」，係屬習知技術，並非發明之本質部分，對於此部分技術特徵之理解，必須加入所屬技術領域者具有通常知識者所具有之通常知識為綜合判斷。
⒉次查系爭專利所界定之基板包含氮化鋁基板，而氮化鋁基板並非導體，則P 型半導體層及一N 型半導層自不可能電性耦接於氮化鋁基板上，此固為所屬技術領域具有通常知識者所應具之通常知識；然原告於系爭專利說明所界定之基板並非僅包含氮化鋁基板之技術特徵，尚包括將導體3 預定之線路置於該基板2 上（詳專利說明書第7 頁，附於本院卷第28頁），則系爭專利申請專利範圍第1 項所界定之「基板」顯然包括氮化鋁基板與配置於其上之導體3 ，系爭專利申請專利範圍第1 項所謂「該發光二極體之晶片係由一P 型半導體層及一N 型半導體層電性耦接於一基板上」，顯係指將P 型半導體層及N 型半導體層電性耦接於配置於氮化鋁基板上之導體，而非電性耦接於不具有導電性質之氮化鋁基板上，此亦在所屬技術領域具有通常知識者參酌系爭專利說明書所能理解之範圍內。
㈢關於「二維矩陣」之解釋：
⒈所謂陣列（array ）係指物品有系統之排列，通常可按照行或列排列（詳http://en.wi kipedia.org/wiki/Array ）。又依據MATLAB程式語言所界定之資料型態，一維陣列稱為向量（Vector），二維陣列稱為矩陣（Matrices），而維度（Dimensions）超過1 的陣列則均可視為「多維陣列」（
Multidimesional Arrays，簡稱N-D Arrays）。因此，二維矩陣必須係由兩個維度（例如：行與列）之物品所構成之排列始足當之，如資料僅呈現一個維度之排列，自非屬二維矩陣之排列。
⒉原告雖主張：依據東華書局印行之教科書「線性代數」關於「二維矩陣」之定義，二維矩陣mXp 在m 及p 皆為1 之情況下亦成立，故1x7 之矩陣，依然是二維矩陣云云。惟查線性代數關於「二維矩陣」之定義，係數字之排列，而非物品之排列，因此，在7x7 之矩陣中，如果，矩陣中每一個數字均非0 ，仍為矩陣，但以特定之矩陣名稱即零矩陣稱之，即令全無任何數值存在，也可以稱為空矩陣。可見數學上所界定之矩陣乃儲存數值之空間型態，並非指空間內之資料呈何種型態排列。至於物品之排列，如僅使用一個維度，即屬一維陣列，使用二個維度始構成二維矩陣，如完全沒有可以排列之物品存在，則無任何陣列可言，自不能因零矩陣與空矩陣於數學上可稱為二維矩陣，即可將毫無物品存在之情形，亦稱之為二維矩陣。核原告此部分之主張，顯無可採。
㈣關於「配置有複數個晶片」之解釋：
⒈查系爭專利申請專利範圍第1 項記載「該基板上係以二維矩陣之方式配置有複數個晶片」，則該基板上符合二維矩陣方式配置之複數個晶片均須讀入前開文字所界定之申請專利範圍之中。又系爭專利申請專利範圍復記載「且該複數個晶片之P 型半導體層與N 型半導體層係以一導體電性連接」，觀諸上開文義中之「該複數個晶片」緊接於「複數個晶片」之後，並以「且」字連接之事實，可見兩者所指之晶片係屬同一，且兩者之晶片數亦必須相等。
⒉原告雖主張：該基板上之複數個晶片必須符合串聯之結構者始須讀入，如不符合串聯結構者則不得讀入云云。惟查系爭專利申請專利範圍第1 項之文義為「其特徵在於；該基板上係以二維矩陣之方式配置有複數個晶片；且該複數個晶片之P 型半導體層與N 型半導體層係以一導體電性連接，使該複數個晶片之P 、N 型半導體層以串聯之方式呈一導通之狀態」，依文義次序只要符合於該基板上以二維矩陣方式排列之複數晶片均必須先讀入，接著再判斷該被讀入之晶片是否係以串聯方式排列；原告主張應先判斷該晶片是否係以串聯方式排列，再判斷該晶片應否讀入申請專利範圍，顯與系爭專利申請專利範圍之文義次序顛倒，洵無可採。
㈤關於「單一發光二極體」部分：
⒈參酌系爭專利說明書第2 圖，系爭專利申請專利範圍第1 項所界定之「單一發光二極體」1 係指由基板12、晶片13、P
型半導體層11、N 型半導體層12、導體3 所構成.
⒉「單一發光二極體」1 並非單一指晶片13，蓋系爭專利及說明書並未將具有P 型半導體層與N 型半導體層之單一晶片界定為單一發光二極體，且「單一發光二極體」如係指單一晶片，則無法產生高亮度，亦無法提高操作電壓，將使系爭專利因專利說明書未揭示如何產生高亮度與提高操作電壓而無效。反之，「單一發光二極體」如包含單一基板上以二維矩陣之方式配置之複數個晶片，則可因增加光源面積而產生高亮度，且晶片採用串聯方式依據電路學原理亦具有提高電壓之功效。衡諸專利有效性之解釋原則，系爭專利申請專利範圍所界定單一發光二極體不可解釋為單一之晶片。
五、本件爭點與本院判斷：
㈠原告以共有人地位提起本件訴訟有無當事人不適格問題（詳本院卷第232 頁）：
⒈按「為訴訟標的之權利，非數人共同不得行使者，固須數人共同起訴，原告之適格，始無欠缺。惟民法第821 條規定，各共有人對於第三人得就共有物之全部為本於所有權之請求，此項請求權，既非必須由共有人全體共同行使，則以此為標的之訴訟，自無由共有人全體共同提起之必要。所謂本於所有權之請求權，係指民法第767 條所規定之物權的請求權而言，故對於無權占有或侵奪共有物者，請求返還共有物之訴，對於妨害共有權者，請求除去妨害之訴，對於有妨害共有權之虞者，請求防止妨害之訴，皆得由各共有人單獨提起。惟請求返還共有物之訴，依民法第821 條但書之規定，應求為命被告向共有人全體返還共有物之判決，不得請求僅向自己返還。至債權的請求權，例如共有物侵權行為而滅失毀損之損害賠償請求權，固不在民法第821 條規定之列，惟應以金錢賠償損害時，（參照民法第196 條、第215 條）其請求權為可分債權，各共有人僅得按其應有部分，請求賠償，即使應以回復原狀之方法賠償損害，而其給付不可分者，依民法第293條第1項之規定，各共有人亦得為共有人全體請求向其全體為給付。故以債權的請求權為訴訟標的之訴訟，無論給付是否可分，各共有人均得單獨提起。」院字第1950號解釋著有明文。
⒉經查系爭專利之專利權人原雖為訴外人光鼎公司，惟原告主張其於98年12月25日自訴外人光鼎公司受讓系爭專利權50 %之事實，並於99年3 月12日經智慧財產局准予登記為系爭專利共有人之事實，亦據其提出專利讓與合約書與專利證書各1 件在卷足憑（詳本院卷第254-269 頁），自堪信原告為系爭專利之分別共有人。而原告請求被告賠償侵權之損害50 0萬元，係屬可分之金錢債權，自得僅按其應有部分請求。至原告請求被告不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口侵害系爭專利之產品，依民法第821 條之規定，亦得由各分別共有人單獨提起。則原告提起本件訴訟，並無當事人不適格之問題。
㈡被控侵權物品是否為系爭專利申請專利範圍第1 項之文義或均等範圍所讀取：
⒈系爭專利申請專利範圍第1 項為「一種發光二極體晶片之串聯結構，該發光二極體之晶片係由一P 型半導體層及一N 型半導體層電性耦接於一基板上所構成，其特徵在於：該基板上係以二維矩陣之方式配置有複數個晶片；且該複數個晶片之P 型半導體層與N 型半導體層係以一導體電性連接，使該複數個晶片之P 、N 型半導體層以串聯之方式呈一導通之狀態，並於該未與導體電性連接之P 、N 型半導體層分別電性連接有導電部，該導電部可供連接外部電源使用；如此，可使單一發光二極體產生高亮度與提高操作電壓、降低操作電流之特性，並可改善外部供電設備與發光二極體 (LED)操作條件及其所附加之電器設備。」其技術特徵可拆解為如附表一所示A 、B 、C 、D 、E 五個分析項，而被控侵權物品關於A 、D 分析項之技術內容為系爭專利申請專利範圍之文義所讀取之事實，已據兩造所不爭執，足堪信為真實。至於被控侵權物品B 、C 、E 分析項之技術內容，原告雖均主張亦為系爭專利申請專利範圍第1 項之文義所讀取，惟據被告所否認，抗辯：⑴被控侵權物品之一P型半導體層及一N型半導體層並未電性耦接於一基板上，故無法為系爭專利B 分析項之文義所讀取，⑵被控侵權物品係以7x7 二維矩陣之方式配置49個晶片，且採7 串聯，7 並聯之排列方式，故無法為系爭專利C 分析項之文義所讀取，⑶被控侵權物品採7 串聯與7 並聯之方式配置，故電流維持不變，故無法為系爭專利E
分析項之文義所讀取。茲將兩造之爭執分項析述之。
⒉被控侵權物品之一P 型半導體層及一N 型半導體層有無電性耦接於一基板上：參酌本院前揭對於申請專利範圍第1 項之解釋，所謂基板不僅係指氮化鋁基板，尚包括配置其上之導體。而被控侵權物品之P 、N 型半導體係電性耦接於配置於氮化鋁基板上之導體，被控侵權物品如附表一分析項B 所使用之技術內容，自為系爭專利「一P 型半導體層及一N 型半導體層電性耦接於一基板上」之文義所讀取。
⒊被控侵權物品基板上以二維矩陣之方式配置晶片之個數為若干：查被控侵權物品之晶片配置於基板上二維矩陣之型態為7x7 矩陣，故應認為晶片之個數為49個，而該49個晶片係呈7 串聯與7 並聯之型態，與系爭專利所界定該複數個晶片必須以串聯方式呈一導通狀態之文義不符。故被控侵權物品如附表一分析項C 所使用之技術內容，自無法為系爭專利之文義所讀取。原告雖主張：被控侵權物品晶片配置之個數為7
個，而非49個，故被控侵權物品如附表一分析項C 所使用之技術內容為系爭專利之文義所讀取云云。惟僅將被控侵權物品以7 個串聯與7 個並聯方式配置之49個晶片中選取其中7
個串聯之晶片，該7 個晶片固能符合串聯之技術特徵，但僅為一維陣列，不能稱為二維矩陣，不符合系爭專利要求以二維矩陣配置之要件，亦被控侵權物品如附表一分析項C 所使用之技術內容亦無法為系爭專利之文義所讀取，核原告此部分之主張，顯無可採。
⒋被控侵權物品之單一發光二極體有無提高操作電壓、降低操作電流之特性：按於單一發光二極體內之晶片係採串聯配置之情形下，因總電壓等於各串聯電容電壓和，則於總電壓維持不變之情形下，通過各串聯裝置之電流會較僅配置單一裝置時為小，於各串聯電流維持不變之情形下，總電壓會隨著各串聯裝置之個數而增加，因此，系爭專利單一發光二極體內之晶片全部採取串聯之配置方式，有提高操作電壓或降低操作電流之特性。至於被控侵權物品單一發光二極體內之晶片係採取7 串聯與7 並聯之配置方式，於電壓維持不變之情形下，其總電流與僅配置單一裝置相同，如通過串並聯裝置之電流維持不變，則總電壓會較僅配置單一裝置提高，因此，被控侵權物品僅具有提高總電壓之特性，並無降低總電流之特性。可見被控侵權物品之功效與系爭專利之特性並不相同。再者，依據原告100 年7 月11日民事準備書㈣狀委送宜特科技量測被控侵權物（即7 串聯7 並聯）電流－電壓特性所得數據為電壓27V ，電流值4.16A ，則通過每個晶片之電流約為0.5943A （計算式：4.16/7=0.0000000））；於電壓維持27V 及每個晶片電阻不變之情形下，採49個晶片串聯配置方式，通過每個晶片之電流約為0.085A（計算式：4.16/
49= 0.084898），兩者就降低通過每個晶片電流之功效而言亦有差距存在，則被控侵權物品與系爭專利雖均有降低電流之特性，但系爭專利所具有降低電流之功效顯然較被控侵權物品為高。兩相對照，被控侵權物品如附表一分析項E 所採用之技術內容，除因與系爭專利應具有提高電壓之特性不同而無法為系爭專利之文義讀取外，且串並聯夾雜使用之電路，與單純採用串聯之電路，技術手段亦有不同；再者因被控侵權物品並無降低總電流之功效，外部供應電設備所承載之電流仍維持不變，並不具有改善外部供應設備之功能，自無均等論之適用。
⒌綜上所述，被控侵權產品如附表一所示A 、B 、D 分析項之技術內容為系爭專利之文義所讀取，至於C 、E 分析項之技術內容則無法為系爭專利之文義所讀取，且被控侵權物品之晶片係採取7 串聯7 並聯之方式配置，與系爭專利之晶片全部採用串聯配置方式，特性與技術手段不同，亦無適用均等論之餘地，則被控侵權物品並未侵害系爭專利申請專利範圍第1 項。
㈢被證二、四、六、十四、十五、二十五可否證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具有新穎性或進步性：
⒈按專利申請範圍中使用功能性用語，而該功能性用語緊接於各元件描述之後，僅在於表達整個權利範圍的功效，此功能性用語即與申請專利範圍之構成要件無關，於判斷專利是否具有新穎性與進步性時，自不得將該功能性用語讀入；然如該功能性用語具有實質重要意義，而對於申請專利範圍產生影響，則屬申請專利範圍之構成要件，於判斷專利是否具有新穎性與進步性時自不能予以忽略。經查：
⑴系爭專利申請專利範圍第1 項使用如下之功能性用語：「如此，可使單一發光二極體產生高亮度與提高操作電壓、降低操作電流之特性，並可改善外部供電設備與發光二極體（LED ）操作條件及其所附加之電器設備。」因為，系爭專利之晶片全部採用串聯方式，具有降低電流之功效，可使外部供電設備不必承載較大之電流，改善外部供電設備；可使通過晶片之電流較不易超過額定電流10mA至20mA（詳本院卷第277 頁反面），或超過之幅度不致過大，改善發光二極體操作條件；並可使電阻不必負擔較大之負載，改善附加之電器設備。則前揭功能性用語係屬整個專利功能之描述，並非對於專利範圍所加限制，自非屬系爭專利申請專利範圍第1 項之構成要件。
⑵原告雖於比對系爭專利申請專利範圍第1 項是否具有新穎性與進步性時將前揭功能性用語作為構成要件加以比對。惟查前揭功能性用語如屬非對於整個專利功能之描述，而屬對於出現於功能性用語所界定申請專利範圍所加之限制條件，則系爭專利申請專利範圍第1 項即會因前揭功能性用語並未充分揭露如何達成「改善外部供電設備與發光二極體（LED ）操作條件及其所附加之電器設備」之技術手段而無效。參酌專利有效性原則，自無從認原告此種會導致系爭專利申請專利範圍第1 項無效之主張為可採。
⒉被證二、四、六可否證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具有新穎性與進步性：
⑴經查被證二、四、六之公開日或公告日分別為2001年10月25日、19943 年1 月11日、1999年8 月10日，早於系爭專利之申請日91年5 月6 日，自具有證明系爭專利是否具有新穎性與進步性之證據適用。次查系爭專利申請專利範圍第1 項關於「如此，可使單一發光二極體產生高亮度與提高操作電壓、降低操作電流之特性，並可改善外部供電設備與發光二極體（LED ）操作條件及其所附加之電器設備」，係屬功能性用語，對專利範圍並不生影響，於判斷系爭專利是否具有新穎性與進步性時，無庸列為專利之構成要件與先前技術進行比對，已詳述如前。則被證二、四、六之技術內容經與系爭專利申請專利範圍第1 項進行比對，其結果如附表二至四所示，系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵完全為被證二、四、六個別之引證案所揭露，則被證二、四、六足以證明系爭專利申請專利範圍不具有新穎性與進步性。
⑵次查原告以系爭專利申請專利範圍第1 項向美國申請第6635902 號專利，亦經美國專利局審查官認為系爭專利申請專利範圍第1 項違反美國專利法35U.S.C.103 （a ）之規定而不具有可專利性（詳本院卷第286 頁），嗣原告於92年5 月5 日乃將申請專利範圍第1 項附加「藉此，前述工作電壓介於10v 與100v之間，且工作電流介於10mA與20mA之間」之限制，始於92年10月21日經美國專利局核准專利（詳本院卷第275 頁）。
⒊被證十四、十五、二十五可否證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具有新穎性與進步性：經查被證十四之技術手段雖與發光二極體之電路配置有關，被證十五之技術手段雖與發光電子單元之串聯電路有關，被證二十五之技術手段雖與將發光二極體配置於印刷電路板上之設置有關（詳本院卷第83頁背面、第88、143 頁），但均未揭露「於一基板上配置有由P 型半導體層及N 型半導體層所組成之複數個晶片」之技術特徵，則被證十四、十五、二十五任一單一引證案均無法個別證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具有新穎性與進步性，但如與被證二、四、六任一引證案結合，則可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具有進步性。
六、綜上所述，被控侵權物品之技術內容並未為系爭專利申請專利範第1 項之文義或均等範圍所讀取，且系爭專利申請專利第1 項並不具有進步性，而有得撤銷專利權之事由存在，被告亦得據以對抗原告。從而，原告依據侵權行為之法律關係請求：⑴被告應連帶給付500 萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5%計算之利息，⑵被告不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口侵害中華民國第213086號新型專利「發光二極體晶片之串聯結構」之產品，為無理由，應予駁回。又原告既受敗訴之判決，其假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回。
七、結論：原告之訴為無理由，依民事訴訟法第78條，判決如主文
中　　華　　民　　國　　100　 年　　10　　月　　26　　日智慧財產法院第一庭
法　官　何君豪
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中　　華　　民　　國　　100　 年　　10　　月　　26　　日書記官　張君豪