103年度重訴字第231號｜民事：損害賠償｜裁判日期：105 年 11 月 11 日

臺灣新竹地方法院民事判決　103年度重訴字第231號原　　　告即反訴被告　亞德光機股份有限公司法定代理人　李建國訴訟代理人　何汶軒葛仁介馮博生律師林耀琳律師黃秋蓮律師複代理人　　胡淑莉被　　　告即反訴原告　晶元光電股份有限公司法定代理人　李秉傑訴訟代理人　張閏林文傑訴訟代理人　李林盛律師王彩又律師蔡麗雯律師上列當事人間請求損害賠償事件，反訴原告即被告於104 年1 月7 日提起反訴，本院於民國105 年10月11日就本訴及反訴均為辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。反訴被告應給付反訴原告新臺幣貳佰零肆萬捌仟捌佰捌拾肆元，及自民國一百零三年十二月十一日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。反訴原告其餘之訴駁回。反訴訴訟費用由反訴被告負擔百分之七十，餘由反訴原告負擔。本判決反訴原告勝訴部分，於反訴原告以新臺幣陸拾捌萬元為反訴被告供擔保後，得假執行。但反訴被告以新臺幣貳佰零肆萬捌仟捌佰捌拾肆元為反訴原告預供擔保後，得免為假執行。反訴原告其餘假執行之聲請駁回。事實及理由甲、本訴部分：壹、原告主張：一、原告自民國100 年11月間起，陸續向被告訂購型號為ES-AEHRAX10之紅光晶片（下稱「AX10紅光晶片」）、ES-CEBHJ09A之綠光晶片、及ES-CEGHJ08A之藍光晶片，用以製作LED及LED 燈條後，銷售予德國之Zollner Elektronik AG 公司（下稱「Zollner 公司」），再由Zollner 公司銷售予LeurocomElecronic Displays GmbH 公司（下稱「Leurocom公司」）等客戶，而原告於102 年7 月16日向被告下單購買AX10紅光晶片中，經被告戳記為102 年8 月23日之AX10紅光晶片（下稱「系爭晶片」），數量為1 萬5,430 顆，原告並已將其中1 萬2,730 顆製成成品並出貨，惟自102 年10月初起，原告陸續接獲Zollner 公司反應LED 燈條內之AX10紅光晶片有死燈（按：即不亮）瑕疵情形，嗣並遭Zollner 公司分次退貨，而上開遭退貨之LED 燈條即使用「系爭晶片」之AX10紅光晶片。二、經原告自行以顯微鏡檢視庫存系爭晶片，赫然發現系爭晶片探針痕竟達三個，且探針痕面積明顯過大，深度過深，此未使用之系爭晶片狀況與死燈退返品解膠後之系爭晶片上狀況相同，並與被告所出具之客訴品質問題分析報告（下稱8D Report ）上描述之「探針痕明顯」相符，又此探針痕超過被告原物料承認書所訂之不得超過1/4 晶片面積的標準，因此該批產品顯屬瑕疵，且此探針痕過大之風險，已有多篇學術論文證實會造成球脫及產品信賴性問題。被告此批系爭晶片外表，既有此嚴重問題，會發生球脫等風險，被告實不應出貨，即使出貨也應主動通知原告此批次風險，請原告評估是否同意特採- 包含應提供原告「特別保證」並請原告調整生產機台，以特殊加重參數處理。惟被告竟坐視此缺失未為任何通知，以致原告於不知情之狀況下，將系爭晶片使用於客戶所訂購之LED 產品，而發生嚴重死燈問題，並造成原告及客戶嚴重損失，目前原告彙整相關單據後，原告至少受有新臺幣（下同）2,586 萬7,489 元之損失。三、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈現象，可歸責於系爭晶片上刮傷及探針痕之瑕疵：（一）探針痕屬廣義刮傷之一種，參照被告型號ES-CEG HV 晶片之原物料承認書對P 極焊墊及N 極焊墊之檢驗標準，規定「合格：a ≦b/4 焊墊面積（不包括探針痕）瑕疵：兩個探針痕其中之一加上刮傷超過焊墊面積四分之一或探針痕超過三個」（原文：Accepted : a≦b/4 pad size（Doesnot including the probing mark）Defective :one of the two probe marks + scratch > 1/4 pad size ,three probe marks . 」、「Accepted :a ≦b/4 pad size（No i cluding the probing mark ）Defective : one ofthe two probe marks + scratch > 1/4 pad size , three probe marks .」），亦即被告認晶片如「兩個探針痕其中之一加上刮傷超過焊墊面積四分之一」或「探針痕超過三個」者，即屬瑕疵，故被告係認探針痕及刮傷均屬刮傷，且均會對晶片造成影響，乃將對二者之檢驗標準均規範在「Scratch （刮傷）」項下，若不符合其檢驗標準之刮傷，即構成有瑕疵之晶片。且有關晶片探針痕討論學術論文，也指出「刮傷過大會造成球脫及產品可靠度問題」（原文：Excessively large scrub mark affect ball bond ad hesion and cause long term reliability issues ）；「一般而言，探針痕面積越大，焊墊接觸面積越小，因此導致較弱的鍵結。因此，產品若有過大的探針痕將被認為是瑕疵品」。又因刮傷/ 探針痕之面積若過大，確實會造成晶片金球脫落之瑕疵，故多數晶片製造廠商均會對晶片刮傷/ 探針痕規範其面積容許範圍之檢驗標準，且國內教科書亦認「因為是以探針直接接觸焊墊，所以焊墊上皆會留下探針破壞的痕跡，因此對於探針的力道，針痕的大小，都是需要掌控管制的項目，檢驗重點包括：點測針痕是否過大，晶粒表面或電極是否有刮傷，依據業界各晶片製造商對晶片表面刮傷/ 探針痕之規範標準，有業者如華上光電根本不允許刮傷而僅規範探針痕，有業者如隆達電子一併規範探針痕及刮傷，而各廠商雖有超過焊墊面積為20﹪至33﹪之不同檢驗標準，然對於應規範刮傷/ 探針痕之瑕疵檢驗標準，以確保自身晶片品質，則殊無二致。（二）觀察各家晶片廠外觀檢驗規範及規格書，可發現半導體（包含LED ）之封裝打線中，各種焊接材質（包含金、銅、鋁）之晶片均設有探針痕不得超過焊墊面積25﹪之限制，否則將導致球脫之風險，故半導體業界（包含LED 發光二極體）對探針痕在焊墊面積設有25% 之限制，乃半導體業界（包含LED ）之共識，此係因實施探針卡測試，是以探針直接接觸焊墊，所以焊墊上都會留下探針破壞痕跡，因此對於探針的力道，針痕的大小及探針痕於焊墊上之面積都是需要掌控的項目。（三）另被告自承每一片晶片均須經過探針卡（座）之測試，測試之目的是使晶圓切割後，讓良品進入下一階段之封裝製程，故若晶片上有刮傷在探針痕下方，即可推論該等刮傷係發生在被告以探針卡進行功能測試前所發生，亦即刮傷發生在被告晶片出貨前，而非發生在原告端或原告客戶端，而系爭晶片N 極焊墊之刮傷係在探針痕下方，則該刮傷自係於被告出貨前即已存在。被告乃晶片製造商，出貨前應客戶要求做電性檢查時，每次檢查估計約百萬顆以上，而此數量的探針檢查，須依賴「AOI-自動光學檢測儀」，始可精密控制於同一位置實施探針測試，且按理負極實施三次探針檢測，有三個探針痕，則正極應該亦應相對應出現三個探針痕始為合理。然以本院囑託國立中央大學光電研究中心（下稱系爭鑑定機構）就本件所為「823 紅光晶片之N 極焊墊金球脫落造因之鑑定與分析」）（下稱系爭鑑定報告）所載編號5 、7 、8 、12、14、15、17、18等晶片，其負極均有超過1 個以上之探針痕，惟正極似僅有一個探針痕，此現象須在同家公司而其AOI 與探針內部設定（包含角度/ 位置/ 材質/ 磨損狀況）均非常類似，才能做出第2 次實施的探針痕完全覆蓋前面探針痕而看不出來之狀況。而被告上開晶片正極之探針痕在正極焊墊上位置幾乎相同，且正極探針痕相較於負極探針痕，明顯更大更深，而此正是因所使用精密AOI 之探針機，方能設定相同位置，且正極的探針痕較負極較大/ 深之結果，亦係因出探針卡在同一位置實施二次（含）測試，反之以原告目前設備，原告之探針卡無法精確打在原來探針痕而不留下痕跡，一定會在正極留下第二個探針痕，足證該第二、三個探針痕亦非原告做抽樣檢查時所造成。四、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈現象，可歸責於被告之系爭晶片「焊墊表面之污染」之瑕疵：（一）被告「打不黏、假焊之分析步驟」第三步驟為「Step3 ：Pad 表面與金球背面之污染」，由此可知焊墊表面是否有污染，與金球是否打不黏、假焊間具有因果關係，若焊墊表面有污染，假焊會導致金球打不黏、假焊，故被告型號ES-CEGHV13晶片之原物料承認書、型號ES-AEHRAX12 晶片之產品承認書亦均有規範污染瑕疵之檢驗標準為大於焊墊之1/4 屬瑕疵（合格：小於焊墊面積1/4 原文：Accepted: a≦b/4 pad size）；台灣電路板產業學院所出版之電路板焊墊表面處理即指出：「來自電鍍鎳金產生的不純物，顯然會影響電鍍膜表面狀態及活化能，同時也會影響其他機械特性而讓可鍵結性衰減」。而系爭晶片確有明顯污染，然被告所出具之8D Report 竟對「Step3 ：Pad 表面與金球背面之污染」此重要步驟完全未為任何分析，而逕指系爭晶片金球脫落係可歸責於原告之「原告打線參數不夠所致」而使「原告打線球高大於線徑」，實有可議。（二）再者，正常晶片只會做1次探針檢查，故產生1個探針痕，惟系爭晶片竟有3個探針痕，故可知此3個探針痕是分成3 次所做的測試，此顯係因被告反覆存取晶片實施探針測試程序所致。被告於反覆存取晶片實施探針測試程序中，須將不合格品多次從倉庫送進送出，且需將貼於藍膜上的離形紙先撕下，探針檢測發現不合格，將晶片再貼回離形紙，送回倉庫存放；擇期再從倉庫取出並再次實施探針測試，不合格又貼回離行紙，送進倉庫，此時晶片上已有2 個探針痕。根據被告之「外觀檢驗規範」，晶片上2 個探針痕已達出貨之合格上限，乃不合格之晶片，實已無法出貨，應即汰除，然被告竟仍從不良晶片中，再次施以探針測試，欲從不合格品中，再次篩選出賣像稍好者，摻雜於良品中，蒙混出貨。復因晶片污染常為無色無味（如：遭二氧化矽污染）而不易察覺，此時往往需昂貴之機密分析儀器始能確定，然一般打線廠商並無此設備可供檢驗，被告依外觀檢驗規範，亦僅要求客戶（如：原告）以顯微鏡檢驗，難以發現污染問題。由系爭晶片上存有3 個探針痕，可證明晶片不僅狀況不佳，且污染係於晶片生產過程中所產生。故被告所出具8D Report 上之「矽（Si）」，應係被告於半導體製程中所殘留之二氧化矽污染，而非封裝膠殘留，因原告封裝打線機係於紅藍綠3 色之正負極（共6 極）輪流作動作，若有殘留發生，對於6 個正負極應均會產生影響，而不會僅發生於負極，或單一色晶片。且封裝膠成分，除了氧與矽外，尚還有其他物質，然8D Report 只出現氧與矽，因此應係被告於半導體製程中所殘留之二氧化矽污染。若係原告打線過程所產生之封裝膠殘留，因晶片的體積小與重量非常輕，只要一點殘留膠，即可將晶片黏在打線機的瓷嘴上，造成打線機停機，而需由機台工程師加以排除；相對於此，二氧化矽係透明，被告縱以顯微鏡檢查亦難以發現，而需精密儀器EDX 分析才可能得知其存在。（三）又系爭鑑定報告第53頁「鑑定事項（四）」中證實「我們觀察到有許多晶片之N 極焊墊都有汙染物存在，而823 晶片（即系爭晶片）編號為2 、6 、7 號晶片N 極焊墊有嚴重的汙染，且汙染面積超過焊墊面積之1/4 ，我們認為如果金層汙染面積超過1/4 ，在打線時，最表層的污染物會影響金球和焊墊的接觸面積，使得金球和焊墊的金屬鍵結減少，金球可靠度就會比較低，且會提高金球脫落的風險，這是金球脫落的原因之一」。另自系爭鑑定報告第58至59頁有關「硬度和彈性的分析與比較」段落中，更可得知鑑定人係採用「奈米壓痕儀（Nano-indenter ）」深入內層三種深度進行測試，最後始獲致「我們認為較多的表面汙染是造成823 和817 晶片彈性係數差異的原因」之結論，顯見該等污染物必然已與金熔為一體，亦即被告於製造過程中所污染，而與原告無涉，若係由原告所造成之污染，至多僅會存於表面，而不至於深入金的內層，顯見系爭晶片之污染確係可歸責於被告所致。五、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈現象，可歸責於被告之「系爭晶片焊墊之成分及/ 或含金比例、硬度及彈性不符規格之瑕疵：（一）依據被告「晶電FA手法：打不黏、假焊之分析步驟」第四步驟為「Step4 ：Pad 之厚度是否在規格內」，由此可知焊墊之厚度、成分及含金比例、硬度及彈性（焊墊成分及含金比例、硬度及彈性會影響焊墊厚度）是否在規格內，與金球是否打不黏、假焊間具有因果關係，若焊墊之厚度、成分及含金比例、硬度及彈性不符合規格者，會導致金球打不黏、假焊；台灣電路板產業學院所出版之電子構裝打線技術概述亦指出：「金層厚度高打線效果就比較好」、「低雜度…略厚電鍍金層都對打線作業有利」，該書並認為金厚度與可鍵結性呈正比關係。（二）晶片若經打線封裝，將其解膠後把金球推開，使金球與焊墊剝離後表面會留有殘金，此為共金（即金球與焊墊融合）之正常現象；反之，若未經打線封裝，焊墊表面應為光滑。惟被告出具之8D Report 第5 頁「No.2-NG 」之N 極焊墊，此為經打線封裝之系爭晶片，因呈現金球脫落情形，經被告解膠後該晶片之焊墊表面卻仍為光滑面之狀況，並無殘金，由此可知系爭晶片成分（例如含金量）顯然有問題，此涉及共金痕跡之原因為何，被告出具之8D Report 竟對「Step2 ：觀察Pad 表面是否有共金痕跡」未有分析過程即得出結論。再者，未經打線封裝之系爭晶片焊墊竟呈現蜂巢狀，非如正常晶片之焊墊呈現光滑面，由此可見系爭晶片成分，確甚有疑義，然被告出具之8D Report 竟對「Step 4：Pad 之厚度是否在規格內」此重要步驟完全未為任何分析，而逕指系爭晶片金球脫落係可歸責於原告之「原告打線參數不夠所致」而使「原告打線球高大於線徑」。六、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈之現象，與原告打線參數無關：（一）系爭鑑定報告第72至74頁「鑑定事項（六）」業已指出「823紅光晶片之N極焊墊具較高金球的原因不是打線參數所造成」、「球高比線徑大是焊墊上之針痕和汙染物所造成的結果，只要改善針痕和汙染物的情況，金球和焊墊的單位面積金屬鍵結數就會提高，金球和焊墊的可靠度亦會提高，自然金球脫落狀況就不易發生」、「打線參數並不是造成823紅光晶片之N極焊墊金球較高之原因，也不是造成金球脫落之原因」，本件Led 成品瑕疵並非原告打線參數不夠所致。（二）下列事證亦足以佐證系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈之瑕疵，與原告打線參數無關： ⒈原告使用相同之打線機台、以相同打線參數對被告之LED 紅光（即系爭晶片）、藍光及綠光等三個晶片之N 極焊墊及P 極焊墊同時進行打線，亦即以相同打線參數同時對六個焊墊打線，倘係因「原告打線參數不夠」而使「原告打線球高大於線徑」，則六個焊墊之金球均應脫落，然僅系爭晶片（紅光）之N 極焊墊金球脫落，紅光P 極、藍光N 極、藍光P 極、綠光N 極、綠光P 極等其他五個焊墊之金球卻未脫落，故系爭晶片發生金球脫落並非因「原告打線參數不夠」而使「原告打線球高大於線徑」。 ⒉發現系爭晶片有瑕疵後，兩造曾於102年11月28日、103年1月10日、103年1月16日、103年3月31日、103年5月27 日、103 年6 月20日進行會議討論，雙方並於103 年3 月7 日在原告公司共同進行球高（亦即球厚）及推力實驗，以驗證球高是否即會導致金球脫落，實驗結果顯示並無被告所辯「球高大於線徑，造成假焊現象，以致金球脫落」之必然關係，且該實驗過程被告公司人員全程親自參與，並設定、調整球高尺寸與推力參數，該實驗結果確堪採信。⒊原告係自查知系爭瑕疵後，於102 年12月15日開始使用被告建議之新參數，在原告LED 燈條遭Zollner 公司退貨前，原告使用之參數（102 年12月15日前之打線參數，下稱舊參數）對與系爭晶片相同型號之被告紅光晶片進行固晶打線業已超過兩年，不曾發生金球脫落而致燈條死燈之情形；原告對不同型號之各式產品進行固晶打線時均使用相同之舊參數，金球亦不曾發生脫落；再者，自原告於102 年與103 年連續兩年對推力值之監測，最小值全部在30克以上，完全符合業界25克至40克之標準；上開事實均足證系爭晶片金球脫落係因被告所交付之系爭晶片品質不佳，與原告打線參數全然無涉。且被告出具之8D Report 已顯示99.6﹪良品應是球薄，僅0.4 ﹪不良品之晶球厚度高，亦即由（不）良品比例與球厚之關係可知，金球厚度實與被告晶片狀況有關，而與原告打線參數無干。 ⒋LED 製造業係電腦控制大量生產，若果真有打線參數下不好的問題，那會是整批發生問題，不會僅小部分發生問題。就系爭之打線問題，原告所使用之打線機係向原廠購買，打線機之參數亦係由原廠工程師協助原告設定，且據悉被告亦有使用同廠牌打線機、且為同一原廠工程師協助。打線機與打線參數顯然均是市面上常見機種與使用之參數，而屬市場上成熟技術，應無出錯之可能。且原告之打線過程，係紅藍綠（RGB ）三色正負極一起打線，若有任何錯誤（例如：被告所稱殘留封裝膠），其結果將會是紅藍綠且是正負極一起發生殘留（如封裝膠殘留），因打線乃連續、不間斷、亦無法跳過任一顏色之任一極，不可能如本件係集中於紅光（單一色）之單一極，是原告製程並無可歸責事由。 ⒌被告於8D Report 上有球高大於線徑但未球脫之情形，無法就其所主張「球高大於線徑有球脫風險」自圓其說外，被告於103 年1 月16日出具之「ES-AEHRAX10 打不黏」報告中，也有球高者未球脫，球薄者反球脫之現象，足證本件鑑定機構所稱「金球型狀（按：即球高）並非重點」，洵屬的論。球高實係金球表面發生問題之「結果」，因此以同樣參數實施打在焊墊（pad）表面無問題的（如：藍綠光晶片、或良品之紅光晶片之焊墊），球高應均為薄者，被告係倒果為因。況不論本件鑑定機構或教科書、文獻等，均從未聽聞被告所主張「球高線徑」之標準，被告迄今亦均未提出藍綠光晶片之良品／不良品球高資訊。再參照國立台灣科技大學醫學工程研究所碩士論文節錄資料，已證明球徑25um（與線徑同）時，經過可靠度冷熱循環1000次仍無問題，亦即，金球高度除非低於5um ，否則球高從10um至25um，其可靠度均佳，對晶片打線並無影響，而本件根據被告之8D Report 原告所打之球為25~28um （有±5 之誤差），仍在該論文數據範圍內，故原告之球高並非造成球脫原因，且根據雙方於103 年3 月7 日在原告公司共同進行球高（亦即球厚）及推力實驗，以驗證球高是否即會導致金球脫落，實驗結果亦顯示：球高（30um）大於線徑（24um）對於推力並無影響。（三）原告係自動化大量生產之LED 封裝打線廠商，除有賴供應商提供符合規格之產品外，自身也有標準化製程，以維持生產線流暢，是原告不可能每日浮動調整打線參數，蓋打線參數制定與調整，牽涉生產線產品品質，若要調整參數，依原告公司規定，需由工程師向主管提出聲請，並經核准後方得實施新參數。而原告於102 年12月15日前使用之舊參數，係根據ASM 之建議調整設定，且已使用兩年，並無任何調整參數紀錄。而所謂首件檢（即焊檢）為LED 封裝打線廠之通例，原告製程並無不同，且由於晶片十分精密，加上被告亦自承「參數會做微調，機器多少會有變異（按：即誤差）」，而該打線誤差亦屬業界所周知且為合理之容忍範圍，換言之，縱存有微調誤差，仍無礙打線參數之同一性。再者，依照經驗法則，僅有外來因素（例如：電磁波、電流、汙染、震動…等），可能導致機台不穩，機台內鍵之參數並無導致機台不穩之可能性，原告相關打線機台，同時生產多項產品，均無「機台不穩定」問題；甚且，「機台不穩定」應是平均出現在各顏色上，不會僅有單色/ 單極發生。原告以相同參數實施打線（以良品而言），球徑會略有不同，這是被告所明知的正常的現象，並非被告所稱「（原告）不適切的參數將導致機台不穩」之結果。（四）被告所提出打線後金球球高為線徑1/2 的係業界標準，實為「IC封裝」業界之打線圖，並非「LED 晶片」之打線，被告無法證實此確為「LED 業界標準」，無須根據不存在之標準實施鑑定。原告購買並使用ASM 打線機台已近十年，並經ASM 到原告廠內協助建立打線參數，其方式與本件鑑定機構所稱「打線後觀察金球佔焊墊面積比例約8 成後，實施打線推力測試，得到超過30g 」完全相同；甚且，ASM 打線機廠商工程師曾根據原告使用之金線/ 晶片，實際到原告場內共同實驗確認而提供訓練講義給原告，而原告所用打線參數完全符合訓練講義所載之建議參數，ASM 從未口頭或書面建議要求球高不得大於線徑或球高不得超過線徑一半，縱令ASM 建議球高打到線徑一半為真（原告否認之），此亦僅係建議，並無法根據ASM 建議之「球高打到線徑一半」，直接推導出「球高大於線徑有球脫風險」之結論。且本件鑑定機構實際檢查8D Report 上之金球形狀及金球佔焊墊面積後，認為金球狀況良好，亦即原告打線參數並無問題；且鑑定機構亦已表示，以其經驗，認為8D Report 上的球脫狀況是焊墊表面污染，導致金球與焊墊無法做適當的結合，且球脫者之探針痕屬於較大範圍；系爭晶片已遭汙染，需經過表面清潔處理才能使用，僅靠打線參數調整很難處理汙染問題，換言之，球脫原因係因原材料受到汙染與探針痕過大，且無法僅以調整參數處理球脫問題，則球脫原因更與打線參數無涉，而無庸再為打線鑑定。（五）被告聲請再為補充鑑定，有違民事訴訟法第326 第2 項、第270 條之1 第1 項第3 款及第3 項等有關證據契約之規定，亦已逾時提出攻擊防禦方法： ⒈金球厚度實與被告晶片狀況有關，而與原告打線參數無干，且系爭鑑定報告及鑑定人於參考新舊參數打線及其金球數據後，亦已認定打線參數並不是造成系爭晶片之N 極焊墊金球較高之原因，也不是造成金球脫落之原因，換言之，本件實無進行打線鑑定之必要。而本件鑑定機構即國立中央大學光電科學研究中心乃兩造均認同之適格鑑定機構，其專業無庸置疑，是否須經實際打線試驗，乃鑑定機構基於自身專業之判斷，被告既未提出任何證據證明系爭鑑定報告所採用之鑑定方法有何違反科學或工程法則，被告亦未提出必須以實際打線試驗進行鑑定之依據，則被告爭執本件應以實際打線試驗之方式進行鑑定等語，企圖否認系爭鑑定報告之效力，實無可採。 ⒉依據系爭鑑定報告及鑑定人之證述，均認經擴晶之系爭晶片不會影響品質，鑑定報告以經擴晶之系爭晶片不影響鑑定結論，況且若採打線測試鑑定，則鑑定之標的仍為經擴晶之系爭晶片。因原告售予客戶之產品乃打線封裝後的LED 封裝體，原告係從事LED 晶片打線加工，並非晶片之經銷商轉賣被告晶片給客戶，原告並無法提供未經擴晶之「退返品中的AX10紅光晶片」供作鑑定標的。且本件於起訴前，原告即提供退返品予被告檢驗，被告並據此作成8D Report ，而於8D Report EDX 「汙染」已出現超過「背景值」之結果時，被告反稱退返品有「封裝膠殘留」、「經過加工不能確認」等問題，故兩造乃合意決定改以庫存品、並相互至對方處所進行再現性實驗。依被告先前之主張，如此際再以退返品進行鑑定，仍會發生「封裝膠／解膠液殘留」之爭議。此外，因退返品之晶片歷經多道加工過程，故鑑定人亦恐無法確認汙染來源，即使再次實施鑑定而出現與8D Report 上相同污染的結果，可預見鑑定人仍無法確認，故以退返品鑑定無法釐清本件瑕疵之成因。 ⒊兩造不論訴訟前後，實均同意本件應以系爭晶片之庫存品進行鑑定，並基於兩造確定且合意之證據方法，由國立中央大學光電科學研究中心進行鑑定。迺被告於系爭鑑定報告作成後，竟罔顧上開證據契約之內容，聲請命原告提出遭客戶退貨之產品，並主張應以該等產品為待鑑定對象等語，此顯與民事訴訟法第270 條之1 規定及最高法院98年度台上字第1131號判決所揭示之意旨相悖，並有違訴訟上之誠信原則。又被告於本件審理期間從未就待鑑定對象有所爭執，而於本件審理已近1 年、系爭鑑定報告之內容不利被告後，始又反覆爭執本件應以原告遭客戶退貨之產品進行鑑定，被告顯已逾時提出攻擊防禦方法。七、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈之現象，並非原告打線藍膜污染所致：被告到原告廠內所共同施作之實驗樣本及原告於103 年6 月5 日將做完的樣品送交被告驗證，上開兩次樣品及本件遭客戶退貨之所有產品，原告均使用同一台擴晶機實施擴晶，而被告就上開兩次樣品，從未提出原告樣品有藍膜污染之問題。且鑑定人於105 年4 月26日言詞辯論期日時業已證稱系爭晶片污染應係於「濕製程」所造成，而與原告製程並無關係。是系爭晶片發生金球脫落致生死燈之瑕疵，並非原告打線藍膜污染所致。八、被告售予原告之系爭晶片存有諸多瑕疵，且該瑕疵可歸責於被告，原告自得依民法第227 條或第360 條規定，請求損害賠償：（一）系爭晶片至少存有「不符標準之刮傷/ 探針痕」、「系爭晶片焊墊表面確有污染」及「系爭晶片焊墊之成分及/ 或含金比例不符規格或業界一般標準」等瑕疵，且該等瑕疵均係可歸責於被告所致。原告自得依民法第227 條規定，請求損害賠償。且依據被告提出之被證4 號原物料承認書，被告對於系爭晶片確已制定一定之品質標準而為品質保證，原告自得依民法第360 條規定請求損害賠償。（二）經原告彙整相關單據後，原告至少受有2,586 萬7,489 元之損害，其中包括品保部門修理客戶退回LED 與燈條所發生之費用3 萬7,634 元、LED 及燈條客戶退貨與修復運回所發生之運費76萬4,027 元、篩選有問題LED 委外所作冷熱衝擊測試之費用46萬7,313 元、客戶自行修理所需之勞務費用63萬3,804 元（歐元1 萬5,458.63元）、專為Leurcom 公司所設計的模具與支架，因系爭晶片之瑕疵而無訂單所認列之損失416 萬4,711 元及原告客戶Leurcom 公司求償金1,980 萬元（49萬5,000 歐元），原告僅請求賠償2,380 萬3,000 元。（三）原告以系爭晶片所製作之燈條上有42個Led 封裝體所構成（內含有RGB 三色，各42個晶片，亦即共126 顆晶片），只要任一「燈條」上有一個LED 封裝體之一顆紅光晶片發生球脫死燈現象，必須整條燈條從位於莫斯科的LED 廣告板拆下檢修；再對燈條上全部42顆LED 封裝體施以冷熱衝擊實驗，以進一步篩選風險晶片；找到的死燈LED 封裝體將整顆報廢拆下，重新焊上新的LED 封裝體。此係因為晶片體積極小，無法僅拆除紅光，因而其他藍綠兩色晶片也必須報廢，因此花費人力時間甚鉅。故損失之計算，須以整顆LED 封裝體乃至燈條做考量標準，不能僅以單一紅光晶片之價值而論，否則即與原告蒙受之損失相距甚遠。且兩造從未約定以系爭晶片之貨款為賠償上限，故被告就原告所受損害及所失利益之全額自應予以賠償。如認上開損害賠償細項中有部分項目之舉證尚有不足，則請依民事訴訟法第222 條第2 項規定，酌定該等細項之損害賠償數額。（四）被告與國家實驗研究院儀器科技研究中心、先進半導體封裝設備商均華精密工業股份有限公司等迄至104 年9 月22日始共同開發完成「晶片瑕疵檢測設備」，亦即被告於104 年9 月22日前無力檢測晶片瑕疵之成因（或至少檢測成因甚為困難），原告自無可能於驗收時即發現系爭晶片之瑕疵。原告同1 張工單雖使用被告不同日期製造之晶片，然因係同批採購（惟分2 次送貨），故於生產流程上認為是同批採購，於品保與製程上，認定具有相同品質；亦即，抽檢過關，即認為全部過關。另原告並於每日開班生產前，均實施「首件檢」，即每台打線機先打一片支架內之96個LED 封裝體（均有RGB 三色LED 晶片），再將已打線之LED 封裝體中，抽測其中5 個LED 封裝體實施推力試驗，檢查30個焊點之打線推力值，確認數值合格後，始開始大量生產；本件為求慎重，原告出貨予原告客戶前，甚還將同批產品之先期產品，施以冷熱衝擊700 循環，而僅一個紅光發生死燈現象，故認定該LED 封裝體之可靠度合格而大量出貨給客戶，原告於出貨予客戶前，已盡相關之檢查義務，且晶片體積極小，探針痕非用高倍顯微鏡無法觀察；汙染更需使用精密儀器（如8D Report 上使用之EDX ）始能驗出。換言之，本件瑕疵應屬依通常之檢查不能發見之瑕疵，而原告就本件損害之發生更無所謂與有過失之責任。（五）被告就原告所送交之退貨產品多次做出8D Report ，且該8D Report 內容出現多次探針痕明顯等問題，惟於討論過程中，被告屢屢諉稱金球脫落原因為原告參數不佳導致「球高大於線徑」，經原告提出質疑，為釐清責任歸屬，兩造乃合意決定改以庫存品、並相互至對方處所進行再現性實驗，被告亦據此於103 年3 月7 日至原告廠內偕同進行實驗與討論。尤甚，經原告比對被告所發行之「晶電FA手法－球脫打不黏處理」，赫然發現被告竟以選擇性隱匿藍綠光球厚，再藉由提供不同批次樣品之金球高度方式，企圖誤導，使誤認該批所有金球均厚，然實情則為不良品球厚、良品球薄。而被告所出產之晶片藍膜上，均貼有如身分證之標籤，因而被告對於出貨中混有不良品一事，知之甚詳，卻仍故意隱匿出貨。供應商除提供符合規格的貨品之契約義務外，亦應於瑕疵發生時，協助客戶找出瑕疵真因以釐清責任與減少損失之義務，惟被告顯有刻意隱瞞瑕疵、並誤導原告查明球脫原因，導致原告及原告之客戶損失擴大，而有「出賣人故意不告知瑕疵於買受人」之情形，故被告無法主張原告有怠為檢查或通知之行為，或依民法第217 條規定主張原告與有過失減輕或免除被告賠償金額之適用。甚且，被告知悉系爭晶片有汙染無法使用，卻仍出貨給原告，造成損失；於客訴發生時，原告通知被告，被告竟仍隱匿球脫真因，不告知「風險批」及其影響，致原告無法在第一時間以最安全經濟的方式全部召回更換，實乃導致損失擴大的主因，被告就此自應就損害發生之情形全數負責。九、爰依民法第227 條不完全給付、第360 條物之瑕疵擔保效力之規定併予主張而擇一請求被告負損害賠償責任。並聲明：（一）被告應賠償原告2,380 萬3,000 元及自本書狀送達之翌日起至清償日止，按週年利率5 ﹪計算之利息。（二）原告願供擔保，請准為假執行之宣告。貳、被告辯稱：一、被告出售予原告之系爭晶片並無原告所稱探針痕過大過深、刮傷、污染之瑕疵：（一）原告所提出供鑑定之系爭晶片，係業經原告擴晶後之晶片，該晶片已改變現況，並非被告原始交付原告之產品，是該晶片縱經以顯微鏡觀察結果，有部分晶片探針痕過大過深、探針痕超過二個以上、污染或刮傷之瑕疵，亦不能據此推認被告將系爭晶片交付原告時即存有上開瑕疵。而原告所提出另片被告於102 年8 月17日品檢合格之LED 晶片（下稱817 晶片），因未經原告擴晶改變現況，故系爭鑑定機構觀察結果，並無探針痕面積超過焊墊面積1/4 、探針痕2 個以上及污染之瑕疵。且依原告所提供予被告分析之客戶退返品，亦無探針痕面積超過焊墊面積1/4 、探針痕2 個以上及污染之瑕疵。（二）被告在生產流程中，有目檢人員對每片晶片均會在顯微鏡下檢視，如有刮痕過大過深、探針痕超過2 個以上或污染之瑕疵，即會予以淘汰，不可能銷售予客戶，而原告亦自承該公司有驗收檢驗標準，即「先驗外表，再驗電性」，並由驗收執行人員簽認。原告於本院104 年3 月13日言詞辯論時，所提出之系爭晶片，並非被告原始出廠之晶片，而係經原告擴晶後之晶片，經被告技術人員當庭以顯微鏡觀察，外觀有嚴重之刮痕，不可能通過被告目檢人員之檢查而出貨予原告，亦不可能通過原告驗收人員之驗收而予以收受。（三）本件送鑑定之系爭晶片係業經原告擴晶後之晶片，並非被告公司原廠出廠之狀況，且部分晶片有二個以上的探針痕。同一批產品，作探針測試，不可能部分晶片僅有一個探針痕，部分晶片有二個以上探針痕，此觀未經原告擴晶之817 晶片均僅有一個探針痕，即可證明。而送鑑定之系爭晶片已經原告擴晶，原告為何未將之加工生產成燈條，亦顯有可疑。原告所提出送鑑定之系爭晶片，係經原告抽驗電性之晶片，其上有部分晶片留有原告以探針卡測試之探針痕，故部分晶片始有二個以上的探針痕。上開晶片既經原告擴晶、檢驗電性，且非在無塵室中進行，故晶片上的污染，應屬原告擴晶、檢驗電性過程中所造成，與被告無關。再依原告公司「CHIP進料檢驗規範」規定，除進行外觀檢驗、電性檢驗外，另亦進行EDS 抽樣檢驗，每批抽一片（100 顆）進行破壞性檢驗，而原告自承被告出售予原告之系爭晶片除提出供鑑定之系爭晶片外，其餘均已供生產，沒有庫存品，足證供鑑定之系爭晶片係原告每批抽一片進行破壞性檢驗所留下之晶片，自不能以該經破壞性檢驗之晶片，主張被告出售予原告之系爭晶片有瑕疵。二、原告所主張出售予客戶之燈條發生死燈現象，並非被告出售予原告之系爭晶片有探針痕過大過深、刮傷、污染之瑕疵所造成：（一）原告所提出供本院送鑑定之系爭晶片，並未供原告加工生產製造成燈條，故不能以該晶片經觀察結果，有探針痕過大過深、刮傷、污染之情形，即推認原告生產之燈條所使用之系爭晶片亦有上開瑕疵。（二）本件原告係於102 年11月5 日向被告提出客訴，被告根據原告所提供之退返品即2 條燈條模組檢查分析後，得出之事實為：⒈原告係稱於其客戶端測試時，發現紅光晶粒死燈。⒉死燈原因係AX10之N-pad 有假焊現象。⒊N-pad 無發現明顯污染，但有發現明顯的探針痕跡（被告並未發現探針痕有過大過深之情形，亦未發現探針痕有二個以上之情形）。⒋研判金球與pad 共金現象不佳，測量打線金球尺寸，發現線徑約24um、球高約26~28um ，球高大於線徑有造成假焊的風險。⒌被告提供廠內的AX10打線參數給原告公司參考，並請原告公司review相關打線機台參數，以降低假焊風險。原告亦確實依被告所建議之打線參數修改過三次之後即未再有金球脫落，造成死燈之情形。由原告所送給被告分析之客戶退返品，並無原告所稱之探針痕過大過深、刮傷、污染之情形。是可以排除，原告所出售予客戶之燈條，金球脫落造成死燈之情形，與LED 晶片上是否探針痕過大過深、刮傷、污染之情形有關。（三）原告不敢提供客戶退返品供鑑定，乃因已生產成燈條，不能改變現狀再送鑑定，原告亦無法事先觀察燈條內之LED 晶片是否有瑕疵，以決定是否送鑑定。然以此產品送鑑定，解膠後，LED 晶片是否有瑕疵，一目瞭然，可鑑定出燈條死燈之真正原因。三、被告出售予原告之系爭晶片並無「焊墊成分及/ 或含金比例、硬度、彈性不符何規格」之瑕疵；且是否有該瑕疵，亦與金球是否會脫落無關：（一）在金球與焊墊的結合過程中，打線參數是決定金屬鍵結的最大原因，才能產出合理金線球型。經過打線封裝之「No.2-NG 」之N 極焊墊表面之所以光滑而無殘金，係因為原告打線參數的設定有誤，造成金球與焊墊鍵結不佳（即接觸部位無法達成共金），才會導致焊墊表面光滑而無殘金，此與晶片成分無關。且系爭鑑定機構已利用奈米壓痕儀對系爭晶片與817 晶片二者的材料硬度及彈性係數做過分析及比較，並認系爭晶片與817 晶片在硬度和彈性方面差異不大，故硬度與彈性不是造成金球脫落的原因；換言之，系爭晶片之成分、含金比例從來就不是導致金球脫落之原因。（二）原告提出送鑑定之系爭晶片經被告技術人員當庭以顯微鏡觀察，發現外觀有嚴重之刮傷，並表明該晶片已非被告公司原始出貨之狀態，當屬無效樣品。相同之817 晶片未經原告擴晶、檢驗，即無含金比例較少之問題，是原告係改變系爭晶片之出廠狀況後，再送鑑定。且系爭鑑定報告第60、61頁的原指數分析部分，鑑定人已當庭證述蝕刻深度是60 ANGSTRON ，並表明「此區域不是在分析污染的狀況。是在分析金屬墊層表面含金量的狀況」。另稱「從高倍顯微鏡去觀察是那個區域沒有污染。我們是在沒有污染的區域進一步去看金屬墊層的含金量」。換言之，鑑定人只是以顯微鏡目視表面哪個區域有污染，並無法分析污染的來源及污染物成份。四、系爭鑑定機構所出具之系爭鑑定報告意見並不可採：（一）系爭鑑定機構據以鑑定之標的為原告已擴晶、檢驗之晶片，並非被告出廠時之原始晶片，亦非原告遭客戶退貨之燈條所解構之晶片，根本無從判斷原告燈條死燈之發生原因，被告於104 年4 月24日已具狀明確表明該已經原告擴晶之晶片不適宜作為鑑定標的。（二）系爭鑑定報告之鑑定事項第一項，系爭鑑定機構認擴晶不會影響晶片品質，其立論基礎係擴晶的加熱過程（55±5 ℃）溫度不會超過藍膜之熔點溫度，因此藍膜殘留之有機物於晶片上之機會甚微云云。惟系爭鑑定機構並未實際檢測原告公司在擴晶的過程中，其加熱溫度係幾度？供鑑定之系爭晶片上之污染，是否係擴晶過程中溫度過高，而屬於藍膜殘留之有機物所造成之污染？是其鑑定顯不完整。且系爭鑑定機構對系爭晶片上之刮痕亦表示：這些較小的刮痕並不會造成打線金球脫落，故該刮痕與金球脫落無關。（三）系爭鑑定報告之鑑定事項第二項所舉例子大部分係銅線或金線打在鋁質的焊墊（pad ）上，與本件係金線打在金質的焊墊（pad ）上，材質明顯不同，不能相互比擬。且系爭鑑定機構有關：「如果探針痕之面積過大或傷到金層，則在打線時會影響金球和焊墊的接觸面積，較大的接觸面積會有較多的金屬和金屬鍵結，打線金球自然不容易脫落，打線強度也會比較好；反之，較小的接觸面積表示金屬和金屬的鍵結較少，金球脫落的風險就會比較大，因此，打線可靠度就會比較低」之意見，係在未實際打線鑑定下所為之推測。事實上，在打線過程中，因不夠精準，金球並未全部打在焊墊上，只要打線參數正確，球高小於線徑，仍不會造成金球脫落，故系爭鑑定機構上開意見僅為推測之詞，並未經實際鑑定，顯無參考價值，且系爭鑑定機構亦認為打線參數係可能造成金球脫落之原因，本件鑑定機構既未實際進行打線測試以確認打線參數非本件造成金球脫落的原因前，焉能正確判斷本件金球脫落的原因。況鑑定人亦證稱：「探針痕和刮傷面積不超過焊墊面積25% ，此25﹪只是一個概念，不是絕對值。他有一個大概的概念。不代表超過25﹪一定有問題、低於25﹪絕對沒問題」等語，足見該25﹪判斷標準僅係作為參考依據之一，並非造成金球脫落之絕對標準。然系爭鑑定報告事項（三）竟援引前開標準為「業界標準」，進而判斷送鑑定之系爭晶片的不合格率為三成五，結論甚至認為：「系爭晶片之N 極焊墊針痕為造成金球打線脫落的原因」等語，系爭鑑定報告之意見顯然與鑑定人前開證述有所矛盾。再者，縱依系爭鑑定報告以探針痕和刮傷面積是否超過焊墊面積25﹪作為是否為瑕疵品標準，被告出具之「8D Report 」根據該項標準判斷，系爭晶片亦未超過該標準，足證系爭晶片並無瑕疵。（四）系爭鑑定報告之鑑定事項第三項，鑑定機構從20個系爭晶片中，發現有7 個晶片不符合業界標準，其中二個針痕面積超過25﹪，另5 個焊墊針痕超過2 個云云。然鑑定機構所謂針痕面積超過25﹪之二個晶片，係指編號5 之26.825﹪與編號15之28.694﹪，惟針痕面積應占焊墊面積多少以下，本無定論，有的標準係1/4 ，有的標準是1/3 ，上開二個晶片之探針痕介於兩者之間，鑑定人認不符合業界標準，尚屬無據。而其所謂5 個針痕超過2 個以上，係指編號3 之晶片有3 個針痕，針痕面積占焊墊面積20.953﹪、編號8 之晶片有3 個針痕，針痕面積占焊墊面積22.127﹪、編號12之晶片有3 個針痕，針痕面積占焊墊面積22.278﹪、編號14之晶片有3 個針痕，針痕面積占焊墊面積23.489﹪、編號17之晶片有3 個針痕，針痕面積占焊墊面積22.809﹪。上開5 個晶片之針痕面積占焊墊面積均未超過25﹪，並無不符合業界標準，既然針痕面積未超過焊墊面積25﹪，如何造成金球脫落。系爭鑑定意見進一步推測，系爭晶片之不合格率為35% ，系爭晶片之N 極焊墊針痕為造成金球打線脫落的原因，然未經實際打線鑑定，僅為推測之詞，無任何可信性。（五）系爭鑑定報告之鑑定事項第四項，鑑定機構認許多晶片上之N 極焊墊上有污染物存在，系爭晶片編號2 、6 、7 號晶片N 極焊墊上有嚴重的污染，且污染面積超過焊墊面積之1/4 。然系爭鑑定報告就該污染係被告生產過程中所造成，或是原告持有中所造成，並未為任何鑑定。則鑑定報告進一步推測最表層的污染物會影響金球和焊墊的接觸面積，使得金球和焊墊的金屬鍵結減少，金球可靠度就會比較低，且提高金球脫落的風險，這是金球脫落的原因之一，亦顯屬推測之詞。況據鑑定人已明確指出其無法判斷污染的原因與來源，是不足據此認定該等污染與被告製程有關，反係於非無塵室中進行的原告擴晶程序更為可能造成該等污染。（六）系爭鑑定報告之鑑定事項第五項，鑑定意見認系爭晶片與817 晶片在硬度和彈性方面差異不大，故硬度與彈性不是造成金球脫落的原因，就此，被告無意見。（七）系爭鑑定報告之鑑定事項第六項，鑑定意見認「根據原告所述，用於紅綠藍晶片之打線參數在102 年12月15日前皆相同。在相同的條件下進行打線，應該會有相同的金球高度」乙節，系爭鑑定機構既認為打線參數與金球與焊墊的鍵結有關係，不同的打線參數會影響焊墊和金球的鍵結，然於鑑定時卻忽略透過實際打線驗證參數對品質的影響，於未實際進行打線測試之前提下，竟率採原告自述未改變打線參數之說法，即推論出「打線參數不是造成系爭晶片之N 極焊墊金球較高之原因，也不是造成金球推落之原因」結論，實屬全然臆測而欠依據之推論。再者，原告公司的打線參數本屬浮動，係因應每日首件檢結果進行調整，則系爭鑑定機構究竟係依據何種「原告所述」，亦令人存疑。（八）綜上所述，本件系爭鑑定機構據以鑑定之標的係業經原告擴晶、檢驗之晶片，並非被告原始出廠之狀況，無法證明被告交貨予原告時，即存在有原告指述之瑕疵。又該鑑定晶片並未經原告加工製造成燈條，鑑定機構亦非以原告遭客戶退貨燈條解構後之LED 晶片作為鑑定標的，亦無法鑑定出原告遭客戶退貨之實際原因。況鑑定機構並非以實際打線方式鑑定，而係以推測之方式作出鑑定報告，故鑑定報告意見，依法自無可採。五、原告燈條死燈係因打線參數不正確，致球高大於線徑，造成假焊之情形，並非被告所交付之系爭晶片有瑕疵所致：（一）本件原告向被告客訴金球脫落後，被告將原告所送產品進行分析，即發現係球高大於線徑，造成假焊現象，致使金球脫落，經被告向原告建議更改打線參數後，即未再發生金球脫落之情形。且原告工程師吳長運出具聲明書內容亦表示，原告先前發生球脫情形，除檢查pad 外，亦會調整加重打線參數，本件自應以實際打線鑑定方式鑑定。（二）參照ASM Pacific Technology Ltd . （ASM太平洋科技有限公司係全球最大的半導體和發光二極管行業的集成和封裝設備供應商，其累積了多年的打線knowhow 與技術能量，其打線設備也是業界最多人使用的設備）之教育訓練資料，打線後較佳的金球高度為金線徑的40% -50%，打線後較佳的金球直徑為焊墊直徑減6um 。另國內外封裝大廠球高皆控制在線徑一半。經分析原告退回NSOP樣品，球高皆高於ASM 建議與一般LED 封裝廠的球高設定（球高約1/ 2線徑），過高的球高於物理上即代表瓷嘴並未確實加壓於金球與PAD 形成共金，而造成球脫的結果實屬打線參數不良所導致。依ASM 資料分析，金球與焊墊的接觸部位，於合適的釘線參數（球型）下作用，其金屬鍵結會越好，而非單純面積越大打線強度才會高。（三）另以紅光Sample A .B .C .D 金球厚度/ 探痕大小比對結果，亦得出假焊之原因係來自於原告公司打線參數不佳。且原告公司客戶退返品X-ray 分析報告確有球脫樣本，其金球厚度較厚。（四）原告稱舊參數有99.6% 都正確焊在焊墊上的數據只是對單一個案燈條簡單目測所得算式，不足以證明舊參數無假焊問題，舊參數是否有假焊風險，必須驗證後才能證明。且原告自承每日打線機開機後的打線參數均會依首件檢調整，是原告所稱的舊打線參數一直處於浮動調整，並非是固定不變，並非相同參數。打線金線球型必須要合理，據此設計出來的打線參數才是正確的打線參數，也才有一定程度的信賴保障。被告主張交由雙方認同之第三機構協助針對雙方同意的限度樣本、使用具檢定效果的打線參數（能產出合理金線球型）進行實際打線檢定，才能直接釐清疑慮。透過觀察打線後金球球高為線徑1/2 的LED 業界標準，可以驗證打線參數正確與否。且系爭晶片無法發現打不黏的真實原因，不適合作為進行打線實測鑑定的分析樣本。六、本件原告所主張系爭晶片之瑕疵問題，無論係探針痕過大或過深，或有刮傷，或遭污染，均係晶片外觀之問題，並非晶片發光效能之問題，原告可輕易於驗收時即發現，況原告有多道檢驗程序：先驗外觀，再驗電性、進行EDS抽樣檢驗、每批抽一片（100顆）進行破壞性檢驗、首件檢檢查等等，如不符合原告之驗收標準，原告可即時予以退貨，原告既未退貨，依民法第356 條規定，視為承認所受領之物，原告不得再向被告主張系爭晶片有外觀上之瑕疵，而要求被告賠償。七、被告出售予原告之系爭晶片，數量僅15.43K（千顆），每千顆售價為390元，合計僅6,017.7元，原告竟請求被告賠償2,380萬3,000元，復未舉證證明其所稱損害與系爭晶片間有何相當因果關係存在，自不得請求被告賠償損害。再就原告所提相關損害單據，陳述意見如下：⑴原證95係原告公司內部所製作之「各式測試（品管與研發等）申請單」，被告否認其真正，且該單據亦無從證明與系爭晶片有關。⑵原證96只能證明原告所稱支出之運費，無從證明上開運費與系爭晶片有關。⑶原證97只能證明原告有支付相關檢驗費用，無從證明與系爭晶片有關，且原告亦未舉證說明送請檢驗之必要性為何。⑷原證98只能證明Zollner 公司有支付修理費用，無從證明與系爭晶片有關。⑸原證99 、原證100為原告委託他人設計模具與支架費用，與系爭晶片無關。被告出售予原告之晶片，並非只有系爭晶片，其他晶片原告均稱沒有問題，故其主張因系爭晶片有瑕疵，致無訂單，與事實明顯不符。⑹原證101為原告與其客戶片面達成之和解，對被告無任何拘束力。被告將系爭晶片出售予原告後，原告如何加工為燈管，共銷售多少支燈管予其客戶，每支燈管之售價為何，燈管之瑕疵數量多少，經重新更換晶片之數量為何，重新更換晶片之費用為何，均未據原告舉證證明，其片面與其客戶達成和解，賠償客戶49萬5,000歐元（折合新臺幣1,980萬元），亦未提出其賠償給客戶之付款證明文件，而要求被告如數賠償，自屬無據。⑺依原證117-1、117-2、117-3、117-4之出口報單、Invoice、Packing List、出貨領料通知顯示，原告出貨予Leurocom公司之日期分別為101年1月20日、101 年12月14日、101年11月27日、101年6月29日，而本件原告主張有瑕疵之系爭晶片係被告102年8月23日品檢合格之產品，足證原告出貨予Leurocom公司之上開產品，與系爭晶片無關；又原告出貨予Leurocom公司產品超過一年以上，竟未收取貨款，現竟稱與賠償予Leurocom公司之款項抵銷等語，顯違常情。八、本件原告所主張系爭晶片之瑕疵，均係外觀上之問題，原告可於驗收時，輕易檢查出來，原告怠於檢查，致未發見系爭晶片外觀上之問題。原告於生產過程中，就每一生產步驟，均應有驗證之程序，以確保生產過程中產品之良率，例如不同之晶片，打線參數是否應予酌調？外觀有原告所稱瑕疵之晶片，是否應予進一步加工生產？或予汰換？打線後金球與焊墊的鍵結程度，有無脫落之風險等問題，原告均應於生產過程中，隨時注意與檢測。惟原告均未注意及此，其生產流程之控管，顯有重大問題。是本件原告顯有重大過失，故縱原告受有損失，依上揭民法第217 條過失相抵之規定，依法亦應減輕或免除被告之賠償責任。九、綜上所述，被告出售予原告之系爭晶片既無瑕疵，原告依物之瑕疵擔保效力或債務不履行之法律關係，請求被告賠償損害，均屬無據，並於本院聲明：㈠原告之訴駁回。㈡如受不利之判決，被告願供擔保請准宣告免為假執行。 、兩造不爭執之事項：一、原告自100 年11月間起，陸續向被告訂購型號為ES-AEHRAX10 之紅光晶片、ES- CEBHJ09A之綠光晶片、及ES-CEGHJ 08A之藍光晶片，用以製作LED 及LED 燈條，再銷售予客戶，而原告向被告訂購上開晶片，迄今尚有291 萬7,543 元之貨款未給付。二、原告曾於102 年7 月16日向被告下單購買ES-AEHRAX10 紅光晶片，其中經被告戳記為102 年8 月23日之產品（即系爭晶片），數量為1 萬5,430 顆，其中12,730顆系爭晶片已經原告製成成品銷售。三、自102 年10月初起，原告陸續接獲Zollner 公司反映LED 燈條之紅光晶片有死燈（按：即不亮）瑕疵情形而遭退貨，原告於102 年11月5 日向被告提出客訴，並提供退返品予被告分析，嗣被告於102 年11月21日就原告提出之客戶退返品作成8D Report 。肆、本院得心證之理由：一、按因可歸責於債務人之事由，致為不完全給付者，債權人得依關於給付遲延或給付不能之規定行使其權利。因不完全給付而生前項以外之損害者，債權人並得請求賠償，民法第227 條定有明文。次按債務人負有依債務本旨為給付之義務，違背債務之本旨為給付，即屬不完全給付，為瑕疵之給付，是以債務人如主張其已為完全給付，當由其負證明之責，雖債權人於受領給付後，以債務人給付不完全為由，請求債務人損害賠償，關於給付不完全之點，應轉由債權人負舉證責任，惟不完全給付，非有可歸責於債務人之事由，為債務人免責要件，故債務人以不完全給付係因非可歸責於己之事由所致為抗辯，就此仍應由債務人證明之（最高法院77年度台上字第1989號判決要旨參照）。又負舉證責任之當事人，須證明至使法院就該待證事實獲得確實之心證，始盡其證明責任。倘不負舉證責任之他造當事人，就同一待證事實已證明間接事實，而該間接事實依經驗法則為判斷，與待證事實之不存在可認有因果關係，足以動搖法院原已形成之心證者，將因該他造當事人所提出之反證，使待證事實回復至真偽不明之狀態。此際，自仍應由主張該事實存在之一造當事人舉證證明之，始得謂已盡其證明責任，否則即應就該事實真偽不明之狀態承擔此一不利益。二、被告交付予原告之系爭晶片具有探針痕及污染面積過大之瑕疵？（一）原告主張系爭晶片之庫存品經其以顯微鏡檢視發現有探針痕達三個、面積明顯過大及深度過深，此探針痕面積已超過被告原物料承認書之標準屬瑕疵品等情，並提出系爭晶片顯微鏡放大照片為證（本院卷一第10至11頁），嗣兩造合意選定國立中央大學光學科學中心為鑑定機構（本院卷第二第112 頁），經本院囑託國立中央大學光學科學研究中心，以原告所提出系爭晶片（即被告102 年8 月23日品檢合格之晶片）之庫存品及與系爭晶片為同型號而係被告於102 年8 月17日品檢合格之晶片（下稱817 晶片）為鑑定標的，而以817 晶片為對照組，由鑑定人就兩造所合意之鑑定事項作成823 紅光晶片之N 極焊墊金球脫落造因之鑑定與分析鑑定報告書（即系爭鑑定報告書，置卷外），鑑定方法為鑑定機構自系爭晶片隨機選取20個晶片及從對照組817 晶片隨機取10個晶片進行觀察，並且用optimas 軟體計算焊墊和針痕面積之比例，從BSE （Back-scattered Electron ）模式和SE（Scanning Electron ）模式影像圖中，系爭晶片之N 極焊墊相較於817 晶片之N 極焊墊明顯過大和過深，經過optimas 軟體的計算後，系爭晶片之針痕面積占焊墊面積14-28%，而817 晶片之針痕面積占焊墊面積9- 13%，系爭晶片針痕面積明顯較無瑕疵之817 晶片大上許多，20個系爭晶片中有2 個晶片針痕面積超過25% ，有5 個焊墊針痕超過2 個；20個系爭晶片之SE模式的影像檔作表面污染分析，觀察到有許多晶片之N 極焊墊都有汙染物存在，其中編號為2 、6 、7 號晶片N 極焊墊有嚴重的汙染，且汙染面積超過焊墊面積之1/4 等情，有系爭鑑定報告及觀察結果之影像照片在卷可證（鑑定報告第21至56頁）。而被告以原告所提供之不良品燈條分析後亦認為：「NG晶粒上之N-pad 表面探針痕明顯」等情，亦有被告所出具之8D RE PORT存卷可參（本院卷一第63頁背面）。故以系爭晶片之探針痕占焊墊面積為14-28%，相較於與對照組817 晶片之9-13% ，原告主張系爭晶片有探針痕過大之瑕疵，並非無據。再證諸鑑定人劉正毓（下稱鑑定人）於105 年4 月26日於本院言詞辯論期日，補充提出鑑定報告中選取系爭晶片20個樣本觀察污染物之結果（本院卷四第250 頁），其中編號2 、6 號晶片污染物面積分別達56.3% 、49.5% 等情，益徵系爭晶片確有污染面積過大之瑕疵等情，洵堪認定。（二）依據系爭鑑定報告認為：焊墊之探針痕面積及深度與刮傷於學術和業界都有各自自定的標準，通常探針痕和刮傷面積不超過焊墊面積25% ，且針痕不超過兩個，探針深度則以不傷到金層為主，如果探針痕之面積過大或傷到金層，則在打線時會影響和焊墊之接觸面積；打線是藉由金球與最表層焊墊進行金屬鍵之鍵結，經利用化學分析電子儀進行最表層和接近表層的成分分析結果，系爭晶片表層的含金量比817 晶片少一半，可見系爭晶片表面有較多有機物殘留，較多的有機物會阻礙金球和焊墊進行金屬鍵結，提高金球脫落的風險等情（見系爭鑑定報告第6 頁、第57頁）；又參以被告自身對於型號ES-CEGHV3 晶片之原物料承認書對於P 極焊墊及N 極焊墊之檢驗標準為：兩個探針痕其中之一加上刮傷超過焊墊面積四分之一或探針痕超過三個（本院卷一第156 頁）；業界華上光電股份有限公司之外觀檢驗規範規定：探痕面積不可≧pad 之1/4 （本院卷一第179 頁、卷二第60頁）；泰谷光電股份有限公司之外觀檢驗規範規定：若1. Pad針痕過深。（針痕需小於1/4 ）2.針痕數不得大於2 個，則挑除，但不良顆數已超過60顆，則整張tape判入次級品庫，勾選不良原因（本院卷一第187 頁）；新世紀光電股份有限公司規定：刮傷區域若≧焊墊面積20% 以上者，係屬瑕疵晶片（Criteria of Defect Chip …Scratch Area≧20% of Pad Area ）（本院卷二第66頁背面）；隆達電子股份有限公司之外觀檢驗規範：探針痕與刮傷合併不得超過焊墊面積3/10（N-pad scratches and Probe Mark≦3/10 pad area ）（本院卷一第182 頁）等情，是綜合上情，以探針痕超過3 個及探針痕加刮傷之面積占焊墊面積超過25% 作為判斷晶片是否瑕疵品之標準，應大致符合業界標準。而經鑑定人自系爭晶片選取20個樣本中，有5 個晶片探針痕超過3 個（編號3 、8 、12、14、17），有2 個晶片（編號5 、15）探針痕面積超過25% ，另有2 個晶片（編號2 、6 ）污染物面積分別超過56.3% 及49.4% 嚴重污染程度等情，有系爭鑑定報告及鑑定人於105 年4 月26日本院言詞辯論期日提出之補充資料在卷可參（系爭鑑定報告第22頁、本卷卷四第 250 頁）。則經觀察結果，系爭晶片之不合格率高達45% （計算示：9 ÷20＝45% ），反觀對照組817 晶片探針痕占焊墊面積為9 -13%，遠低於25% 之標準，且整體817 晶片之探針痕占焊墊面積之比例均較系爭晶片之探針痕面積佔焊墊比例小，顯見系爭晶片之品質確劣於被告所生產之正常品。難謂系爭晶片不具有探針痕及污染面積過大之瑕疵存在。（三）再依據系爭鑑定報告認為：如果探針痕之面積過大或傷到金層，則在打金線時會影響金球和焊墊的接觸面積，較大的接觸面積會有較多的金屬和金屬鍵結，打線金球自然不容易脫落，打線強度也會比較好；反之，較小的接觸面積表示金屬和金屬的鍵結較少，金球脫落的風險就會比較大，因此，打線可靠度就會比較低，而系爭晶片針痕面積較無暇疵的817 晶片來的大上許多，且沒有一個晶片符合標準晶片（即817 晶片）的範圍值（9-13% ），不符合業界標準則有7 個晶片，其餘晶片雖針痕面積符合業界標準，但相較於817 晶片仍有針痕面積過大和過深的情況，這樣會減少金球和焊墊的接觸面積，大大的提高金球脫落的風險，以系爭晶片之N 極焊墊的不合格率為35% ，而探針痕未超過25% 面積之晶片與817 晶片相較針痕仍明顯過大和過深，因此，我們認為系爭晶片之N 極焊墊針痕為造成金球打線脫落的原因；如果金層汙染面積超過1/4 ，在打線時，最表層的污染物會影響金球和焊墊的接觸面積，使得金球和焊墊的金屬鍵結減少，金球可靠度就會比較低，且會提高金球脫落的風險，這是金球脫落的原因之一等語（見鑑定報告第6 頁、第21至22頁、第53頁）；又鑑定人於本院具結證稱：較大的接觸面積會有較多的金屬和金屬鍵結，打線金球自然不容易脫落，打線強度也會比較好，這是基本學理概念，鍵結強度主要在鍵結面積，金球高度只是非常次要的影響，而探針痕會影響金球和墊層的接觸面積，探針痕愈大，造成鍵結面積減少的程度愈大，刮痕深度越深，鍵結面積減少的程度也愈大，因為那些痕狀就像大峽谷，把一個東西放在峽谷上面，峽谷就減少他的接觸面積，探針痕就像一個縱谷，上面壓的東西下來，縱谷的開口基本上沒有鍵結，探針痕絕對會影響鍵結強度，會減少摩擦的鍵結，很多的文獻與學理蠻確定的是探針痕對於鍵結可靠度與強度都是負面的影響；依照鑑定機構的意見系爭晶片不良品居多等語（本院卷四第233 至234 頁、第240 頁）。準此，系爭晶片既有探針痕及污染物面積過大之瑕疵，從而影響金球與墊層之接觸面積，減低鍵結之強度，且系爭鑑定報告及鑑定人之證述均認探針痕及表面污染係共同造成金球脫落之原因，故原告主張被告所交付之系爭晶片探針痕及污染物對焊墊造成破壞、造成焊墊底層物（介金屬）露出，以致金球打不黏、假焊，因而造成金球脫落瑕疵，並導致所製成之LED 成品燈條產生死燈現象等情，洵堪認定。（四）被告雖辯稱供鑑定之系爭晶片業經原告擴晶，已改變現況，系爭晶片上過多之探針痕及污染物均與被告無關，並主張應以客戶退返品作為鑑定標的再為打線鑑定等語。惟查，擴晶動作之過程分別為加熱、拉伸、擴晶和固膜等步驟。第一步驟加熱，其目的在軟化藍膜，使之容易進行拉伸，加熱的過程溫度不會超過藍膜之熔點溫度，因此，藍膜殘留有機物於晶片上的機會甚微，可以忽略。而且，如果有藍膜殘留，則系爭晶片與對照組817 晶片均會有，因此此步驟不會影響晶片品質。加熱至55度C 左右，保持同樣溫度同時進行拉伸和擴晶動作。PE為基材的壓膠楊氏係數為0.164 ～0.171GPa左右，而金的楊氏係數為79GPa ，楊氏係數的定義為正向應力與正向應變的比值，楊氏係數愈大的材料，其材料性質愈硬，較硬的材料能在較軟的材料產生刮痕，反之，較軟的材料不會刮傷較硬的材料，從金的楊氏係數較PE材料大的觀點，藍膜在拉伸之情形下，並不會造成N 極焊墊損傷或者刮痕的生成。最後的固膜動作，將拉伸後的藍膜固定貼合，此步驟不會影響晶片的品質，因此，擴晶的動作不會影響晶片的品質，僅僅把晶片的距離拉開以方便後續的製程，如果擴晶動作會對晶片造成影響，就不僅只有系爭晶片有問題等情，業經系爭鑑定報告說明翔實在卷（見鑑定報告第1 至2 頁）；又鑑定人於本院證稱：原告有提供擴晶後的樣本，我們根據擴晶後之樣本去做表面成分分析，以我的專業並不認為藍膜擴晶這個動作對於晶片會產生污染的現象，理由是我們用精密的分析儀器去做分析，這樣可以確保藍膜擴晶不會有污染物產生等語（本院卷四第230 頁背面），而晶片經提領準備生產進入無塵室的第一個動作就是擴晶等情，業據原告陳述在卷（本院卷五第199 頁背面），則衡情晶片擴晶既為原告生產前必備之正常程序，若擴晶程序會影響晶片品質，應係全面性，而非僅就原告提出供鑑定之系爭晶片有影響，從而，鑑定報告及鑑定人認經擴晶之系爭晶片不會影響鑑定結果，洵堪可採。次查，鑑定人於本院審理時證稱：鑑定報告所觀察系爭晶片編號2 、6 、7 號晶片的N 極焊墊上有嚴重的污染，雖無法確定該污染之來源，但我要補充污染不是藍膠（BLUE TAPE ）所產生的，從取得晶片到打線，的確是有一些程序晶片會曝露在外面，我無法說明這個污染從何而來，但可以推理的是如果污染是因為解膠之後到打線過程產生，那應該會有一致性，意思是說其他的打線的狀況或產品也會有污染的問題，按照我過去經驗從污染的形狀概況，該污染不是因手觸碰到或外界粉塵造成的，因為這樣的污染樣貌是看得出來的，目前污染是在同一個墊層是有連續的狀態，且從那個樣貌看起來像是濕製程所造成的；根據實驗設備之科學數據分析發現系爭晶片的金墊層的金的縱深分佈與良品817 晶片不同，就是含金量比較少，因為含金量不是打線機造成的，所以推論出污染不是原告造成的；金球背面，經EDX 分析結果含有矽與氧與鉀之物質，我認為是污染物，不是封裝膠的殘留，因為污染物是在金球的背面，封裝膠不會污染到金球和金屬墊層的介面，在金球背面的污染來自於原先金屬墊層上面的污染，較可能是在未實施打線前就存在的污染等語（卷四第234 頁至234 頁背面、第235 頁、第239 至240 頁），是鑑定人依據系爭晶片污染物樣貌、科學數據分析之結果、污染物之位置並對照正常品即817 晶片之觀察結果，雖無法確定系爭晶片上污染物發生之原因，然能確定並非原告於打線過程中所殘留之藍膠，而係於未實施打線前已存在於系爭晶片，鑑定人上開推論過程並無違反論理法則及經驗法則，洵堪認定。從而，系爭晶片上之污染物既係於原告打線生產過程前即存在，被告主張系爭晶片上之污染物與其無關，即無所據。另被告以同一批產品作探針測試，不可能部分晶片有一個探針痕，部分晶片有二個探針痕，而未經擴晶之817 晶片上均僅有一個探針痕，推論系爭晶片之所以有二個探針痕係原告以探針卡測試所產生等語。然觀之系爭晶片係被告於102 年8 月23日品檢合格之晶片，而817 晶片係被告於102 年8 月17日品檢合格之晶片，並非同一批生產之產品，是被告以817 晶片僅有一個探針痕而推論系爭晶片上第二個探針痕係原告所為，要非有據。況且系爭晶片N 極焊墊之第一個以外之探針痕若果真為原告實施電性抽驗所為，則相對P 極焊墊上亦應會有相同數量之多個探針痕，然系爭鑑定報告並未觀察到P 極焊墊有數個探針痕之瑕疵，是原告主張N 極焊墊上之第二個或第三個探針痕並非其實施抽驗電性所為，應堪憑採。再者，鑑定人證稱：被告所製作之「8D Rreport」中經EDX 分析結果含有矽與氧與鉀之物質，我認為應該是污染物而不是封裝膠的殘留，因為他在金球的背面，封裝膠不會污染到金球和金屬墊層的介面，在金球背面的污染來自於原先金屬墊層上面的污染，較可能是在未實施打線前就存在的污染；從「8D Report 」探針痕狀況，看起來與我們的鑑定報告有相同結論，即是金球脫落的原因是探針痕過大，系爭鑑定報告中系爭晶片探痕比例是14-28%、對照組817 晶片探痕比例是9-13% ，我用目視比較「8D Report 」（本院卷一第63頁）的探針痕面積占焊墊的比例跟系爭晶片的比例比較接近，雖然目前看「8D Report 」中探針痕占焊墊之比例應該沒有超過25% ，但25% 只是一個概念，不是絕對值，不代表超過25% 一定有問題、低於25% 絕對沒問題，而系爭鑑定報告是認為探針痕與表面污染共同造成金球脫落；「8D Report 」是經過打線後客戶的球脫退返品所作的報告，還看到明顯探針痕的原因是表面污染無法做適當的結合等語（本院卷四第239 頁至240 頁）。據此，原告雖未提供退返品供系爭鑑定機構鑑定退返品中系爭晶片是否具有探針痕面積過大及污染面積過大之情形，並進而導致發生金球脫落之瑕疵，然鑑定人經由被告依據原告所提出退返品製作之「8D Report 」資料判讀結果，認因退返品中系爭晶片之探針痕面積與送鑑定之系爭晶片相似，而與送鑑定之對照組817 晶片不同，且金屬墊層也有污染物，故退返品金球脫落之原因與鑑定報告相同均係探針痕與表面污染所共同造成。從而，被告辯稱原告未提供退返品供鑑定，無從推論原告出售予客戶之燈條發生死燈現象，係因被告出售予原告之系爭晶片所造成等情，甚難憑採。另鑑定人亦於本院證稱：以已經打線封裝完成之退返品，是可以試著去判斷金球脫落原因，但是因為已經打完線了很難判定原本金屬墊層表面的狀態了，所以以我的認知以退返品作鑑定反而是比較難的，但不代表從原始晶片金屬表面狀態去判斷就是絕對或比較簡單，但從這二個困難度比較，我認為從原始晶片判斷比較簡單，退返品已經是製成品，很難解剖去探求真正的原因等語（本院卷四第235頁）。再觀諸原告之前已將客戶之退返品提供予被告分析報告，並作成「8D Report」，兩造對於報告中污染物究係何階段產生已有爭議，並參以經生產過程加工成Led燈條成品之系爭晶片，在加工過程甚或解膠過程中均可改變晶片之原貌，更難還原系爭晶片之原始樣貌，縱使以退返品再為補充鑑定，仍無法釐清系爭晶片交付予原告時之原始貌樣，衡諸上情，本院認無再以退返品補充鑑定之必要。（五）鑑定人復於本院證稱：造成金球焊墊脫落的原因為金屬墊層本身的狀況及打線參數這二種情況，首先我們先判斷金屬墊層表面狀況是否有污染、是否有探針痕刮痕，如果沒有這樣的問題才會去檢驗打線參數或打線的過程，前提是晶片的金屬墊層良好，才會是打線機台或打線參數的問題，根據原告公司提供的資料，在相同的打線參數下在沒有明顯針痕而污染的晶片上產品是OK的，根據我們針痕污染物的分析，系爭晶片所產生的針痕和污染物是最有可能產生晶片脫球的原因；以目前資料顯示，我們看到的是金屬墊層有些過大的壓痕面積及表面污染的狀況，而打線機的參數在同一的狀況下，並不是有一致性的產生脫球跟失效現象，鑑定報告從這些情形推論打線參數不是造成金球脫落原因；「8D Report 」中金球之照片（即本院卷一第64至67頁），從整個金球占焊墊的面積、金球直徑，幾乎是焊墊的寬度，表示金球打得飽滿，占足夠面積，情況良好，看起來應該是一個理想的參數；依據經驗與專業判斷，金球線徑與球高對金球焊墊的鍵結影響不大，鍵結強度主要是鍵結面積，金球高度只是非常次要的影響；如果LED 紅光晶片焊墊表面遭受污染，一般處理解決方式，是用表面清潔的方式把污染清除，表面清潔的方式大概都可以解決污染的情況，如果污染嚴重，難以以調整打線參數的方式解決金球脫落的風險，不容易以調整參數方式同時解決探針痕過大過深與污染的問題，不太可能以調整參數之方式改善系爭晶片之不良品等語（本院卷四第232 頁正背面、第234 至235 頁、第237 頁、第239 至240 頁）；系爭鑑定報告認為：在相同的打線參數下，系爭晶片之N 極焊墊與藍光晶片和綠光晶片相較具較高金球的原因是系爭晶片的焊墊瑕疵（焊墊針痕過大、過深或者有汙染），在打金線時，形成短暫液態的金球，此時晶片的焊墊有針痕過大、過深或者有汙染的狀況，短暫液態的金球會為了降低自身表面能量，而傾向呈現球型（此時的金球擁有最小的表面積和表能量，相對來講比較穩定），所以金球高度上升。金球高度在具瑕疵之系爭晶片的焊墊上升，相對的其金球寬度也會下降，減少金球和焊墊形成金屬鍵結接觸面積，且由於焊墊污染物的影響容易造成金球脫落狀況。球高比線徑大是焊墊上之針痕和汙染物所造成的結果，只要改善針痕和汙染物的情況，金球和焊墊的單位面積金屬鍵結數就會提高，金球和焊墊的可靠度亦會提高，自然金球脫落狀況就不易發生、打線參數並不是造成系爭晶片之N 極焊墊金球較高之原因，也不是造成金球脫落之原因等語（見鑑定報告第72至74頁）。據上，金屬墊層與打線參數雖均為金球與焊墊發生脫落之原因，然若非一致性發生球脫現象，而僅侷限於部分成品，則產品失效之原因導因於打線參數不正確或打線過程瑕疵機率應屬甚微。而本件發生金球與焊墊脫離之情況僅局限於部分成品，並僅於發生於紅光之N 極焊墊上，並非全面性或一致性的發生球脫現象。況且系爭晶片之焊墊經系爭鑑定機構鑑定結果已證實有探針痕及污染面積過大之瑕疵，並判斷該瑕疵即為發生球脫之原因，且無法以變更打線參數之方式改善該瑕疵等情，亦經鑑定人證述如上。則系爭晶片之金屬墊層既有探針痕過大及污染之瑕疵，且該瑕疵為發生球脫現象之原因，系爭鑑定機構雖未以實際打線方式確認原告製作之燈條發生金球脫落而生死燈現象，並非原告打線參數不正確等情，亦無違論理及經驗法則。況且，鑑定人經觀察被告所製作之「8D Report 」上金球照片顯示金球占焊墊之面積良好，從而判斷原告之打線參數應是理想之參數，亦非無據。是被告辯稱系爭鑑定報告之意見不足採信，洵屬無據。另被告辯稱因原告打線參數不正確，致球高於線徑造成假焊，才導致原告所製作之燈條發生死燈現象等情，且提出「8D report 」中不良品之金球球高（26.92u m-27.91um）超過線徑1.0mil為證。然查兩造曾於103 年3 月7 日在原告公司共同進行球高（亦即球厚）推力實驗，經實驗結果顯示球高與推力不是絕對因素等情，有原告檢附之實驗數據及會議記錄在卷可佐（本院卷一第201 至 202 頁），再觀諸被告所製作之「8D Report 」中之正常品亦有球高於線徑之情形（線徑24.41un ，球高25.14um-25.74um ，本院卷一第66頁背面），從而被告辯稱球高於線徑係產生死燈之現象等情，尚屬無據。況且，球高比線徑大是焊墊上之針痕和汙染物所造成的結果，而非造成球脫之原因，只要改善針痕和汙染物的情況，金球和焊墊的單位面積金屬鍵結數就會提高等情，已經系爭鑑定報告說明詳實如上。是被告交付予原告之晶片若無探針痕及污染物面積過大之瑕疵，自不會生球脫現象。且原告修改前之打線參數已實施多年，均未發生球脫情形，本件中亦只有系爭晶片之紅光有球脫情形，其他於同一時間以同一打線參數之藍綠光晶片均未有球脫現象。被告以原告接受被告建議修改參數後未發生球脫現象，即據此認定原告先前之參數不正確，顯屬速斷。從而，被告上開辯稱球脫現象係因原告打線參數不正確所造成乙節，自難憑信。三、原告依據民法第227 條之規定，請求被告負損害賠償責任，有無理由？可請求之金額為何？（一）承上所述，系爭晶片上確有探針痕及污染面積過大之瑕疵，而此瑕疵即為原告所製造燈條成品因金球脫落發生死燈現象之原因，被告未依債務本旨交付無瑕疵之晶片與原告屬不完全給付乙節，至堪認定。而被告未舉證證明該瑕疵並無可歸責於被告事由，是揆諸首揭說明，原告依民法第227 條不完全給付之規定，請求被告負損害賠償責任等語，自屬有據。（二）次按，損害賠償之債，以有損害之發生及有責原因之事實，並兩者之間，有相當因果關係為成立要件，故原告所主張損害賠償之債，如不合於此項要件者，即難謂有損害賠償請求權存在，最高法院48年台上字第481 號判決可資參照。復按，當事人已證明受有損害而不能證明其數額或證明顯有重大困難者，法院應審酌一切情況，依所得心證定其數額，民事訴訟法第222 條第2 項有明文之規定。又損害賠償，除法律另有規定或契約另有訂定外，應以填補債權人所受損害及所失利益為限，民法第216 條第1 項亦有明文。原告主張其因被告不完全給付所生之損害至少為如附表所示項目共計2,586 萬7,489 元。茲就原告請求之各項損害及金額有無理由，分述如下 ⒈補貨-修復燈條用LED費用共計3萬7,634元：原告主張品保部門為修理客戶退回LED 與燈條，自倉庫提領8,014 顆LED 進行維修等語，並提出品保部門自倉庫提領數量8,014 顆之各式測試（品管及研發等）申請書單據為證（本院卷三第171 頁）。然觀之上開品管部門領料單據之日期為104 年12月16日，距本件原告接獲客戶反應燈條有死燈之期間即102 年10月已超過2 年，揆諸常情，本件提領單據提領晶片時，該爭議應已落幕，自非為修復以系爭晶片所製作之燈條使用。再參以該次提領晶片之數量高達8,014 顆，占系爭晶片已作成燈條數量1 萬2,730 顆之比例約63% ，顯非單純作為修復瑕疵之用，原告復未舉證證明請求金額之依據。從而，原告所提出上開證據尚難證明品保部門所提領之物品與系爭晶片所生之損害有相當因果關係。 ⒉LED燈條來回運費共計76萬4,027元：原告主張其客戶ZOLLNER 公司分別於102 年11月10日、同年月20日、同年月3 日、同年12月20日、103 年1 月20日、同年3 月5 日、同年月11日將瑕疵之貨品退回原告維修，原告則分別於103 年1 月3 日、同年月20日、同年2 月20日再將維修後之成品寄回ZOLLNER 公司，因而產生共計76萬4,027 元之運費等語，並提出原告公司轉帳傳票、費用報結單、Import Incvoice Detail（進口帳單明細）、統一發票、收據、出口報單、Export Invoice Detail （出口帳單）等單據為證（本院卷三第173 至220 頁）。然原告所提出之上述單據資料僅能證明其與ZOLLNER 公司間有發生物品互相寄送之事實，無法證明彼此間運送之物品即為因以系爭晶片作成之瑕疵成品，且參之103 年1 月3 日之出口報單顯示，該批出口數量高達181 萬6,400 個，已遠超過系爭晶片已投入生產之數量即1 萬2,730 顆。自難據以認定上開運費全數與被告之不完全給付有相當因果關係。惟審諸系爭晶片製成之成品既有發生死燈之現象，客戶將瑕疵品退回原告處維修後復寄回，乃事理常情，而原告亦已提出支付運費之相關單據，本院審酌原告所提出之相關單據，認原告請求因修復客戶退回瑕疵品所支付之來回運費以30萬元為適當，應予准許，超過部分，即屬無據。 ⒊維修費用共計46萬7,313元：原告主張為篩選有問題之LED ，因而分別於103 年2 月6 日至103 年9 月間委託台灣檢驗科技股份有限公司、佑隆開發科技有限公司、宜特科技股份有限公司、��康科技股份有限公司、世界精測股份有限公司、金頓科技有限公司（下稱台灣檢驗公司）等公司實施冷熱衝擊測試，共計發生46萬7,313 元之檢驗費用等語，並提出受委託檢驗之台灣檢驗科技股份有限公司所開立之統一發票為證（本院卷三第221 至235 頁）。惟觀之上開檢驗單位開立發票所記載之品名，原告所委託之測試項目不一而足，是否均為實施冷熱衝擊測試，不無疑問。而原告亦未提出委託測試之標的物為何，與系爭晶片之關聯係為何，實難遽以認定上開檢驗費用與被告之不完全給付間有何相當因果關係，從而，原告請求維修費用46萬7,313 元，難認有據。 ⒋客戶就地維修費用共計歐元1 萬5,458.63元，折合新台幣63萬3,804 元：原告主張系爭晶片發生問題時，最初係由ZOLLNER 公司自行維修LED ，ZOLLNER 公司再於103 年4 月11日向原告收取其自行維修所生之費用共計歐元1 萬5,458.63元等語，並提出原告開立予ZOLLNER 公司之Credit Note 為證（本院卷三第243 頁）。經查，上開Credit Note 單據上記載維修瑕疵LED 之料號為料號「AS-3535C3A2-A6-A3-C- FM 」，與原告於103 年1 月3 日將客戶退還品篩選瑕疵後，置換良好晶片後再出口之出口報單所記載之料號相同等情，有出口報單在卷可證（本院卷三第193 頁）。足認ZOLLNER 公司向原告收取之上開維修費用確係因本件系爭晶片之瑕疵所致。另被告對於上開ZOLLNER 公司向原告所收取之歐元，以103 年4 月11日歐元對新台幣之結算匯率41：1 計算從未爭執。從而，原告主張此項費用係因被告給付系爭晶片瑕疵所生之損害，且該損失金額換算成新臺幣為63萬3,804 元乙節，即屬有據，應予准許。 ⒌呆料損失共計416萬4,711元：原告主張其專為銷售予Leurocom公司而設計之產品，支付支架費用116 萬4,711 元、模具費用300 萬元，嗣Leurocom因系爭晶片瑕疵，且不堪負擔巨額及多次之維修費用，商譽亦嚴重受損，因而申請破產，原告上開設計之產品已無訂單可接，因而認列已支付之支架費用及模具費用共計416 萬4,711 元為呆料損失等語，並提出模具製作保管合約書、模具保管卡、模具製造商特新光電股份有限公司所開立之發票、報價單及原告公司之傳票採購單為證（本院卷四第206 至221 頁），然觀之上開資料僅能證明原告有委託特新光電製造上開模具，至於上開模具製作之用途為何，是否專為出貨與Leurocom公司所設計，是否有轉列呆料損失之必要，並無從認定。從而，原告主張該項費用與被告交付系爭晶片之不完全給付間有因果關係，尚非有據，不予准許。 ⒍原告與Leurocom公司達成和解賠償歐元49萬5,000 元，折合新臺幣1,980 萬元：原告主張購買系爭晶片製成成品之終端客戶Moscowd 公司，因成品瑕疵扣押Leurocom公司貨款，並向Leurocom求償59萬9,500 歐元，嗣原告委託其德國股東與Leurocom公司負責人協商賠償事宜，雙方達成和解金額為原告賠償Leurocom公司49萬5,000 元歐元等語，並提出代表原告與Leurocom公司協商之原告股東兼董事Marcus Puettmer 所出具之聲明書、Leurocom公司所出具之減讓單、Leurocom公司總經理Michael Bredow所出具之聲明書等件為證（本院卷三第254 至261 頁）。惟查，原告以系爭晶片所製成之燈條成品係出售予ZOLLNER 公司，ZOLLNER 公司再銷售予Leurocom公司，Leurocom公司復銷售予莫斯科計畫之客戶Lazurit LLC 公司，原告與ZOLLNER 公司之合約金額為31萬1,430 歐元，而莫斯科計劃之合約金額則為410 萬歐元等情，為原告所陳述在卷。則原告之銷售對象係ZOLLNER 公司，而非Leurocom公司，Leurocom公司因系爭晶片所生之損害，其求償對象應為ZOLLNER 公司，而非原告公司，原告與Leurocom洽談賠償事宜，已有未洽。再者，被告銷售予原告之系爭晶片價格為6,017.7元，原告與ZOLLNER公司之合約金額為31萬1,430歐元，Leurocom公司之莫斯科計劃之合約金額410萬歐元，三者合約之金額差距甚大，原告並未就三者合約內容之關聯性提出說明，且依原告已提出之證據資料，亦無從得知原告以系爭晶片製成之成品燈條數量為何，原告銷售予Leurocom公司成品內容、數量及單價為何、Leurocom與Lazurit LLC間銷售合約之內容、數量及單價為何、發生瑕疵之成品數量、由Leurocom自行維修更換之數量及寄回原告處理之數量各為何，自無從認定原告與Leurocom公司所達成之上開和解內容與系爭晶片間之關聯係為何。甚且，原告在Leurocom公司僅提出遭 Lazurit LLC扣款求償59萬9,500歐元之折讓單據下，即與Leurocom達成賠償49萬5,000元歐元之協議，對於該求償金額之依據及合理性均未為任何查證動作，於本院審理時即以Leurocom公司已進行破產程序為由，表示無法再要求Leurocom公司提供損害之相關證據，原告對此高達近 2,000萬之損害賠償和解金所持之態度與之消極作為，實與常情有違，無法盡信。另原告主張其支付予Leurocom公司賠償金之方式為，以Leurocom公司積欠貨款抵銷等情。，惟觀諸原告所提出與賠償款項抵銷之應收Leurocom貨款之出貨日期（即報關日期）分別為101年1月20日、101年 12月14日、101年11月28日及101年6月29日，而上開各筆貨款之付款條件為開立Invoice後60天等情，此有出口報單及Invoic存卷可佐（本院卷五第169頁、第172頁、第 182頁、第184頁、第122頁、第123頁、第128頁、第129頁）。可知上開與賠償金抵銷之貨款不但均與系爭晶片所製成之成品無關，且依據Invoic上所記載之付款條件，於發生本件燈條球脫而生死燈現象之瑕疵事件前，應均已屆付款期限而由原告收取完畢，自無可能於104年6月24日原告與Leurocom公司達成賠償49萬5,000元協議後，再與原告應支付予Leurocom之賠償金額抵銷，原告所稱之抵銷情節，顯屬無據。至於原告所提出Leurocom公司與Lazurit LLC公司間之信用狀及合約（本院卷五第203至219頁），證明其與Leurocom公司間確有未收迄之保固款乙節。姑且不論被告就上開證據形式之真正已有所爭執，縱使上開 Leurocom公司與Lazurit LLC公司間之信用狀為真正，惟原告與Leurocom間買賣合約之付款條件已於出貨之單據上記載明確，則Leurocom公司與Lazurit LLC間買賣合約之付款條件為何自與原告無涉，原告自無從以Leur ocom與 Lazurit LLC間之付款條件推論原告尚有上開應收 Leurocom之貨款可資與應支付予Leurocom之賠償金抵銷。從而，原告主張因被告不完全給付導致其支付Leurocom賠償金49萬5,000歐元，即屬無據。 ⒎綜上所述，原告請求LRD 燈條來回運費30萬元、客戶就地維修費用63萬3,804 元，共計93萬3,804 元部分，為有理由，逾此範圍之請求，難謂有據，不應准許。四、被告以上開損害之發生原告與有過失，主張減輕或免除被告之賠償金額，有無理由？（一）按「損害之發生或擴大，被害人與有過失者，法院得減輕賠償金額，或免除之」、「重大之損害原因，為債務人所不及知，而被害人不預促其注意或怠於避免或減少損害者，為與有過失」，民法第217 條第1 、2 項分別定有明文。而所謂損害之發生或擴大，被害人與有過失云者，係指被害人苟能盡善良管理人之注意，即得避免其損害之發生或擴大，乃竟不注意，致有損害發生或擴大之情形而言，最高法院70年度台上字第375 號民事裁判意旨參照。（二）經查，被告同日出貨予原告之晶片，雖蓋有不同品保日期之戳章，然因係原告同批採構之物品，於品保與製程上即認定具有相同品質，原告於系爭晶片進貨當日實施抽驗檢查之晶片並無不符合標準，推論全部符合標準而收受全部晶片，並無違反驗收程序。再觀諸發生球脫現象之瑕疵晶片僅為102 年8 月23日品檢合格之晶片，其他期日品檢合格之晶片並未發現有該瑕疵情形，顯見被告同日交付予原告之晶片大部分均屬無瑕疵之良品，原告以抽查檢驗晶片性能之方式，而未發現少數具有瑕疵之晶片，尚無不妥之處。另原告並於每日開班生產前，均實施「首件檢」；即每台打線機先打一片支架內之96個LED封裝體（均有RG B 三色LED晶片）．再將已打線之LED封裝體中，抽測其中5 個LED封裝體實施推力試驗，檢查30個銲點之打線推力值，確認數值合格後，始開始大量生產，且為求慎重，原告出貨予原告客戶前，還將同批產品之先期產品，施以冷熱衝擊700循環，而僅一個紅光發生死燈現象，因而認定該 LED封裝體之可靠度合格而大量出貨給客戶等情，有原告提出之推力試驗數據資料、可靠度試驗需求單等件為證（本院卷一第239頁、第262頁）。據此，足認原告於出貨予客戶前，已盡相當之檢查義務，且晶片體積極小，探針痕非用高倍顯微鏡無法觀察；汙染更需使用精密儀器始能驗出。從而，被告主張系爭晶片之瑕疵，均係外觀上之問題，原告可於驗收時，輕易檢查出來，原告怠於檢查，致未發見系爭晶片外觀上之問題等語，洵非可採。五、又按二人互負債務，而其給付種類相同，並均屆清償期者，各得以其債務，與他方之債務，互為抵銷。承上所述，原告得向被告請求之損害賠償金額共計93萬3,804 元，惟反訴原告即被告對反訴被告即原告之貨款債權為291 萬7, 543元（詳反訴部分之論述），原告以被告上開債權為抵銷後，原告已無剩餘金額可請求，是原告請求被告給付損害賠償及法定利息，為無理由，不應准許。六、原告雖另依民法第360 條物之瑕疵擔保責任規定，請求被告給付上開金額，姑且不論被告對原告就系爭晶片是否有保證品質而需負物之瑕疵擔保責任，已有疑義，且原告所請求被告不履行之損害賠償，仍需以損害之發生與被告交付系爭晶片之行為間，有相當因果關係為成立要件，而原告所主張之損害項目及金額，與被告所交付之系爭晶片行為間是否具有因果關係，亦與原告上開依第227 條請求之情況相同，其結論亦相同，是不再贅述。伍、綜上所述，原告依民法第227 條或第360 條之規定請求被告給付2,380 萬3,000 元，及自起狀繕本送達之翌日起至清償日止按年息5%計算之利息，為無理由，應予駁回。又原告之訴既經駁回，其所為假執行之聲請即失所附麗，一併駁回之。陸、被告另具狀要求本院再以退返品作為鑑定標的及以實際打線方式補充鑑定等情，然退返品並非適當之鑑定標的，業經本院論述如上，且鑑定機構得本於其專業，裁量應以何種方法進行鑑定，此屬於鑑定人之判斷權限，除非該方法有違科學或經驗法則，否則不得逕以未依照特定方法鑑定為由否認鑑定報告之效力，且本院囑託鑑定人鑑定系爭事項時，並未指定鑑定人應採用之鑑定方法，而系爭鑑定報告之所實施之鑑定方法及推論過程並無違反論理法則及經驗法則，且核諸相關事證，被告所交付予原告之系爭晶片確有探針痕及污染物面積過大之瑕疵之事實，已臻明確。縱使，原告所實施之打線參數有不適當之情，亦無解於被告交付瑕疵品予原告之責，是本院認無再以實際打線方式鑑測原告打線參數是否適當之必要。柒、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第78條。乙、反訴部分：壹、程序部分：一、按被告於言詞辯論終結前，得在本訴繫屬之法院，對於原告及就訴訟標的必須合一確定之人提起反訴；反訴之標的，如專屬他法院管轄，或與本訴之標的及其防禦方法不相牽連者，不得提起，民事訴訟法第259 條、第260 條第1 項定有明文。此所稱之「相牽連」，乃指為反訴標的之法律關係與本訴標的之法律關係間，或為反訴標的之法律關係與作為本訴防禦方法所主張之法律關係間，兩者在法律上或事實上關係密切，審判資料有其共通性或牽連性者而言。換言之，為本訴標的之法律關係或作為防禦方法所主張之法律關係，與為反訴標的之法律關係同一，或當事人兩造所主張之權利，由同一法律關係發生，或為本訴標的之法律關係發生之原因，與為反訴標的之法律關係發生之原因，其主要部分相同，均可認為兩者間有牽連關係（最高法院98年度台抗字第1005號裁定意旨參照）。經查，本件原告提起本件訴訟主張被告所出售交付之系爭晶片存有瑕疵，而依兩造買賣契約及債務不履行之法律關係，請求被告賠償其因該項瑕疵所致之損害2,380 萬3,000 元，被告即反訴原告則以原告尚積欠貨款291 萬7,543 元為由，反訴請求原告即反訴被告給付上開貨款。經核本、反訴均屬同種訴訟程序，且反訴標的之法律關係所發生之原因與本訴標的法律關係發生之原因，均係兩造間之買賣契約，故被告於本訴進行中提起反訴，合於上開規定，應予准許。二、次按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1 項第3 款定有明文。本件反訴原告提起反訴時，原聲明：反訴被告應給付反訴原告291 萬7,543 元，及自反訴起訴狀附表一所示利息起算日起至清償日止，按年息5 ﹪計算之利息。嗣於104 年4 月24 日具狀就法定遲延利息部分，均減縮自最後一筆貨款應給付日之翌日即103 年7 月1 日起至清償日止，按年息5 ﹪計算之利息，而變更其聲明為：反訴被告應給付反訴原告291 萬7,543 元，及自103 年7 月1 日起至清償日止按年息5 ﹪計算之利息。經核反訴原告所為上開訴之變更，係就所請求利息部分單純減縮應受判決事項之聲明，揆諸前揭規定，並無不合，亦應准許。貳、實體部分：一、反訴原告主張：反訴被告迄今仍積欠反訴原告291 萬7,543 元貨款及自103 年7 月1 日起至清償日止，按法定利率計算之遲延利息。而反訴被告向反訴原告購買系爭晶片，就雙方對待給付而言，係反訴原告依約定交付一定數量之LED 晶片予反訴被告，反訴被告則給付約定價金予反訴原告，反訴被告所主張系爭晶片有瑕疵，造成其損害，而要求損害賠償，與其應給付之貨款，並無互為對待給付之關係，是反訴被告無從主張同時履行抗辯。另本件反訴原告出售予反訴被告之系爭晶片並無瑕疵，則反訴被告主張抵銷，亦屬無據。爰依買賣之法律關係，請求反訴被告給付貨款，並於本院聲明：㈠反訴被告應給付反訴原告291 萬7,543 元，及自103 年7 月1 日起至清償日止，按年息5 ﹪計算之利息。㈡反訴原告願供擔保請准宣告假執行。二、反訴被告之主張除與本訴相同者外，另答辯略以：（一）反訴原告出售予反訴被告之系爭晶片具有可歸責於反訴原告所致之瑕疵，反訴被告已依民法第227 條、第360 條之規定向反訴原告請求損害賠償，並同時依民法第264 條第1 項規定，就反訴原告所請求之貨款債權主張同時履行抗辯。從而，反訴原告於清償反訴被告所受損害前，反訴原告就上開貨款債權不得請求任何遲延利息。（二）縱認反訴原告對反訴被告有任何貨款債權，惟反訴原告售予反訴被告之系爭晶片存有諸多瑕疵，致反訴被告受有至少2,586 萬7,489 元之損害，此金額遠高於反訴原告對反訴被告之貨款債權。反訴被告爰依民法第334 條第1 項規定，主張以上開2,586 萬7,489 元之損害賠償債權，於反訴原告得請求金額之範圍內抵銷。（三）聲明：⒈反訴原告之訴及假執行之聲請均駁回。⒉如受不利判決，反訴被告願供擔保，請准宣告免為假執行。三、本院得心之理由：（一）按買受人對於出賣人，有交付約定價金及受領標的物之義務，民法第367 條定有明文。次按給付有確定期限者，債務人自期限屆滿時起，負遲延責任；遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息；應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為百分之五，民法第229 條第1 項、第233 條第1 項前段、第203 條分別定有明文。再按同時履行之抗辯，乃係基於雙務契約而發生，倘雙方之債務，非本於同一雙務契約而發生，縱令雙方債務在事實上有密切關係，或雙方之債務雖因同一之雙務契約而發生，然其一方之給付，與他方之給付，並非立於互為對待給付之關係，均不能發生同時履行之抗辯。本件被上訴人向上訴人請求給付貨款係本於歷次之買賣，而被上訴人所違反者係雙方所簽訂之前開特定產品合約，兩者雖有密切之關係，究非同一契約，上訴人尚不得以被上訴人有違反特定產品合約上之義務，對被上訴人主張同時履行抗辯而拒付本件貨款；債務人享有同時履行抗辯權者，在未行使此抗辯權以前，仍可發生遲延責任之問題，必須行使以後始能免責，最高法院84年度台上字第2773號民事判決意旨、50年台上字第1550號民事判例要旨分別可資參照。（二）經查，反訴被告共積欠反訴原告貨款291 萬7,543 元，並經反訴原告於103 年10月6 日以存證信函催告反訴被告支付積欠貨款等情，業據反訴原告提出採購單、對帳單、統一發票及存證信函等件為證（本院卷一第91至104 頁），且為反訴被告所不爭執（本院卷一第107 頁），自堪信為真實。（三）次查，反訴被告所積欠反訴原告貨款，係反訴原告於102 年10月15日至103 年3 月6 日間，分次交貨與反訴被告，付款條件為月結90天等情，此有原告所提出之採購單、對帳單及統一發票存卷可參（本院卷一第91至104 頁），是上開貨款最後一筆出貨日為103 年3 月6 日，依據兩造之約定反訴被告應給付予反訴原告貨款之日期為103 年6 月30日，惟反訴被告迄今尚未給付反訴原告上開貨款，是反訴原告主張反訴被告自103 年7 月1 日起須付給付遲延責任，而依法定利率5%請求遲延利息，自屬有據。（四）至於反訴被告以其對反訴原告尚有不完全給付之損害賠償債權，進而行使同時履行抗辯，主張其不需負擔貨款給付遲延責任等語。惟觀之反訴被告所積欠反訴原告上開貨款之出貨日期為102 年10月15日至103 年3 月6 日間等情，此有原告所提出之採購單、對帳單及統一發票存卷可參（本院卷一第91至104 頁），而據反訴被告於本訴部分之主張，系爭晶片所製成之成品係其於102 年10月初期陸續接獲客戶反應有發生死燈之現象，顯見反訴被告主張具有瑕疵晶片係反訴原告於102 年10月前所交付，而與反訴被告所積欠之貨款無關，則揆諸前揭說明，反訴被告對於反訴原告之不完全給付損害賠償債權，與反訴被告積欠反訴原告之貨款，並非同一契約，雙方之債權債務關係，並非本於雙務契約所生，即無同時履行抗辯之適用。況且反訴被告遲至反訴原告提起本件反訴審理中，始具狀主張同時履行抗辯，揆諸上開說明，反訴被告行使同時抗辯權前，仍需負擔給付延遲責任。從而，反訴被告辯稱其就已屆期之貨款不負遲延利息等語，洵屬無據。（五）反訴被告對於反訴原告之損害賠償債權為93萬3,804 元等情，業經本院論述如上，反訴被告於損害賠償債權屆期日即本訴起訴狀繕本送達反訴原告之日（即103 年12月11日，本院卷一第28頁），反訴原告之貨款債權為291 萬7,543 元；自103 年7 月1 日至103 年12月10日止之法定遲延利息債權6 萬5,145 元（計算式：2,917,543 ×5%×163/ 365 ＝65,145，元以下四捨五入），共計298 萬2,688 元，經反訴被告行使抵銷權後，反訴原告之債權尚餘204 萬8,884 元，是反訴原告請求反訴被告給付204 萬8,884 元，及自103 年12月11日起起至清償日止按年息5%計算之利息，為有理由，應予准許。五、綜上所述，反訴原告主張反訴被告積欠貨款291 萬7,543 元已屆清償期，應屬可信，反訴被告抗辯行使同時履行抗辯及以其對反訴原告之損害賠償債權抵銷後，已無積欠債務等情，則無可採。從而，反訴原告基於兩造間之買賣契約，請求反訴被告給付204 萬8,884 元及自103 年12月11日起至清償日止，按年息5%計算之利息，為有理由，應予准許，逾上開範圍之請求，為無理由，應予駁回。六、兩造陳明願供擔保，聲請宣告假執行及免為假執行，經核反訴原告勝訴部分，合於法律規定，爰分別酌定相當之擔保金額宣告之；反原告其餘假執行之聲請，因訴之駁回而失所依據，不予准許。七、本件事證已明，兩造其餘攻擊、防禦方法及所提證據，經本院斟酌後，認為均不足以影響本件判決結果，自無逐一論駁之必要，併予敘明。八、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。據上論結，本訴部分，原告之訴為無理由。反訴部分，反訴原告之訴一部為有理由，一部為無理由，判決如主文。中華民國 105 年 11 月 11 日民事第一庭法官王婉如以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受判決後20日內提出上訴狀到院。中華民國 105 年 11 月 11 日書記官王裴雯附表 ┌──┬──────────┬──────────┬────────┬─────┬────┐ │編號│項目 │ 說明 │金額（原始幣別）│金額（折算│本院認得│ │ │ │ │ │新臺幣） │請求金額│ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ 1 │補貨-修復燈條用LED │品保修理客戶退回LED │ 新臺幣37,634 │ 37,634│ - │ │ │ │與燈條 │ │ │ │ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ 2 │LED及燈條來回運費 │客戶退貨與修復運回所│ 新臺幣764,027 │ 764,027│ 300,000│ │ │ │需運費 │ │ │ │ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ 3 │品保維修費用-共4 批 │為篩選有問題之LED ，│ 新臺幣467,313 │ 467,313│ - │ │ │ │委外所作冷熱衝擊測試│ │ │ │ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ 4 │客戶就地維修費用 │客戶自行修理所需之勞│ 歐元15,458.63 │ 633,804│ 633,804│ │ │ │務費用 │ │ │ │ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ 5 │呆料損失 │專為Leurocom所設計的│新臺幣4,164,711 │ 4,164,711│ - │ │ │ │模具與支架，後來因為│ │ │ │ │ │ │系爭晶片之瑕疵均無訂│ │ │ │ │ │ │單，只能認列損失 │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ 6 │10%MOSCOW Project │終端客戶因系爭晶片之│ 歐元495,000 │19,800,000│ - │ │ │ │瑕疵，對原告客戶之扣│ │ │ │ │ │ │款 │ │ │ │ ├──┼──────────┼──────────┼────────┼─────┼────┤ │ │ 合計 │ │ │25,867,489│ 933,804│ └──┴──────────┴──────────┴────────┴─────┴────┘

臺灣新竹地方法院103年度重訴字第231號

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