100年度判字第390號｜行政：發明專利舉發｜裁判日期：100 年 03 月 17 日

最　高　行　政　法　院　判　決 100年度判字第390號上訴人　新揚科技股份有限公司代　表　人　劉吉雄訴訟代理人　李世章　律師徐念懷　律師被上訴人　經濟部智慧財產局代　表　人　王美花參加人　台灣杜邦股份有限公司代　表　人　陳錫安上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國99年7月 15日智慧財產法院99年度行專訴字第11號行政判決，提起上訴，本院判決如下：主文上訴駁回。上訴審訴訟費用由上訴人負擔。理由一、訴外人太巨科技股份有限公司於民國87年12月9日以「聚醯亞胺樹脂及其積層板」向被上訴人（原名經濟部中央標準局，嗣於88年1月26日改制為經濟部智慧財產局）申請發明專利，嗣於89年9月19日變更申請人為訴外人杜邦太巨科技股份有限公司（下稱杜邦太巨公司），並於91年11月6日變更專利之名稱為「聚醯亞胺積層板」，經被上訴人編為第87120475號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I220901號專利證書（下稱系爭專利）。又訴外人杜邦太巨公司於95年3月8日將系爭專利之專利權讓與參加人台灣杜邦股份有限公司。嗣上訴人以系爭專利有違核准審定時專利法第22條第4項、第26條第2項、第3項及第67條第1項第3款規定，對之提起舉發，案經被上訴人審查，於96年6月5日以（96）智專三㈤01058字第09620311690號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。上訴人不服，提起訴願，經訴願機關以被上訴人對上訴人主張「引證1至4足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性」及「引證1至5足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性」部分有漏未審酌及理由不備之瑕疵，以96年12月4日經訴字第09606078090號訴願決定書將原處分撤銷，責由被上訴人另為適法之處分。案經被上訴人重為審查，於98年5月8日以（98）智專三㈤01058字第09820269750號專利舉發審定書為「舉發不成立」處分。上訴人不服，提起訴願，遭駁回，向原審法院提起行政訴訟，經原審法院裁定命參加人獨立參加本件被上訴人之訴訟後，亦遭駁回。上訴人仍不服，乃提起本件上訴。二、上訴人起訴主張：系爭專利性質上係屬物品專利，並非方法專利，關於進步性之比對，應以系爭發明專利所描述之產品元件（即聚醯亞胺層及銅箔）來判斷，不應將其製造方法列入進步性之比對。又系爭專利所描述之製造方法與引證案所述者不盡相同，惟援引證案之內容，足以揭露系爭發明專利所描述「聚醯亞胺積層板」之產品元件，系爭發明專利即無進步性可言，是系爭發明專利內關於聚醯亞胺層及銅箔之製造方法之技術特徵，並非本件判斷進步性與否之對象。其次，被上訴人認為西元1988年7月5日公告之第4755424號「 Polyimide film having improved adhesive properties」美國專利（下稱引證4）之表面凹凸不平，係因忽略系爭專利申請專利範圍第1項並未定義其所需聚醯亞胺之表面平滑度、所需無機填充材料的粒徑範圍及所需聚醯亞胺之處理方法，且引證4之應用技術領域亦為軟性印刷電路板，復以引證4揭露添加無機粉末以及電暈放電之目的與系爭發明專利相同情況下，卻主動為系爭發明專利增加技術限制條件來認定引證4與系爭發明專利之技術差異甚大，並且與系爭發明專利所欲解決之問題、解決之手段及功效均迥異。惟引證4 已經完全揭露系爭發明專利技術特徵之內容，是被上訴人之認定，顯有違誤。又被上訴人認為1994年3月1日公告之第5290497號「Process for producing molded articles of polyimide precursor」美國專利（下稱引證1）沒有添加無機填充材料，惟上訴人所主張者為系爭專利申請專利範圍第1項違反進步性之規定，故單一之引證1沒有揭露添加無機填充材料之部分，尚須透過其他引證案補充。另就引證4需使用電暈放電處理部分，被上訴人認為引證4添加無機粉末係為電暈放電處理，與系爭專利為不同之技術，然就系爭專利申請專利範圍第1項同樣未揭示「形成聚醯亞胺薄膜之後是否使用電暈放電處理」之技術特徵，表示其不為實施之必要技術特徵。系爭專利申請專利範圍第1項僅規範聚醯亞胺薄膜之特性與其製造方法，在解讀系爭專利申請專利範圍時，不得在申請專利文字以外添加其他之技術限制。又引證4沒有添加無機粉末之比較例1與有添加無機粉末（磷酸氫鈣）之比較例2之結合強度實驗結果顯示，在沒有使用電暈放電處理之情況下，添加無機粉末（磷酸氫鈣）確能增加聚醯亞胺積層板之結合強度，故引證4已明確揭露被上訴人限縮解釋後之請求項1之[A-2]添加無機粉末及[D-1]剝離強度之部分。且引證4電暈放電處理之目的亦為增加聚醯亞胺之接著力，此點與系爭專利專利說明書所載之無機填充材料之主要功用，並無衝突。再者，不論聚醯亞胺層是與何者間之接著性，均是增加聚醯亞胺層本身之接著性，此即足以構成動機，讓系爭案所屬技術領域中具有通常知識者來參考並試用引證4之技術內容。是以，系爭專利申請專利範圍第1項與引證1、1990年6月26日公告之第4937133號「Flexible base materials forprinted circuits」美國專利（下稱引證2）、引證4之組合相較下，其已為所屬技術領域中具有通常知識者，依系爭案申請前之先前技術所能輕易完成，不具進步性等語。求為判決將訴願決定及原處分均撤銷，並命被上訴人對於上訴人之第87120475NO1號「聚醯亞胺積層板」發明專利舉發事件，應作成舉發成立處分或其他適法處分。三、被上訴人則以：引證1係揭露一種藉由射出成型技術製備聚醯亞胺前驅體之模具物品之方法，惟系爭專利為製造聚醯亞胺積層板，而引證1則係製造聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，並未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中。其次，引證2係揭露一種用於印刷電路板之彈性基材，系爭專利與引證2同為聚醯亞胺覆銅積層板，惟系爭專利於聚醯胺酸溶液中另有添加無機填充材料來調整溶液性質以利生產製程，且可增進聚醯亞胺樹脂之物性，然引證2則未揭露相關技術。又引證2之積層板係包含至少兩層熱膨脹係數差異至少20×l0-6（1/K）以上之聚醯亞胺層，而系爭專利僅需一層聚醯亞胺層即可製成積層板。又上訴人敘述表2之線膨脹係數最大值55×10-6（1/K），遠小於系爭專利之0.1% ，惟引證2係利用氯化鐵水溶液將銅箔蝕刻去除後所得薄膜（即聚醯亞胺膜）之線膨脹係數為55×10-6（1/K）兩者意義不同，數值比較不具意義。其次，引證4揭示「聚醯亞胺層+黏著劑層+銅箔」之有膠式積層板，與系爭專利「聚醯亞胺層+銅箔」之無膠式積層板之技術明顯不同。且系爭專利添加無機填充物（例如雲母）之目的係為提升聚醯亞胺樹脂與銅箔之接著力，但其機制是透過在高溫情況下聚醯亞胺樹脂內的無機粉末（例如雲母）阻絕了氧氣的滲透，減少聚醯亞胺樹脂層與銅箔界面間發生氧化而達成，而引證4則係利用電暈放電處理之方法，兩者技術顯然不同。又引證4測試聚醯亞胺膜之接著強度性時，係先製作單獨之聚醯亞胺膜，再透過黏著劑將聚醯亞胺膜黏著至銅箔上（以壓合方式結合），並經過160℃、12小時熟成復再測試剝離強度。由於聚醯亞胺層並非直接黏著於銅箔上，其測得之接著強度，理論上應指「聚醯亞胺層＋黏著劑層」與「銅箔」、「聚醯亞胺層」與「黏著劑層+銅箔」之間之接著力，或剛好斷裂在黏著劑層所得之接著力。而系爭專利申請專利範圍第1項所述之JIS6471-8.1之剝離強度測試方法，係直接將「聚醯亞胺層+銅箔」之無膠式積層板進行測試，因此測得之剝離強度為聚醯亞胺層與銅箔之間的接著力，兩者顯屬完全不同之接著力測試方法。再者，引證4係先製作單獨之聚醯亞胺膜，且透過添加無機粉末使聚醯亞胺膜表面形成凸出物，再藉由電暈放電處理提升聚醯亞胺膜之接著性，增加聚醯亞胺膜與黏著劑層之間之接著力，反觀系爭專利，僅需添加無機填充材料，並不需要進行電暈放電即可達到增進聚醯亞胺層對銅箔之接著效果，兩者不僅方法不同，改善接著力之對象亦不同。又引證1為藉由射出成型技術製備聚醯亞胺前驅體之模具物品之方法，並無任何有關聚醯亞胺積層板之技術內容，熟悉該項技術者無法推及聚醯亞胺積層板；引證2揭示用於印刷電路板之彈性基材，然該基材包含至少一0-20×l0-6（ 1/K）之低熱膨脹係數聚醯亞胺層及另一20×l0-6 (l/K)或更高之高熱膨脹係數聚醯亞胺層，其中前述兩層聚醯亞胺層之熱膨脹係數差至少20xl0-6（1/K），以及至少一導電層，雖比較例聚醯亞胺層只有一層，但未揭露系爭專利添加無機填充材料之技術內容，熟悉該項技術者應不會推及只有一層聚醯亞胺層且添加無機填充材料的系爭專利；引證4揭示「聚醯亞胺層+黏著劑層+銅箔」之有膠式積層板，熟悉該項技術者應不會推及系爭專利「聚醯亞胺層+銅箔」之無膠式積層板，且引證4透過添加無機粉末，再藉由電暈放電處理提升聚醯亞胺膜之接著性，增加聚醯亞胺膜與黏著劑層之間之接著力，熟悉該項技術者應不會推及僅需添加無機填充材料，並不需要進行電暈放電即可達到增進聚醯亞胺層對銅箔之接著效果之系爭專利。是以，熟悉該項技術者無法結合引證1、引證2與引證4輕易完成系爭專利，故尚難證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。至系爭專利申請專利範圍第2項至第5項為第1項之直接或間接附屬項，包含所依附之請求項之全部技術特徵，其所依附之第1項具有進步性，故第2項至第5項亦具有進步性等語，資為抗辯。求為判決駁回上訴人之訴。四、參加人則以：系爭專利申請專利範圍第1項包含「尺寸安定性」之技術特徵，上訴人於舉發時須證明此一技術特徵已明確揭示於引證案中，惟上訴人所舉引證案均無揭露「尺寸安定性」之技術特徵，其組合自無從證明系爭專利不具進步性。又上訴人係恣意拆解申請專利範圍第1項之技術特徵，顯非以發明之整體為對象，且隨意予以組合，亦非以具有通常知識者之水平加以比對，足見上訴人並非以發明整體作為進步性比對之對象，而係以拼湊之方式將引證1、引證2及引證4予以組合，惟系爭發明專利所屬技術領域中具有通常知識者，顯無法拼湊引證1、引證2及引證4之教示而輕易完成系爭發明，故系爭專利具有進步性等語。五、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：系爭專利乃關於一種具有良好高溫安定性及對銅箔表面具有良好接著性之聚醯亞胺樹脂，其主要係用於製作聚醯亞胺積層板，可供應軟性印刷電路板工業之用，另外亦可提供一含丙酮之極性非質子溶劑，能有效溶解芳香族四羧酸二酐及芳香族二胺，有利於所合成聚醯胺酸溶液進行亞醯胺化時溶劑之移除，同時不致傷害聚醯亞胺薄膜。此外，系爭專利創作另提供一適當之無機填充材料，於添加少量之該無機填充材料後即可有效提升該聚醯亞胺樹脂對銅箔之接著效果。而系爭專利申請專利範圍共計有5項，其中第1項為獨立項，其餘各項則為附屬項。而系爭專利申請專利範圍第1項所指之聚醯亞胺積層板主要係以「製法界定物(product by process)」之方式界定其特徵，並界定剝離強度、尺寸安定性等性質。而系爭專利申請專利範圍第2項則就上開技術特徵加以限縮，第3項亦就第1項所揭露之技術特徵加以限縮，另第4項進一步再限縮，第5項則就第4項所揭露之技術特徵再加以限縮。又就系爭專利而言，其說明書及實施例業已證明選擇不同之製造條件，例如不同組成之芳香族四羧酸二酐或芳香族二胺之組合反應，所製備之聚醯亞胺樹脂即會有不同特性，系爭專利既無法以明確之結構界定該聚醯亞胺積層板，則以製造方法界定物之申請專利範圍，其申請專利之發明為申請專利範圍中「所載之製造方法所賦予特性」之物本身，除非能清楚界定系爭專利申請專利範圍第1項中所載之製造方法所賦予該聚醯亞胺積層板之所有特性，且引證案所揭露之物能證明與系爭專利所揭露由所載之製造方法所賦予特性之聚醯亞胺積層板相同或屬能輕易完成者，否則尚難排除考量該製法條件步驟之界定。準此，上訴人指稱系爭發明專利性質上屬物品專利，非方法專利，關於進步性之比對，即應以系爭發明專利所描述之產品元件（即聚醯亞胺層及銅箔）來判斷，無庸將其製造方法列入進步性之比對云云，顯非可採。其次，引證1主要係揭示一種藉由射出成型技術製備聚醯亞胺前驅體（ polyimide precursor）之模具物品（molded article）方法，其特徵係將稀釋之聚醯亞胺前驅體溶液（即聚醯胺酸溶液）乾燥，並於80-130℃下射出乾燥固體以製成模具物品，該聚醯亞胺前驅體包含將芳香族四羧酸二酐（aromatic tetracarboxylic diany dride）或其衍生物及芳香族二胺 (aromatic diamine)以等莫耳比例反應而製成。然其並未揭示將二者同時使用於反應製程之技術，此與系爭專利合成製備聚醯胺酸溶液係選用苯二胺與二胺基二苯醚所組合之芳香族二胺參與反應顯然不同；再者，引證1亦未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中此一技術特徵，且引證1 乃製造以聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利所揭示製造者為聚醯亞胺積層板，兩者產品完全不同，顯非相同領域之物。而引證2則揭露一種用於印刷電路板之彈性基材，包含至少一0-20×l0-6（1/K）之低熱膨脹係數聚醯亞胺層及另一20×l0-6（l/K）或更高之高熱膨脹係數聚醯亞胺層，其中前述兩層聚醯亞胺層之熱膨脹係數差至少5×l0- 6 (1/K )，以及至少一導電層，該聚醯亞胺層係由芳香族四羧酸二酐及二胺類於適當溶劑中反應製成聚醯胺酸溶液（說明書第9欄合成例8及表一及表二之比較例2及比較例4揭示使用芳香族二胺為苯二胺（PPD）及二胺基二苯醚（DDE）之組合，而所用之酸酐為BPDA（芳香族四羧酸二酐之一種）），並將該溶液塗佈於銅箔上，加熱至360℃形成聚醯亞胺覆銅積層板。引證2與系爭專利申請專利範圍第1項相較，兩者雖同為聚醯亞胺覆銅積層板，惟系爭專利於聚醯胺酸溶液中另有添加無機填充材料以調整溶液性質使利於生產製程，同時增進聚醯亞胺樹脂之物性，如系爭專利即係加入二氧化矽粉或雲母粉至聚醯胺酸溶液，以增進聚醯亞胺對銅箔之接著效果，而且系爭專利之聚醯胺酸溶液其固含量並控制在至少10%，反觀引證2則完全未揭露相關技術。另系爭專利申請專利範圍第1項所揭示之醯亞胺積層板其尺寸安定性依據IPC-TM-650，method2.2.4方法所做之檢測值少於0.1%之特性，於引證2則完全未揭示，上訴人雖表示引證2之產品具有線膨脹係數最大值為55×10-6（1/K），小於系爭專利之0.1%，惟引證2之線膨脹係數應係指聚醯亞胺層之熱膨脹係數，而非聚醯亞胺積層板（聚醯亞胺層加銅箔之積層板）之尺寸安定性，兩者意義並不相同，上訴人亦自承尺寸安定性與熱膨脹係數兩者分屬不同之性質。綜上分析，引證2於製造方法條件上與系爭專利明顯不同，且亦無法證明其產品與系爭專利申請專利範圍第1項所指之聚醯亞胺積層板性質相同。至引證4部分，係揭示「聚醯亞胺層+黏著劑層+銅箔」之有膠式積層板，此與系爭專利「聚醯亞胺積層板」係以聚醯胺酸溶液直接塗佈於銅箔表面，進行亞醯胺化成聚醯亞胺層之「聚醯亞胺層+銅箔」無膠式積層板之結構特徵明顯不同。再者，系爭專利合成製備聚醯胺酸溶液係選用苯二胺與二胺基二苯醚所組合之芳香族二胺參與反應，惟引證4並未揭露此組合。雖引證4於聚醯亞胺層形成過程中亦加入無機粉末粒子以增加其黏著力，惟引證4說明書明載該技術製成之聚醯亞胺薄膜係由粗材料（raw material）與無機粉末製成表面具有微小凸出物之薄膜，且該薄膜需經過尖端放電處理；為了增加其接著性目的，該無機粉末必須於表面上形成凸出物，並藉由電暈放電處理，佐以引證4指出其增加黏著力原理係利用電暈放電處理移除聚醯亞胺薄膜最外層具有抑制黏著性之「弱邊界層(weak boundary layer)」而達成等特徵，顯然與系爭專利係利用添加無機填充物（例如雲母）以提升聚醯亞胺樹脂與銅箔之接著力，其作法係在聚醯胺酸溶液塗佈於銅箔後，經250℃以上加熱亞醯胺化成聚醯亞胺樹脂層，在高溫情況下因聚醯亞胺樹脂內之無機粉末（例如雲母）阻絕了氧氣滲透之原因，達到減少聚醯亞胺樹脂層與銅箔界面間發生氧化之問題，兩者原理及手段明顯不同。另由引證4記載，當其測試聚醯亞胺膜之接著強度時，係先製作單獨之聚醯亞胺膜，再透過黏著劑以壓合方式將聚醯亞胺膜黏著至銅箔上，再經過160℃、12小時熟成後再測試其剝離強度，因聚醯亞胺層及銅箔中間係另以黏著劑黏接，是以其測試接著強度（引證4表1「Bond strength」欄）之方法，與系爭專利申請專利範圍第1項所述之JIS6471-8.1係將聚醯亞胺層直接形成於銅箔上之無膠式積層板進行測試，因此測得之剝離強度為聚醯亞胺層與銅箔之間之接著力，兩者數據意義完全不同。此外，系爭專利之聚醯胺酸溶液其固含量係控制在至少10%，而引證4則未揭露其積層板產品之尺寸安定性數據，亦未揭露有關控制固含量之相關技術，足見引證4於製造方法及結構皆與系爭專利明顯不同。引證4雖亦有添加無機粉末之程序，惟其原理及技術手段與系爭專利迥然不同，且無法證明其產品具有系爭專利申請專利範圍第1項所指聚醯亞胺積層板相同之性質。綜合前述分析結果，引證1、2、4與系爭專利所欲解決之問題、所使用之手段及其所達成之功效均不相同，且其中引證1係製造聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利係製造聚醯亞胺積層板，兩者產品及應用領域均明顯有異，況引證1並未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液之手段，兩者所揭露之製造方法、條件均明顯不同，而引證2與系爭專利所揭露之技術特徵相較亦有同上之差異，爰不再贅。至引證4雖有添加無機粉末，惟其原理及技術手段與系爭專利完全不同，且製造方法及結構皆與系爭專利皆有明顯差異，是系爭專利申請專利範圍第1項尚難謂為其所屬技術領域中具有通常知識者，藉由結合引證1、2、4即能輕易完成，換言之，引證1、2、4之結合尚難證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項而不具進步性。另系爭專利申請專利範圍第2至5項為第1項之直接或間接附屬項，解釋上包含所依附之請求項之全部技術特徵，而其所依附之第1項具有進步性，已如前述，是第2至5 項亦具有進步性。被上訴人所為舉發不成立之處分，洵無違誤，訴願機關遞予維持，亦無不當等由，乃判決駁回上訴人在原審之訴。六、上訴人上訴意旨略謂：系爭專利所用之反應單體種類與組合基本上為習知技術，惟系爭專利聚醯胺酸溶液之溶劑系統「添加丙酮」及「添加無機填充材料」，乃有別於先前技術之最重要技術特徵，為系爭專利認有有進步性之處。但系爭專利發明人一方面指出系爭專利聚醯胺酸溶液之溶劑系統「添加丙酮」為最重要之技術特徵，亦為取得專利權之基礎;另一方面卻又在他案臺灣苗栗地方法院94年度智字第2號民事侵權訴訟中，主張系爭專利聚醯胺酸溶液之溶劑系統有無「添加丙酮」不會造成實質上不同，並不重要。該系爭專利之發明人前後之主張明顯矛盾，其是否具可專利性，即有疑義，且原判決亦未具體說明其採或不採之理由。其次，系爭專利實施例中合成聚醯亞胺所使用之各項高分子單體皆係極為普遍之工業原料，且其所合成之聚醯亞胺之各種性質亦屬明確，是聚醯亞胺反應單體，即「苯二胺與二胺基二苯醚之芳香族二胺」與「至少一芳香族四羧酸二酐」兩者之組合，確屬習知技術而無進步性可言。然原判決卻認其與系爭專利所述之「芳香族二胺」不同，逕而認定系爭專利具有進步性，顯與聚醯亞胺反應單體為習知技術之論點相杆格，似有判決理由矛盾之處。另原判決一方面載明「上訴人援引證1、引證2及引證4之證據組合以證明系爭專利欠缺進步性」，另一方面又以引證1未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中此一技術特徵為由，否定引證1之證據力，似又以新穎性為由，否定單一引證1之證據力，亦有判決理由矛盾之處。又系爭專利申請專利範圍請求項1對於反應單體部分僅記載「苯二胺與二胺基二苯醚之芳香族二胺」及「至少一芳香族四羧酸二酐」，就其說明書所載明比例此重要之技術特徵，竟未出現在系爭專利申請專利範圍請求項1之文字內，其確有範圍太廣，說明書及圖式均無法支持之嫌，原判決顯有適用專利法第26條第3項規定不當之處等語。七、本院查：㈠、按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，為系爭專利核准審定時專利法第21條暨第22條第1項前段所規定。另發明「雖無第1項所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，為同法第22條第4項所明定。系爭專利申請專利範圍共5項，第1項為獨立項，餘為附屬項。上訴人所提之舉發證據計有引證1為1994年3月1日公告之美國第5290497號專利案；引證2為1990年6月26日公告之美國第4937133號專利案；引證3為1998年11月24日公告之美國第5840369號專利案；引證4為1998年7月5日公告之美國第4755424號專利案；引證5為1989年6月13日公告之美國第4839217號專利案。本件上訴人主張系爭專利違反專利法第22條第4項、第26條第2項、第3項及第 67條第1項第3款規定，對之提起舉發，經原審整理爭點後，本件爭點為引證1、2、4之組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項，而不具進步性？㈡、關於引證1係製造聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利係製造聚醯亞胺積層板，兩者產品及應用領域均明顯有異，況引證1並未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液之手段，兩者所揭露之製造方法、條件均明顯不同。引證2與系爭專利所揭露之技術特徵相較亦有同上之差異。引證4雖有添加無機粉末，惟其原理及技術手段與系爭專利完全不同，且製造方法及結構皆與系爭專利有明顯差異，是系爭專利申請專利範圍第1項尚難謂為其所屬技術領域中具有通常知識者，藉由結合引證1、2、4即能輕易完成，引證1、2、4之結合尚難證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項而不具進步性。另系爭專利申請專利範圍第2至5項為第1項之直接或間接附屬項，解釋上包含所依附之請求項之全部技術特徵，而其所依附之第1項具有進步性，是第2至5項亦具有進步性等情，業據原審說明其得心證之理由(原判決第12頁第13行至第15頁倒數第8行)，經核其認事用法，並無違論理或經驗法則，亦無判決適用法規錯誤、不備理由及理由矛盾之違背法令情形。㈢、上訴人雖指系爭專利所用之反應單體種類與組合基本上為習知技術，惟系爭專利聚醯胺酸溶液之溶劑系統「添加丙酮」及「添加無機填充材料」，乃有別於先前技術之最重要技術特徵，故具有進步性。又系爭專利發明人一方面指出系爭專利聚醯胺酸溶液之溶劑系統「添加丙酮」為最重要之技術特徵，亦為取得專利權之基礎;另一方面卻又在他案臺灣苗栗地方法院94年度智字第2號民事侵權訴訟中，主張系爭專利聚醯胺酸溶液之溶劑系統有無「添加丙酮」不會造成實質上不同，並不重要。該系爭專利之發明人前後之主張明顯矛盾，其是否具可專利性，即有疑義，且原判決亦未具體說明其採或不採之理由等等。但查，系爭專利與上訴人所提之引證相較是否具有進步性，應由各該引證之技術內容及其組合與系爭專利相較而加以判斷。至於專利權人於另案民事侵權訴訟就系爭專利之技術內容所為不同之主張固可作為行政訴訟中之參考，但該基於民事侵權訴訟所為不同主張於行政訴訟中是否可採，仍應參照系爭專利之實質內容加以判斷，尚不能因於民事侵權訴訟中曾作不同主張即遽認可拘束行政法院之認定。本件原審既已依引證1、2、4之技術內容與系爭專利作實質比較認系爭專利仍具進步性，已如前述，即已說明其事實認定、證據取捨之論據，原判決雖未說明不採專利權人於另案民事侵權訴訟之不同主張之理由，但此部分因既不影響結論之判斷，原審未詳予論明，尚難謂其判決有不備理由之違法。㈣、原判決已說明引證1於第2欄第57至64行雖有揭露芳香族二胺舉例包括對苯二胺（para-phenylenediamine）及二胺基二苯醚（4，4'-diaminophenyl ether)，惟其並未揭示將二者同時使用於反應製程之技術，此與系爭專利合成製備聚醯胺酸溶液係選用苯二胺與二胺基二苯醚所組合之芳香族二胺參與反應顯然不同；引證1亦未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中此一技術特徵，且引證1乃製造以聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利所揭示製造者為聚醯亞胺積層板，兩者產品完全不同，顯非相同領域之物(原判決第12頁第10行以下參照)。上訴人所指系爭專利實施例中合成聚醯亞胺所使用之各項高分子單體皆係極為普遍之工業原料，且其所合成之聚醯亞胺之各種性質亦屬明確，是聚醯亞胺反應單體，即「苯二胺與二胺基二苯醚之芳香族二胺」與「至少一芳香族四羧酸二酐」兩者之組合，確屬習知技術而無進步性部分，無非係就原審取捨證據、認定事實之職權行使，指摘其為不當，且就原審已為論斷者，再予爭執，核法法律見解歧異問題，難謂原判決有違背法令之情形。㈤、上訴人主張原判決一方面載明「上訴人援引證1、引證2及引證4之證據組合以證明系爭專利欠缺進步性」，另一方面又以引證1未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中此一技術特徵為由，否定引證1之證據力，似又以新穎性為由，否定單一引證1之證據力，亦有判決理由矛盾之處部分。經查，原判決係以引證1亦未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中此一技術特徵，且引證1乃製造以聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利所揭示製造者為聚醯亞胺積層板，兩者產品完全不同，說明顯非相同領域之物，並於分析引證2、引證4之技術內容後，論斷系爭專利申請專利範圍第1項尚難謂為其所屬技術領域中具有通常知識者，藉由結合引證1、2、4即能輕易完成(原判決事實及理由五㈣參照)。並非以新穎性為由否定引證1之證據力，亦無理由矛盾之情形，上訴人此部分所指自有誤解。㈥、至於上訴人指系爭專利申請專利範圍請求項1對於反應單體部分僅記載「苯二胺與二胺基二苯醚之芳香族二胺」及「至少一芳香族四羧酸二酐」，就其說明書所載明比例此重要之技術特徵，竟未出現在系爭專利申請專利範圍請求項1之文字內，其確有範圍太廣，說明書及圖式均無法支持之嫌，原判決顯有適用專利法第26條第3項規定不當之處部分。經查，上訴人於舉發理由雖主張系爭專利違反專利法第22條第4 項、第26條第2、3項及第67條第1項第3款之規定，惟經原處分審查後，敘明理由認定系爭專利未違反核准時應適用之專利法第22條第4項、第26條第2、3項及第67條第1項第3款之規定，而為舉發不成立之審定，並經訴願決定予以維持。上訴人於原審99年1月19日之起訴狀、99年5月28日之言詞辯論意旨狀、準備程序之簡報檔，以及準備程序暨言詞辯論筆錄均僅爭執系爭專利申請專利範圍第1項與引證1、2、4之組合相較不具進步性部分，原審因而基於兩造之陳述之內容整理本件爭點為引證1、2、4之組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項而不具進步性？並就此加以論究，已如前述。原審就上訴人對於原處分、訴願決定理由未爭執部分認已折服，未再重覆贅論此部分之理由而維持訴願決定及原處分，尚不能指上開未加以論明部分有理由不備之違法。至於上訴人於99年7月2日所提之言詞辯論意旨㈠狀雖於第5頁記載系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第26條第3項之規定，但係於原審99年6月17日言詞辯論終結後始行提出，原審已無從審酌。上訴人於上訴本院再爭執系爭專利有違專利法第26條第3項規定部分，經查其主張內容已與舉發之理由有異，基於本院為法律審，亦無從就該等內容予以論究。上訴人此部分主張仍不能為其有利之判斷。㈦、從而原判決以被上訴人所為舉發不成立之處分，並無違誤，訴願決定遞予維持，亦無不當，而駁回上訴人在原審之訴，依上說明，於法核無不合。上訴論旨，指摘原判決違背法令，求予廢棄改判，為無理由，應予駁回。八、據上論結，本件上訴為無理由。依行政訴訟法第255條第1項、第98條第1項前段，判決如主文。中　　華　　民　　國　　100　年　　3　　月　　17　　日最高行政法院第四庭審判長法官　吳　明　鴻法官　廖宏明法官　侯　東　昇法官　黃　秋　鴻法官　陳　國　成以上正本證明與原本無異中　　華　　民　　國　　100　年　　3　　月　　17　　日書記官　王　史　民

最高行政法院(含改制前行政法院)100年度判字第390號

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