100年度判字第424號｜行政：新型專利舉發｜裁判日期：100 年 03 月 29 日

最　高　行　政　法　院　判　決 100年度判字第424號上訴人　矽品精密工業股份有限公司代　表　人　林文伯訴訟代理人　陳昭誠被上訴人　經濟部智慧財產局代　表　人　王美花被上訴人即參加人日月光半導體製造股份有限公司代　表　人　張虔生訴訟代理人　蔡東賢　律師陳思慎　律師劉昌坪　律師上列當事人間新型專利舉發事件，上訴人對於中華民國99年1月7日智慧財產法院98年度行專訴字第94號行政判決，提起上訴，本院判決如下：主文上訴駁回。上訴審訴訟費用由上訴人負擔。理由一、緣上訴人前於民國90年12月7日以「具散熱結構之半導體封裝件」向被上訴人申請新型專利，經被上訴人編為第90221335號審查，准予專利（下稱系爭專利），並於公告期滿後，於92年10月21日發給新型第M212452號專利證書。嗣被上訴人即參加人日月光半導體製造股份有限公司於93年6月3日以舉發證據2（西元1999年11月2日公告之美國第5977626號「 THERMALLY AND ELECTRICALLY ENHANCED PBGA PACKAGE」專利案；其相關圖式如附圖二所示）；證據3（西元1998年8月7日公告之美國第5736785號「SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR IMPROVING THE CAPABILITY OF SPREADING HEAT」專利案；其相關圖式如附圖三所示）；證據4（90年9月1日公告之我國第89210936號「散熱片」新型專利案）；證據5（西元2001年2月20日公告之美國第6191360號「THERMALLY ENHANCED BGA PACKAGE」專利案），認系爭專利有違核准時專利法第 98條第1項第1款及第2項之規定，不符新型專利要件，對之提起舉發。案經被上訴人審查，於96年2月13日以(95)智專三(二)04066字第09620098770號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分，被上訴人即參加人不服提起訴願，經經濟部以97年2月14日經訴字第09706101750號訴願決定將原處分撤銷，責由被上訴人重為審酌，上訴人未提起行政訴訟而確定。上訴人於97年4月15日申請經被上訴人准予更正之專利範圍更正本內容所示，申請專利範圍共6項，第1項為獨立項，餘為附屬項，其內容如下：1.一基板，其具有一上表面及一相對之下表面；至少一接置於該基板上表面之半導體晶片；多數導電元件，用以電性連接該基板與半導體晶片，並於該基板分佈有該導電元件之上表面上預先劃分出一元件分佈區，其中，該元件分佈區進一步包含有複數個上方容許該導電元件跨越之銲線聚集區，及該銲線聚集區以外之閒置區域；一散熱結構，其具有一片體及形成於該片體最外側角端以架撐該片體至晶片上方之複數個支撐部，其中，該片體與各支撐部係一體成型製作，該支撐部底部係一體形成有與該基板上表面相黏接之接觸部，且各該支撐部之形成位置係對應於基板上所相對之閒置區域，俾在毋須變更基板之電路佈局下，令該散熱結構藉其支撐部接置於基板上；以及一封裝膠體，用以包覆該半導體晶片、該導電元件及部分散熱結構。2.如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中，該散熱結構係為一內嵌式散熱件(Embedded Heat Sink)。3.如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中，該導電元件係為一金線。4.如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中，該片體頂面上係形成有至少一階梯狀凹部。5.如申請專利範圍第1 項之半導體封裝件，其中，該支撐部上開設有至少一孔洞以供形成該封裝膠體之融熔封裝樹脂通過。6.如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中，相鄰兩支撐部間形成有一空隙以供該導電元件穿越（系爭專利相關圖式如附圖一所示）。被上訴人重為審酌後以98年2月2日以(98)智專三(二)04066字第09820054810號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。上訴人不服，提起訴願，經遭決定駁回，遂提起行政訴訟。二、上訴人起訴主張：系爭專利申請專利範圍第1項之半導體封裝件，不同於證據2及證據3之技術特徵，其具有無須變更電路佈局即可將散熱結構接置於基板表面並保留更大銲線佈線面積之功效。系爭專利之散熱片之結構不同證據2「並未揭示」導電元件（銲線）與被動元件在基板表面的分佈情形，且證據2未具有無須變更電路佈局即可將該散熱結構接置於基板表面並保留更大銲線佈線面積之功效。證據2係在不具散熱性能的半導體封裝件基礎上提供一種與晶片接觸的散熱片，因此，證據2所建議或教示之內容與目的皆無關於在不變動基板電路佈局及基板尺寸條件下，滿足高度集積化之封裝件要求。證據3並未揭示：先根據基板表面之電路佈局，在基板表面之元件分佈區中進一步劃分導電元件跨越之「銲線聚集區」、以及銲線聚集區以外之「閒置區域」；及將該散熱結構之支撐部外推至散熱件最外側角端相對於基板表面閒置區域的位置，而在無須變更基板之電路佈局的條件下，使該散熱結構藉其支撐部接置於基板上。證據3所揭示之散熱結構中，其最外側角端係用以防止晶片102遭到移動或損害之第一支持器116f，而非用以將該散熱結構116接置至基板104表面之半圓形突出部116c（即散熱結構116之第二支撐），故其散熱結構顯然與系爭專利不同。再者，因證據3所揭示之最外側角端之第一支持器116f係用以防止晶片102遭到移動或損害之，而非與基板接觸，故該最外側角端之第一支持器116f之設置與系爭專利所界定「片體最外側角端以架撐該片體至晶片上方之複數個支撐部」互為相反教示，本領域具有通常知識者自無從由證據3之內容輕易推知或完成系爭專利申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體封裝件等語，求為判決撤銷訴願決定及原處分。三、被上訴人則以：系爭專利申請專利範圍第1項主要限制條件有二：其中第一限制條件為散熱結構為片體，支撐腳形成於該片體邊緣處，證據2揭示該散熱結構為片體，且支撐部在片體角落處（邊緣處）。證據3亦揭示該散熱結構為片體，且支撐部在片體角落處（邊緣處）。第二限制條件為基板預先劃出元件分佈區，其中該元件分佈區進一步包含有上方容許該導電元件跨越之銲線聚集區，及該銲線聚集區以外之閒置區域，且各該支撐部形成位置係對應於基板上所對應之閒置區域。系爭專利申請專利範圍及說明書第2圖所揭示，該散熱結構具有一片體以及形成於該片體邊緣處用以架撐該片體至晶片上方複數個支撐部，相較證據2所揭示散熱結構，具有形成於基板及晶片上第一支撐元件32d係連接至接地墊，該散熱結構包含有一平面32a，其中該第一支撐元件32d設置於該平面32a角落底面，一凸出部2b形成預防散熱結構接觸信號傳遞裝置，第二支持元件32c形成於該凸出部32b中心部分，系爭專利該支撐部係直接可用以架撐該片體至晶片上方，藉以容置晶片及金線，證據2則結合第一支撐元件32d與凸出部32b可用以架撐散熱結構至晶片上方，能容置該晶片及金線並於該基板分佈有該導電元件之上表面上預先劃分出元件區A，其中該元件分佈區進一步包含有複數個上方容許該導電元件跨越銲線聚集區B，及該銲線聚集區B以外之閒置區域C。另系爭專利該散熱片結構，該支撐部於散熱片的四周邊緣處，相較證據2所揭示之散熱片結構四處角落亦具有支撐元件，證據2該支撐元件並無不同於系爭專利該散熱片的最外側角端增加佈線區域，可為熟習該項技術者所能輕易完成，且未增進功效，故系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。證據2未揭示上述導電元件（銲線）與被動元件在基板表面之分佈情形之先前技術，證據2亦無排除可將導電元件（銲線）跨越散熱結構之外。另證據2已揭示之散熱片結構，亦可知悉該如何變更散熱片支撐位置及其結構，使其佈線面積增加。證據2、3雖未有揭示及定義系爭專利之「該銲線聚集區以外之閒置區域」，證據2、3實質上仍具有此特徵等語，資為抗辯，求為判決駁回上訴人之起訴。四、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：系爭專利申請專利範圍第1項之主要專利特徵在於「支撐部係形成於散熱片體最外側角端，且其形成位置係對應於基板上之閒置區域」，即其特徵主要在於界定支撐部之形成位置及其支撐片體之功用。而證據2因其支撐件亦位於片體之邊緣處，且必然在基板上之閒置區域；證據3用以架撐片體之第一支撐件或甚至第二支撐件均設於片體之四個角隅邊緣處，且亦形成於基板上之閒置區域，故系爭專利支撐部設於片體最外側角端及基板上之閒置區域之結構特徵已揭露於證據2及證據3中，系爭專利申請專利範圍第1項實屬運用申請前證據2及3之既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效者，自不具進步性。系爭專利申請專利範圍第2項所揭散熱結構為一內嵌式散熱件(EmbeddedHeat Sink)，而證據2、3所揭亦為內嵌式散熱片結構；第3項所揭之導電元件為一金線，而金線作為導電元件為習知技術，已普遍使用於業界中，故系爭專利申請專利範圍第2項及第3項不具進步性。系爭專利申請專利範圍第4項所揭之片體頂面上係形成有至少一階梯狀凹部，而證據4圖5所揭該散熱片主體350頂面包括一突出部分358，而形成一階梯狀凹部，與系爭專利申請專利範圍第4項及第1項所揭示散熱片結構相較，僅外觀、形狀不同；第5項所述之支撐部上開設有至少一孔洞以供形成該封裝膠體之融熔封裝樹脂通過，而證據5圖3、圖4及說明書第3欄第8至10行所揭示，該散熱片34包括複數個孔A，在封膠過程中封膠材料39經由該孔A流進該散熱片34，與系爭專利申請專利範圍第5項及獨立項1所揭示散熱片結構外觀、形狀或有不同，然系爭專利申請專利範圍第4項及第5項均為熟習該項技術者結合證據2、3及4或2、3及5所能輕易完成，且未能增進功效，而不具進步性。系爭專利申請專利範圍第6項所述之相鄰兩支撐部間形成一空隙以供該導電元件穿越，與證據2圖5所揭示，該等支撐部32d係位於該散熱結構 32之四角落，相鄰兩支撐部32d間形成空隙以供該導電元件穿越相較，證據2之支撐元件並無不同於系爭專利該散熱片的最外側角端，可增加佈線區域，亦為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效，是系爭專利申請專利範圍第6項亦不具進步性。至上訴人稱證據2為其系爭專利申請時引證之關聯性最深之先前技術，被上訴人據此作為核駁系爭專利之引證證據，且就同一證據先後作成相反之認定，卻未明示改變見解之具體理由，有違進步性審查之相關規定及禁止反言原則云云。惟按訴願之決定確定後，就其事件有拘束各機關之效力；原行政處分經撤銷後，原行政處分機關須重為處分者，應依訴願決定意旨為之，訴願法第95條、第96條定有明文。本件舉發案被上訴人原為舉發不成立之審定，被上訴人即參加人不服提起訴願，經經濟部以97年2月14日經訴字第09706101750號訴願決定將原處分撤銷，責由被上訴人重為處分，上訴人未提起行政訴訟而確定，則依上揭訴願法第95條、第96條規定，被上訴人就本件舉發案重為審定自應受上揭訴願理由之拘束；次按專利法為防範專利專責機關審查之疏漏，設有舉發之公眾審查制度，此乃欲藉公眾審查之程序，撤銷違法核准之專利審定，本件既經被上訴人即參加人提起舉發，被上訴人依舉發理由重行審查，尚非不得採取與前申請程序不同之見解，且其審定書業已詳述系爭專利不具進步性之具體理由，並無違反審查基準規定。故被上訴人重為審酌作成舉發成立撤銷系爭專利權之審定，尚無上訴人所稱之違反進步性審查規定及禁止反言原則之情事，併予敘明。綜上所述，被上訴人以系爭專利有違核准時專利法第98條第2項之規定，所為舉發成立，應撤銷專利權之處分，核無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合，因將原決定及原處分均予維持，駁回上訴人之訴。五、本院按：㈠凡對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利用者，得依法申請取得新型專利，固為系爭專利核准時（90年10月24日修正公布）專利法第97條暨第98條第1項前段所明定。惟其「新型係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時」，仍不得依法申請取得新型專利，復為同法第98條第2項所明定。㈡原判決關於系爭專利申請專利範圍第1項屬運用申請前證據2及3之既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效者，不具進步性，以及就附屬項即申請專利範圍第2至6項逐項審查，認均為熟習該項技術者結合證據2、3及4或2、3及5所能輕易完成，且未能增進功效，均不具進步性之事實，以及上訴人所主張：證據2為其系爭專利申請時引證之關聯性最深之先前技術，被上訴人據此作為核駁系爭專利之引證證據，且就同一證據先後作成相反之認定，卻未明示改變見解之具體理由，有違進步性審查之相關規定及禁止反言原則云云如何不足採等事項均詳予以論述，是原判決所適用之法規與該案應適用之現行法規並無違背，與解釋判例，亦無牴觸，並無所謂原判決有違背法令之情形；上訴人上訴意旨略謂：原判決僅以舉發證據已揭露之部位於片體之最外側角端並設於基板之閒置區域，而認定系爭專利不具進步性，然對於上訴人於原審所提出重要爭點：證據2、3未揭露支撐部位係位於最外側角端；證據2、3未揭露閒置區域特徵；證據2、3個別無法達成系爭專利功效，即便舉發證據將支撐部外移至最外側角端，仍無法達成系爭專利功效；證據2、3無法結合，即使結合亦無法達成系爭專利功效等主張，原判決未加以判斷亦未附理由，有判決不備理由之違法；另若原處分機關未闡明改變見解之具體理由，而就同一證據先後作相反認定，有違禁反言之原則，又訴願機關發回原處分機關重為審查後，系爭專利之申請專利範圍已經更正，有情事變更原則適用，原處分機關理應依新事實作出判斷，原審法院為相反之認定，有適用法規不當及判斷未依證據之違法云云，係就原審所為論斷或駁斥其主張之理由，泛言原判決不適用法規或適用不當，自非可採。㈢從而，上訴論旨，仍執前詞，指摘原判決違背法令，求予廢棄，為無理由，應予駁回。六、據上論結，本件上訴為無理由。依行政訴訟法第255條第1項、第98條第1項前段，判決如主文。中　　華　　民　　國　　100　年　　3　　月　　29　　日最高行政法院第六庭審判長法官　黃　合　文法官　鄭　忠　仁法官　劉　介　中法官　帥　嘉　寶法官　陳　鴻　斌以上正本證明與原本無異中　　華　　民　　國　　100　年　　3　　月　　29　　日書記官　張　雅　琴

最高行政法院(含改制前行政法院)100年度判字第424號

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