101年度判字第582號｜行政：發明專利舉發｜裁判日期：101 年 06 月 28 日

最　高　行　政　法　院　判　決 101年度判字第582號再審原告　矽創電子股份有限公司代　表　人　毛穎文訴訟代理人　陳群顯　律師許凱婷　律師再審原告　經濟部智慧財產局代　表　人　王美花再審被告　晶宏半導體股份有限公司代　表　人　徐豫東訴訟代理人　洪榮宗　律師楊東晏　律師林紋鈴　律師上列當事人間發明專利舉發事件，再審原告對於中華民國100年 3月10日智慧財產法院99年度行專訴字第25號判決、100年12月8 日本院100年度判字第2130號判決，提起再審之訴，本院判決如下：主文再審之訴駁回。再審訴訟費用由再審原告負擔。理由一、再審被告於民國92年11月26日以「具有凸塊之半導體裝置」向再審原告經濟部智慧財產局（下稱再審原告智慧局）申請發明專利，經編為第92133255號審查准予專利，發給發明第I239580號專利證書，其申請專利範圍共16項，其中第1、14項為獨立項，其餘均為附屬項。嗣再審原告矽創電子股份有限公司（下稱再審原告矽創公司）於96年6月15日以其違反專利法第22條第1項第1款、第4項及第26條第2、3項之規定，對之提起舉發。97年6月18日再審被告提出更正申請，經再審原告智慧局審查，經其認不准更正，且為「舉發成立，應撤銷專利權」之審定。再審被告不服，提起訴願，經訴願機關認原審定有理由不備之違誤，而為「原處分撤銷，由原處分機關另為適法之處分」之決定。經再審原告智慧局重為審查，於98年7月21日以（98）智專三（二）04066字第09820439940號專利舉發審定書仍為「舉發成立，應撤銷專利權」之審定（下稱原處分）。再審被告不服，提起訴願，經遭駁回，提起行政訴訟，經智慧財產法院99年度行專訴字第25號判決（下稱原判決）將訴願決定及原處分均撤銷，再審原告矽創公司不服，提起上訴，復經本院100年度判字第2130 號判決（下稱原確定判決）駁回，再審原告矽創公司嗣以原判決、原確定判決有行政訴訟法第273條第1項第1款規定之事由，對之提起再審之訴（關於以行政訴訟法第273條第1項第14款為再審事由部分，另裁定移送智慧財產法院）。二、再審原告矽創公司起訴及補充理由主張：原判決、原確定判決關於申請專利範圍第1、14項中「該保護層之該開口之一寬度」，更正為「該保護層之該開口成狹長溝槽狀，其相鄰銲墊方向之寬度」乙節，在認定該更正符合專利法第64條第1項關於「減縮」或「不明瞭記載之釋明」之要件後，竟以此為由指摘原處分判斷該更正是否符合同法條第2項「該更正不得超出原說明書或圖式所揭露之範圍」、以及「該更正不得實質變更申請專利範圍」之判斷有違誤，顯然將專利法第64條第1項之要件，與同法條第2項之要件混淆，原判決、原確定判決實有「未予正確適用專利法第64條第1、2項規定」之情形。又本件原處分及訴願決定係明確認定系爭專利更正「已實質變更申請專利範圍」，違反專利法第64條第2項之規定而不應准予更正，然本件原判決及原確定判決竟徒以系爭專利符合專利法第64條第1項之規定為由，指摘原處分與訴願決定認定系爭專利更正違反專利法第64條第2項之規定而不應准許之判斷有違誤，其適用法規顯屬有誤，且顯然影響判決結果，應予廢棄。另關於「保護層開口寬度之量測方向，限於相鄰銲墊方向」之部分，原判決及原確定判決於作出「此部分更正已超出說明書揭露之範圍」之認定後，未依專利法第64條第2項之規定，作出「更正不應准許」之判斷，確實有「適用法規顯有不當」之法定再審事由。又更正後之範圍既已額外包含與系爭專利發明說明所載實施例不相同之諸多可能態樣，即非通常知識者可直接無歧異自原說明書所能明確得知，當已超出原說明書所揭露之範圍，且該等與系爭專利發明說明所載實施例不相同之諸多可能態樣，其所欲解決之問題或可能與系爭專利實施例所欲解決之問題並不相同而有變更，故該等更正實更將造成實質變更，依專利法第64條第2項之規定，此部分之更正自不應予准許。關於「狹長型溝槽狀保護層開口」之部分，原判決及原確定判決亦未能正確適用專利法第64條第2項之規定，是本件確實具有「適用法規顯有錯誤」之法定再審事由等語，求為判決廢棄原確定判決，並駁回再審被告於原審之訴。三、再審被告答辯及補充理由則以：本案更正開口形狀為狹長型溝槽狀，本為系爭專利請求項1所涵蓋之範圍，再審被告將原開口並未限定形狀之範圍更正為狹長型溝槽狀之形狀，進而排除其它可能之形狀，並未超出原說明書所揭露之範圍，乃屬縮減專利範圍。其次，原判決既已指明：「再審原告已表明保護層開口之量測方向與系爭專利目的之達成間並無任何關連，且將『保護層開口之量測方向』限於『相鄰銲墊之方向』，亦未產生不可預期之功效」，自無涉是否超出或變更專利範圍。且參諸系爭專利申請前凸塊製造業者等系爭技術領域內之設計規範，亦均係以相鄰銲墊方向之圖式表現，誠屬該技術領域之通常知識，而可直接無歧異自系爭專利說明書及圖示內容得知，相關保護層開口之量測方向係指相鄰銲墊之方向，故就該部分之更正，自屬申請專利範圍之減縮或不明瞭記載之釋明。迺再審原告矽創公司所為指摘，乃係就原判決命為辯論及已論斷並載明得心證之理由，且亦經本院依法審酌認無違法者，猶任意泛言謂為違法，而再審原告矽創公司亦未表明判決所違背之法令及其具體內容，再審原告矽創公司之指摘顯不可採。且遍觀再審原告矽創公司之再審理由，無非係稱原審法院就有關系爭專利範圍解釋等相關事實認定及法律見解之歧異，泛稱為違法，然依本院97年判字第395號判例、100年度判字第2238號判決所揭，有關事實認定及法律見解之歧異，均非為再審之理由。迺再審原告矽創公司所為指摘、論述內容，仍不脫其於原判決案件中之相關指摘及論述，徒以廢棄之原再審原告智慧局處分及訴願決定作為其主張，乃係對事實審判決在法律涵攝過程中就實體事實認定及證據調查取捨等判斷為重複爭議，任意泛言謂為違法，其再審之訴自非合法且無理由，應予駁回。再者，行政訴訟法第273條明訂再審之訴僅得對「確定終局判決」提起之，原判決既非本案確定終局判決，再審原告矽創公司依第273條對之提起再審，已非合法。又縱認再審原告矽創公司係依行政訴訟法第274條對原判決提起再審(實則，再審原告矽創公司並未援引行政訴訟法第274條)，然如本院99年度裁字第3399號、96年度裁字第717號裁定意旨，原判決乃同一事件(本案)中之判決，非屬行政訴訟法第274條之「為判決基礎之裁判」，自不得為本案再審對象。又再審原告矽創公司之再審理由，均僅以原判決為指摘，其再審之訴顯不符行政訴訟法第274條之要件。另原確定判決可徵就再審原告矽創公司有關「狹長型溝槽狀」、「相鄰銲墊之方向」等相關主張、舉證，本院均已分別審酌、認定並敘明其得心證之理由，認本件更正未超出系爭專利原說明書所揭露之範圍，足徵並無再審原告矽創公司所諉稱：「本件更正已實質變更申請專利範圍」之情事。迺再審原告矽創公司所為指摘，仍係就原判決命為辯論及已論斷並載明何以不採再審原告矽創公司相關主張之理由，且亦經本院依法審酌認無違法者，猶任意泛言謂為違法，再審原告矽創公司之訴顯無理由。另原判決將該開口寬度之測量方向限定為相鄰銲墊方向，誠屬該技術領域之通常知識，而可直接無歧異自系爭專利說明書及圖示內容得知。此經本院依法審酌，認原判決認事用法並無不當，迺再審原告矽創公司所為指摘，乃係就原判決命為辯論及已論斷並載明得心證之理由，且亦經本院依法審酌認無違法者，猶任意泛言謂為違法其訴自無理由等語，資為抗辯。求為判決駁回再審原告之訴。四、原確定判決係以：原判決關於系爭專利申請專利範圍第1、14項之更正其開口形狀為狹長型溝槽狀，本應為系爭專利請求項1所涵蓋之範圍，故將原開口並未限定形狀之範圍更正為系爭專利說明書之實施例之狹長型溝槽狀之形狀，進而排除其它可能之形狀，應屬未超出原說明書所揭露之範圍，而為原申請專利範圍縮減之更正，且其所欲達成之發明目的相同；另申請專利範圍第3項之更正將突起區與中央區之高度差係不小於1μm，更正為限於1至2μm之數值範圍，應仍屬原說明書所揭露之範圍，且應為申請專利範圍減縮之更正，其所欲達成之發明目的亦同等事項之事實，以及原審定及訴願決定書如何不足採等事項均詳予以論述，是原判決所適用之法規與該案應適用之現行法規並無違背，與解釋判例，亦無牴觸，並無所謂原判決有違背法令之情形；上訴意旨以：原判決對於「狹長型溝槽狀之保護層開口」、「寬度限於相鄰銲墊之測量方向」及「突起區與中央區之高度差介於1至2μm」之認定及更正內容應否准許之判斷，有不適用法規、判決不備理由、判決理由矛盾之違法；另上訴人於原審主張「本件舉發證據14、16已揭露『長方形保護層開口』之技術特徵」、「參酌本院NO2舉發案判決結果，更足認被上訴人所稱『保護層開口寬度需限於相鄰銲墊方向量測』顯屬無稽」及「更正後之申請專利範圍仍不具進步性」等攻擊防禦方法，原判決未予審酌，亦未依職權對該等舉發證據之內容加以調查，有不適用法規及不備理由之違法云云。係就原審所為論斷或駁斥其主張之理由，泛言原判決不適用法規或適用不當，或就原審取捨證據、認定事實之職權行使，任意指摘原判決有違背法令情事，並非可採。至於上訴意旨所提：參酌100年5月1日施行之專利審查基準第2-6-71頁第(14)(i)點之規定，本件更正仍不應予以准許，原處分機關之判斷更無違誤云云，惟查本件舉發審定係於98年7月21日作成，自應適用審定時審查基準規定，上訴意旨所提並非本件應適用之行政規章，自無加以論述之必要。為其判斷之基礎。五、本院查：㈠、當事人對於確定終局判決提起再審之訴，必須具有行政訴訟法第273條第1項所列各款情形之一者，始得為之。但當事人已依上訴主張其事由或知其事由而不為主張者，不在此限。而行政訴訟法第273條第1項第1款所謂「適用法規顯有錯誤者」，係指原判決所適用之法規與該案應適用之現行法規相違背，或與解釋、判例有所牴觸者而言。至於事實之認定或法律上見解之歧異，再審原告對之縱有爭執，要難謂為適用法規錯誤，自不得據為再審之理由。㈡、經查，關於專利權人於舉發期間之更正關涉系爭案專利技術特徵之解釋，則是否合於上開專利法第64條第1、2項規定之更正要件，智慧財產局應併同舉發事由而為審定，若專利專責機關就申請專利範圍更正申請之認定違法，其審查舉發事由之基礎技術即有違誤，顯影響舉發審定結論正確性，自屬舉發審定處分違法，智慧財產法院行政訴訟庭自得逕以審定違法，撤銷舉發審定及維持該審定之訴願決定，無庸再引用專利法關於舉發程序中之程序規定作為撤銷理由（如專利法第71條第1項第3款、或同條第3項等）。本件原判決迂迴引用專利法第71條第1項第3款或同條第3項等作為撤銷原審定認定不准更正係屬錯誤之理由，見解雖有不同，惟尚不影響於判決之結果，與所謂判決不備理由之違法情形不相當。又原判決關於系爭專利申請專利範圍第1、14項之更正其開口形狀為狹長型溝槽狀，本應為系爭專利請求項1所涵蓋之範圍，故將原開口並未限定形狀之範圍更正為系爭專利說明書之實施例之狹長型溝槽狀之形狀，進而排除其它可能之形狀，應屬未超出原說明書所揭露之範圍，而為原申請專利範圍縮減之更正，且其所欲達成之發明目的相同；另申請專利範圍第3項之更正將突起區與中央區之高度差係不小於1μm，更正為限於1至2μm之數值範圍，應仍屬原說明書所揭露之範圍，且應為申請專利範圍減縮之更正，其所欲達成之發明目的亦同等事項之事實，以及原審定及訴願決定書如何不足採等事項均詳予以論述，是原判決所適用之法規與該案應適用之現行法規並無違背，與解釋判例，亦無牴觸，並無所謂原判決有違背法令之情形等情，均據原確定判決論明。原確定判決亦已說明再審原告矽創公司對於原判決之上訴指摘係屬就原審所為論斷或駁斥其主張之理由，泛言原判決不適用法規或適用不當，或就原審取捨證據、認定事實之職權行使，任意指摘原判決有違背法令情事，並非可採(原確定判決理由七參照)。經核其所適用之法規並無與應適用之法規相違背或與解釋、判例相牴觸之情事。㈢、本件原確定判決除說明原判決關於系爭專利申請專利範圍第1、14項之更正其開口形狀為狹長型溝槽狀，本應為系爭專利請求項1所涵蓋之範圍，故將原開口並未限定形狀之範圍更正為系爭專利說明書之實施例之狹長型溝槽狀之形狀，進而排除其它可能之形狀，應屬未超出原說明書所揭露之範圍，而為原申請專利範圍縮減之更正，且其所欲達成之發明目的相同；另申請專利範圍第3項之更正將突起區與中央區之高度差係不小於1μm，更正為限於1至2μm之數值範圍，應仍屬原說明書所揭露之範圍，且應為申請專利範圍減縮之更正，其所欲達成之發明目的亦同等事項之事實外。另亦載明原判決就原審定及訴願決定書如何不足採等事項均詳予以論述，並無所謂原判決有違背法令之情形。而原判決就原審定及訴願決定針對本件申請專利範圍更正本於第1、3、14項申請專利範圍之更正所提見解可議之處業已指明(原判決事實及理由㈤-㈧參照）。原判決已就本件牽涉專利法第64條第1項及第2項之要件之疑義予以指明，尚待再審原告智慧局予以究明，並無未正確適用專利法第64條第1、2項或將二者混淆之情形。且依原判決所指明本件申請專利範圍更正本於第1、3、14項申請專利範圍之更正牽涉申請專利範圍之解釋之重要性問題，宜由再審原告智慧局詳加審查，確認系爭已核准公告之專利權範圍後，始能就舉發證據得否證明系爭專利不具可專利要件部分為審查，此部分並經原確定判決實體審查後予以維持，經核亦無不合。再審原告矽創公司主張原判決、原確定判決有未正確適用專利法第64條第1、2項規定之情形；原判決、原確定判決徒以系爭專利符合專利法第64條第1項之規定為由，指摘原處分與訴願決定認定系爭專利更正違反專利法第64條第2項之規定而不應准許之判斷有違誤，其適用法規顯屬有誤；關於「狹長型溝槽狀保護層開口」之部分，原判決及原確定判決亦未能正確適用專利法第64條第2項之規定，本件確實具有「適用法規顯有錯誤」之法定再審事由；本件更正將造成實質變更，依專利法第64條第2 項之規定，此部分之更正自不應予准許等等，無非係就原判決及原確定判決均已論駁不採之主張，仍續予爭執據為再審理由，核屬法律上見解之歧異主張，要難謂係屬適用法規顯有錯誤。㈣、至於再審原告矽創公司指關於「保護層開口寬度之量測方向，限於相鄰銲墊方向」之部分，原判決及原確定判決於作出「此部分更正已超出說明書揭露之範圍」之認定後，未依專利法第64條第2項之規定，作出「更正不應准許」之判斷，確實有「適用法規顯有不當」之法定再審事由部分。經查，原判決係說明更正本於第1、14項以「該保護層開口……，其相鄰銲墊方向」所量測之寬度，取代原「保護層之開口之一」，雖未於原發明說明中以文字具體揭示，惟保護層開口之量測方向，本即與系爭專利發明目的及其所欲達成之功效無關，參酌再審原告矽創公司於99年11月29日之答辯（四）狀第8頁理由（二）之2亦主張「『保護層開口之量測方向』與系爭專利目的之達成間並無任何關連，且將『保護層開口之量測方向』限於『相鄰銲墊之方向』，亦未產生不可預期之功效」，則將原公告本未限定之測量方向，更正為限定為相鄰銲墊方向，是否屬申請專利範圍限縮之更正，或不明瞭事項之釋明，不無疑義。並已論明再審原告智慧局及訴願機關均係將「呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊方向」一併觀之，認該等文字未見於原申請專利範圍各請求項，亦未揭示於原說明書或圖式，即係實質變更原核准公告之申請專利範圍，其機械式之解釋方式，忽略文字表達技術思想之不足，有違專利制度鼓勵、保護發明及創作之目的。況再審原告矽創公司於舉發階段所提之證據3、4（見原審卷原證10、11），即再審原告矽創公司主張系爭專利申請前凸塊製造業者之設計規範，其亦係以相鄰銲墊方向之圖式表現，則將該開口寬度之測量方向限定為相鄰銲墊方向，是否如再審被告所主張為所屬技術領域之通常知識，該更正屬申請專利範圍之減縮，抑或不明瞭事項之記載，甚至是對系爭專利發明目的或功效不生任何影響之文字增刪，有無變更原發明之實質，此於再審原告智慧局及訴願機關分別各兩次之審定及決定中均未加以論述等情(原判決事實及理由五㈥參照)。經核該等論斷並無違經驗或論理法則。原判決已明確說明原審定可議而尚待究明之處，並為原確定判決所肯認。再審原告矽創公司僅摘錄原判決片斷，即遽指關於「保護層開口寬度之量測方向，限於相鄰銲墊方向」之部分，原判決及原確定判決於作出「此部分更正已超出說明書揭露之範圍」之認定，而未依專利法第64條第2項之規定，作出「更正不應准許」之判斷，有「適用法規顯有不當」之法定再審事由部分，自非可採。㈤、綜上所述，原判決、原確定判決並無行政訴訟法第273條第1項第1款適用法規顯有錯誤之情事，再審原告矽創公司起訴意旨，指摘原判決、原確定判決有上開再審事由，請求廢棄原確定判決，並駁回再審被告於原審之訴，顯無理由，均應予駁回。六、據上論結，本件再審之訴為無理由。依行政訴訟法第278條第2項、第98條第1項前段、第104條、民事訴訟法第85條第 1項前段，判決如主文。中　　華　　民　　國　　101　年　　6　　月　　28　　日最高行政法院第三庭審判長法官　吳　明　鴻法官　侯　東　昇法官　江　幸　垠法官　林　金　本法官　陳　國　成以上正本證明與原本無異中　　華　　民　　國　　101　年　　6　　月　　28　　日書記官　彭　秀　玲

最高行政法院(含改制前行政法院)101年度判字第582號

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