102年度判字第715號｜行政：發明專利舉發｜裁判日期：102 年 11 月 21 日

最　高　行　政　法　院　判　決 102年度判字第715號上訴人　晶元光電股份有限公司代　表　人　李秉傑訴訟代理人　郭雨嵐　律師范曉玲　律師謝祥揚　律師被上訴人　經濟部智慧財產局代　表　人　王美花參加人　陳威霖上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國102年6月27日智慧財產法院102年度行專訴字第19號行政判決，提起上訴，本院判決如下：主文上訴駁回。上訴審訴訟費用由上訴人負擔。理由一、緣國聯光電科技股份有限公司前於民國91年1月15日以「具複合反射層之高亮度發光二極體結構及其製造方法」向被上訴人申請發明專利，經被上訴人編為第91100498號審查，於92年9月2日審定准予發明第189531號專利（下稱系爭專利），嗣該專利移轉登記予上訴人。參加人於98年10月23日以系爭專利有違核准時即90年10月24日修正公布之專利法第20條第2項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。經被上訴人於101年8月27日以（101）智專三（二）04069字第10120884070號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。上訴人不服，循序提起行政訴訟，案經原審法院判決駁回其訴，並依職權命參加人獨立參加本件被上訴人之訴訟。上訴人仍不服，乃提起本件上訴。二、上訴人起訴主張：證據2、證據5、證據6欠缺結合動機，上開證據彼此間之組合無法證明系爭專利各申請專利範圍不具進步性。例如：系爭專利乃「在高溫環境下所生問題之解決方法」，證據2或證據5卻均屬「在較為低溫的環境下所生問題之解決方法」，彼此間差異甚大，熟習系爭技術之人更無「動機」將證據2或證據5與其他前案技術結合，進而完成系爭專利之技術；況擴散阻障層之形成方式及接合方法，證據2、證據5之教示與系爭專利顯存差異，無任何動機將證據2 或證據5另與其他習知技術結合，進一步完成系爭專利以沈積方式形成擴散阻障層之技術特徵。另證據2、證據6分別已有明確「反向教示」，熟習系爭技術之人更不可能將證據2 、證據6與其他習知技術結合，進而完成系爭專利技術特徵，前開證據彼此間之組合自無法證明系爭專利各申請專利範圍欠缺進步性；況縱將證據6與證據2或證據5直接結合，熟習系爭技術之人仍然無法「輕易完成」系爭專利揭示之技術內容。從而，證據2、證據5、證據6各自間之組合，自無法證明系爭專利欠缺進步性等語，求為判決撤銷訴願決定及原處分。三、被上訴人則以：（一）因證據2、證據5及證據6均為發光二極體之相同領域，且證據6揭示系爭專利為解決因高溫退火時反射金屬層與LED磊晶層間之反射率降低之問題，故熟習該項技術者在參酌證據2或證據5所揭示之結構下，為解決發光層與反射金屬層間因高溫退火時反應而降低反射率之問題，有合理之動機會採用證據6之ITO透明導電氧化物8，於光發射層結構與導體基板26上之反射金屬層30間加入一惰性透明導電型氧化層，來完成系爭專利之發明，故系爭專利為發明所屬技術領域中具通常知識者依據證據2（或證據5）與證據6之組合所能輕易完成。（二）另上訴人主張關於證據2或證據5均屬解決低溫環境下所生之問題，與系爭專利解決高溫下所產生之問題，彼此差異很大云云，此主張並非系爭專利請求項所限定之條件，再者，證據2所揭示較低溫係指以金錫合金作為焊接層可在較低溫下進行基板與磊晶層之黏著，而系爭專利之請求項3之金屬黏著層亦採用金錫合金，故系爭專利亦採用證據2或證據5相同之金屬黏著層材料，至於上訴人主張系爭專利在解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題，此技術特徵乃揭露於證據6 ，且證據2及證據5與證據6於技術上並無不相容處，故熟習該項技術在參酌證據2或證據5之結構下為解決因高溫退火時反射金屬層與LED磊晶層間之反射率降低之問題有動機會採用證據6所揭示之結構或方法而完成系爭專利之發明。（三）又證據6與系爭專利均屬解決因高溫退火時反射金屬層與 LED磊晶層間之反射率降低之問題，將惰性透明導電氧化層設於光發射層結構與反射金屬層之間，以達到防止高溫退火時反射金屬層與LED磊晶層間之反射率降低之功效相同，且證據6之第4圖揭示該ITO可置於下包覆層4與金屬反射層9之間，故熟習該項技術者在依據證據2或證據5揭示之結構下，為解決高溫退火時反射金屬層與LED磊晶層間之反射率降低，易於思及採用證據6所教示於反射金屬層與LED磊晶層間插入一惰性透明導電氧化層。上訴人主張「證據6乃在教示在『半導基板』與『金屬電極板』間加入『透明導電氧化層』之技術特徵，縱將證據6教示與證據2或證據5直接結合，熟習系爭專利技術之人仍無法『輕易完成』系爭專利揭示之技術內容」云云，並無理由等語，資為抗辯，求為判決駁回上訴人之訴。四、參加人則以：（一）證據2是利用晶圓接合技術（wafer bonding）製造之具有鏡面基板（mirror substrate）的發光二極體（LED）、證據5是利用金屬黏著層將具有反射金屬層之LED結構黏著於導電基板上、證據6則是利用惰性透明導電氧化層ITO的發光二極體（LED）。證據2、證據6之組合或證據5、證據6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項至第4項不具進步性；而證據2、證據5、證據6之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性。（二）證據2與系爭專利之第2技術特徵相同，上訴人辯稱證據2不同於系爭專利或有「反面教示」云云。惟上訴人所謂證據2可以在較低溫度進行黏合，係指證據2因為利用低熔點之金錫焊接層進行晶片融合，因此可以在較低溫度下進行，而非指「形成n 型歐姆接觸金屬層」於較低溫度下進行。而系爭專利之金屬黏著層124也是選自低溫金屬或焊錫，以方便於低溫下進行晶片融合，故可得知「利用低熔點之金錫焊接層進行晶片融合」與「形成n型歐姆接觸金屬層」所需溫度無關。因此證據2形成n型歐姆電極之狀況與系爭專利完全相同，當然會有高溫退火製程。（三）證據5主要與系爭專利之第2技術特徵相同，係解決因後續製程溫度導致金屬反射層34與金屬黏著層38產生兩層材料產生混合。上訴人辯稱證據5與系爭專利不同，無非以「證據5未能防止金屬反射層與p型歐姆接觸層反應之問題」云云，上訴人上述辯稱內容屬於第1技術特徵，而證據5主要與系爭專利之第2技術特徵相同。（四）證據6與系爭專利之第1技術特徵相同，也是解決金屬反射層與III-V族半導體反應之問題，並提出於金屬反射層（即金屬電極反射層9）與III-V族半導體（即GaAs基板5）之間，多了一層「惰性導電性氧化層」（即ITO透明導電氧化層8）以防止「金屬反射層與III-V族半導體因後續製程溫度反應，使金屬反射層表面合金化粗糙進而降低反射率」。上訴人辯稱證據6不同於系爭專利云云，顯無理由等語，資為抗辯，求為判決駁回上訴人之訴。五、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：（一）系爭專利技術內容：系爭專利為一高效率之發光二極體具有鏡面反射層形成於其中，其中鏡面反射層係由一透明導體氧化層和一高反射金屬層所構成，透明導電型氧化層可允許絕大多數的光通過然後再被反射金屬層反射回來。透明導電型氧化層可以選取和高反射金屬層不會反應或幾乎不反應的材料，這樣即使是在高溫環境下，也可避免在進行歐姆接觸退火步驟時反射金屬層和III-V族化合物半導體的反應所導致反光性退化的問題。因此，具有上述之鏡面反射層之發光二極體可以使得產品具有高良率，進而降低製造成本。而本創作所欲解決的技術問題其一為：n型歐姆接觸金屬電極47係在所述光發射磊晶層40和一支撐基板35黏著後再進行，因此，為達到低接觸電阻之目的，高溫退火製程通常是必要的，但這一製程步驟，通常就會犧牲掉反射金屬層37b之反射率。如果不希望犧牲掉反射層之反射率，勢必不能進行高溫退火，換言之，就不能達到低阻值歐姆接觸的目的。另一目的則係提供一種防止反射金屬層和p型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構（多加一惰性導電性氧化層於反射金屬層與p型歐姆接觸層之間）。（二）系爭專利申請專利範圍依101年3月9日更正本（101年9月 11日公告）共計5項，其中第1項、第3項、第5項為獨立項，其餘項次為附屬項（主要圖面如原判決附圖1所示）。１、第1項：一種發光二極體，至少包含：一導體基板；一光發射層結構，具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一惰性透明導電型氧化層形成於該光發射層結構上；一反射金屬層形成於該惰性透明導電型氧化層上；一金屬黏著層黏著該導體基板及該反射金屬層，以形成該發光二極體；以及一擴散阻障層形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間。２、第2項：如申請專利範圍第1項之發光二極體，其中上述之擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種。３、第3項：一種發光二極體，至少包含：一導體基板；一反射金屬層形成於該導體基板上；一惰性透明導電型氧化層形成於該反射金屬層上；一光發射層結構，形成於該惰性透明導電型氧化層上，該光發射層結構具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一金屬黏著層形成於該反射金屬層與該導體基板之間，該金屬黏著層係選自由In、Au-Sn合金、Au-Si合金、Pb-Sn合金、Au-Ge 合金或PdIn合金其中之一種；及一擴散阻障層形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間。４、第4項：如申請專利範圍第3項之發光二極體，其中上述之擴散阻障層材料係選自由導電型氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種。５、第5項：一種發光二極體之製造方法，至少包含以下步驟：提供一發光二極體磊晶層，該磊晶層包含複數層III-V 族化合物半導體層形成於一暫時性基板上；形成一惰性透光性導電氧化層在該磊晶層上；形成一反射金屬層於該惰性透光性導電氧化層上；提供一導體基板，該導體基板具有第一歐姆接觸金屬層於該導體基板之上表面，一第二歐姆接觸金屬層於該導體基板之下表面；利用一低熔點金屬黏著層將該第一歐姆接觸金屬層與該反射金屬層粘貼在一起；移除該暫時性基板；形成一歐姆接觸金屬層於該發光二極體磊晶層之裸露表面，以做為歐姆接觸電極；及先形成一擴散阻障層於該反射金屬層上，再進行該低熔點金屬黏著層黏著步驟。（三）參加人主張系爭專利申請專利範圍第1至5項不具進步性，所引用之證據包括：１、證據2：90年9月21日公告之我國第89116141號「發光二極體及其製造方法」專利案。其公開日早於系爭專利案申請日（91年1月15日），可為系爭專利相關之先前技術。其技術內容運用了一高導電性與高反射性之金屬以避免發出之光被基板吸收掉，以及採用可融化成液態之焊接層來進行焊接製程，因此可獲得較佳之導接性質同時可在較低的溫度下進行焊接製程。本發明係提供垂直堆疊之發光二極體晶粒結構，因此僅需要一單一之導線，可使得發光二極體的配線變得更容易施行，並且可以降低製造成本。此外，本發明可以大幅降低發光二極體晶粒之尺寸，且具有較佳之散熱效果，因此發光二極體的效能穩定性較佳且可以被應用於較高的電流強度之下（主要圖面如原判決附圖2 所示）。２、證據5：2001年4月24日公告之美國第6222207號「DIFFUS ION BARRIER FOR INCREASED MIRROR REFLECTIVITY IN REFLECTIVE SOLDERABLE CONTACTS ON HIGH POWER LED CHIP」專利案。其公開日早於系爭專利案申請日（91年1 月15日），可為系爭專利相關先前技術。其技術內容為使用能夠在LED晶片的高溫製程中防止反射層與銲著層間分子遷移的擴散阻障層（diffusion barrier）可銲接LED晶片及其製造方法（主要圖面如原判決附圖3所示）。３、證據6：1998年1月6日公開之日本特開平00-000000號「面發光型半導体發光素子」專利案，其公開日早於系爭專利案申請日（91年1月15日），可為系爭專利相關先前技術。其技術內容在於提供一種面發光型半導體發光元件，將朝向光取出面相反側的光效率佳地取出到外部。其在半導體基板5與n側電極9之間夾著透明電極8，所以退火不會導致合金化。因此，金屬電極9之反射面能保持平坦的狀態，不形成粗糙面（主要圖面如原判決附圖4所示）。（四）證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1至4項不具進步性：１、證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性： ⑴系爭專利申請專利範圍第1項「一種發光二極體，至少包含：一導體基板（26）；一光發射層結構（12、14及16），具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一反射金屬層（30）形成於光發射層結構與該導體基板（26）之間；一金屬黏著層（22）黏著該導體基板（26）及該反射金屬層（30），以形成該發光二極體；以及一擴散阻障層（抗融化層）形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間」之技術特徵均為證據2、證據6所揭露，且為其所屬發光二極體技術領域中具有通常知識者可輕易將證據6所揭示之在磊晶結構層與金屬層之間形成有透明導電膜之技術，組合運用於證據2所揭示發光二極體中的磊晶結構與p型歐姆接觸金屬層間，並可預期如證據6專利說明書第[0009]文段（見原審卷第104頁）所教示獲得p型歐姆接觸金屬層與磊晶結構之相對表面能保持平坦不成粗糙表面可有效地反射到光取出面的功效，是系爭專利申請專利範圍第1項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據2、證據6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。 ⑵上訴人固主張：證據2在解決與系爭專利技術特徵不相同之技術問題，無任何動機與證據6結合而完成系爭專利技術，證據2有反向教示，縱將證據6與證據2直接結合仍無法輕易完成系爭專利等語。惟證據2之較低溫環境乃是對「p型歐姆金屬接觸層」與「基板側之歐姆金屬接觸層」，與所稱之高溫環境進行處理的對象不同，自無所稱之反向教示。再者，證據2與證據6於技術上並無不相容處，故熟悉該項技術在參酌證據2之結構下為解決因高溫退火時反射金屬層與LED磊晶層間之反射率降低之問題有動機會採用證據6所揭示之結構或方法而完成系爭專利之發明。又上訴人所稱之半導體層的載子型態僅記載於系爭專利說明書，在系爭專利申請專利範圍未明確記載該技術限定且系爭專利並未強調克服或是解決n型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生接觸之問題，而改採用p型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，亦未提出適當之通常知識或是先前技術佐證p型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸，自難認為p型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間有組合困難。另證據6 第[0009]文段明確揭示：「……於最下層之半導體層與其下金屬電極之間形成有透明導電膜，所以退火不會導致金屬電極及半導體層合金化……」（見原審卷第104頁反面），並未限制與透明導電膜接觸之半導體層載子型態。從而，證據2與證據6之組合已揭露系爭專利所欲解決的問題及解決問題的技術手段、無反向教示，並明確教示透明電極層的形成位置及所能獲得的功效，故熟悉發光二極體技術者有合理的的動機組合先前技術，且能輕易完成。故證據2與證據6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。２、證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第2項為依附於第1項之附屬項，可以當作擴散阻障材料。上訴人固主張擴散阻障層之形成方式及接合方法，證據2、證據5之教示與系爭專利顯存差異，無任何動機將證據2或證據5另與其他習知技術結合，進一步完成系爭專利以沈積方式形成擴散阻障層之技術特徵等語。惟上訴人所稱之擴散阻障層之形成方式，在系爭專利申請專利範圍第2項中並未明確記載其形成方式。其次，系爭專利申請專利範圍第2項之標的為發光二極體，屬物品發明範疇，所稱「沉積」乃屬方法步驟，其對於發光二極體整體是否具專利性，仍需以該沉積方法所賦與特性之擴散阻障層本身，並非由製造方法決定。再者，證據2已明確揭露系爭專利說明書所記載之高溫金屬材料鎢及鉬，當然能達到與系爭專利相同之功效，上訴人此部分之主張，尚無可採。３、證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性：證據2第3圖（見原審卷第92頁）揭示一種發光二極體，其中「矽基板26」、「p型歐姆接觸金屬層30」、「p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層之磊晶結構16」、「焊接層22」及「抗融化層」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第3項之「導體基板」、「反射金屬層」、「光發射層結構」、「金屬黏著層」及「擴散阻障層」。而證據2與系爭專利申請專利範圍第3項之差異在於：第3項尚有一惰性透明導電型氧化層，介於光發射層結構與反射金屬層之間，然此部分技術特徵亦為證據6所揭露，且證據2、6之組合已揭露系爭專利所欲解決之問題及解決問題之技術手段、無反向教示，以及明確教示透明電極層的形成位置及所能獲得的功效，是熟悉發光二極體技術者有合理動機組合並能輕易完成。故證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性。４、證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性：證據2在其專利說明書第9頁第9至10行（見原審卷第87頁反面）載明：抗融化層材料，例如鉑、鉬、或鎢等金屬層，上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第4項即擴散阻障層材料係選自由導電型氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族的其中之一種之技術特徵。故證據2、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。（五）證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1至4項不具進步性：１、證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵均為證據5、證據6所揭露，且為其所屬發光二極體技術領域中具有通常知識者可輕易將證據6所揭示之在磊晶結構層與金屬層之間形成有透明導電膜之技術，組合運用於證據5 所揭示發光二極體中的磊晶結構與p型歐姆接觸金屬層間，並可預期如證據6專利說明書第[0009]文段（見原審卷第104頁）所教示獲得p型歐姆接觸金屬層與磊晶結構之相對表面能保持平坦不成粗糙表面可有效地反射到光取出面的功效，是系爭專利申請專利範圍第1項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據5、證據6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。２、證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第2項為依附於第1項之附屬項，證據5在其專利說明書記載：耐火金屬，例如鉬、鎢、或鉭等可以當做擴散阻障材料，而上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第2項即擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種之技術特徵。故證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。３、證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性：證據5在第2圖（見原審卷第94頁）揭示一種發光二極體，其中「基板40」、「LED之磊晶結構28」、「反射層34」、「焊料層38」及「擴散阻障層36」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第3項之「導體基板」、「光發射層結構」、「反射金屬層」、「金屬黏著層」及「擴散阻障層」。證據5與系爭專利申請專利範圍第3項之差異在於：系爭專利尚有一惰性透明導電型氧化層，介於光發射層結構與反射金屬層之間。惟此部分技術特徵亦經證據6所揭露，均詳如上述，是熟悉發光二極體技術者有合理動機組合並能輕易完成。故證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性。４、證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第4項為依附於第3項之附屬項，證據5在其專利說明書記載：耐火金屬，例如鉬、鎢、或鉭等可以當做擴散阻障材料，而上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第4項即擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種之技術特徵。故證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。（六）證據2、5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性：證據2在專利說明書第7頁第3行至第10頁第5行及第1至3圖（見原審卷第86至88、91至92頁）揭示一種發光二極體之製造方法，其中「n型砷化鎵基板20」、「p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層16」、「p型歐姆接觸金屬層30」、「矽基板26」、「歐姆接觸金屬層24」、「歐姆接觸金屬層28」、「焊接層22」、「歐姆接觸金屬層32」及「抗融化層」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第5項之「暫時性基板」、「III-V族化合物半導體層」、「反射金屬層」、「導體基板」、「第一歐姆接觸金屬層」、「第二歐姆接觸金屬層」、「金屬黏著層」、「歐姆接觸金屬層」及「擴散阻障層」。證據2與系爭專利申請專利範圍第5項之差異在於：系爭專利申請專利範圍第5項先形成有一惰性透明導電型氧化層於磊晶層（12、14及16）上，再形成反射金屬層（30）於惰性透明導電型氧化層上。惟證據6業已揭示該技術特徵。準此，系爭專利申請專利範圍第5項之技術特徵均為證據2、證據6所揭露，且為其所屬發光二極體技術領域中具有通常知識者可輕易將證據6所揭示之在磊晶結構層與金屬層之間形成有透明導電膜之技術，組合運用於證據2所揭示發光二極體中的磊晶結構與p型歐姆接觸金屬層間，是系爭專利申請專利範圍第5項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據2、證據6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性，且因證據2、證據6之組合既足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性，故證據2、證據5、證據6之組合自亦足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性。（七）綜上所述，證據2、6之組合或證據5、6之組合既足以證明系爭專利申請專利範圍第1至4項不具進步性；證據2、5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性，系爭專利有違系爭專利核准審定時有效之專利法第20條第2項規定，則被上訴人就本件專利舉發案所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合。上訴人訴請撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回等語，資為其判斷之論據。六、上訴人上訴意旨略以：（一）上訴人於原審一再主張系爭專利與證據2、證據5間顯存差異，並具體指明系爭專利乃「在高溫環境下所生問題之解決方法」，證據2或證據5卻均屬「在較為低溫的環境下所生問題之解決方法」，彼此間差異甚大；關於證據2、證據5是否確有實施高溫退火製程，乃至於該二證據之製程溫度為何，是否與系爭專利相同等節，均屬本案重要爭點。惟原判決對於本件訴訟當事人於言詞辯論程序中所爭執之證據2是否實施高溫退火製程、乃至於其製程溫度為何等重要爭點，均棄置未論，且亦未於判決理由敘明何以該等重要爭點毋須斟酌。從而，原判決之論理不僅速斷失據，更有判決不備理由之違失。（二）此外，上訴人於原審亦一再爭執：熟習系爭技術之人於系爭專利申請時已明知「p型半導體」與他種材料間之接觸效果，與「n型半導體」與他種材料間之接觸效果，顯非必然相等，「p型半導體」與「n型半導體」兩者無法任意置換，並經上訴人於言詞辯論程序中具體指明，原判決未加斟酌且未依全辯論意旨作成裁判，復未於判決記明其不予斟酌之理由，同有判決不備理由之違法。（三）證據6所使用之「n型半導體」材質能否與證據2、5所使用之「p型半導體」材質任意互相置換，原審法院未依職權調查證據，逕以上訴人「未能提出適當之通常知識或先前技術佐證p型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸」，即遽為不利上訴人之論斷，且未依法向當事人闡明訴訟爭點並使當事人為適當完全辯論。另前述爭點之關鍵既然係在於證據2、5使用之「p型半導體」材質能否與證據6使用之「n型半導體」材質任意置換，與原判決所持理由「系爭專利並未強調克服或是解決n型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生之接觸問題，而改採用p型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，並無關連。」，是原判決顯有判決理由不備、理由矛盾之違失，併有調查職責未盡之判決違背法令。（四）關於證據2、證據5與系爭專利間顯存差異，證據2、證據6各自均已有明確「反向教示」等節，均屬本件重要訴訟爭點，與上訴人主張熟習系爭技術之人欠缺將證據2、證據5與證據6結合之「合理動機」有否理由，至為攸關，並與證據2、5、6各自間之組合能否證明系爭專利究否欠缺進步性，更有直接關連。然而，原判決未遑詳究，竟就前此重要訴訟爭點棄置未論，復未敘明何以上訴人前述主張仍無從據以作成有利於上訴人論斷之理由，原判決顯有漏未斟酌重要訴訟爭點及證據資料，暨判決理由不備等判決違背法令等語，求為判決廢棄原判決，並撤銷訴願決定及原處分，或發回原審法院。七、本院查： (一）按「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。」為90年10月24日修正公布之專利法第20條第2項所明定。此即關於專利進步性之規定。又「行政法院為裁判時，應斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，依論理及經驗法則判斷事實之真偽。但別有規定者，不在此限。」「得心證之理由，應記明於判決。」亦為行政訴訟法第189條第1項、第3項所定。（二）查證據2、6之組合或證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1至4項不具進步性；證據2、5 、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性，系爭專利有違系爭專利核准審定時有效之專利法第20條第2項規定，被上訴人就本件專利舉發案所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，並無違誤，業經原判決逐項檢視後，敘明其得心證理由，並就上訴人各項主張說明其不採之理由，據以駁回上訴人之訴，核無不合。（三）次查證據2之較低溫環境乃是對「p型歐姆金屬接觸層」與「基板側之歐姆金屬接觸層」，與所稱之高溫環境進行處理的對象不同，自無所稱之反向教示。又證據2與證據6於技術上並無不相容處，故熟悉該項技術在參酌證據2之結構下，為解決因高溫退火時反射金屬層與LED磊晶層間之反射率降低之問題，有動機會採用證據6所揭示之結構或方法而完成系爭專利之發明。又上訴人所稱之半導體層的載子型態僅記載於系爭專利說明書，在系爭專利申請專利範圍未明確記載該技術限定，且系爭專利並未強調克服或是解決n型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生接觸之問題，而改採用p型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，亦未提出適當之通常知識或是先前技術佐證p型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸，自難認為p型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間有組合困難。另證據6第[0009]文段明確揭示：「……於最下層之半導體層與其下金屬電極之間形成有透明導電膜，所以退火不會導致金屬電極及半導體層合金化……」，並未限制與透明導電膜接觸之半導體層載子型態。從而，證據2與證據6之組合已揭露系爭專利所欲解決的問題及解決問題的技術手段、無反向教示，並明確教示透明電極層的形成位置及所能獲得的功效，故熟悉發光二極體技術者有合理的的動機組合先前技術，且能輕易完成等由，業經原判決針對上訴人之主張詳予指駁在案。經查證據2主要發明技術在於運用了一高導電性與高反射性之金屬以避免發出之光被基板吸收掉，以及採用可融化成液態之焊接層來進行焊接製程，因此可獲得較佳之導接性質同時可在較低的溫度下進行焊接製程。證據5主要發明技術在於使用能夠在LED晶片的高溫製程中防止反射層與銲著層間分子遷移的擴散阻障層(diffusion barrier)可銲接 LED晶片及其製造方法。證據6技術內容則在於提供一種面發光型半導體發光元件，將朝向光取出面相反側的光效率佳地取出到外部。其在半導體基板5與n側電極9之間夾著透明電極8，所以退火不會導致合金化。因此，金屬電極9之反射面能保持平坦的狀態，不形成粗糙面。經查三者技術層面不同，但其技術上並無不相容處，其不同技術層面經組合後，足以證明系爭專利申請專利不具進步性。又因證據2與證據5之技術縱係解決低溫製程之問題，然因證據6係解決高溫之製程產生之問題，故互相結合後，已足以證明系爭專利不具進步性，不因證據2、證據5是否解決高溫製程問題而生影響。故原判決以低溫製程與所稱之高溫環境進行處理的對象不同，自無所稱之反向教示等語，自無不合。上訴意旨仍以：其一再主張系爭專利乃「在高溫環境下所生問題之解決方法」，證據2或證據5卻均屬「在較為低溫的環境下所生問題之解決方法」，彼此間差異甚大；關於證據2、證據5是否確有實施高溫退火製程，乃至於該二證據之製程溫度為何，是否與系爭專利相同等節，均屬本案重要爭點。惟原判決對於本件訴訟當事人於言詞辯論程序中所爭執之證據2是否實施高溫退火製程、乃至於其製程溫度為何等重要爭點，均棄置未論，且亦未於判決理由敘明何以該等重要爭點毋須斟酌，原判決有判決不備理由之違失云云。無非係再持其主觀歧異法律見解，就原判決已論述不採之爭點，再事爭執，核無足取。（四）上訴意旨另以：證據2、5使用之「p型半導體」材質能否與證據6使用之「n型半導體」材質任意置換，原判決所持理由「系爭專利並未強調克服或是解決n型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生之接觸問題，而改採用p型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，並無關連。」。又證據6所使用之「n型半導體」材質能否與證據2、5所使用之「p型半導體」材質任意互相置換，原審法院未依職權調查證據，逕以上訴人「未能提出適當之通常知識或先前技術佐證p型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸」，即遽為不利上訴人之論斷，且未依法向當事人闡明訴訟爭點並使當事人為適當完全辯論。是原判決顯有判決理由不備、理由矛盾之違失，併有調查職責未盡之判決違背法令等情。經查系爭專利技術內容為一高效率之發光二極體具有鏡面反射層形成於其中，其中鏡面反射層係由一透明導體氧化層和一高反射金屬層所構成，透明導電型氧化層可允許絕大多數的光通過然後再被反射金屬層反射回來。透明導電型氧化層可以選取和高反射金屬層不會反應或幾乎不反應的材料，這樣即使是在高溫環境下，也可避免在進行歐姆接觸退火步驟時反射金屬層和III-V族化合物半導體的反應所導致反光性退化的問題。因此，具有上述之鏡面反射層之發光二極體可以使得產品具有高良率，進而降低製造成本。而本創作所欲解決的技術問題其一為：n型歐姆接觸金屬電極47係在所述光發射磊晶層40和一支撐基板35黏著後再進行，因此，為達到低接觸電阻之目的，高溫退火製程通常是必要的，但這一製程步驟，通常就會犧牲掉反射金屬層37b之反射率。如果不希望犧牲掉反射層之反射率，勢必不能進行高溫退火，換言之，就不能達到低阻值歐姆接觸的目的。另一目的則係提供一種防止反射金屬層和p型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構（多加一惰性導電性氧化層於反射金屬層與p型歐姆接觸層之間），已如上述。是系爭專利係以惰性導電性氧化層置於反射金屬層與p型歐姆接觸層之間，而n型歐姆係接觸金屬電極，二者處理對象不同。經查原判決就此已敘明：上訴人所稱之半導體層的載子型態僅記載於系爭專利說明書，在系爭專利申請專利範圍未明確記載該技術限定，且系爭專利並未強調克服或是解決n 型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生接觸之問題，而改採用p型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，亦未提出適當之通常知識或是先前技術佐證p 型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸，自難認為p型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間有組合困難。另證據6第[0009]文段明確揭示：「……於最下層之半導體層與其下金屬電極之間形成有透明導電膜，所以退火不會導致金屬電極及半導體層合金化……」，並未限制與透明導電膜接觸之半導體層載子型態。從而，證據2與證據6之組合已揭露系爭專利所欲解決的問題及解決問題的技術手段、無反向教示，並明確教示透明電極層的形成位置及所能獲得的功效，故熟悉發光二極體技術者有合理的的動機組合先前技術，且能輕易完成。故證據2 與證據6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性等由。已指明系爭專利所欲解決之技術特徵，不在n型半導體」材質或「p型半導體」材質能否任意互相置換，亦不在該材質與惰性透明導電型氧化層形成接觸等問題。又查既然該材質與惰性透明導電型氧化層形成接觸，不是系爭專利之特徵，則法院就此尚無庸依職權加以調查，如上訴人可以提出反證，證明p型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸，自有舉證責任。上訴人至今就此並未提出有利證據資料，僅空言原審未盡闡明義務，尚無足取。故原判決以：系爭專利並未強調克服或是解決n型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生接觸之問題，而改採用p型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，上訴人亦未提出適當之通常知識或是先前技術佐證p型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸，自難認為p型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間有組合困難等由，經核尚無不合。上述上訴意旨無非其主觀法律歧異見解，自難謂原判決有理由不備、理由矛盾或違背依職權調查規定之違法。（五）上訴意旨其他主張，均經原判決詳述其得心證之理由，並逐一指駁上訴人主張何以不可採，上訴意旨猶執原詞加以爭執，核係對原判決已敘述不採之理由，再以其法律上主觀歧異見解，指摘原判決違背法令，自無可採。（六）綜上所述，原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，將訴願決定及原處分均予維持，駁回上訴人之訴，核無違誤。上訴論旨，仍執前詞，指摘原判決違背法令，求予廢棄，為無理由，應予駁回。八、據上論結，本件上訴為無理由。依智慧財產案件審理法第1 條、行政訴訟法第255條第1項、第98條第1項前段，判決如主文。中　　華　　民　　國　　102　年　　11　　月　　21　　日最高行政法院第三庭審判長法官　藍　獻　林法官　林　文　舟法官　胡　國　棟法官　林　玫　君法官　廖　宏　明以上正本證明與原本無異中　　華　　民　　國　　102　年　　11　　月　　21　　日書記官　葛　雅　慎

最高行政法院(含改制前行政法院)102年度判字第715號

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