最高行政法院(含改制前行政法院)109年度上字第249號

最 高 行 政 法 院 判 決

109年度上字第249號

上訴人

家登精密工業股份有限公司

代表人

邱銘乾

訴訟代理人

郭雨嵐 律師

訴訟代理人

汪家倩 律師

訴訟代理人

潘皇維 律師

被上訴人

經濟部智慧財產局

代表人

洪淑敏

參加人

美國安堤格里斯公司

代表人

Arlene Hornilla

訴訟代理人

張哲倫 律師

陳初梅 律師

陳佳菁 律師

上列當事人間新型專利舉發事件，上訴人對於中華民國108年12月25日智慧財產法院108年度行專訴字第38號行政判決，提起上訴，本院判決如下：

主文

理由

一、上訴人前於民國103年9月24日以「具有標記之極紫外光光罩盒」向被上訴人申請新型專利，申請專利範圍共7項，經被上訴人編為第103216982號進行形式審查准予專利後，發給新型第M496146號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人以系爭專利違反核准處分時專利法第104條、第120條準用第26條、第22條第1項第1款及第2項之規定，對之提起舉發。上訴人則於107年1月11日及25日提出系爭專利更正本，請求刪除說明書之贅字及系爭專利請求項1、3、4，並將請求項5改寫為獨立項。案經被上訴人審查，認其更正符合規定，乃准予更正並依該更正本審查，惟認為更正後系爭專利違反前揭專利法第120條準用第22條第1項第1款及第2項規定，以107年9月21日（107）智專三（五）01103字第10720885520號專利舉發審定書為「107年1月11及25日之更正事項，准予更正」、「請求項2、5至7舉發成立，應予撤銷」、「請求項1、3至4舉發駁回」之處分。上訴人不服原處分關於舉發成立部分，提起訴願，經訴願決定駁回，上訴人猶未甘服，循序向智慧財產法院(110年7月1日更名為智慧財產及商業法院，下稱原審)提起行政訴訟，訴請撤銷原處分「請求項2、5至7舉發成立，應予撤銷」部分及訴願決定。經原審依職權命參加人獨立參加被上訴人之訴訟，並以原審108年度行專訴字第38號行政判決（下稱原判決）駁回其訴後，上訴人提起本件上訴。

二、上訴人起訴主張及被上訴人暨參加人在原審答辯及聲明，均引用原判決所載。

三、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，判決駁回上訴人之訴，係略以：

(一)依本院107年度判字第163號判決意旨，參證1並非參加人另提之獨立新證據，而係原舉發的證據補強之用，易言之，參證1並非參加人本於同一舉發基礎事實（不具進步性）所另提之獨立新證據，僅係作為補強原舉發證據證明力之補強證據，自非智慧財產案件審理法第33條所稱「新證據」。至本院108年度判字第211號判決並非認定佐證發明所屬技術領域之通常知識的書籍即為新證據，上訴人援引該判決用以佐證發明所屬技術領域之通常知識的書籍，為智慧財產案件審理法之「新證據」之主張，不無誤解該判決理由，而有悖於判決全文意旨，尚無可取。

(二)證據1、2之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性：

⒈依證據1說明書第0002段、第0054段及圖3、圖4、第0087段及第0088段揭示之內容，系爭專利請求項5所揭示光罩盒之盒體、標記、加工機台之感測器等技術特徵，已為證據1之標線載體3、位置量測標記25至27及感測裝置位置量測裝置28至30所揭露，因此，證據1已揭示系爭專利請求項5部分技術特徵。

⒉證據1雖未直接揭示系爭專利請求項5部分技術特徵，然：

⑴依證據1說明書第0088段以及第0090段所示內容，證據1 雖未具體揭示系爭專利請求項5所界定的「該至少一標記之表面粗糙度介於0um到2.00um之間」之技術特徵，惟系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，參酌證據1具有像十字之形狀的標記僅具有微細的結構，自可理解該技術特徵，可依使用者的需求而做設定，即可達成。佐以系爭專利說明書第0022段之記載，顯然標記的表面粗糙度與機台偵測到由該表面反射之光線產生的訊號（即電壓）強度有關聯，而表面粗糙度是可依使用者之需求設定，藉以產生不同的電壓強度。是以上開系爭專利請求項5所界定之技術特徵，係屬依使用者的需求而做的設定，故系爭專利請求項5相對於證據1 ，並未產生無法預期之功效。

⑵次依系爭專利說明書第0010段及第0012段記載，系爭專利所欲解決問題，在於光罩盒上刻出一具有一粗糙度之標記，以便於加工機台以機器視覺識別其位置。而參酌參證1所示復漢出版社於74年8月出版之「雷射加工技術」、中央圖書出版社於74年出版之「雷射工程導論」等內容，系爭專利請求項5所載以雷射雕刻形成標記之技術，乃教科書所列之習知通常知識。故所屬技術領域中具有通常知識者，在面臨一標記之表面粗糙度之數值的問題時，參酌證據1所揭示之具有像十字之形狀的標記僅具有微細的結構，及補強證據參證1揭示之通常知識內容，即可依使用者的需求做設定而達成解決粗糙度之數值，益徵證據1可達成系爭專利之功效，故系爭專利請求項5相對於證據1 並未產生無法預期之功效。

⑶系爭專利說明書未記載系爭專利請求項5所載表面粗糙度數值，與習知的其他表面粗糙度所界定的各種數值，有何產生無法預期的功效。又上訴人係認系爭專利請求項5的技術特徵可使微影機台精準辨識該光罩盒是否位於正確位置之目的，然證據1摘要已記載該裝置是要使得光罩可正確地放置在該曝光裝置中，故證據1亦教示了該等裝置中的標記是用以達到正確對位的功效。是以，證據1已教示了系爭專利請求項5的技術特徵，則所屬技術領域中具有通常知識者，依其所揭露者之教示內容僅需簡單變更，即可輕易完成系爭專利請求項5之發明，故系爭專利請求項5 相較於證據1並未產生無法預期之功效，證據1可以證明系爭專利請求項5不具進步性。

⒊證據1、2具有組合動機：證據2所為一種光罩檢知裝置，其屬於檢測用於極紫外光微影製程的光罩的技術。依證據2說明書第0036段、圖7A至7C、第0080段、第0083段所揭示之內容，證據2仍已教示了利用雷射照射的方式形成標記係屬於所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的技術。準此，證據1與證據2同樣揭露標記定義位置的技術手段，其功能與作用具有共通性，則系爭專利創作所屬技術領域中具有通常知識者，在面臨光罩盒如何藉由至少一感測器接收該光罩盒體所反射之光線，以確定該至少一感測器已對應該至少一標記之定位位置問題時，自有合理動機參考證據1、2之技術內容，依其所揭露者之教示或建議予以簡單應用或組合，能直接且無歧異得知其組合後之結構對應關係，而輕易完成系爭專利請求項5之創作。綜上，證據1既已證明系爭專利請求項5不具進步性，則證據1、2 之組合，亦可以證明系爭專利請求項5不具進步性。

⒋依本院106年度判字第634號、107年度判字第154號判決意旨，系爭專利說明書中並未提及系爭專利的創作是因為利用雷射雕刻方式所產生的形貌，而使得系爭專利的創作有何不同於先前技術的特徵，縱認系爭專利所使用的雷射雕刻方式，可以產生特殊的形貌，惟依據申請時之系爭專利的說明書、申請專利範圍及圖式內容，雷射雕刻的方式所產生的形貌為何，並非系爭專利所欲創作的目的。又依雷射雕刻方法，雖然可形成特殊的形貌，惟參酌參證1所示教科書之內容，利用雷射雕刻方式使得一表面達到一所欲的特定範圍之表面粗糙度係為習知的技術，且系爭專利請求項5所請的標的係為「物」的專利，其特徵應在於物本身，即使未有參證1的資料，所屬技術領域中具有通常知識者，仍可輕易完成系爭專利請求項5之發明。從而，系爭專利請求項5之「結構特徵」的技術特徵，依系爭專利說明書所載之創作的目的主要是利用「雷射雕刻方式」產生特定的表面粗糙度，而非特殊的表面形貌，故上訴人主張「利用雷射雕刻方式」會影響精密結構特徵，除有自行擴張解釋而將系爭專利實施例所示特徵視為限制條件而讀入請求項5範圍之情，且尚無可採。

⒌系爭專利請求項5的界定方式，係屬於「不純的」製法界定物之請求項，其仍然屬於「以製法界定物之請求項」。又被上訴人於105年2月公布的「專利侵權判斷要點」係在作為判斷某一專利與被控侵權物（方法）間之比對方式參考資料，並非用以作為專利的有效性判斷之準則。而關於專利有效性之判斷，參照專利審查基準第二篇第三章「2.5.1以製造方法界定物之請求項」、2017年版專利審查基準第五篇第一章「4.3實體要件之爭執」之規範，系爭專利請求項5雖界定標記形成方法為利用「雷射雕刻」之加工方式，但「雷射雕刻」之加工方式並不具限定的作用，僅是要使得該標記之結構實際上以「表面粗糙度介於0um到2.00um」之技術特徵而已，上訴人主張系爭專利請求項5並非「以製法界定物之請求項」，且所載「雷射雕刻」的製法，對於請求項界定之範圍具有限定作用，並無理由。

⒍系爭專利請求項5所記載之「利用雷射雕刻方式」，其係屬於以製法界定物之界定方式記載，非屬於用途界定物之界定方式。又該請求項所載內容僅係描述所請極紫外光光罩盒應用於微影製程中之電壓值量測方式，實與「極紫外光光罩盒」本身結構完全無涉。另依系爭專利說明書第0022段之記載可知，入射光線及標記表面粗糙度決定偵測所得之電壓值，電壓值並無法影響標記表面粗糙度之結構，更無隱含標記之結構特徵。是以，上訴人主張電壓值限定標記表面粗糙度，其對標記之結構有所影響，亦無可取。

(三)證據1、2、3之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性：依證據3說明書第0066段、第0073段記載之內容可知，感光耦合元件（CCD）為本發明領域之習知技術，其主要係將光照射在一陣列電容上使電容陣列曝光，並將該電荷轉換為電壓信號，以供後續處理。故證據3同樣已教示了「該至少一標記反射後之該光線所產生之電壓值係依據該至少一標記之表面粗糙度」之技術特徵。又依證據3說明書第0017段之記載，其與證據1、2具有技術領域的關聯度，同樣揭露利用標記對位之技術手段，而與證據1、2的功能與作用具有共通性，則系爭專利創作所屬技術領域中具有通常知識者，在面臨光罩盒如何藉由至少一感測器接收該光罩盒體所反射之光線，以確定該至少一感測器已對應該至少一標記之定位位置問題時，自有合理動機參考證據1、2、3之技術內容，而輕易完成系爭專利請求項5之創作，且系爭專利請求項5相較於證據1、2、3亦未產生無法預期之功效，故證據1、2、3之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性。

(四)證據1、2、4之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性：依證據4說明書第0049段所載內容，可認定系爭專利請求項5界定之表面粗糙度數值為介於0um到2um之間，係屬習知的技術。又證據4說明書第0002段揭示了有關於光微影製程製作電子元件LED，與證據1及2具有技術領域的關聯度，且同樣揭露利用標記對位之技術手段，其與證據1及2的功能與作用具有共通性，則系爭專利創作所屬技術領域中具有通常知識者，在面臨光罩盒如何藉由至少一感測器接收該光罩盒體所反射之光線，以確定該至少一感測器已對應該至少一標記之定位位置問題時，自有合理動機參考證據1、2、4之技術內容，能直接且無歧異得知其組合後之結構對應關係，而輕易完成系爭專利請求項5之創作，且系爭專利請求項5 相較於證據1、2、4亦未產生無法預期之功效，故證據1、2 、4之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性。

(五)系爭專利請求項6、7係依附請求項5之附屬項，第6項權利範圍包括請求項5之全部技術特徵，並進一步界定「其中該至少一標記之反射後之該光線所產生之電壓值介於4.80伏特與5.20伏特之間」之附屬技術特徵；而第7項權利範圍包括請求項5之全部技術特徵，並進一步界定「其中該至少一標記之反射後之該光線所產生之電壓值在3-sigma等級規範下之標準差浮動控制於0.1以內」之附屬技術特徵。上述第6項、第7項所進一步界定之附屬技術特徵與「極紫外光光罩盒」本身之結構無關，並無改變或影響極紫外光光罩盒之結構特徵，應屬「非結構特徵」。至系爭專利請求項6所界定「電壓值介於4.80伏特與5.20伏特之間」之附屬技術特徵，亦是依據標記之表面粗糙度而形成。故系爭專利請求項6、7所界定之附屬技術特徵，仍為所屬技術領域中具有通常知識者，參酌本案先前技術內容之組合而可輕易完成。因此，證據1、2之組合；證據1、2、3之組合；證據1、2、4之組合，均可以證明系爭專利請求項6、7不具進步性。

(六)系爭專利說明書與請求項5至7係界定使用「感測器」產生光線以照射標記，而非界定為利用「雷射光」照射標記，上訴人所提專家意見書所載之技術內容，並未完整呈現專利範圍，其據與證據1比對技術內容，自有違誤。況系爭專利請求項5至7所述該標記反射光線、產生電壓值（訊號）、電壓值標準差（穩定度）等特徵，僅屬於量測技術，均非影響系爭專利所請「極紫外光光罩盒」結構之技術特徵。是以，上訴人主張系爭專利反射光電壓量測方式與證據1所揭示十字標記攝像方式，兩者技術迥異，且系爭專利可達到精密度較高之定位，尚無可採。從而，被上訴人以系爭專利請求項5至7違反審定時專利法第120條準用第22條第2項規定不具進步性，而為舉發成立撤銷該部分專利權之處分，自屬合法有據等由為據。

四、上訴意旨略以：

(一)原判決逕將「以製法界定物之請求項」區分為「純粹的」及「不純的」兩種類型，錯誤認定「以製法界定物之請求項」之意涵，並據此將系爭專利請求項認定為「製法界定物之請求項」，有錯誤適用審定時專利法第58條第4項規定、判決不適用法規，以及判決不備理由之違法。

(二)參加人提出參證1獨立主張系爭專利具有撤銷理由，該證據即非用以增強或擔保原有舉發證據之證據能力或證明力；且基於專利權人更正權之保障，參證1應屬智慧財產案件審理法之「新證據」。原判決將參證1錯誤認定為「補強證據」，並稱參證1非智慧財產案件審理法第33條所規定的「新證據」，有錯誤適用行政訴訟法「補強證據」規定之違法。

(三)專利有效性判斷涉及「請求項之解釋」，而上訴人於原審所援引「專利侵權判斷要點」之部分，係「新型專利請求項的解釋」，原審竟稱「專利侵權判斷要點」無法用以作為專利有效性之判斷，洵不可採。又原判決錯誤認定系爭專利請求項5所界定「雷射雕刻」之加工方式不具限定作用，且全無說明該加工方式何以不會改變或影響結構特徵的理由，顯有錯誤適用審定時專利法第58條第4項規定、判決不備理由之違法等語。

五、本院查：

(一)按「新型專利權得提起舉發之情事，依其核准處分時之規定。」為專利法第119條第3項本文所明定，查系爭專利申請日為103年9月24日，經被上訴人於103年11月19日審查核准專利，並於104年2月21日公告。嗣參加人於106年9月22日提出舉發，上訴人於107年1月11日、25日提出系爭專利更正本。經被上訴人審查，於107年9月21日為「107年1月11及25日之更正事項，准予更正」、「請求項2、5至7舉發成立，應予撤銷」、「請求項1、3至4舉發駁回」之處分。而系爭專利核准處分時所適用之專利法第22條第1項第1款及第2項規定，係於100年12月21日修正公布、102年1月1日施行（專利法於102年6月11日係修正公布第32、41、97、116、159條規定，103年1月22日修正、103年3月24日施行之條文，則為第143條及第97條之1至第97條之4規定），故系爭專利有無專利法第22條第1項第1款及第2項規定之撤銷原因，應以核准處分時所適用之100年12月21日修正公布、102年1月1日施行之專利法規定為斷，原判決雖以103年3月24日修正施行之專利法第22條第1項第1款及第2項規定為判斷基準時法，然條文內容並無不同。

(二)按利用自然法則之技術思想，對物品之形狀、構造或組合之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得新型專利，為系爭專利核准處分時專利法第104條及第120條準用第22條第1項所規定。又新型專利如「為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，不得取得新型專利，復為同法第120條準用第22條第2項所明定。

(三)系爭專利係有關於一種具有標記之極紫外光光罩盒（EUV Pod），其包含一光罩盒體與至少一標記，該至少一標記設置於該光罩盒體，並利用一加工機台之至少一感測器辨識該至少一標記。本創作之極紫外光光罩盒透過該至少一標記之設置，改變可被該至少一感測器辨識之該光罩盒體的至少一區域之表面粗糙度，然該至少一感測器發出一光線至該光罩盒體，該光罩盒體反射該光線到該至少一感測器，該至少一感測器接收該光罩盒體所反射之光線，並判斷反射後之該光線所產生之電壓是否落於該標記之反射範圍內，以確定該至少一感測器已對應該至少一標記（系爭專利新型摘要，原處分卷2第12頁參見）。系爭專利更正公告後請求項共計4項，其中請求項5為獨立項，請求項6、7為直接依附請求項5之附屬項。本件系爭專利更正後雖未刪除請求項2，並經原處分認定請求項2舉發成立，應予撤銷，然其原為依附於已刪除之請求項1之附屬項，且上訴人於原審並未就請求項2舉發成立之部分為爭執。故原審僅就有爭執之請求項5、6、7部分予以論究，而請求項5、6、7及證據1、2、3、4之內容則均如原判決之記載(原判決第11頁第16行至第14頁第25行參見)。

(四)本件於原審有爭執之請求項5、6、7部分，關於證據1、2之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性；證據1、2、3之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性；證據1、2、4之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性；證據1、2之組合、證據1、2、3之組合；證據1、2、4之組合，可以證明系爭專利請求項6不具進步性；證據1、2之組合、證據1、2、3之組合；證據1、2、4之組合，可以證明系爭專利請求項7不具進步性等情，業據原審論述詳明，經核並無違經驗法則、論理法則或證據法則，亦無所適用之法規與該案應適用之法規違背，而有判決違背法令之情形。

(五)系爭專利請求項5內容為：一種具有標記之極紫外光光罩盒，其包含：一光罩盒體；以及至少一標記，其設置於該光罩盒體；其中該光罩盒體放入一加工機台，該加工機台之至少一感測器辨識該至少一標記；該至少一標記係利用雷射雕刻方式形成於該光罩盒體，該至少一標記具有一表面粗糙度，該至少一標記之表面粗糙度介於0um 到2.00um之間，該加工機台之該至少一感測器產生一光線，該光線照射該至少一標記，該至少一標記反射該光線，該至少一標記反射後之該光線所產生之電壓值係依據該至少一標記之表面粗糙度。系爭專利係新型專利，依專利法第104條規定，新型，指利用自然法則之技術思想，對物品之形狀、構造或組合之創作，故新型專利就方法之創作並非其保護之標的。而新型專利請求項中涉有方法之非結構技術特徵之記載，如該非結構技術特徵對物本身之結構未產生影響，縱使所請之物與先前技術以不同之製法所形成，仍不得以該方法之非結構技術特徵據以主張限定作用，作為該新型專利具有新穎性或進步性之技術特徵論據。從而原判決論明系爭專利請求項5雖界定標記形成方法為利用「雷射雕刻」之加工方式，但「雷射雕刻」之加工方式並不具限定的作用，僅是要使得該標記之結構實際上以「表面粗糙度介於0um到2.00um」之技術特徵而已。原審據此審認上訴人主張系爭專利請求項5所載「雷射雕刻」的製法，對於請求項界定之範圍具有限定作用一節，並非可採等情，依上說明，於法並無不合。系爭專利請求項5內容除界定標記形成方法為利用「雷射雕刻」之加工方式外，另亦記載一光罩盒體，以及至少一標記，其設置於該光罩盒體，其中該光罩盒體放入一加工機台，該加工機台之至少一感測器辨識該至少一標記等結構特徵。因該新型專利請求項5至少部分係以其製法予以界定，故原判決將系爭專利請求項5界定屬於「不純的」製法界定物之請求項，尚無違誤，且核無判決不備理由之情形。至於系爭專利請求項5是否仍然屬於「以製法界定物之請求項」，僅涉及「以製法界定物之請求項」定義之廣狹界定，但均不影響爭專利請求項5所載「雷射雕刻」的製法，對於請求項界定之範圍不具有限定作用，而不能作為具有新穎性或進步性技術特徵之判斷結論。上訴人主張原判決錯誤認定「以製法界定物之請求項」之意涵，將系爭專利請求項認定為「製法界定物之請求項」於法有違，且判決不備理由等等，均不能執為有利上訴人判斷之論據。

(六)參證1係五南圖書出版股份有限公司2012年9月出版之「光學與光電導論」節影本、復漢出版社民國74年8月出版之「雷射加工技術」節影本、中央圖書出版社民國74年出版之「雷射工程導論」節影本等教科書。而參加人提出上開證據，係用以佐證原處分及訴願決定所認所屬技術領域中具有通常知識者經由參照證據1後得以輕易完成系爭專利之創作資料的補充證據，有卷附行政參加答辯（二）狀1份（原審卷1第397-398頁參見），及參加人訴訟代理人於原審之陳述足據（原審卷1第429頁、第431頁；原審卷2第93頁參見）。原審已說明智慧財產案件審理法第33條所指之新證據係就同一撤銷理由所提之新證據，但對於補強上開證據證明力之補強證據，則非上開條文所規範。參證1並非參加人本於同一舉發基礎事實（不具進步性）所另提之獨立新證據，僅係作為補強原舉發證據證明力之補強證據，自非智慧財產案件審理法第33條所稱「新證據」等情明確(原判決第14頁第26行至第17頁第2行參見)，經核於法並無不合。且參證1既作為補強原舉發證據證明力之用，關於系爭專利請求項相較於與原舉發證據是否具進步性，仍係以原舉發證據之證據1、2、3、4之各種組合，與系爭專利請求項5、6、7作為比對基礎，並未另加以組合參證1之技術內容以與系爭專利請求項5、6、7加以比對，尚不生依智慧財產案件審理法第33條就新證據之提出應予專利權人更正權保障之問題。上訴人主張基於專利權人更正權之保障，參證1應屬智慧財產案件審理法之「新證據」，原判決將參證1錯誤認定為「補強證據」，並稱參證1非智慧財產案件審理法第33條所規定的「新證據」，有錯誤適用行政訴訟法「補強證據」規定之違法部分，核非可採。

(七)依前所述，原判決已論明系爭專利請求項5雖界定標記形成方法為利用「雷射雕刻」之加工方式，但「雷射雕刻」之加工方式並不具限定的作用，僅是要使得該標記之結構實際上以「表面粗糙度介於0um到2.00um」之技術特徵而已，故原判決並非未說明該加工方式何以不會改變或影響結構特徵的理由。上訴人主張原判決認定系爭專利請求項5所界定「雷射雕刻」之加工方式不具限定作用，全無說明該加工方式何以不會改變或影響結構特徵的理由一節，非為可採。而系爭專利係屬新型專利，其請求項中涉有方法之非結構技術特徵之記載，若該非結構技術特徵對物本身之結構未產生影響，縱使所請之物與先前技術以不同之製法所形成，仍不得以該方法之非結構技術特徵主張據以限定作用，業如前述。系爭專利請求項5雖界定標記形成方法為利用「雷射雕刻」之加工方式，但「雷射雕刻」之加工方式，僅是要使得該標記之結構實際上以「表面粗糙度介於0um到2.00um」之技術特徵，該加工方式之非結構技術特徵自不具限定的作用。上訴人主張原判決錯誤認定系爭專利請求項5所界定「雷射雕刻」之加工方式不具限定作用，顯有錯誤適用專利法第58條第4項規定之違法部分，亦非可採。

(八)原判決說明被上訴人於105年2月公布的專利侵權判斷要點係在作為判斷某一專利與被控侵權物（方法）間之比對方式參考資料，並非用以作為專利的有效性判斷之準則部分，僅係說明專利侵權判斷要點非屬專利有效性判斷之準則的性質，但並無指新型專利請求項的解釋均不能參考專利侵權判斷要點。上訴人以專利有效性判斷涉及請求項之解釋，上訴人於原審所援引專利侵權判斷要點之部分，係「新型專利請求項的解釋」，原審稱「專利侵權判斷要點」無法用以作為專利有效性之判斷，洵不可採一節，尚有誤解。

(九)綜上所述，證據1、2之組合或證據1、2、3之組合或證據1 、2、4之組合，均可以證明系爭專利請求項5、6、7不具進步性。本件除上訴人於原審就請求項2舉發成立之部分因未再爭執而不另論述外，原審續就其餘不服部分予審認被上訴人以系爭專利請求項5、6、7違反核准處分時專利法第120 條準用第22條第2項規定不具進步性，而為請求項5至7舉發成立，應予撤銷部分之處分，於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，而駁回上訴人於原審之訴，依上說明，應屬合法。上訴論旨，指摘原判決違背法令，求予廢棄，為無理由，應予駁回。

六、據上論結，本件上訴為無理由。依智慧財產案件審理法第1條及行政訴訟法第255條第1項、第98條第1項前段，判決如主文。

最高行政法院第四庭

以 上 正 本 證 明 與 原 本 無 異