99年度判字第1314號｜行政：發明專利舉發｜裁判日期：99 年 12 月 09 日

最　高　行　政　法　院　判　決 99年度判字第1314號上訴人　晶宏半導體股份有限公司代　表　人　徐豫東訴訟代理人　洪榮宗　律師林鈺珊　律師王鳳儀　律師被上訴人　經濟部智慧財產局代　表　人　王美花參加人　矽創電子股份有限公司代　表　人　毛穎文上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國98年5月7日智慧財產法院97年度行專訴字第85號行政判決，提起上訴，本院判決如下：主文原判決廢棄，發回智慧財產法院。理由一、上訴人於民國92年11月26日以「具有凸塊之半導體裝置」向被上訴人申請發明專利，經編為第92133255號審查准予專利後，發給發明第I239580號專利證書（以下簡稱系爭專利）。嗣參加人提出舉發證據3即西元1999年2月2日公開之日本特開平00000000號專利案及證據4(即證據3之中文譯本)為證，並以系爭專利違反專利法第22條第1項第1款及第4項之規定為由，對之提起舉發。案經被上訴人審查，乃於97年6月 11日以（97）智專三(二)04066字第09720300030號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。上訴人不服，提起訴願，經遭駁回，提起行政訴訟，經原審法院裁定命參加人獨立參加被上訴人之訴訟後，判決駁回上訴人在原審之訴。上訴人不服，乃提起本件上訴。二、上訴人起訴主張：系爭專利申請專利範圍共計16項，其中第1項及第14項為獨立項，其餘則為附屬項。系爭專利之技術特徵如申請專利範圍第1項及第14項所述，係至少包含「保護層開口之寬度不大於8μm」及「突起區之面積大於中央區之面積」二項技術特徵。系爭專利申請專利範圍就「保護層開口」之解釋，應以發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解之內容，以界定權利範圍，而不是以一般性字面意義解釋權利項用語，是系爭專利申請專利範圍之權利項用語「保護層開口」，依發明所屬技術領域中具有通常知識者在參考發明說明及圖式所揭示之目的、作用及效果後，均可以確認其係指「狹長型溝槽狀之保護層開口」，而不包含證據3之「小坑洞型的開口」。詎被上訴人未依專利法第56條第3項規定審究發明所屬技術領域中具有通常知識者對該權利項用語之解釋，逕以一般性字面意義解釋權利項用語「保護層開口」，亦不參考發明說明及圖式，以瞭解被舉發案之發明目的、作用及效果，其認事用法顯有重大違誤。復以參加人已自認被舉發案權利項用語「保護層開口」係指「狹長型溝槽狀的保護層開口」，上訴人亦已提出證據證明之，而參加人既未能提出相反之證據證明，則被上訴人未審究上述客觀事證，顯有認定事實未憑證據之違誤。另由上訴人所提出原證17及原證18之美國聯邦上訴巡迴法院判決，可知美國專利實務肯認對申請專利範圍之用語之解釋應朝向使其專利權有效之方向解釋，並肯認對申請專利範圍用語之解釋應以發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點解釋，而非以一般人之觀點解釋，且肯認若證據3不具可實施性，例如包含需過度實驗才得以發現如何實施證據3時，則該證據3不構成新穎性舉發證據，須予以排除。而系爭專利之技術除對產業界有貢獻，且由發明所屬技術領域中具有通常知識者在閱讀被舉發案專利說明書之技術內容後，可得知權利項用語「保護層開口」係指「狹長型溝槽狀的保護層開口」，此乃應優先使用發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解之權利項用語解釋，而非一般性之字面解釋。至證據3則為「小坑洞型的開口」，兩者有明顯區隔，系爭專利並未侵入公眾領域奪取不當利益。且證據3並未使熟悉該項技術人士在不過度實驗之情形下可以實施該項發明，則該證據3不具可實施性，不得作為新穎性審查之舉發證據。詎被上訴人竟誤認證據3已公開即不得否認其可實施性。另被上訴人倘認系爭專利之權利項用語「保護層開口」不得參考專利說明書之技術內容後而解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，然於上訴人主張在參考說明書之目的、作用及功效後，被上訴人依專利法第56條第3項規定之適用態樣與上訴人之認知有差異時，應於審定前告知上訴人；詎被上訴人怠於行使其職權，難謂無濫用裁量權之嫌。又被上訴人明知系爭專利之權利項用語「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」後，相較於證據3，具有新穎性和進步性；詎被上訴人怠於依職權通知上訴人更正申請專利範圍，即有違行政程序法第9條規定。復以證據3之「小坑洞型的開口」具有非常低劣之信賴度，無法為產業界所製造生產，並不具可實施性。而被上訴人對證據3之揭露技術認識錯誤，且證據3與系爭專利習知技術之「必要技術特徵」及「發明目的」彼此相互衝突，兩者乃不相容且無法予以結合，故不足以證明系爭專利之附屬項不具進步性；詎被上訴人認定兩者之習知技術乃相同技術領域，並無無法結合之互斥情事，顯已違反專利審查基準之規定。再者，上訴人於收受被上訴人之審定書後，即向被上訴人提出原證27之申請專利範圍更正本，是被上訴人亦應審酌系爭專利更正後之申請專利範圍等語。求為判決撤銷原處分及訴願決定，並命被上訴人為舉發不成立之處分。三、被上訴人則以：系爭專利審定公告本說明書揭示該技術特徵保護層開口之一寬度係被限定至不大於8μm，較佳地，係介於3μm至8μm，其長度係介於40μm至80μm等，已載明保護層開口之外觀。詎上訴人以原審定公告未揭示之形容文字「狹長型溝槽狀」解釋該技術特徵，以迴避系爭專利申請專利範圍已落入證據3所揭示之事實。且據系爭專利申請專利範圍第1項所載，系爭專利係一種「具有凸塊之半導體裝置」，另依系爭專利申請專利範圍第2項所載，該具有凸塊之半導體裝置，其中該頂面之面積係不小於該銲墊顯露於該保護層之面積的兩倍。而證據3為一種半導體晶片技術中，在電極上形成導電凸塊之結構及方法，該半導裝置包含基板、銲墊、保護層、凸塊等。證據3已揭示開口具有極小之開口面積，尺寸為3×3μm～10×10μm，以單側尺寸為3～10μm，相較系爭專利申請專利範圍第1項而言，其已揭示該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm技術特徵。證據3 揭示中央區面積為1.96μm2，「突起面積」乃「凸塊面積」扣除「中央區面積」而為4,223.04μm2，相較系爭專利申請專利範圍第1項及第2項而言，其已揭示俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積技術特徵，是證據3能證明系爭專利申請專利範圍第1項及第2項為申請前已見於刊物或已公開使用。又系爭專利申請專利範圍第1項及第2項既不具新穎性，自無再審究進步性之必要。又上訴人依臺北高等行政法院96年度訴字第4108號判決及現行「專利侵害鑑定要點」，主張不論採何種解釋申請專利範圍之理論，解釋申請專利範圍時，應著重於申請專利範圍之文字本身，是若申請專利範圍中所載之技術特徵已臻明確，即不得將發明說明及圖式所揭露之內容引入申請專利範圍內，倘若申請專利範圍中所載之技術特徵不甚明確，為認定專利權範圍之實質內容，始得援引發明說明及圖式作為解釋申請專利範圍之輔助依據，且圖式之作用在於補充說明書文字不足之部分，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者閱讀說明書時，得依圖式直接理解該發明之各個技術特徵及其所構成之技術手段。然系爭專利申請專利範圍所揭技術特徵已明確，縱參酌說明書及圖式，亦無通知更正申請專利範圍之必要，故被上訴人於系爭專利審定前，未通知上訴人更正申請專利範圍所為舉發成立之處分，並未違反本院91年度判字第2422號判決意旨。另參酌專利審查基準第二篇第六章所列舉之更正情況，其更正結果導致實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍，將申請專利範圍未包含但發明說明或圖式中已揭露之其他技術特徵或技術手段，引進附加於原核准公告之請求項內或形成另一請求項。復以發明說明或圖式中已揭露，然請求項本身未包含之技術特徵或技術手段，無論其是否具有新穎性、進步性或屬公眾所知悉之技術，引進附加於原核准公告之請求項內或形成另一請求項時，形式上雖然係對原請求項增加條件以進一步限定，然會改變原有元件、成分、步驟之結合關係以及原核准公告之發明之性質或功能，而導致實質變更申請專利範圍。而被上訴人於系爭專利審查期間既未依職權通知上訴人更正，足見系爭專利並無可更正之情事。另上訴人主張系爭專利申請專利範圍第7項為限定該保護層之厚度係介於1至2μm，然證據3之說明書內已揭示形成該保護層厚度約1μm，保護層厚度或有不同，惟保護層的厚度本可因證據3揭示成長保護層之沉積時間予以調整而達成等效替換。況舉發證據2即系爭專利說明書第8頁已自承先前技術第1段揭示，以藉由該異方性導電膜20內之導電粒子21與該電路板30電性連接，習知之導電粒子21之外徑為6 μm，當該導電粒子21之外徑縮小至3μm時，由於回字效應使得在該中央區14b與該接合墊31之對導電粒子21a無法有效接合，而影響電性能。惟據證據3之說明書所載述，可知將能夠縮小導電凸塊表面之凹陷之平面尺寸及深度，其結果將能夠增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數而提高半導體裝置之組裝可靠性，惟證據3之說明書並未有將該尺寸增加或擴大而有導致電性能變差應有避免之必要之反面教示等。再者，系爭專利說明書係揭示指導電粒子外徑，其與證據3 所教示，並不衝突，且就結合系爭專利說明書及證據3說明書所揭示製程技術（成長保護層厚度）而言，本就可為其所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成，足見兩者均屬相關之技術領域，並無不相容且無法予以結合之互斥情事，自可為發明所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者，是原處分並無違誤等語，資為抗辯。求為判決駁回上訴人之訴。四、參加人則以：系爭專利申請專利範圍第1項前言部分之基板、銲墊、保護層、保護層開口、凸塊等習知結構，均屬先前技術之範疇，且已見於證據3。上訴人僅主張「保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm」及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」等二項技術特徵為其主要之技術特徵構成要件。惟就「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」此一技術特徵構成要件而言，上訴人並未抗辯證據3未揭示此一特徵，足見上訴人就此並不爭執。至「保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm」此一技術特徵構成要件而言，上訴人亦未曾爭執證據3確已揭示「保護層開口之一寬度不大於8μm」之技術內容。且系爭專利申請範圍中除對「保護層開口之一寬度」限定為不大於8μm外，對於另一維度（長度）及開口深度（高度）均無任何限制，則系爭專利對於開口之形狀為何，並無特殊之界定或限制，其申請範圍之文義本即涵蓋各種可能形狀之開口，上訴人事後擅自解釋為「狹長型溝槽狀」以圖與證據3進行區隔，顯乏依據，亦與現行司法實務不合。另就系爭專利申請專利範圍第7項部分，上訴人主張不得將系爭專利之說明書與證據3結合，以證明該請求項不具進步性；惟系爭專利與證據3專利之目的，均係改善半導體裝置與凸塊之導電性，其發明所欲解決之問題與技術領域完全相同，所屬技術領域中具有通常知識者自有予以組合之動機，故確屬明顯可為組合之技術內容。又證據3既已教示縮小保護層開口一寬度至不大於8μm，俾使凸塊突起區之面積大於中央區之面積，同時提出實施例之實驗數據，當可驗證具有使該領域具有通常知識者，可以完成系爭專利請求項第1項所界定之發明而具有可實施性。此與上訴人所提出原證17、18號之美國聯邦上訴巡迴法院判決之案情顯不相同，亦與系爭舉發案之成立迥然不同，且其乃屬他國法例，不宜援引附比，復以上訴人刻意忽視我國專利審查基準及實務相關判決等，故於本件並無參考價值。再者，證據3已揭露系爭專利之技術特徵，且其公開日（1999年2月2日）早於系爭專利申請日（2003年11月26日）之事實，則無論證據3是否具有產業利用性或可實施性，均與系爭專利有無新穎性（或進步性）之判斷無關。另系爭專利對於保護層開口之形狀是否有所限制，涉及專利申請範圍之認定，依法應依「申請專利範圍」之記載為準，而系爭專利關於保護層開口之形狀，除「一寬度不大於8μm」之特徵外，對於另一維度（即長度）及開口深度（即高度）完全無任何特殊之界定或限制，足見系爭專利申請範圍之文義已涵蓋各種可能形狀之開口。詎上訴人竟主張系爭專利之技術特徵僅限於狹長型溝槽狀，並列舉諸多行政法院判決主張本案應可參酌說明書及圖式之記載而解釋申請專利範圍，且主張本件應依據專利法第56條第3項後段參酌「發明說明及圖式」之內容以解釋申請專利範圍；惟系爭專利申請專利範圍之文字，既未對另一維度（即長度）及開口深度（即高度）為任何限制，自無「狹長型」及「溝槽狀」可言，復以系爭專利說明書中「狹長型」及「溝槽狀」之記載，且上訴人所述多有曲解行政法院判決意旨之嚴重違誤，足見上訴人之主張，並無理由。再者，參加人於96年6月15日對系爭專利提起舉發，經被上訴人於97年6月11日為舉發成立之審定，上訴人始於97年6月18日提出原證27號之更正申請，應屬不合法。況上訴人所提出原證27號之更正本係於系爭專利申請專利範圍之獨立請求項第1項及第14項中加入「該保護層之開口呈狹長型溝槽狀」、「相鄰銲墊方向之寬度」等技術特徵，並將其附屬項第3 項界定之凸塊突起區與中央區高度差係「不小於1μm」更正為「高度差係介於1至2μm」，惟上開更正之技術特徵並未見於系爭專利之發明說明或圖式中，縱有揭露，亦仍屬「申請專利範圍未包含但發明說明或圖式中已揭露的其他技術特徵或技術手段」之情形，上訴人將之引進附加於原核准公告之請求項內，已構成專利申請範圍之實質變更，是依專利法第64條第2項規定，應不准更正。再者，被上訴人依專利法第71條之規定，於舉發審查階段中，並無一律「應」通知專利權人更正之義務，且系爭專利已無因更正而維持其有效性之可能，被上訴人自無通知上訴人更正之必要。是被上訴人所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，洵無違誤，應予維持等語。五、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：本件系爭專利申請專利範圍共計16項，其中第1項及第14項為獨立項，其餘則為附屬項。上訴人主張對於系爭專利第1、14項中「保護層開口」一詞應解釋為「狹長型溝槽狀的保護狀開口」部分，依專利法第56條第2項、專利審查基準及侵害鑑定要點第31頁規定，可知於解釋申請專利範圍時，應以每一請求項所記載之文字意義及該文字在相關技術中通常所總括的範圍，予以認定，說明書本身並非定義專利權範圍的依據，定義專利權範圍之根本及唯一依據乃申請專利範圍，雖然專利說明書得作為解釋申請專利範圍之參考，惟基於申請專利範圍始為界定專利權範圍之根本依據，專利說明書之內容自不可讀入申請專利範圍內。而所謂參酌專利說明書來解釋申請專利範圍，應該僅對申請專利範圍中既有之限制條件（文字、用語）加以解釋，而不可透過或依據專利說明書之內容而增加、減少申請專利範圍所記載的限制條件，以致變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利權範圍。次按被上訴人所制定之專利侵害鑑定要點第30頁，可知本件上訴人申請專利範圍所記載之文字即為一內部證據，而上訴人於訴願階段所提之鍾卓良教授所出具之專家意見書、南茂科技公司及飛信半導體公司之電子郵件及行政訴訟階段所提之江國寧教授所出具之模擬分析報告等則屬外部證據，倘內部證據已清楚明確時，實無須考慮外部證據，準此，客觀解釋系爭專利申請專利範圍之「保護層開口」，其中銲墊係成長於基板之正面上，保護層係成長於基板之正面上，該開口係為部分顯露該銲墊，故所謂之開口應是一具有三度空間（長、寬、高）且相對於保護層為中空並位於銲墊表面上以部分顯露銲墊之結構。系爭專利申請專利範圍第1、14項所界定開口之一寬度係被限制不大於8μm，其並未對另二維空間及形狀作限定，故其所界定之範圍除了寬度小於或等於8μm，長度及高度之範圍則無限制，依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋其應包含二維空間為方形及長方形之開口構造，雖系爭專利說明書實施例有記載開口長度為介於40至80μm，惟並不能因此將之讀入系爭專利申請專利範圍內，而將系爭專利之開口解釋為「狹長型溝槽狀開口」，且依據內部證據優先於外部證據，亦不應將開口解釋僅為「狹長型溝槽狀開口」，並排除其它可能的形狀，而限縮申請專利之解釋範圍，是上訴人此部分主張，實不足採。又關於更正案之提出，可於舉發審查過程中，經由專利專責機關依專利法第71條第1項第3款規定以職權通知專利權人提出，或由專利權人申請提出，是上訴人於系爭專利遭舉發後，倘認為其系爭專利與習知技術特徵之差異在於保護層之開口為「狹長型溝渠狀之開口」，自得於舉發過程中自行向專利專責機關申請更正，毋待專利專責機關通知，其在舉發審定後得知系爭專利遭被上訴人舉發成立之審定，始指責專利專責機關未盡告知之責，上訴人之指摘，並無理由。其次，上訴人主張舉發證據3所揭示之實施例1及實施例2僅供實驗用途，不具產業利用性，蓋證據3之製造方式不僅良率不佳，可靠度及信賴度亦不好，非一可被業界接受的製造方式，於訴願階段並提出鍾卓良教授所出具之專家意見書及南茂科技公司及飛信半導體公司之電子郵件作為補強證據。上訴人乃據以主張系爭專利所屬技術領域中具通常知識者在解釋權利項之意義時，應會自動排除直覺上不可行之選項云云。查證據3係一公開之日本專利文獻，其公開日係早於系爭專利申請日，已構成系爭專利之先前技術一部分，且教示縮小保護層開口之寬度至不大於8μm（實施例揭示3μm×3μm，及5μm×5μm之範圍），以使凸塊突起區之面積大於中央區之面積（由證據3第【0027】段表1中可得知），且證據4（為證據3之中譯本）第【0007】段及第【0008】段揭示習知技術利用ACF接合方式，因其凸塊凹陷之尺寸及深度問題導致導電粒子16將完全無助於導通或僅能以極高的阻抗來導通，致效率不彰，遂提出縮小導電凸塊表面之凹陷平面尺寸及深度，以增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數目，用來提高半導體裝置組裝可靠度，證據3並提出實施例及相關數據以驗證並支持其發明之可實施性，故由證據3 所揭露之程度應已足以促使液晶顯示裝置封裝業者此一技術領域中具通常知識者能製造或使用申請專利之發明。至證據3是否可作為系爭專利不具新穎性及進步性的適格引證，其本身是否具產業上利用價值及其高低無涉。再者，江國寧教授所提出之模擬分析報告雖認為「小坑洞型的開口」違反物理原理，自然會造成電子遷移效應云云。由該分析報告可知，其係在探究凸塊與銲墊間因尺寸縮小所造成之短通道效應，與證據3及系爭專利所欲解決之問題在於「凸塊與載板接合墊間藉由異方性導電膜接合」因保護層開口大小所造成後續凸塊與載板接合墊之電性接觸問題，係屬不同技術問題，關於開口縮小至物理極限後凸塊與銲墊間因電子遷移所造成之金屬淘空，亦非系爭專利於申請時所欲解決之技術問題（即非系爭專利所欲保護之技術特徵），且因尺寸縮小所造成電子遷移問題於系爭專利申請時之半導體製程中於鋁金屬銲墊中加入適量之銅金屬即可獲致改善，是證據3應可作為系爭專利不具新穎性之適格引證，上訴人上開指訴，應不足採。又上訴人另指稱舉發證據之間之組合缺乏指引、構成反面教示且違反個別舉發證據解決問題手段之必要之點，是以本件舉發證據之組合即非顯而易知云云。經查，證據3說明書第【0008】段揭示儘可能縮小導電凸塊表面之凹陷平面尺寸及深度，以增加導電凸塊上導通之導電粒子數目。另在證據3說明書第【0007】段記載若凹陷深度深，則位於凹陷內之導電粒子將完全無助於導通或僅能以極高之阻抗來導通。證據3揭示將導電凸塊表面之凹陷深度控制在1μm以下，藉以達成其發明目的，並無反面教示採用凹陷深度如系爭專利之1至2μm之間之深度即無法達成凸塊與載板之接合墊之導電。況證據3第【0007】段揭示一般使用之導電粒子之粒徑為3至5μm，即便保護層之厚度在1至2μm亦不致造成上述情形。證據3僅舉例成長一約1μm氮化矽保護層，並未強調或建議該保護層之厚度不得大於1μm。再者，證據2（系爭專利說明書）第8頁所載先前技術第1段及證據3說明書第【0032 】段所載，該技術將能夠縮小導電凸塊表面凹陷之平面尺寸及深度，其結果將能夠增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數，進而提高半導體裝置組裝之可靠性，該說明書並未有因將尺寸增加或擴大而成為如證據2所指電性能變差此一應避免情況之反面教示情事。證據3係揭示縮小開口3a與凸塊面積之比例，而系爭專利係揭示藉由增加凸塊突起區之面積以使凸塊區面積大於中央區的面積，以達到異方性導電膜之有效接合導電粒子增多之效果，證據2與證據3之目的均係改善半導體裝置與凸塊之導電性，其發明所欲解決之問題與技術領域完全相同，所述技術領域中具通常知識者自有予以組合之動機與可能性。另本件上訴人一再指摘引證3之教示根本無法實施，且目前市面上亦未見有所謂保護層寬度為3μm×3μm，及5μm×5μm之產品，足見引證3所列之教示並不可行，自不得作為有效之證據3云云。惟依本件系爭專利申請專利範圍第1項既明載其保護層開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加凸塊之突起區面積以使該突起區之面積大於該中央區保護層之面積，進而使得有效接合導電粒子增多。可知，系爭專利僅就保護層之一寬度設其上限，相對地並未設其下限，是以，凡保護層開口之一寬度不超過8μm者，均為系爭專利所涵蓋，其中當然包含3μm及5μm部分。而本件上訴人所申請之系爭專利於申請專利範圍復未明載此一保護層開口寬度除一端為不大於8μm外，另一端為大於8μm，而呈現長方形狀態，則在此範圍內，舉凡1~8μm×1~8μm 之任一組合，均符合系爭專利所設定之範圍，準此，倘上訴人認為引證3所示之3μm×3μm，及5μm×5μm尺寸乃不可行之設計，則系爭專利所申請之專利範圍亦包含不可行之部分，則系爭專利之申請即有可議之處。蓋倘上訴人認為比較可行之開口寬度尺寸應介於5~8μm之間，即應於申請專利範圍中詳細記載，詎其並未限定有效實施之範圍，就字面文義解釋自應認為其所指之不大於8μm尺寸，應向下相容，包含3μm及5μm，而3μm及5μm部分既已為引證3所明示，則系爭專利即欠缺新穎性。再者，本件上訴人自承系爭專利主要技術特徵在於「保護層開口之寬度不大於8μm」及「突起區之面積大於中央區之面積」二項，而引證3所示之技術特徵於解釋上亦屬於「保護層開口之寬度不大於8μm」及「突起區之面積大於中央區之面積」之範圍內，自應認為系爭專利據以標新立異之特徵已為前案所揭示，不論該前案是否仍屬有效，系爭專利均已不具新穎性矣，是上訴人主張系爭專利據有新穎性，引證資料不得作為認定系爭專利不具新穎性之適格證據云云，即屬無稽。綜上所述，本件上訴人系爭專利既不具備新穎性，為先前技術所揭示，則被上訴人為舉發成立，撤銷系爭專利之處分，即無違誤，訴願決定遞予維持，亦屬允當等由，乃判決駁回上訴人在原審之訴。六、上訴人上訴意旨及補充理由除復執與起訴主張相同之論證外，另略以：（一）原判決以機械式的方法解讀申請專利範圍，而使解讀出來之申請專利範圍違反發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術認知，縱使權利項本身在字面上之一般意義已清楚描述申請專利範圍的標的，說明書及圖式仍可以用以解釋權利項內相關的、模擬兩可或不清楚的權利項用語，或確認最顯而易知的解釋。準此，原判決未以熟悉該項技術人士之技術認知判斷權利項用語「保護層開口」的解釋，復未審究發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果，明顯違反專利法第56條第3項之規定，而有判決不適用或適用法規不當之情事。又蔡明誠教授之專家意見書證實原判決未適用專利法第56條第3項解釋系爭專利之申請專利範圍，顯有判決違背法令之情事。（二）原判決忽視上訴人在原審法院提出之江國寧教授、鍾卓良教授之意見書及飛信半導體、南茂科技公司之實驗報告等種種客觀證據，已足以證實舉發證據三不具可實施性，原判決卻又不當推測舉發證據三之內容，而有判決不備理由之情事。又本院91年度判字第2422號判決之意旨目的應在於考慮被舉發案若對產業界確有實質上的貢獻，則基於保護發明及促進產業發展，當被上訴人明知被舉發案在經過補充或修正後即可被核准，則被上訴人應主動告知，俾予上訴人有補充或修正的機會，以避免對產業界確有實質上貢獻的發明無法得到合理、適當的保護，致不符專利法第1條之促進產業發展之立法意旨。然原判決忽視上述判決意旨及上訴人在原審內提出之種種客觀證據，足以證實被上訴人在程序上有職權濫用之違反、且違反信賴保護原則及比例原則，而有判決不備理由之情事。（三）由於本案涉及複雜之專利技術，復又牽涉熟悉本項技術領域中具有通常知識者在參考專利說明書後是否可以直接且無歧異地知悉權利項用語「保護層開口」即為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，本案並涉及舉發證據3是否確不具可實施性，上訴人遂在原審請求由江國寧教授及鍾卓良教授到庭，以其專業知識澄清並證實熟悉本項技術領域中具有通常知識者在參考專利說明書後可以直接且無歧異地知悉權利項用語「保護層開口」即為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，且舉發證據3確不具可實施性；並請求由蔡明誠教授到庭陳述專利法第56條第3項之立法理由及世界各國均有排除不具可實施性之舉發證據之法律實務。詎料，原審既不准江國寧教授、鍾卓良教授及蔡明誠教授到庭作證，又未在其判決書內敘述何以不採用江國寧教授、鍾卓良教授及蔡明誠教授所作之專家意見書之原因，顯有判決不備理由之情事。（四）另原判決認為「因尺寸縮小所造成電子遷移問題於系爭專利申請時之半導體製程中於鋁金屬銲墊中加入適當的銅金屬即可獲致改善，是證據3可作為系爭專利不具新穎性之適格證據」，然上述判決依據並非卷內證據，原審亦未在調查證據程序中提示上訴人予以答辯，原審並非本項技術領域之通常知識者，自不得以臆測的方式自行創造證據，復又違反證據調查程序，而有判決當然違背法令，判決未依卷內證據及判決不備理由之情事。（五）按「專利審查基準」係為判斷專利有效性之根據，而「專利侵害要點」係為判斷專利侵權與否之根據，其所判斷之事實及法律根據不同，自不得與以混用。本件舉發案之爭點既係專利有效性，自應以專利法及「專利審查基準」為其判斷根據，而原判決竟以「專利侵害要點」為判斷根據，顯有判決不適用法規之違誤。又縱採「專利侵害要點」之內部證據之判斷方式，然在「專利侵害要點」中所規定之內部證據，包含專利說明書及申請歷史檔案。換言之，內部證據不限於請求項之文字，尚包含發明說明、圖式及申請歷史檔案。而上訴人既已在專利舉發或專利行政救濟階段承認申請專利範圍用語「保護層開口」之意義即為「狹長型溝槽狀的保護層開口」，即已構成『申請歷史檔案』中之內部證據，本案之申請專利範圍用語「保護層開口」即需解釋為「狹長型溝槽狀的保護層開口」。更何況，專利說明書本身亦為內部證據之一種，發明所屬技術領域中具有通常知識者認知或瞭解專利說明書所述之「保護層開口」之意義即為「狹長型溝槽狀的保護層開口」，構成內部證據。原審誤以為內部證據僅限於請求項之文字，未依據內部證據之法律適用原則進行審判，顯有判決違背法令之情事。（六）證據3「不具可實施性」和證據3「產業上之利用價值較低」，兩者並非等同之概念。原判決認為「證據3是否可作為系爭專利不具新穎性及進步性之適格證據，和其本身是否具產業上利用價值之高低無涉」，誤解上訴人在原審內係主張證據3「不具可實施性」，因而不具證據能力，而非「產業上之利用價值較低」因而不具證據能力，原判決有判決不備理由之情事。（七）系爭專利申請專利範圍第7項所述之保護層厚度為介於1μm至2μm之間，與舉發證據3明顯不同。然原判決卻認為「證據3僅舉例成長一約1μm氮化矽保護層，並未強調或建議該保護層之厚度不可大於1μm」，上述判決依據牴觸證據3之內容，而有判決未依卷內證據及判決不備理由之情事。（八）又進步性的判斷不得僅就被舉發案之個別構成要件比對，實應就該個別構成要件「對整體結構所造成之功效」比對。在本案，舉發證據3之「必要技術特徵」在於將開口之平面尺寸縮至最小，完全偏向提高凸塊上層之導電性，而忽略凸塊下層之導電性及壓接性。然而系爭專利習知技術之「必要技術特徵」傾向採用較大的保護層開口，用以提高凸塊下層之導電性及壓接性，而忽略凸塊上層之導電性。顯見舉發證據3與被舉發案習知技術之「必要技術特徵」及「發明目的」彼此相互衝突，先天即不相容且無法予以結合。依據專利審查基準之規定，證據3不足以證明系爭專利不具進步性。然原判決卻認為「證據2與證據3…其發明所欲解決之問題及技術領域相同，所述技術領域中之通常知識者自有予以組合之動機與可能性」，顯有判決違背法令之情事等語。七、本院查：㈠、發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式，專利法第56條第3項定有明文。按發明專利權範圍以說明書所載之申請專利範圍為準，申請專利範圍必須記載構成發明之技術，以界定專利權保護之範圍；此為認定有無專利侵權之重要事項。在解釋申請專利範圍時，發明說明及圖式係屬於從屬地位，未曾記載於申請專利範圍之事項，固不在保護範圍之內；惟說明書所載之申請專利範圍僅就請求保護範圍之必要敘述，既不應侷限於申請專利範圍之字面意義，也不應僅被作為指南參考而已，實應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果，此種參考並非「必要時」始得為之，此有92年2月6日專利法第56條修正立法理由可資參照。因此，解釋申請專利範圍固不得將申請專利範圍未有之事項或限制條件(文字、用語)，透過或依據專利說明書之內容予以增加或減少，以致變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利範圍。惟申請專利範圍內既有之事項或限制條件(文字、用語)於解釋其意涵所包括之範圍時，依照上開立法意旨，仍應參考說明書及圖式，瞭解其目的、作用及效果，據以界定其實質內容，此自無變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利範圍之可言。㈡、原審法院以系爭專利申請專利範圍之「保護層開口」，其中銲墊係成長於基板之正面上，保護層係成長於基板之正面上，該開口係為部分顯露該銲墊，故所謂之開口應是一具有三度空間（長、寬、高）且相對於保護層為中空並位於銲墊表面上以部分顯露銲墊之結構。系爭專利申請專利範圍第1、 14項所界定開口之一寬度係被限制不大於8μm，其並未對另二維空間及形狀作限定，故其所界定之範圍除了寬度小於或等於8μm，長度及高度之範圍則無限制，依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋其應包含二維空間為方形及長方形之開口構造，雖系爭專利說明書實施例有記載開口長度為介於40至80μm，惟並不能因此將之讀入系爭專利申請專利範圍內，而將系爭專利之開口解釋為「狹長型溝槽狀開口」，且依據內部證據優先於外部證據，亦不應將開口解釋僅為「狹長型溝槽狀開口」，並排除其它可能的形狀，而限縮申請專利之解釋範圍。證據3已教示縮小保護層開口之寬度至不大於8μm（實施例揭示3μm×3μm，及5μm×5μm之範圍），以使凸塊突起區之面積大於中央區之面積且證據4（為證據3之中譯本）第【0007】段及第【0008】段揭示習知技術利用ACF接合方式，因其凸塊凹陷之尺寸及深度問題導致導電粒子 16將完全無助於導通或僅能以極高的阻抗來導通，致效率不彰，遂提出縮小導電凸塊表面之凹陷平面尺寸及深度，以增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數目，用來提高半導體裝置組裝可靠度，證據3並提出實施例及相關數據以驗證並支持其發明之可實施性，故由證據3所揭露之程度應已足以促使液晶顯示裝置封裝業者此一技術領域中具通常知識者能製造或使用申請專利之發明。且證據3應可作為系爭專利不具新穎性之適格引證，證據2與證據3之目的均係改善半導體裝置與凸塊之導電性，其發明所欲解決之問題與技術領域完全相同，所述技術領域中具通常知識者自有予以組合之動機與可能性。系爭專利據以標新立異之特徵已為前案所揭示，不論該前案是否仍屬有效，系爭專利均已不具新穎性，固非無見。但查： ⒈系爭專利共計16項，其中申請專利範圍第1項、第14項為獨立項，其餘為附屬項。申請專利範圍第1項為：一種具有凸塊之半導體裝置，包含：一基板，其係具有一正面，該基板之該正面係形成有至少一銲墊；一保護層，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊；及至少一凸塊，其係設於該銲墊上，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。申請專利範圍第14項為：一種半導體裝置之異方性導電膜連接構造，包含：一半導體裝置，其係包含一基板，該基板係具有一正面，該正面係形成有至少一銲墊及一保護層，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊，該銲墊上係設有一凸塊，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；一載板，其係具有至少一接合墊，該接合墊係對應該凸塊；及一異方性導電膜，其係設於該載板與該半導體裝置之間，該異方性導電膜係包含有複數個導電粒子；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得在該凸塊之突起區與該接合墊間之有效接合導電粒子增多者。 2.原判決載明系爭專利申請專利範圍之「保護層開口」，其中銲墊係成長於基板之正面上，保護層係成長於基板之正面上，該開口係為部分顯露該銲墊，故所謂之開口應是一具有三度空間（長、寬、高）且相對於保護層為中空並位於銲墊表面上以部分顯露銲墊之結構。系爭專利申請專利範圍第1、 14項所界定開口之一寬度係被限制不大於8μm，其並未對另二維空間及形狀作限定，故其所界定之範圍除了寬度小於或等於8μm，長度及高度之範圍則無限制，依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋其應包含二維空間為方形及長方形之開口構造(見原判決第16頁第9行至第18行)。則原審業已審認保護層開口應是一具有三度空間（長、寬、高）且相對於保護層為中空並位於銲墊表面上以部分顯露銲墊之結構。則衡諸通念，在量度二維(度)空間中量度直線邊長時，稱呼長度數值較大的為長，不比其值大則為寬，在寬度與長度在度量數值相較時，寬度數值應係較小者。原審既審認該開口係一具有長、寬、高之三度空間，則該依照保護層開口之長度應較寬度之數值為大之通念觀之，保護層開口之長度即應大於8μm。在保護層開口之長度大於寬度之情形下，其所顯示之形狀顯然即非方形而為長方形之開口結構。原審解釋系爭專利申請專利範圍第1項、第14項時以其所界定開口之一寬度係被限制不大於8μm，而未對另二維空間及形狀作限定，亦即長度及高度之範圍則無限制，而認為依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋其應包含二維空間為方形及長方形之開口構造即有未洽。退步言之，縱然認為「寬度」語意亦可為長度之一種表示方式，系爭專利保護層開口尚有解釋為係一「等寬」的方形之可能。惟在此可能存在時，相較於寬度與長度在度量數值相較時，寬度數值應係較小之通念，何者始為系爭專利申請範圍之真意，即應參酌系爭專利說明書及圖式據以界定其實質內容，且此係在確認原有申請專利範圍內既有之事項或限制條件(文字、用語)之實質意涵，並非將申請專利範圍未有之事項或限制條件(文字、用語)，透過或依據專利說明書之內容予以增加或減少，以致變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利範圍。本件系爭專利說明書記載其實施方式時係：該保護層113係具有至少一開口114，以部分顯露該銲墊112，該開口114之寬度係不大於8μm，較佳地，係介於3至8μm，其長度係介於40至80μm等語(專利說明書第9頁倒數第3行至第10頁第1行參照)。系爭專利就其保護層開口長度之說明，其長度範圍內之數值均遠大於寬度之數值，並無長度等於寬度之情形，顯然系爭專利申請專利範圍之保護層開口之長度與寬度係採寬度小於長度之通念解釋始符其真意。因此，原審認以系爭專利未對另二維空間及形狀作限定，所界定之範圍除了寬度小於或等於8μm，長度及高度之範圍則無限制，依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋其應包含二維空間為方形之開口構造部分，未斟酌系爭專利申請專利範圍第1項、第14項內容中，所界定開口之一「寬度」係被限制不大於8μm部分，實質即對開口構造部分界定另一數值較大之長度之限制條件，自應排除「寬度」等於「長度」之方形開口之情形。因此，原審解釋系爭專利申請專利範圍第1項及第14項即難謂符合專利法第56條第3項之意旨。㈢、從而原判決以系爭專利僅就保護層之一寬度設其上限，相對地並未設其下限，凡保護層開口之一寬度不超過8μm者，均為系爭專利所涵蓋，其中當然包含3μm及5μm部分。而本件上訴人所申請之系爭專利於申請專利範圍復未明載此一保護層開口寬度除一端為不大於8μm外，另一端為大於8μm，而呈現長方形狀態，則在此範圍內，舉凡1~8μm×1~8μm之任一組合，均符合系爭專利所設定之範圍即有未洽，其據之論斷證據3既已揭示3μm×3μm，及5μm×5μm尺寸，系爭專利即欠缺新穎性部分，於法自有未合。上訴意旨據此指摘，求為廢棄，為有理由。至於系爭專利申請專利範圍第1項、第14項是否有舉發理由所指不符專利法第22條第4項之情形，以及申請專利範圍第1項、第14項以外之申請專利範圍是否有舉發理由所指之不符合專利要件，尚未經原審就原處分各該部分之審定理由加以論究。原判決雖記載本件爭訟主要爭點在於系爭專利申請專利範圍第1項及第2項，相較於舉發證據3之引證案，是否具有新穎性(見判決書第11頁倒數第2 行至第12頁第1行)？惟於判決事由理由六、㈡則記載申請專利範圍第1項、第14項之內容，並對原審判決爭點(一)至(三)中參加人即原審原告主張對於系爭專利第1、14項中「保護層開口」一詞應解釋為「狹長型溝槽狀的保護狀開口」部分加以論究。至於系爭專利申請專利範圍第2項之附屬特徵：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該頂面之面積係不小於該銲墊顯露於該保護層之面積的兩倍」部分是否不具新穎性，判決理由中並未加以審究。則原判決之爭點究竟係系爭專利申請專利範圍第1項及第2項，相較於舉發證據3之引證案，是否具有新穎性？抑或為系爭專利申請專利範圍第1項及第14項，相較於舉發證據3之引證案，是否具有新穎性？原判決理由之記載不無矛盾之處。依原判決實質審究者係系爭專利申請專利範圍第1項、第14項觀之，申請專利範圍第2項是否有舉發理由所指之不符合專利要件，似亦尚未經原審實質審究，則連同其餘原審未加論究之附屬項，事證仍未臻明確，自應發回原審法院依上述本院法律見解加以究明，另為妥適之裁判。㈣、至於上訴人主張證據3無法據以實施，不足以證明系爭專利不具新穎性部分，經查，依上訴人所指證據3之無法據以實施部分，係僅限於特定範圍內無法據以實施，但舉發人所援引作為舉發依據之先前技術，若非屬於上訴人所指無法據以實施之範圍內者，自無上訴人所指舉發證據不適格之問題。故證據3之專利內容關於上訴人所指其所界定之申請專利範圍有部分無法據以實施之情形縱然屬實，但尚非證據3專利所揭露之全部技術內容均不具證據適格，應予指明。八、據上論結，本件上訴為有理由。依行政訴訟法第256條第1項、第260條第1項，判決如主文。中　　華　　民　　國　　99　　年　　12　　月　　9　　日最高行政法院第五庭審判長法官　吳　明　鴻法官　林　茂　權法官　侯　東　昇法官　黃　秋　鴻法官　陳　國　成以上正本證明與原本無異中　　華　　民　　國　　99　　年　　12　　月　　10　　日書記官　彭　秀　玲

最高行政法院(含改制前行政法院)99年度判字第1314號

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