臺北高等行政法院 高等庭(含改制前臺北高等行政法院)93年度訴字第1969號

• 裁判案由: 發明專利異議
• 案件類型: 行政
• 審判法院: 臺北高等行政法院 高等庭(含改制前臺北高等行政法院)
• 裁判日期: 94 年 08 月 18 日

臺北高等行政法院判決
93年度訴字第1969號
原　　　告　甲○○
訴訟代理人　陳昭誠（會計師）（兼送達代收人）
丙○○
被　　　告　經濟部智慧財產局
代　表　人　蔡練生（局長）
訴訟代理人　丁○○
參　加　人　日月光半導體製造股份有限公司
代　表　人　乙○○
訴訟代理人　陳森豐律師
上列當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國93年4月14日經訴字第09306216910號訴願決定，提起行政訴訟，經本院裁定命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文
訴願決定及原處分均撤銷。
被告對000000000P01晶片封裝結構異議案應為異議成立之處分。訴訟費用由被告負擔。
事 實
一、事實概要：
參加人於民國90年3月20日以「晶片封裝結構」（下稱系爭
案），向被告申請發明專利，經其編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，原告提出異議，經被告以92年11月11日（92）智專三（二）04060字第09221137780號審定書為異議不成立之處分，原告不服，提起訴願，經遭決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。
二、兩造聲明：
㈠原告聲明：如主文所示。
㈡被告聲明：
⒈駁回原告之訴。
⒉訴訟費用由原告負擔。
㈢參加人聲明：
⒈駁回原告之訴。
⒉訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：系爭案是否有違核准時專利法第20條第1項第
1款及第2項之規定而不符發明專利要件？
㈠原告主張之理由：
⒈專利法之制定雖涵蓋鼓勵發明與創作等用意，然其主要精神仍不離促進產業發展之立意，此由前揭專利法第1條即
開宗明義予以闡明。換言之，申請專利之發明若僅係習用技術之轉換或組合，且屬熟習該項技術之一般業者所容易想出者，自難謂有技術上之創新與產業發展上之貢獻，當非專利法所欲鼓勵者。再按前揭專利法第19條：「稱發明者，謂利用自法然則之技術思想之高度創作」及第20條第1項第1款：「申請前已見於刊物或已公開使用者」、20條之1：「申請專利之發明與申請在先而在其申請後始公開
或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利」、第20條第2項：「發
明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」規定，申請專利之發明應係指具有高度之創作精神者，且該高度創作係未見於刊物、未申請在先或熟習該項技術者所無法由既有之技術輕易推論而完成，始無違前揭專利法第20條第1項第1款、第2項及20條之1等規定。若僅係熟習該項技術者所能直接推導，或僅係習用技術之組合與轉換，且屬一般業者所容易想出者，自難謂具有高度創作之精神，顯然不符前揭專利法第19條所謂發明專利之定義。再者，專利權本質上乃是一種「交易」（或「交換」），國家給予人民排他性之專利實施權以換取人民將技術內容公開，社會大眾因此可以藉由公開之技術「精益求精」，以提昇國家整體技術水準，而人民則可因此等排他性權利之實施獲得經濟上利益。換言之，如該等技術係業者容易思及，其公開並無益於提昇技術水準以及促進產業發展，即無犧牲市場競爭法則之公共利益，讓技術的擁有者享受市場獨占地位，獲取私人利益的必要。系爭案僅以該項技術者所能直接推導或輕易完成之習知技術轉用作為創作精神，即獲准專利，已阻礙一般大眾對於習知技術之自由運用的機會，顯然不利於技術上之發展，此絕非專利法之本意。
⒉第00000000號「複傳輸基板之覆晶封裝半導體」新型專利案（下稱引證一）之第5頁以及圖式第6圖中，已充分說明引用第0000000號美國專利為先前技術，並於說明書第11
頁中明確比較與該發明之差異處。而該第0000000號美國
專利之說明書第3欄第5至6行中已揭示：『由聚亞醯胺（
polyimide）所形成之絕緣體150…』，其中之聚亞醯胺（polyimide）即為一種高分子聚合物，亦即在基板中使用
高分子聚合物作為絕緣材料早因該第0000000 號美國專利之公開（87年）而相對成為系爭案申請前之既有技術。因此，於引證一之說明書及圖式中已明確揭示前揭第0000000號美國專利使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵
，相當於引證一所附說明書或圖式載明之內容相同於系爭案，亦所謂熟習該項技術者可由引證一所載明之內容而直接推導系爭案在基板中使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵，則系爭案違反前揭專利法第20條第1項第1款、20 條之1等新穎性或擬制新穎性之相關規定甚明。就前揭說明可知，熟習該項技術者可由引證一所載明之內容而直接推導系爭案在基板中使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵，因此，原處分關於引證一並未揭露其基板之絕緣結構體係由高分子聚合物所形成，不能證明系爭案不具新穎性之指稱顯係嚴重錯誤。
⒊再查，有關前揭系爭案之主要技術特徵在於基板中使用高分子聚合物作為絕緣材料之單純材質選用，本為封裝產業所慣用之習知技術，不應列為申請專利範圍等訴求，原告一再陳述，甚至舉證全華科技圖書股份有限公司出版之「增層、多層印刷電路板技術」、劉漢誠所著「球腳格狀陣列封裝技術」、賴耿陽所著「環氧樹脂應用實務」等公開在先之積極證據。即如由全華科技圖書股份有限公司出版之「增層、多層印刷電路板技術」第1-7頁所列之「多層
印刷電路板時期的動向」可知（已於訴願時提出），早在1963年即已開始生產環氧樹脂多層板；1969年開始實用聚亞醯胺（polyimide）、玻璃質基板；1975年開始製造聚
亞醯胺多層板。換言之，系爭案自稱之改良技術「在印刷電路基板中使用高分子聚合物（例如，玻璃環氧基樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺等）作為絕緣結構體」，本為既有的習知技術，實難瞭解其可專利之技術特徵何在？另外，參加人於異議答辯時，明白指出：「引證四所揭露為球格陣列式封裝（BGA），而其基板材質可以是高分子聚合物或
陶瓷。…引證六所揭露為球格陣列式封裝（BGA）及針格
陣列式封裝（PGA）的基板，而其基板材質為高分子聚合
物組成的積層壓合板。…引證七所揭露為球格陣列式封裝（BGA），而其基板材質為高分子聚合物組成的積層壓合
板，其中說明書…進一步揭露高分子聚合物的材質種類」，由此可知，熟習該項技術者焉有不知在基板中使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術的道理。惟不論被告或訴願決定機關均對此事證及理由未予審酌或任何說明，確為理由不備之重大疏失。另一方面，相同的技術本身即可能存有不同的名詞敍述，更遑論不同的撰寫者以文字敍述技術思想時，更容易因撰寫者本身的差異，而產生藉由不同文字敍述表達、描述相同技術手段的情況。再者，為避免撰寫者之文字敍述差異導致相同技術內容分別取得專利權之情況，專利審查基準中已明確指出有關專利要件之新穎性與進步性之判斷，均係以技術內容作為判斷依據，而非係以文字異同論。因此，被告所為異議不成立之理由顯然欠缺半導體封裝之相關技術與高分子聚合材料的一般性基本常識，導致未能確實瞭解系爭案之申請專利範圍的實質技術內容，而僅以文字敍述之異同作為是否具有可專利之技術特徵的判斷依據，已明顯違反專利法之本意。
⒋專利侵害鑑定基準第11章中，關於以「吉普森式請求項」（Jepson Type Claim）表達之改良形專利案之原則明敍
有：「『吉普森式請求項』之形式，係將習知部分或舊有成分於前言中敍述，以揭示本專利案完成所必要之習知技術，然後於請求主體中敍述新的或改良徵部分者。一般以『一種……（專利標的），係由……構（組成），……，其特徵在於……』方式書寫」。亦即，吉普森式申請專利範圍所記載之各項要件中，可分為：（1）與既有技術相
同的習知部分，即本身並無任何改良，屬實施上不可缺的要件；以及（2）與既有技術不同的改良部分，即發明創
作之技術特徵所在。根據系爭案原申請專利範圍第1項所
界定者，即屬前述「吉普森式請求項」形式，其特徵前所界定習知技術部份係包括封裝結構中的印刷電路基板、圖案化線路結構體、絕緣結構體、複數個導腳、至少一晶片、以及封裝材料等實施上的必要條件；其改良部分僅在於「該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成」，且該特徵僅屬材料上之轉換，並無任何實行上需克服之困難點。由此範圍之界定可確知，除了該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成之外，系爭案已自承申請專利範圍第1項中所載其
餘包括封裝結構中的印刷電路基板、圖案化線路結構體、絕緣結構體、複數個導腳、至少一晶片、以及封裝材料等實施上的必要界定均已自承為習知技術無疑。況且此等範圍之界定已審定公告於社會大眾均可知悉之專利公報中。惟查，系爭案於接獲本件異議事件並詳閱各異議證據後，顯然已自知其專利要件明顯不足，乃於91年10月25日主動修正其申請專利範圍。而修正之申請專利範圍與公告本相較，係將其特徵等字眼刪除，並重新主張原本所自承之圖案化線路結構體、複數個導腳等為其易於異議證據之主要技術特徵；然而，此等修正顯然係為扭曲系爭案創作原意之擴大界定，並非申請專利範圍過廣之修正。因此，被告准予修正確實於法無據，顯有超越裁量權之濫用事實。
⒌美國第0000000號專利案（下稱引證二）及美國第0000000號專利案（下稱引證三）俱揭示「以基板為多數個晶片之承載件，且該基板之邊緣電性連接有多數導腳」之結構，而第00000000號「具中介層的高密度焊墊陣列積體電路構裝」新型專利案（下稱引證四）及美國第0000000號專利
案（下稱引證五）則揭示了「印刷電路基板為圖案化線路結構體與絕緣結構體交錯構成者」，且美國第0000000號
專利案（下稱引證六）並明確揭露出「印刷電路基板之構成及作為絕緣結構體之材料為如樹脂之高分子聚合物」。因此，熟習該項技術者可選擇、結合前揭異議證據而輕易完成系爭案就其自承之習知技術與特徵無疑，系爭案不具進步性要件。另外，於引證三之第七圖中，亦早已繪示出用以提供晶片承載及電性連接之基板結構10包含有圖案化線路結構體70及絕緣結構體。引證二之第二圖與說明書中對應之敍述及引證三之第二、四、五及七圖及其說明書中對應之敍述均明確顯示出多數晶片黏置於一基板上，而該基板之邊緣電性連接有導腳之半導體裝置，已充分揭露出系爭案前揭申請專利範圍第1項所自承之習知技術，而系
爭案申請專利範圍第1項所述以高分子聚合物形成絕緣結
構體之特徵僅屬材料上之轉換，並無任何實行上需克服之困難點可言，係熟習該項技術者所能輕易完成者，自不具進步性甚明。
⒍關於系爭案所主張之唯一技術特徵「印刷電路基板之絕緣結構體係由高分子聚合物所形成」，則由美國第0000000
號專利案（下稱引證七）說明書第4欄第40至43行之「適
用於基板之材料宜為環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂、…較宜者為雙順丁烯二酸醯亞胺–三氮雜苯（BT）樹脂…其它適用材料為玻璃環氧樹脂…」業已明確公開在先，則任何熟習該技術者當可結合系爭案於申請專利範圍第1項所自承之
習知技術與引證七所揭露之前揭材料特徵，輕易完成「印刷電路基板之絕緣結構體為高分子聚合物所形成」之系爭案唯一特徵。故系爭案屬於結合先前技術與引證七所能輕易完成者，不具任何技術上之困難或功效上之顯然進步，違反前揭專利法第20條第2項關於進步性之規定，當予撤
銷。根據最高行政法院88年度判字第2018號判決，關於發明專利之進步性亦敍明有：「發明專利，其性質屬思想上之創作，必須在技術上、知識上及功效上，均有創新之表現始足當之」；惟如前述，系爭案之創作精神係在於「印刷電路基板之絕緣結構體為高分子聚合物所形成」，而該種材料之選用以及替換的可行性，已明確為引證七所揭示，故實施上並無有待克服之困難點，系爭案之技術思想知識或為熟知習用技術、或為習知技術之轉用而為熟習此領域之人士易於思及，當不具進步性，應無疑義。
⒎再者，被告指稱引證二至七皆未慮及基板與封裝材料熱膨脹係數之差異性，難稱系爭案以增加封裝抗體抗熱應力為目的之結構不具進步性。惟就系爭案所欲解決之習知問題而言，係如其第5頁第2及第3段中所述：「在上述第二圖
之多晶片模組構裝中…陶瓷基板200與封裝材料260的熱膨脹係數差異甚大，故當溫差變化很大的情況下，陶瓷基板230與封裝材料260的形變差異很大，如此封裝體200之抗
熱應力甚差…因此本發明的目的之一就是在提供一種晶片封裝結構，可以增加封裝體的抗熱應力」，亦即，系爭案所欲達成之功效即在於增加封裝體之抗熱應力。然事實上，就系爭案之專利說明書全文觀之，其所考量增加封裝體之抗熱應力之方式，僅係簡短以如其專利說明書第第9頁
第23行至第10頁第1行之「由於印刷電路基板330絕緣結構體334材質之熱脹係數與封裝材料360的熱脹係數相近，故其抗熱應力甚佳」等即簡略帶過系爭案可藉由使用印刷電路基板之絕緣結構體來增加封裝體抗熱應力，亦即系爭案僅係指出使用絕緣結構體（如玻璃環氧基樹脂（FR-4,F
R-5）、雙順丁烯二酸醯亞胺–三氮雜苯（BT）、環氧樹
脂（epoxy）及聚（polyimide））來取代陶瓷基板即可達成其所述之增加抗熱應力之目的，是以異議證據中凡使用絕緣結構體者皆可達成系爭案所謂增加封裝體抗熱應力之功效，自不待言。
⒏再者，參加人於前已自承，系爭案中所界定：由電路基板（包括有圖案化線路結構體及絕緣結構體）、導腳、晶片、以及封裝材料所構成之封裝結構係為習知之結構，系爭案之特徵係在於：「電路基板中的絕緣結構體係由高分子聚合物所形成」之材料選用。亦即，系爭案之特徵在於材料選用而非結構組合。此一特徵部分亦可經由比對系爭案專利說明書第二圖之習知封裝結構與第三圖之系爭封裝結構後，明顯可知，兩者之結構組合，完全相同，唯一差異在於系爭案所強調者，電路基板中的絕緣結構體係由高分子聚合物所形成之材料選用。
⒐電路基板中之絕緣結構體選用高分子聚合物材料早為業界習知之技術。如「全華科技圖書股份有限公司」出版之「增層、多層印刷電路板技術」之積極證據第1-7頁所列之
「多層印刷電路板時期的動向」可知，早在1963年即已開始生產環氧樹脂多層板；1969年開始實用聚亞醯胺（polyimide）、玻璃質基板；1970年已開發加入sealed層的FR-4基板；1975年開始製造聚亞醯胺多層板。換言之，系爭
案自稱之改良技術「在印刷電路基板中使用高分子聚合物（例如，玻璃環氧基樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺等）作為絕緣結構體」，本為既有的習知技術。如「全華科技圖書股份有限公司」出版之「高密度多層電路板技術」之積極證據第8-2頁中已述：「早期的BGA封裝以陶瓷基板為主，由於陶瓷基板與主機板之間熱膨脹係數相差較大，因此基板尺寸會受到限制，如果改環氧樹酯基板時由於熱膨脹係數相差較小，這個問題會變得較不明顯」。亦即利用環氧樹酯基板取代陶瓷基板來減少熱應力之產生，本為既有的習知技術。另外，於第9-4頁日本各廠家的技術特徵中已
述：「目前日本業界增層電路板的發展狀況如表9.1。資
料的來源主要是參考各家在1997年中之前所發表的各項產品資料。雖然每家所使用的材料組合各有不同，但是基本上都是以環氧樹脂材料為主的增層電路板」。亦即，系爭案所稱之改良技術「在印刷電路基板中使用高分子聚合物作為絕緣結構體」，本為既有的習知技術。同時於第9-5
頁之表9.1日本各廠家的增層電路板技術概要中已指出各
廠家所用之絕緣層材料可包含有環氧樹脂、玻璃纖維、FR-4、FR-5、BT、及聚亞醨胺等，同時在該表中亦標示出所使用線路之線寬/線距比例。亦再次說明，基板本即包含
有絕緣層及線路結構層。甚者，參加人於本院93年訴字第685號所自行提出之「全華科技圖書股份有限公司」出版
之「IC封裝製程與CAE應用」第4-18及4-19頁之圖4.11 之基板細部放大圖，即顯示基板係具有線路部分及絕緣體部分，以及在基板的材料中已述：「基板主要可以區分為環氧基板、BT基板、Aramid纖維基板與陶瓷蕊基板等4大類
」。亦即，於電路基板中之絕緣結構體選用高分子聚合物材料早為業界習知之技術，此亦為參加人所自承之事實。⒑經查，參加人於異議答辯時指出：「然而熟悉該項技術者應知，BGA基板的材質有諸多種類，有高分子合物亦有陶
瓷材料」「引證四所揭露為球格陣列式封裝（BGA），而
其基板材質可以是高分子聚合物或陶瓷」「引證六所揭露為球格陣列式封裝（BGA）及針格陣列式封裝（PGA）的基板，而其基板材質為高分子聚合物組成的積層壓合板」以及「引證七所揭露為球格陣列式封裝（BGA），而其基板
材質為高分子聚合物組成的積層壓合板，其中說明書第4
欄第39行至第45行，進一步揭露高分子聚合物的材質種類」。由此可知，熟習該項技術者焉有不知在基板中使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術的道理，同時參加人亦早已自承引證證據亦早已揭示系爭案之材料選用特徵，而使系爭案不具專利性之事實至為明顯。
⒒經查，引證一之第三圖及專利說明書第10頁第2段所述：
「請參照第二、三及四圖所示本創作…主要包含一第一晶片101、一第二晶片102、一基板103、一導線架104及一封膠體106」，同時配合參閱引證一之第三圖，即明顯可知
引證一已明確揭示出系爭案之晶片封裝結構之構成元件及組合。再者，由前述積極證據中亦已多次顯示，熟悉半導體及封裝製程之技術者本即知悉引證一所揭示之「基板103」乙詞，包括有依電路設計佈設的圖案化線路部分以及
用以分隔線路部分之絕緣體部分，且該絕緣體部分可為環氧樹脂、聚亞醯胺、順丁烯二酸醯亞胺等。此外，在該基板中本即因形成有圖案化線路部分方可供與晶片作電性連接，本即因具有絕緣體部分予以區隔該些圖案化線路部分，此自為熟悉該項技術者所熟知之事實。因此，被告稱引證一並未揭露基板之絕緣結構體係由高分子聚合物所形成，以及訴願決定機關所稱引證一之基板不但未揭露其絕緣結構體係由高分子聚合物所形成，亦未包括圖案化線路結構體，顯然僅為單純之文字敍述比對，並未審就文字所界定之實質技術內容，不但明顯缺乏半導體封裝之基本常識與概念，亦已違反專利審查基準中「判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準」。被告為異議不成立之理由顯然係未確實瞭解系爭案與引證一所揭示之技術內容，而僅以文字敍述之異同論，實已違反專利審查之相關規定，應予以撤銷。
⒓再者，訴願決定機關稱系爭案考慮基板與封裝材料之熱膨脹係數問題，無法由該引證一推導出，惟查，系爭案所欲解決之習知問題係如其第5頁第2及第3段中所述：「在上
述第二圖之多晶片模組構裝中…陶瓷基板200與封裝材料
260的熱膨脹係數差異甚大，故當溫差變化很大的情況下
，陶瓷基板230與封裝材料260的形變差異很大，如此封裝體200之抗熱應力甚差…因此本發明的目的之一就是在提
供一種晶片封裝結構，可以增加封裝體的抗熱應力」。然事實上，就系爭案之專利說明書全文觀之，其所考量增加封裝體之抗熱應力之方式，僅係以其專利說明書第9頁第23行至第10頁第1行之「由於印刷電路基板330絕緣結構體
334材質之熱脹係數與封裝材料360的熱脹係數相近，故其抗熱應力甚佳」等語，即簡略帶過系爭案可藉由使用印刷電路基板之絕緣結構體來增加封裝體抗熱應力。亦即系爭案指出在基板中使用絕緣結構體來取代陶瓷材料即可達成其所述之增加抗熱應力之目的，是以引證一當然亦可因使用絕緣結構體者以達成系爭案所謂增加封裝體抗熱應力之功效，自不待言。
⒔被告稱：「異議證據二及證據三皆未揭露如系爭案之基板包括圖案化線路結構體及由高分子聚合物形成之絕緣結構體…此外該證據六、七之基板材料雖為高分子合物，但該證據四、五、六、七之晶片封裝結構皆與系爭案不同，故該證據二至七不能證明系爭案不具新穎性，且該證據二至七皆未慮及基板與封裝材料熱膨脹係數之差異性，難稱系爭案以增加封裝抗體抗熱應力為目的之結構不具進步性」。惟查，引證二（第二圖）及引證三（第七圖）俱揭示「以基板為多數個晶片之承載件，且該基板之邊緣電性連接有多數導腳」之結構。引證四（第一圖）及引證五（第七圖）則揭示了「印刷電路基板為圖案化線路結構體與絕緣結構體交錯構成者」。引證六之第二圖及其說明書第5欄
第36～39行並明確揭露出「一剖面所顯示之銅線壓合板21係包括一樹脂板，且該樹脂板二表面皆佈有銅箔」。引證七說明書第4欄第40～43行已說明「適用於基板之材料宜
為環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂、…較宜者為雙順丁烯二酸醯亞胺-3氮雜苯（BT）樹脂…其它適用材料為玻璃環氧樹脂…」。因此，熟習該項技術者可選擇、結合前揭異議證據而輕易完成系爭案之技術內容，而使系爭案不具進步性要件。另外，於引證三之第七圖中，亦早已繪示出用以提供晶片承載及電性連接之基板結構10包含有圖案化線路結構體70及絕緣結構體。
⒕參加人稱系爭案修正後之申請專利範圍之請求標的「晶片封裝結構」之特徵復包括有被動元件之設置。惟如前述，系爭案提出專利申請時之請求標的「晶片封裝結構」之技術特徵係在於：基板絕緣結構體之材料選用，惟在修正後竟辯稱被動元件之設置為其另一特徵所在，明顯將原本請求之材料選用特點實質變更為結構組合特徵，故再次說明系爭案之修正明顯有違專利法之規定。再者，即便系爭案之晶片封裝結構中加入被動元件亦不具結構組合之可專利性。此係可由系爭案之第一圖，同時配合參閱其專利說明書第3頁第3段中所述：「請參照第一圖，其繪示習知多晶片模組封裝之剖面示意圖。一封裝體100係由多個晶片120、一導線架、多個被動元件150及一封裝材料160所組成…被動元件150置於導腳140上，被動元件150之電性接點（
未繪示）可以與導腳140電性連接」。亦即，在晶片封裝
結構中設置被動元件，本為系爭案所自承之習知技術。是以，即便系爭案於晶片封裝結構中設置被動元件，亦早已為習用之結構組成，故系爭案實不具可專利性之要件。
⒖本院93年度訴字第685號中所執之爭議專利案（我國專利
案號00000000），同樣為參加人之專利申請案，且該專利申請案之申請日為89年5月25日係早於系爭案之申請日（90年3月20日），於該專利申請案第7頁已明確指出：「該
基板230具有一用以與外界形成電性連接之構造，其包含
複數條導電線路（conductive trace）230a。該基板可由玻璃纖維強化BT（bismaleimide-triazine）樹脂，或FR-4 玻璃纖維強化環氧樹脂（fiberglass reinforced epoxy resin）製成之蕊層（core）形成。此外，該基板230亦可以是一陶瓷基板（ceramic substrate）」。亦即證明
，參加人於進行系爭案申請前早知，基板係包括有絕緣部分及線路部分；該絕緣部分可選擇為例如BT,FR-4之高分
子聚合物或陶瓷。
㈡被告主張之理由：
⒈系爭案係提供一種晶片封裝結構，至少包括：一印刷電路基板（330），該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體
（332）及一絕緣結構體（334），該圖案化線路結構體（332）交錯於該絕緣結構體（334）之間，其中該絕緣結構體（334）係由高分子聚合物所形成；複數個導腳，排列
於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷電路基板電性連接；至少一晶片，該晶片固定於該印刷電路基板上，並與該印刷電路基板電性連接；一被動元件，配置於該印刷電路基板及該些導腳其中之一，並與其電性連接；以及一封裝材料，包覆該晶片、該印刷電路基板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部分及該被動元件。
⒉引證一之基板未揭露系爭案獨立項第1項為「該印刷電路
基板包括一圖案化線路結構體（332）及一絕緣結構體（
33 4），該圖案化線路結構體（332）交錯於該絕緣結構
體（334）之間，其中該絕緣結構體（334）係由高分子聚合物所形成」特徵，兩案實質技術手段不同，故無法由該引證一直接推導出系爭案，引證一自不足以證明系爭案不具新穎性。另引證一其公告日晚於系爭案之申請日，並非系爭案申請前已公開之習知技術，自不足否定系爭案之進步性。
⒊又查引證二及引證三亦皆未揭露如系爭案之基板包括圖案化線路結構及由高分子聚合物形成之絕緣結構體，引證四僅第二層承載基板為強化型有機基板或陶瓷基板，引證五之基板材質為陶瓷，引證六及七僅單純揭示其基板材料為高分子聚合物，故引證二至七不能證明系爭案不具新穎性；且引證二至七皆未慮及基板與封裝材料熱膨脹係數之差異性，亦未能產生系爭案具增加封裝體的抗熱應力之功效，故非熟習該項技術者所能輕易完成，故引證二至七亦不能證明系爭案不具進步性。
㈢參加人主張之理由：
⒈習知技藝中的晶片封裝結構，陶瓷基板230與封裝材料260由於相互間的膨脹係數差異甚大，故當溫差變化大時，陶瓷基板230與封裝材料260的形變差異就會很大，因此，也將會產生熱應力的問題，使晶片結構封裝體200的抗熱能
力甚差。此外，陶瓷基板230內金屬層係為耐火性鎢所製
成，由於鎢與錫鉛合金的接合性甚差，故一般業界不會以錫鉛合金作為其連外接點的導電性材料，而必須在連外接點（接點234、導腳接點236）的表面再鍍上鎳金合金，並在銲接處表面鍍金，以點銲方式使導腳與導腳接點電性連接，如此之接合製程不僅因製程繁瑣而較無效率，並且在連外接點的表面鍍上鎳金合金及在銲接處表面鍍金的作法，其成本也非常高。
⒉為解決前揭習知技藝的問題點，系爭案所採用解決問題的技術手段如下：⑴其印刷電路基板330係由多個圖案化線
路層332、多個絕緣層334交互疊合而成，其中，多個圖案化線路結構體332彼此電性連接；而多個絕緣層之絕緣結
構體334，其可選用的材質包括玻璃環氧基樹脂、環氧樹
脂、聚亞醯胺等材質，因此，絕緣結構體334的熱膨脹係
數與封裝材料360的熱膨脹係數相近，故其抗熱應力甚佳
，而沒有習知技藝的問題產生。⑵系爭案凸塊接合的方式，係先以網板印刷的方式將凸塊390形成於印刷電路基板
330之導腳接點342上，再進行迴焊之製程，並同時將導腳350與凸塊390接合；如此，相較於習知技藝，系爭案此一接合製程不須鍍金於導腳350上，因此，成本也較習知技
藝為低。由於系爭案確實解決習知技藝所固有存在的問題點，而為被告所肯認並准予系爭案。
⒊美國專利第5,804,874號之發明領域、目的是為堆疊型半
導體晶片封裝結構提供一個可以降低封裝結構厚度卻又不會因晶片間過度接近而造成短路的發明，其與系爭案係為解決半導體晶片封裝結構，採用陶瓷基板時與封裝材料因為熱膨脹係數差異所造成的熱應力問題，並簡化相關製程與成本截然不同，並非可據以作為適當的先前技藝。此外，原告所謂美國專利第5,804,874號所記載之「由聚亞醯
胺（polyimide）所形成之絕緣體150」已揭露高分子聚合物作為絕緣材料的技術特徵，然而，綜觀該美國專利第5,804,874號之專利說明書，其所謂的由聚亞醯胺（polyimide）所形成之絕緣體150，乃是作為連結導線與晶片之間
的絕緣雙面膠，並非是以之作為基板的絕緣結構體，其目的與用途在在與系爭案有所不同。
⒋再者，引證一乃於90年8月21日公告，晚於系爭案之申請
日90年3月20日，由於在系爭案申請之時，引證一尚未因
公告而公開，本不得作為判斷一發明是否具有專利要件的先前技術，只因為避免同一發明准予兩個以上之專利，才由法律特別擬制（legal fiction）為先前技術，而允許
其僅能作為判斷一發明是否具有新穎性之用，並不得據以認定是否具備進步性之參考，此一原則，專利審查基準亦著有明文。以本案言，引證一本不得以進步性之觀點據以論斷系爭案之可專利性，至新穎性之有無，依據系爭案修正後第1項申請專利範圍，其更包括「一被動元件，配置
於該印刷電路板及該些導腳其中之一，並與其電性連接。」此一限制條件，而此限制條件引證一完全未有論及，由此亦可見二者顯有不同，透過引證一完全不足以論證系爭案不具新穎性。
⒌引證七其所要解決的技術問題是，由於現在的半導體裝置其所包含的電晶體愈來愈多，在同一半導體裝置中，其集積度愈來愈大，因此，所消耗功率與產生的熱量也愈來愈高，導致散熱成為一個重要的技術問題，簡言之，其係為解決散熱之問題。相對而言，系爭案乃為解決半導體晶片封裝結構，採用陶瓷基板時與封裝材料因為熱膨脹係數差異所造成的熱應力問題，並簡化相關製程與成本，二者在發明目的、技術領域上截然不同，所應用的解決方式更大異其趣。再者，由引證七與系爭案的晶片封裝結構觀之，二者亦顯然有別。引證七的封裝結構是所謂的焊墊陣列半導體裝置（pad array semiconductor device），而系爭案則是屬於堆疊型半導體晶片封裝結構（stacked chip
package device），二者間的晶片結構截然不同，所遇到的技術問題及技術手段自然亦大相逕庭，此一基本差異亦為被告所肯認，而認定引證七不足論證系爭案不具進步性。另需強調者為，系爭案在原告提起專利異議後，為更進一步的與先前技藝區隔，乃於91年10月25日修正申請專利範圍，將修正前第6項附屬項申請專利範圍併入其所依附
的第1項獨立項申請專利範圍中，而限縮其專利範圍。如
前所述，依據修正後限縮之第1項申請專利範圍，其更包
括：「一被動元件，配置於該印刷電路板及該些導腳其中之一，並與其電性連接。」關於此一限制條件，原告所提之所有異議證據皆未有論及，原告如何能主張系爭案是基於該等異議證據所可輕易思及完成。
⒍關於申請專利範圍之修正，依系爭案修正申請專利範圍時所適用之修正前專利法第67條第1項之規定：「發明專利
權人對於請准專利之說明書及圖式，認有下列情事之一時，得向專利專責機關申請更正，但不得變更發明之實質：1、申請專利範圍過廣。2、誤記之事項。3、不明瞭之記
載。」詳言之，於專利申請經專利專責機關核准後，如欲修正申請專利範圍，一則必須「不得變更申請案之實質」，二則必須是「限縮申請專利範圍」，始得為之。所謂變更申請案之實質，依專利審查基準規定，乃指超出原審定公告時說明書、圖式所載之技術特徵內容或圖說所載之實質創作內容；而所謂限縮專利權範圍，如前揭基準所述「申請專利範圍過廣，得藉修正、更正以縮減其範圍之樣態，例如…；或將獨立項與附屬項合併，形成一新的獨立項；或在未超出原請求項所載之技術範疇前提下，將該請求項原來之某一或某些部分技術進一步引述其發明或新型說明亦有記載之細節部分而形成細部限縮，或將…等等。」。
⒎第查，系爭案修正前之申請專利範圍第1項為：一種晶片
封裝結構，至少包括：a.一印刷電路基板，該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體及1絕緣結構體，該圖案化線
路結構體交錯於該絕緣結構體之間；b.複數個導腳，排列於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷電路基板電性連接；c.至少一晶片，該晶片固定於該印電路基板上，並與該印刷電路基板電性連接；以及d.一封裝材料，包覆該晶片、該印刷電路基板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部份，e.其特徵在於，該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成。簡言之，系爭案修正前之申請專利範圍第1項共包括a.
b.c.d.e等五個限制要件。至系爭案修正後之申請專利範
圍第1項，則為：一種晶片封裝結構，至少包括：a.e.一
印刷電路基板，該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體及一絕緣結構體，該圖案化線路結構體交錯於該絕緣結構體之間，其中該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成；b.複數個導腳，排列於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷電路基板電性連接；c.至少一晶片，該晶片固定於該印電路基板上，並與該印刷電路基板電性連接；f.一被動元件，配置於該印刷電路基板及該些導腳其中之一，並與其電性連接；以及d.一封裝材料，包覆該晶片、該印刷電路基板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部份及該被動元件。簡言之，系爭案修正後之申請專利範圍第1項共包括a.b.c.d.e.f.等六個限制要件，亦即，其是由修正前之獨立項
申請專利範圍第1項與第6項附屬項申請專利範圍合併，以形成一新的獨立項，本屬專利審查基準中所列示的限縮申請專利範圍態樣之一，自為法所認許。綜合言之，參加人於91年10月25日對系爭案所為之申請專利範圍修正，其內容皆為專利說明書（申請專利範圍）原所記載、包括的範圍，自然沒有超出原專利說明書所記載範疇，而非變更申請案之實質；並且，該等申請專利範圍的修正乃是增加一個限制要件f，而屬申請專利範圍的減縮，自無申請專利
範圍擴張之情事。參加人此申請專利範圍之修正本為法之所允，原告指陳被告准予修正之決定顯有裁量權之濫用，實屬無據。
⒏申請專利範圍的描述，因不同技術領域間之技術特色有所不同，所需求之描述或理解方式亦有所別，故而產生多種不同之描述、撰寫類型。在此之吉普森式申請專利範圍（Jepson-type claim），係於申請權利範圍前言描述一已
知之裝置或製程的所有要件或部分要件，其後始以「其改良之部分在於」或「其特徵在於」等轉折連接詞，特別指出其改良之技術所在。承上述，所謂吉普森式申請專利範圍乃允許將申請專利發明中所包含的屬於先前技術的限制要件利用前言（preamble）來表示，然而，這樣一個記載系爭案的相關先前技術或背景的申請專利範圍前言，是否應該也屬於該申請專利範圍的其中一個限制要件？首先以專利先進國家美國專利司法實務為例，在Rowe v.Dror1案中，美國聯邦巡迴上訴法院就明白指出：「吉普森式申請專利範圍的前言，不僅是定義申請專利發明的來龍去脈，也是定義申請專利發明的專利權範圍的憑藉（when this
form is employed, the claim preamble defines not
only the context of the claimed invention, but
also its scope.）」；因此，該申請專利發明所定義、
包含的是其申請專利範圍前言與其所改良部分的整體的組合（the claimed invention consists of the preamblein combination with the improvement.）。詳言之，一個「吉普森式申請專利範圍」其實與一個「組合式申請專利範圍」是一樣的，申請專利範圍前言裡所包含的步驟或限制要件，都應該當作是申請專利範圍所包括的限制要件（The Jepson form of claim is to be considered a
combination claim. The preamble of this form of
claim is considered to positively and clearly
include all the elements or steps recited therein
as a part of the claimed combination.參附件1，
United States Patent and Trademark Office, Manual
of Patent Examination Procedure Section 608.01（m
）（6th ed. Rev. Sept. 1995））。不僅美國專利司法
實務如此認定，即便被告亦持相同的見解與看法。在專利侵害鑑定基準中即明白指出：「吉普森式請求項前言所載事項，一般雖屬於公知事項或上位概念，但既已載於請求項中，而構成專利範圍的前言部分或限制條件，則不論其為公知事項，自應納為構成本專利案要旨之一部分，併同特徵部分成為請求項技術範圍之判斷依據。」此等說明雖是規定在專利侵害鑑定基準中，然而，被告肯認吉普森式申請專利範圍之前言，亦屬於其構成本專利案要旨之一部分，而成為專利案整體構成的一部分限制條件，則是不爭的事實。基此，在判斷系爭案相較先前技術是否具有專利進步性時，自亦應以包含吉普森式申請專利範圍之前言在內的所有專利限制條件，來加以整體考量。
⒐一專利案之進步性判斷，依世界各國所肯認之專利審查原則，進步性專利要件之判斷應以申請專利範圍整體來觀之（as a whole），不得將其申請專利之發明所載之技術內容加以片段、肢解來加以分析（參，Hybritech Inc.v.Moloclonal Antibodies, Inc., 802 F. 2d 1367, 231USPQ81（Fed. Cir. 1986）；In re Paulsen, 30 F.3d1475,
1482, 31 USPQ 2d 1671（Fed. Cir. 1994）），蓋如得
將一發明之技術內容予以拆解分析，則因審查委員在了解技術內容後，容易對申請專利之發明為過低之評價，致常有事後諸葛之後見之明（hindsight），此般審查原則規
定，在專利審查基準中，亦有相應的明文規定：「進行專利審查時應依熟習該項技術者之觀點、申請當時之技術水平作客觀判斷，而不得基於因知悉申請專利發明中既有之內容或說明，而對申請專利之發明有後見之明的過低評價。」而此一專利審查原則，不論是對吉普森式申請專利範圍或是組合式申請專利範圍皆為相同之理。
⒑原告認參加人自承引證四所揭露者為球格陣列式封裝（BGA），而其基板材質可以是高分子聚合物或陶瓷，以及引
證六所揭露為球格陣列式封裝（BGA）及針格陣列式封裝
（PGA）的基板，而其基板材質為高分子聚合物組成的積
層壓合板，因此，系爭案不具專利性的事實至為明顯。惟查，正如原處分認引證四、五、六、七之晶片封裝結構皆與系爭案不同，故該等異議證據不能證明系爭案不具新穎性，並且該引證二至七皆未慮及基板與封裝材料熱膨脹係數的差異性，因此，也難稱系爭案不具進步性。更清楚地講，引證四與六其封裝結構，其基板未如系爭案的情形，是與導線架結合，並且其膠體封裝亦僅限在基板的一部份；反觀，系爭案的封裝結構，其基板是與導線架結合，而且，在封裝時，整個基板是埋在封裝體內，因此，其所面臨的基板與封裝材料的熱應力形變問題，也不相同。原告以引證四、六中截然不同的封裝結構，擷取其部分特點，來主張系爭案不具專利性，顯然是主觀的後見之明，而不可採。
⒒判斷一發明是否具有專利進步性要件，必須對該發明的整體技術內容來加以觀察，此為台灣與諸多專利先進國家所一致肯認的專利審查原則，已如上述。雖然，專利審查基準中規定，在判斷進步性時，可以組合兩件以上的不同文獻來判斷發明的進步性，然而同基準中也明白指出，於判斷發明是否能輕易完成時，「…惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時（若有主張優先權者，則只有效優先權日），所能輕易完成者為限。」至何謂所能輕易完成，同基準文獻組合應注意事項言明：「組合所需之文獻為不同之文獻者，其數量越多，通常視為非能輕易完成。」原告所執以否定系爭案進步性的先前技術必須多達七、八個，且無一先前技術是真正可以證明揭露系爭案發明整體的技術內容及其因此所可解決的技術問題，系爭案具進步性已經不言可喻。再者，原告指陳系爭案已經先前技術的揭露而喪失專利要件的論點，完全是將系爭案的內容一一分解，再一一找尋相對應的先前技術以支持其說，此一方法顯然有違發明應整體觀之的基本原則。
⒓為充實參加人的論證，茲謹再舉專利先進國家對一先前技術是否可據以認定一專利申請案不具專利要件的操作方法，以供參酌。在判斷一先前技術文獻是否對一嗣後申請專利之發明構成佔先（anticipation），而使該發明不具新穎性，可以下列方法為之：將該先前技術文獻視為其乃發生或存在於該發明之後時，並加以判斷該先前技術文獻是否會落入該發明之專利權範圍內而構成專利侵權。如果會構成專利侵權，則該等先前技術文獻即可被認為佔先該申請專利之發明；反之，如果不構成專利侵權，則該等先前技術文獻即不能使該申請專利之發明喪失新穎性。原因在於，先前技術只有真正具備系爭案的專利技術特徵，才會在將其存在時間點擬制的延後之後，會對系爭案構成侵權者，反之，如果一先前技術將他擬制是存在於系爭案之後，如仍不會構成侵權，也可以證明該先前技術不具備系爭案的技術特徵，而至多僅可稱是揭露系爭案的某一小部分，如此，當然不能據以認定此一先前技術使系爭案喪失專利要件。而查原告所執之所有先前技術，包括原告指稱參加人在異議中自承的引證四與六，以上述方法加以檢驗，皆不具備系爭案的技術特徵，自然也不足以論證系爭案不具專利要件。
理 由
一、系爭案申請日為90年3月20日，被告於91年2月21日審定准予專利，則系爭案有無應不予專利之情形，自應以該核准審定時所適用之90年10月24日修正公布之專利法為斷。按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依系爭專利核准審定時專利法第19條暨第20條第1項之規定
申請取得發明專利。惟其發明如係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。系爭案於
91年10月25日修正申請專利範圍，與91年3月21日之審定公
告本比較，因未變更實質，且屬申請專利範圍過廣，經被告准予修正，並依修正本審查本件異議案。故本件應以修正後之申請專利範圍作為審究之依據。依系爭案修正後之專利說明書之記載，其申請專利範圍為：
⒈一種晶片封裝結構，至少包括：
一印刷電路基板，該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體及一絕緣結構體，該圖案化線路結構體交錯於該絕緣結構體之間，其中該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成；複數個導腳，排列於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷電路基板電性連接；至少一晶片，該晶片固定於該印電路基板上，並與該印刷電路基板電性連接；以及一封裝材料，包覆該晶片、該印刷電路基板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部分及該被動元件。
⒉如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該晶片係藉
由打線的方式與該印刷電路基板電性連接。
⒊如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該晶片係藉
由覆晶的方式與該印刷電路基板電性連接。
⒋如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該些導腳係
藉由複數個凸塊與該印刷電路基板電性連接，而該些凸塊的材質係選自於由錫鉛合金、導電膠所組成的族群中之一種材質。⒌如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該絕緣結構
體之材質係選自於由玻璃環氧基樹脂、雙順丁烯二酸醯亞胺–三氮雜苯、環氧樹脂及聚亞醯胺所組成之族群中的一種材質。⒍如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該些導腳與
該印刷電路基板的接合方式，係先藉由網板印刷的方式將複數個凸塊置於該印刷電路基板上，再透過迴焊的方式，將該些導腳與該些凸塊接合。
二、引證一係第00000000號「複傳輸基板之覆晶封裝半導體」新型專利案，引證一於90年8月21日審定公告，晚於系爭案申
請日，並非系爭案申請前習知之技術內容，尚不能以引證一論究系爭案不具進步性。又引證一係一種複傳輸基板之覆晶封裝半導體，其主要包含一第一晶片、一第二晶片、一基板、一導線架及一封膠體。引證一之技術結構與系爭案第1項
有關「該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體（332）及
一絕緣結構體（334），該圖案化線路結構體（332）交錯於該絕緣結構體（334）之間，其中該絕緣結構體（334）係由高分子聚合物所形成」特徵不同，尚不能由引證一直接推導出系爭案之申請專利範圍全部之技術內容，兩案實質技術手段不同，引證一不足以證明系爭案不具新穎性。原告僅以引證一之說明書及圖式中已明確揭示前揭第0000000號美國專
利使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵，認熟習該項技術者可由引證一所載明之內容而直接推導系爭案在基板中使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵，即主張系爭案違反新穎性或擬制新穎性之相關規定，並非可採。
三、引證二係美國第0000000號專利案，引證三係美國第0000000號專利案，引證四係第00000000號「具中介層的高密度焊墊陣列積體電路構裝」新型專利案，引證五係美國第0000000
號專利案，引證六係美國第0000000號專利案引證七係1994
年2月8日公告之美國第0000000號專利案。雖然引證二之第
二圖及引證三之第二、四、五、七圖與其說明，皆未揭露如系爭案之基板包括圖案化線路結構體及由高分子聚合物形成之絕緣結構體。引證四之第一承載層由可曝光顯影介電材質或可撓性印刷電路板形成，第二層承載基板為強化型有機基板或陶瓷基板，引證五之基板材質為陶瓷，引證四、五、六及七之晶片封裝結構皆與系爭案不同，引證二至七尚不能證明系爭案不具新穎性。
四、但查，系爭案依其專利說明書之記載，雖包括一印刷電路基板、複數個導腳、至少一晶片、及被動元件等，惟系爭案之改進技術特徵部分僅在於印刷電路基板之絕緣體係由高分子聚合物所形成（系爭案修正前之申請專利範圍撰寫方式係採「吉普森式請求項」（Jepson Type Claim），其已載明技
術改良部分在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成，至於其餘印刷電路基板、複數個導腳、至少一晶片、一封裝材料等均屬前言之習知技術）。雖然修正後申請專利範圍未載明結構特徵在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成部分，並加入被動元件之記載，但其嗣後加入被動元件之記載，由系爭案之第一圖，同時配合參閱其專利說明書第3頁第3段中載明：「請參照第一圖，其繪示習知多晶片模組封裝之剖面示意圖。一封裝體100係由多個晶片120、一導線架、多個被動元件150及一封裝材料160所組成…被動元件150置於導腳140上，被動元件150之電性接點（未繪示）可以與導腳140電性連接」，已可得知在晶片封裝結構中設置被動元件，係屬系爭案申請前之習知技術。又因修正前後之實質結構特徵並未變更，故被告始准予變更，因此修正後之改進結構特徵仍係在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成部分，亦可以認定，此並為參加人所不爭執（94年6月22日準備程序筆錄參照
）。
五、而引證六之第二圖及其說明書第5欄第36～39行並明確揭露
出「一剖面所顯示之銅線壓合板21係包括一樹脂板，且該樹脂板二表面皆佈有銅箔」。引證七說明書第4欄第40 ～43行已說明「適用於基板之材料宜為環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂、…較宜者為雙順丁烯二酸醯亞胺-3氮雜苯（BT）樹脂…其它適用材料為玻璃環氧樹脂…」。雖然引證六為球格陣列式封裝（BGA）及針格陣列式封裝（PGA）的基板，引證七的封裝結構是焊墊陣列半導體裝置（pad array semiconductor
device），而系爭案則是屬於堆疊型半導體晶片封裝結構（stacked chip package device），彼此之晶片結構不同。
但系爭案結構特徵既僅在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成部分，用以改進習知陶瓷基板與封裝材料抗熱應力差的問題。依原告於訴願時所提出全華科技圖書股份有限公司出版之「增層、多層印刷電路板技術」第1-7頁所列之「多層
印刷電路板時期的動向」可知，早在1963年即已開始生產環氧樹脂多層板；1969年開始實用聚亞醯胺（polyimide）、
玻璃質基板；1975年開始製造聚亞醯胺多層板。原告另於審理中提出「全華科技圖書股份有限公司」出版之「高密度多層電路板技術」第8-2頁中述及：「早期的BGA封裝以陶瓷基板為主，由於陶瓷基板與主機板之間熱膨脹係數相差較大，因此基板尺寸會受到限制，如果改環氧樹酯基板時由於熱膨脹係數相差較小，這個問題會變得較不明顯」。可見利用環氧樹酯基板取代陶瓷基板來減少熱應力之產生，已為習知解決熱應力問題之技術。而系爭案改進習知技術部分既在印刷電路基板中使用高分子聚合物（例如，玻璃環氧基樹脂、環氧樹脂、聚亞醯胺等）作為絕緣結構體」，由上述引證六、引證七及文獻上已載明在基板上使用高分子聚合物之習知事實，且利用環氧樹酯基板取代陶瓷基板來減少熱應力之產生，已為習知解決熱應力問題產生之方法，則系爭案將高分子聚合物的材質使用於系爭案之絕緣結構體，以增加封裝體抗熱應力，應屬熟習該項技術者應用前述習知技術所可輕易完成。尚不能以彼此之晶片結構不同，即認使用高分子聚合物作為絕緣結構體具有進步性。
六、至於系爭案獨立項除絕緣結構體係由高分子聚合物所形成以外構件及其組成均屬習知技術，而附屬項有關晶片電性連接方式、導腳藉由複數個凸塊與該印刷電路基板電性連接，而該些凸塊的材質之界定、絕緣結構體之材質之界定導腳與該印刷電路基板的接合方式等，均係就習知構件組成或材質之細部描述，亦不具突出之技術特徵或顯著之功效之增進，亦不能以該等附屬特徵主張具有進步性。
七、從而被告以系爭案並無違反核准時專利法第20條第1項第2項之規定而為異議不成立之處分，於法尚有未洽。訴願決定未加指摘而予維持，亦非妥適。且本件依上述說明，系爭案不具進步性，事證已臻明確，原告請求撤銷訴願決定及原處分，並命被告就系爭異議案應為異議成立之處分，為有理由，應予准許。
八、參加人於言詞辯論終結後，另於94年8月12日補提答辯（三
）狀，除與言詞辯論終結前已提出相同之主張事實理由，本院已予論斷如前所述外，其餘於言詞辯論後始提出之事實主張，爰不加以審酌，應併敍明。
據上論結，本件原告之訴為有理由，爰依行政訴訟法第98條第3
項前段，判決如主文。
中　　華　　民　　國　　94　　年　 　8　　月　 18 　 日第一庭審判長法　官 姜素娥
法　官　吳東都
法　官 陳國成
上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中　　華　　民　　國　　94　　年　 　8　　月　 19 　 日書記官 王英傑