臺北高等行政法院判決

原告

日商‧日立製作所股份有限公司

代表人

甲○○○

訴訟代理人

林志剛律師（兼送達代收人）

複代理人

廖文慈律師

訴訟代理人

乙○○

被告

經濟部智慧財產局

代表人

蔡練生（局長）

訴訟代理人

丙○○

上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國93年7月14日經訴字第09306222400號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下：

主文

事實

一、事實概要：原告於民國88年9月28日以「半導體裝置及其製造方法」（下稱系爭案）向被告申請發明專利，經其編為第00000000號審查，不予專利。原告不服，申請再審查，經被告於92年9月26日（92）智專三（二）04097字第09220967940號專利再審查核駁審定書為「應不予專利」之處分。原告不服，乃向經濟部提起訴願，經遭決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。

二、兩造聲明：

㈠原告聲明：

1.原處分及訴願決定均撤銷。

2.被告應就系爭案為准予專利之處分。

3.訴訟費用由被告負擔。

㈡被告聲明：

1.駁回原告之訴。

2.訴訟費用由原告負擔。

三、兩造之爭點：系爭案是否有違核駁時專利法第20條第2項之規定而不符發明專利要件？

㈠原告主張之理由：

1.原處分未指明其係針對系爭案申請專利範圍的哪一請求項提出，有違專利審查基準之進步性判斷及前揭專利法第38條與第39條規定之情形：

⑴按系爭案申請專利範圍共有18個獨立項，而分為「半導體裝置」、「半導體裝置之製造方法」及「半導體裝置模組」等三類發明。如下所示：

①「半導體裝置」方面有第1、2、4、6、8、9、11、22、23項等9個獨立不同的「半導體裝置」發明。

②「半導體裝置之製造方法」方面有第13、14、15、16、17 、18項等6個獨立不同的「半導體裝置之製造方法」發明。

③「半導體裝置模組」方面有第19、20、21項等3個獨立不同的「半導體裝置模組」發明。

⑵按原告所提之附證2可知，依據專利審查基準有關「判斷進步性之基本原則」的規定，申請專利範圍之請求項有2項以上時，應就每一請求項各別判斷其進步性，顯見被告並未依照上述之進步性判斷規定作成審定。再者，原處分核駁理由乃僅針對「半導體裝置」者而言，並未含有不予「半導體裝置之製造方法」及「半導體裝置模組」等發明專利的理由。是以，被告對系爭案之「半導體裝置之製造方法」及「半導體裝置模組」發明的核駁審定，不但未具備核駁理由，而違法未准予專利，已違反前揭專利法第38、39條規定，並有違審查新穎性及進步之基準。

2.再者，就原處分論定系爭案之「半導體裝置」發明不具進步性之違法情形，說明如下：

⑴系爭案之特徵與優點若已揭露於我國專利公告第358239號（下稱引證案），則系爭案與引證案應為相同的發明，系爭案必然不具新穎性，惟原處分並未認定系爭案不具新穎性。再者，從系爭案與引證案之說明書及申請專利範圍所載內容觀之，亦顯示兩者所欲解決之問題、解決問題之構成技術，以及所能達成之效果等均不相同。此外，被告於原處分更自承系爭案之配置方式與引證案有差異。由此可見，系爭案與引證案並非相同之發明，被告並未以系爭案不具新穎性相核駁，而係改以系爭案不具進步性相核駁。是以，原處分認定系爭案之特徵與其優點已揭露於引證案乙事，顯與事實不符。

⑵再者，系爭案的構成特徵，係將電極焊墊與外部連接突起電極之電連接用配線層，形成於「應力緩和層」表面，至於引證案的連接配線（相當於系爭案的配線層），係形成於「應力緩衝層」及「鈍化膜」表面。系爭案之「應力緩和層」，與引證案之「應力緩衝層」在本質上並不相同。亦即，兩者所要緩和何種應力（目的）、緩和該應力所使用之構成特徵（技術特徵），以及緩和該應力所達成之效果（功能）互不相同，故引證案不可能如被告所述已揭露系爭案以「應力緩和層」改善半導體元件與安裝基板間熱膨脹率差引起的熱應力作用：

①發明目的方面：A.引證案之發明目的，僅為緩和突起電極正下側方向之垂直應力，因此並無法獲得緩和水平方向應力之動機，所以未揭示有緩和水平方向應力之構成。B.系爭案之發明目的係為緩和半導體元件與安裝基板間之熱膨脹率之差所引起之熱應力，故不僅需要緩和突起電極之正下側方向之垂直應力，更需要緩和水平方向之應力，因而提供一種可緩和水平方向應力之構成。

②技術構成方面：A.從引證案第4圖與系爭案第2圖比對，由於引證案為了達成其發明目的，僅需要緩和突起電極正下側方向之垂直應力，因此引證案並未揭示任何有關緩和水平方向應力之技術構成。因而引證案在構成上，除配線被配置於由兩個不同材料構成的緩衝層8與鈍化膜6上外，並藉由鈍化膜6將配線固定，而突起電極4及其配線周圍又藉由模鑄樹脂5、聚酉先亞胺樹脂7將之固定，使得突起電極及配線之水平方向應力無法被緩和，因此引證案並未揭示任何有關緩和水平方向應力之技術構成，如系爭案所揭示「電極焊墊與外部連接用突起電極或配線相對於水平方向可自由移動」之構成。B.至於系爭案為了達成前揭發明目的，不僅需要緩和突起電極之正下側方向之垂直應力，更需要緩和水平方向之應力，因此提供有一種可緩和水平方向應力之技術構成。是以，系爭案之配線層僅配置於由同一低彈性率之軟材料構成的應力緩和層上，加封樹脂層亦未將突起電極及其配線周圍固定，因此突起電極及配線之水平方向應力得以被緩和，顯示系爭案提供有一種緩和水平方向應力之技術構成。

③效果方面：系爭案是否「可防止配線層的剝離」，而引證案是否「將導致連接配線產生剝離或斷線問題」，乃取決於「是否在鈍化膜上形成有配線層」，而不是在於鈍化膜之有無。換言之，系爭案與引證案在構成差異上之爭論重點，係在於「是否在鈍化膜上形成有配線層」，而不是在於鈍化膜之有無。A.引證案之配線，由於係分別配置在由兩個不同材料構成的緩衝層8與鈍化膜6上，但緩衝層與鈍化膜的物質不同、膨脹係數不一樣，因此當其半導體裝置與配線基板之連接部產生熱應力時，配線在與緩衝層8連接部分，將產生變形。且從引證案第4圖可以看出焊墊與電路直接接觸沒有置於鈍化膜上面，表示鈍化膜沒有導電的功能，只是防止污染而已。又配線在與鈍化膜6連接部分，則因鈍化膜為硬材料不具緩和作用，形同被固定於鈍化膜上，而成固定狀態，是以，引證案之配線間存在有變形與不變形兩部分，加以其電極及配線周圍又被固定，使得其水平方向應力無法被緩和，應力集中於界面，因而引證案有「導致配線產生剝離或斷線問題」之缺點。B.系爭案之配線層，因僅配置於應力緩和層上，該應力緩和層又為同一低彈性率之軟材料，故不會有像引證案之應力集中情況；同時因配線層形成於應力緩和層表面，在安裝後之溫度循環時，即使發生熱應力，亦可藉應力緩和層緩和垂直及水平方向熱應力，因而系爭案不但沒有「導致配線產生剝離或斷線問題」之缺點，而且有「防止配線層剝離」之優點，獲得安裝基板之連接部及配線層的信賴性較佳之半導體裝置。故在效果方面，系爭案有較優於引證案的效果。由此可見，被告辯稱將系爭案連接配線「可防止配線層的剝離」，而引證案「將導致連接配線產生剝離或斷線問題」之因果，歸因於系爭案「犧牲鈍化膜可防止離子污染之效果，而將配線形成於應力緩和層表面」所致，此說法係在模糊爭論焦點，實無可採。又被告未對原告前述內容答辯，顯見被告已承認系爭案在防止配線層的剝離，獲得安裝基板之連接部及配線層的信賴性較佳的效果方面，確實優於引證案。

3.此外，系爭案為更進一步有效達成熱應力緩和之目的，系爭案之「應力緩和層」於厚度方向具有傾斜構造，使導體層沿「應力緩和層」之傾斜面予以形成，此可以達到緩和溫度循環時產生之水平（左右）方向之熱應力的效果，此非由引證案之構成所能輕易推知者。又按系爭案中文說明書第10頁及系爭案申請專利範圍第23、24項可知，為更能有效緩和熱應力，系爭案的導體層之導體寬，係自電極焊墊起至外部連接用突起電極之範圍內呈連續變化，特別是外部連接用突起電極形成為較粗，乃系爭案之特徵之一，而上述之系爭案這些構成的技術思想及特徵，亦皆未揭示於引證案。而引證案之「應力緩衝層」，所要緩和之應力，係針對突起電極4正下方之半導體元件內之電路，緩和衝擊力施加於突起電極形成時，以及突起電極與基板連接時，所產生之「上下方向的機械應力 (縱向應力)」。綜上可知，系爭案之「應力緩和層」所要緩和之應力，與引證案之「應力緩衝層」所要緩和之應力，係因兩者在本質上互不相同所導致的緣故。可見系爭案之上述構成特徵，絕非是由引證案之構成所能輕易推知者。惟被告未為任何答辯，顯見被告已承認系爭案與引證案之「應力緩和層」所要緩和之應力係不相同的應力，即足以證明兩者在此方面的構成特徵是不相同的。

4.又原告從未說過「系爭案與『鈍化膜』無直接關係」之話語，故被告所下之「原告前後論述無法連貫」的結語並不屬實。又系爭案並非為了將配線形成於應力緩和層表面，而犧牲鈍化膜可防止離子污染之效果：按一般半導體元件為防止離子污染等皆形成鈍化膜，乃是半導體元件業界所有之習常作業，且為普遍使用之習知技術知識，此只要徵詢半導體元件業界或參照原告所提附證1「半導體與積體電路製造技術」書第116、188、189頁即可獲得證實。又按原告行政訴訟準備書狀（一）第4頁之參考圖可知，系爭案發明亦同樣形成有鈍化膜。此外，系爭案晶圓在無塵室製造，離開後於空氣中就會形成氧化層將晶圓包住，到半導體公司後再洗去氧化層，待裝置完成後再視其是否需要塗上鈍化膜，鈍化膜並非系爭案發明的內容，故系爭案依專利審查基準有關習知技術可以省略其說明之規定，於系爭案說明書中予以省略其說明而已，並非如被告在其答辯中所言「犧牲鈍化膜可防止離子污染之效果，而將配線形成於應力緩和層表面」。

5.系爭案下述申請專利範圍技術構成特徵並未揭示於引證案：

⑴第13項之形成常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的緩衝層之後，將該緩衝層從表面起切除1/3以上而分割成多數領域，於該分割之緩衝層上形成導體層。

⑵第14項之形成常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的緩衝層之後，將該緩衝層朝厚度方向切除而分割成多數領域，於該分割之緩衝層上形成導體層。

⑶第15項、18項之形成常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的應力緩和層之後，於該應力緩和層上形成導體層。

⑷第16項、第17項之形成常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的低彈性率材層之後，將該低彈性率材層從表面切除1/3以上而分割成多數領域，於該分割之低彈性率材層上形成導體層。

⑸第19、20、21項之半導體模組，包含有本發明之半導體裝置，以及介由外部連接用突起電極電連接的安裝基板。因此，依系爭案半導體模組之構成，導體層僅配置於應力緩和層上，且此構成特徵同樣可以獲得緩和水平方向應力之效果，無論發明之技術構成及所能達成之效果增進而言，均與引證案不同。

㈡被告主張之理由：

1.系爭案的技術特徵於說明書中已明確說明。被告審查時，只針對特徵為說明，但並非沒有逐項審查。又系爭案的技術特徵與引證案最大的差別在於沒有鈍化層：原告雖主張之「系爭案的構成特徵，係將電極焊墊與外部連接突起電極之電連接用配線層，形成於『應力緩和層』表面，至於引證案的連接配線（相當於系爭案的配線層），係形成於『應力緩衝層』及『鈍化膜』表面」，惟此段所述與「鈍化膜」並無直接關係，顯係原告前後論述無法連貫。再者，按鈍化膜之主要目的乃為具有防止離子污染之功效，亦為不爭事實，引證案所具有之鈍化膜顯係更具防止離子污染功效當無疑義。若犧牲鈍化膜所帶來之優點（例如不在乎鈍化膜可防止離子污染之效果），則自然可將配線層形成於應力緩和層表面；然系爭案此種犧牲鈍化膜可防止離子污染優點而將配線層形成於應力緩和層表面，顯然無法增進功效，且極易為熟悉該項半導體製程者所能輕易完成。此外，原告所言於密閉室空間所產生的自生性氧化層與此處的鈍化膜不同。即便如原告所言將晶圓製作完成後送到半導體公司作切割，如有需要再塗上鈍化膜，但如此就不是系爭案的結構。如果結構上有需要的話，即使為習知技術，也需予以揭示。鈍化層於製作的過程中為真空的狀態下所完成，只要離開真空環境任何一個小物體都會損壞電路。所以鈍化膜不可能不需要。系爭案與引證案的緩和層只是面積大小不同而已，如果業界認為水平應力需要，會根據引證案將緩和層的面積隨著需求而增大或減小，為熟悉該項技術者可以輕易思及。

2.關於原告所主張之系爭案之配線層形成於應力緩和層表面乙節，此亦如一個人原先穿了防彈背心（相當於鈍化層），護助身體重要部位，再穿上一件軟衣服（即應力緩和層），此軟衣服的舒適效果（即緩和應力，以避免連接配線有產生剝離或斷線的缺點），當然不如脫掉防彈背心時來得大，若不擔心遭槍擊，而不穿防彈背心（即不在乎鈍化膜可防離子污染之優點），則自然可如系爭案一般，將配線層形成於應力緩和層表面；然此種犧牲鈍化膜可防止離子污染優點而將配線層形成於應力緩和層表面，顯然無法增進功效，且極易為熟悉該項半導體製程者所能輕易完成。

3.起訴狀所主張之「系爭案之『應力緩和層』於厚度方向具有傾斜構造，使導體層沿『應力緩和層』之傾斜面予以形成」與緩和「水平方向的熱應力」等云云，惟此一技術特徵實亦揭露於引證案之第4圖，該圖中應力緩和層亦具有一傾斜構造，導體層亦沿應力緩和層之傾斜面被形成，且應力緩和層之大小、寬窄、厚薄、傾斜度等參數均可根據線路規格及需求（例如熱應力或機械應力等，又引證案所稱的機械應力也包含熱應力在其中。），而加以最佳化。

理由

一、按專利法於92年1月3日修正施行（93年7月1日施行）前，尚未審定之專利申請案，適用修正施行後之規定，專利法第135條定有明文。因此，專利法修正施行前已審定者，適用修正施行前之規定，亦有專利法第135條修正說明可資參佐。本件係於92年1月3日修正施行前（即93年7月1日施行），業已審定之案件，自應適用修正施行前之專利法。次按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依系爭案審定時專利法第19條暨第20條第1項前段之規定申請取得發明專利。惟如「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。

二、系爭案依其專利說明書之記載，其申請專利範圍係：

1.一種半導體裝置，係具備：形成有積體電路的半導體元件；形成於該半導體元件之積體電路形成面側的多數電極焊墊；設於該積體電路形成面，用以緩和該半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力的常溫下具0.1MPa至1GPa之彈性率的應力緩和層；設於該應力緩和層上的外部連接用突起電極；及設於該應力緩和層上，用以電連接電極焊墊與該外部連接用突起電極的導體層；該應力緩和層，係從表面起1/ 3以上被切除，分割成多數領域。

2.一種半導體裝置，係具備：半導體元件；形成於該半導體元件之電路形成面側的多數電路電極；設於該電路形成面側，用以緩和該半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力的常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的應力緩和層；設於該應力緩和層上的外部電極；及設於該應力緩和層上，用以電連接該電路形成面與該外部電極的導體層；該應力緩和層，係分割成多數領域。

3.如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中與該應力緩和層密接形成有封裝樹脂層。

4.一種半導體裝置，係具備：形成有積體電路的半導體元件；形成於該半導體元件之積體電路形成面側之周邊領域的多數電極焊墊；介由導體層電連接該電極焊墊的外部連接用外部電極；及設於該半導體元件之該積體電路形成面上，表面具該外部電極及該導體層的常溫下具0.1MPa至1GPa之彈性率的應力緩和材；該應力緩和材，係從表面起1/3以上被切除，且依各導體層被分割。

5.如申請專利範圍第4項之半導體裝置，其中該應力緩和材被分割成多數領域之空間以樹脂封裝。6﹒一種半導體裝置，係具備：形成有積體電路的半導體元件；形成於該半導體元件之積體電路形成面側之之周邊領域之對向2側的多數電極焊墊；介由導體層電連接該電極焊墊的外部連接用外部電極；及設於該積體電路形成面上，表面具該外部電極及該導體層的常溫下具0.lMPa至1GPa之彈性率的應力緩和層；該應力緩和層，係從表面起1/3以上3/3以下被切除，且該應力緩和層依各導體層被分割。

7.如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中與該應力緩和層密接形成封裝樹脂層。

8.一種半導體裝置，係具備：形成有積體電路的半導體元件；形成於該半導體元件之積體電路形成面側之中央領域之1方向的多數電極焊墊；介由導體層電連接該電極焊墊的外部連接用突起；及設於該積體電路形成面上；表面具該導體層的常溫下具0.1MPa至1GPa之彈性率的緩衝材；該緩衝材係被分割成多數領域。

9.一種半導體裝置，係具備：具多數個形成有積體電路之單位半導體元件的半導體晶片；形成於該半導體元件之各個積體電路形成面側的多數電極焊墊；設於該半導體晶片之積體電路形成面側，用以緩和該半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力的常溫下具0.1MPa至1GPa之彈性率的低彈性體層；設於該低彈性體層表面上的外部連接用突起電極；及設於該低彈性體層上，用以電連接電極焊墊與該外部連接用突起電極的導體層；該低彈性體層，係針對該單位半導體元件之各個被分割成多數領域。

10.如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中與該彈性體層密接形成有封裝樹脂層。

11.一種半導體裝置，係具備：具多數個形成有積體電路之單位半導體元件的半導體晶圓；形成於該半導體元件之各個積體電路形成面側的多數連接導體部；設於該積體電路形成面側，用以緩和該半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力的常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的緩衝材；設於該緩衝材上的外部連接用外部電極；及設於該緩衝材表面，用以電連接該連接導體部與該外部電極的導體層；該緩衝材，係於該單位半導體元件領域內被分割成多數。

12.如申請專利範圍第11項之半導體裝置，其中與該緩衝材密接形成有封裝樹脂層。

13.一種半導體裝置之製造方法，係於具多數個形成有積體電路之單位半導體元件，且於該單位半導體元件之積體電路形成面側具多數電極焊墊的半導體晶圓之該積體電路形成面側，形成接著於該積體電路形成面及該電極焊墊的常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的緩衝層，將該緩衝層從表面起切除1/3以上俾將該緩衝層分割成多數領域，於該分割之緩衝層上形成將該電極焊墊連接於外部連接用突起電極之導體層及該突起電極，之後分割成每一單位半導體元件。

14.一種半導體裝置之製造方法，係於具多數個形成有積體電路之單位半導體元件，且於該單位半導體元件之積體電路形成面側之對向2個周邊領域具多數電極焊墊的半導體晶圓之該積體電路形成面側，形成接著於該積體電路形成面及該電極焊墊的常溫下具0.lMPa至1GPa之彈性率的緩衝材層，將該緩衝材層朝厚度方向切除俾分割成多數領域，於該分割之緩衝材層上形成將該電極焊墊連接於外部連接用突起之導體層及該突起，之後分割成每一單位半導體元件。

15.一種半導體裝置之製造方法，係於具多數個形成有積體電路之單位半導體元件，且於該單位半導體元件之積體電路形成面側之中央領域之一方向具多數焊墊的半導體晶圓之該積體電路形成面側，依每一該焊墊獨立形成常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的應力緩和層，於該應力緩和層上形成將該焊墊連接於外部連接用突起之導體層及該突起，之後分割成每一單位半導體元件。

16.一種半導體裝置之製造方法，係於具多數個形成有積體電路之單位半導體元件，且於該單位半導體元件之積體電路形成面側具多數焊墊的半導體晶圓之該積體電路形成面側，形成接著於該積體電路形成面及該焊墊的常溫下具0.1MPa至lGPa之彈性率的低彈性率材層，將該低彈性率材層從表面起切除1/3以上俾將該低彈性率材層分割成多數領域，於該分割之低彈性率材層上形成將該焊墊連接於突起之導體層及該突起，之後分割成每一至少包含1個該單位半導體元件之晶片。

17.一種半導體裝置之製造方法，係於具多數個形成有積體電路之單位半導體元件，且於該單位半導體元件之積體電路形成面側之對向2個周邊領域具有多數電極焊墊的半導體晶圓之該積體電路形成面側，形成按著於該積體電路形成面及該電極焊墊的常溫下具具0.1MPa至lGPa之彈性率的應力緩和層，將該應力緩和層從其表面起切除1/3以上俾將該應力緩和層分割成多數領域，於該分割之應力緩和層上，形成將該電極焊墊連接於外部連接用突起電極之導體層及該突起電極。

18.一種半導體裝置之製造方法，係於具多數個形成有積體電路之單位半導體元件，且具於該單位半導體元件之積體電路形成面側所形成之多數電極焊墊的半導體晶圓之該積體電路形成面側，與該積體電路形成面及該電極焊墊接著且依每一電極焊墊形成獨立的常溫下具0.1MPa至1GPa之彈性率緩衝材，於該獨立之緩衝材上形成將該電極焊墊連接於外部連接用突起電極之導體層及該突起電極，之後與和該緩衝材密接之樹脂封裝露出面之必要部分。

19.一種半導體模組，係具有：半導體裝置，其具備具單位半導體元件的半導體晶片，及形成於該單位半導體元件的多數電極焊墊，及接著於該單位半導體元件之電路形成面、該電極焊墊及將該電極焊墊連接於外部連接用突起電極之導體層的常溫下具0.1MPa至lGPa之彈性率的應力緩和層，及具形成於該單位半導體元件之電路形成面之保護膜，該應力緩和層被分割成多數領域；及介由該外部連接用突起電極做電連接的實裝基板。

20.一種半導體模組，其特徵為將具備：具單位半導體元件之半導體晶片，及形成於該單位半導體元件之電路形成面的多數電極焊墊，及設於該半導體晶片之該電路形成面側，用以緩和該半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力的常溫下具0.lMPa至1GPa之彈性率的應力緩衝層，及設於該應力緩衝層上的外部連接用突起，及形成於該應力緩衝層上，用以電連接該電極焊墊與該外部連接用突起的導體層，且該應力緩衝層被分割成多數領域的半導體裝置，以多數個介由該外部連接用突起電極連接於實裝基板者。

21.一種半導體模組，其特徵為將具備：具形成有積體電路之單位半導體元件的半導體晶片，及形成該單位半導體元件之積體電路形成面之周邊之對向2個領域電極焊墊，及介由導體層電連接該電極焊墊的外埠連接用突起電極，及接著於該半導體元件之積體電路形成面、電極焊墊、突起電極、及該導體層的常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的緩衝層，及密接於該單位半導體元件之積體電路形成面所形成緩衝層的絕緣材，且該緩衝層被分割成多數領域的半導體裝置多數個介由該突起電極電連接於實裝基板者。

22.一種半導體裝置，係具備：形成有積體電路的半導體元件；形成於該半導體元件之積體電路形成面側的多數電極焊墊；介由導體層電連接該電極焊墊的外部連接用外部電極；及接著形成於該電極焊墊、導體層、及外部連接用突起電極的常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的應力緩和層；該應力緩和層，係於厚度方向具傾斜構造，該導體層係沿應力緩和層之傾斜面形成。

23.一種半導體裝置，係具備：形成有積體電路的半導體元件；形成於該半導體元件之積體電路形成面側的多數電極焊墊；介由導體層電連接該電極焊墊的外部連接用外部電極；及接著形成於該電極焊墊、導體層、及外部連接用突起電極的常溫下具0.lMPa至lGPa之彈性率的應力緩和層；該導體層之導體寬係由電極焊墊起至外部連接用突起電極呈連續變化。

24.如申請專利範圍第23項之半導體裝置，其中導體層之導體寬，係於電極焊墊側較細，外部連接用突起電極側較寬。

三、依系爭案上述申請專利範圍可知，系爭案雖有「半導體裝置」、「半導體裝置之製造方法」及「半導體裝置模組」等18項獨立請求項及其附屬項等6項，但依其申請專利範圍各項內容觀之，均載有藉常溫下0.1MPa—1GPa之彈性率之應力緩和層（或應力緩和材、或緩衝材等），以緩和半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率所引起之熱應力之特徵。各該獨立項間雖有「應力緩和層」、「應力緩和材」、「緩衝材」或「彈性體層」等用語差異，然依系爭案專利說明書第6頁第14行至第17行「應力緩和層可緩和因半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力作用。…應力緩和材、緩衝材、彈性體層、緩衝層、緩衝材層，低彈性率材層亦和應力緩和層具有同樣意義，同樣可緩和熱應力。」所載，該等「應力緩和材」等用語與「應力緩和層」之意義實相同，且同樣可緩和因半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力作用。又系爭案發明目的在提供一種具應力緩和層之CSP作成可以晶圓單位實裝之形態的半導體裝置之製造方法，可更提升CSP構造之半導體裝置或模組之應力緩和效果（專利說明書第5頁倒數第8行起參照）。因此，系爭案主要技術特徵均在其應力緩和層之設置，以達緩和因半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力作用。被告於原審定書未一一指明系爭案各項申請專利範圍不具進步性之理由，固有疏略，惟系爭案各項之主要專利特徵既均相同，則被告於審定書說明系爭案之主要專利特徵已為引證案揭露，為熟習該項技術者所能輕易完成，應不具進步性等語，應可認定被告就系爭案所載各申請專利範圍已綜合審查，進而認定系爭案不具進步性。被告所辯其就系爭案各項申請專利範圍並未漏未審查，尚屬可採。

四、又系爭案各項技術特徵均在於半導體元件與實裝基板間應力緩和層之設置，以緩和半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率所引起之熱應力之問題。而引證案專利說明書第6頁第5行起，已載明該發明之一個目的，係提供一種考慮應力施加於形成於下層的半導體元件而配置凸起電極，防止作為半導體裝置之可靠度降低的半導體套件。第8頁第6行起記載，「在上述局面方面，最好具備應力緩和材料，該應力緩和材料係緩和為凸起電極正下方，在連接配線和半導體晶片主面之間透過凸起電極施加於半導體晶片的機械應力。由於具備緩和在凸起電極正下方的連接配線和半導體晶片主面之間透過凸起電極施加於半導體晶片的機械應力緩和材料，所以可以防止應力機械地施加於半導體積體電路。」因此，引證案已明白揭露於突起電極下墊以應力緩和層，以改善半導體元件與實裝基板間之熱應力作用。系爭案在於半導體元件與實裝基板間應力緩和層之設置，以緩和半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率所引起之熱應力問題之技術特徵已為引證案所揭露。雖然系爭案之緩和層之配置方式包括係分割成多數領域、從表面起1/ 3以上被切除、該應力緩和層依各導體層被分割、該應力緩和層，係於厚度方向具傾斜構造，該導體層係沿應力緩和層之傾斜面形成等，與引證案緩和材料設於在凸起電極正下方者有所差異。但該應力緩和層之設置兩者均係在緩和半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率所引起之熱應力問題，已如前述，而系爭案封裝樹脂，必要時可於適當位置插入分割空隙以降低外框之彈性率，可縮小施加於半導體元件之應力，或其他緩和層面積大小或涵蓋範圍之不同，熟悉該項技術領域之人可根據其事實之需要，應用引證案設置緩和層以解決熱應力之技術手段，作對應應力緩和層之大小、寬窄、厚薄、傾斜度等參數之變化，（例如引證案之第4圖，該圖中應力緩和層具有一傾斜構造，導體層亦沿應力緩和層之傾斜面被形成）。因此，該等變更或置換應為熟悉該項技術者所可輕易思及。原告主張系爭案之「應力緩和層」於厚度方向具有傾斜構造，使導體層沿「應力緩和層」之傾斜面予以形成，此可以達到緩和溫度循環時產生之水平（左右）方向之熱應力的效果，非由引證案之構成所能輕易推知者，並非可採。另系爭案的導體層之導體寬，係自電極焊墊起至外部連接用突起電極之範圍內呈連續變化，亦係為配合具傾斜應力緩和層或緩衝層之傾斜面而形成，仍不脫離設置應力緩和層以解決熱應力之技術手段，亦不能以系爭案的導體層之導體寬，有上述連續變化之技術內容，即指其非熟習該項技術領域之人所能輕易思及而具有進步性。

五、原告雖又主張引證案之配線，係分別配置在由兩個不同材料構成的緩衝層8與鈍化膜6上，但緩衝層與鈍化膜的物質不同、膨脹係數不一樣，因此當其半導體裝置與配線基板之連接部產生熱應力時，配線在與緩衝層8連接部分，將產生變形。因鈍化膜為硬材料不具緩和作用，形同被固定於鈍化膜上，而成固定狀態，引證案之配線間存在有變形與不變形兩部分，加以其電極及配線周圍又被固定，使得其水平方向應力無法被緩和，應力集中於界面，因而引證案有「導致配線產生剝離或斷線問題」之缺點。系爭案之配線層，因僅配置於應力緩和層上，該應力緩和層又為同一低彈性率之軟材料，故不會有像引證案之應力集中情況等等。但查，系爭案主要技術特徵係在半導體元件與實裝基板間應力緩和層之設置，以緩和半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率所引起之熱應力之問題。而引證案已明白揭露於突起電極下墊以應力緩合層，以改善半導體元件與實裝基板間之熱應力作用，亦如前述。縱然引證案緩衝層8位於鈍化膜6上，有如原告所指配線間存在有變形與不變形兩部分。但此並不能改變引證案已揭露於突起電極下墊以應力緩和層，以改善半導體元件與實裝基板間之熱應力作用之事實。系爭案於其不同半導體模組或構件，應用引證案習知應力緩和層設置，以改善半導體元件與實裝基板之熱應力作用，仍屬習知技術之簡易轉用，尚不能以兩者構件組成上有所差異，即認該技術之應用具有進步性。

六、末查，系爭案申請專利範圍雖共有18個獨立項，而分為「半導體裝置」、「半導體裝置之製造方法」及「半導體裝置模組」等三類發明，其中「半導體裝置」方面有第1、2、4、6、8、9、11、22、23項等9個獨立不同的「半導體裝置」發明；「半導體裝置之製造方法」方面有第13、14、15、16、17、18項等6個獨立不同的「半導體裝置之製造方法」發明；「半導體裝置模組」方面有第19、20、21項等3個獨立不同的「半導體裝置模組」發明，以及各該獨立項之附屬項，詳如前述。惟因其申請專利範圍各項均載有藉常溫下0.1MPa—1GPa之彈性率之應力緩和層（或應力緩和材、或緩衝材等），以緩和半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率所引起之熱應力之特徵，系爭案主要技術特徵均在其應力緩和層之設置，以達緩和因半導體元件與實裝基板間之熱膨脹率差引起之熱應力作用。依前所述，系爭案各項之主要專利特徵已為引證案揭露，其雖有其他非主要技術特徵之組成與引證案不同，但其等應用上述技術特徵係屬習知技術之簡易轉用。又系爭案獨立項各該附屬項經核亦屬就獨立項之技術內容再加以細部描述，並不脫離獨立項主要技術範圍，上開附屬項之技術細部界定並不具有突出之技術特徵或顯然功效之增進，仍不能以該等附屬特徵作為具有進步性之論據。

七、從而被告以系爭案係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具進步性，而為應不予專利之處分，理由雖尚有疏略，惟因系爭案不具進步性之事實，已臻明確，結論於法尚無不合，訴願決定於補敍說明理由後予以維持，尚無違誤。原告主張前詞，請求撤銷訴願決定及原處分，並命被告對系爭案應為核准專利之處分，為無理由，應予駁回。

據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第3項前段，判決如主文。

第一庭審判長法　官 姜素娥