臺北高等行政法院 高等庭(含改制前臺北高等行政法院)96年度訴字第01527號

• 裁判案由: 新型專利舉發
• 案件類型: 行政
• 審判法院: 臺北高等行政法院 高等庭(含改制前臺北高等行政法院)
• 裁判日期: 97 年 03 月 13 日

臺北高等行政法院判決
96年度訴字第01527號
原　　　告　佳邦科技股份有限公司
代　表　人　甲○○
訴訟代理人　蔣大中　律師（兼送達代收人）
陳思慎　律師
被　　　告　經濟部智慧財產局
代　表　人　王美花（局長）住同上
訴訟代理人　丁○○
參　加　人　立昌先進科技股份有限公司
代　表　人　乙○○
訴訟代理人　丙○○
上列當事人間因新型專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國96年3 月8 日經訴字第09606063490 號訴願決定，提起行政訴訟，經本院命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：
原告前於民國89年7 月7 日以「積層式晶片型電子元件之絕緣結構」（下稱系爭案）向被告申請新型專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給新型第176440號專利證書。嗣參加人以其違反核准時專利法第98條第1 項第1 款及第2 項之規定，不符新型專利要件，對之提起舉發，嗣原告於94年11月11日申請更正系爭案專利申請範圍，案經被告審查，不准原告更正，並於95年9 月22日以（95）智專三（二）04066 字第09520776390 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經遭駁回，遂向本院提起行政訴訟。
二、兩造聲明：
㈠原告聲明：
⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉訴訟費用由被告負擔。
㈡被告聲明：
⒈駁回原告之訴。
⒉訴訟費用由原告負擔。
㈢參加人聲明：
⒈駁回原告之訴。
⒉訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：
㈠系爭案申請更正是否違反專利法第108 條準用第64條第1 、2 項之規定，而不應准許？
㈡系爭案是否有違核准審定時專利法第98條第1 項第1 款、第2 項之規定，不符新型專利要件，而應予以撤銷？
甲.原告主張之理由：
⒈被告不准予更正之理由不足採：
①系爭案之原申請專利範圍如下：
第1 項：「一種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其特徵在於：是種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣特性之材料作為本體之積層式晶片型電子元件中，於本體周面上披覆一層絕緣材料者。」；第2 項：「如申請專利範圍第1 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中絕緣結構層並不存在於內電極外端與端電極之間，但亦存在於本體兩端部的周面上者。」。②原告於94年11月11日申請更正申請專利範圍，其中將第2
項之技術特徵併入第1 項並補充文字後之結果如下：「第1 項：『一種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其特徵在於：是種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣特性之材料作為本體之積層式晶片型電子元件中，於本體周面上披覆一層絕緣材料，所述之絕緣材料層並不存在於內電極外端與端電極之間，僅亦存在於本體兩端部的整個周面上，並且介於單層端電極兩端與本體之間者。』」原告認為前述增加之文字，僅係為了釐清原申請專利範圍第2 項之特徵所為之補充，並不會對原申請專利範圍造成變更實質，其理由如下：
⑴有關「整個周面」之更正並無變更實質：
專利法第64條規定：「發明專利權人申請更正專利說明書或圖式，僅得就下列事項為之：一、申請專利範圍之減縮。二、誤記事項之訂正。三、不明瞭記載之釋明。」。依據專利審查基準第2 篇第6 章第2.3.3 節不明瞭記載之釋明所述：「所謂不明瞭記載，指核准公告專利之說明書、圖式所揭露之內容因為敘述不充分而導致文意仍不明確，但該發明所屬技術領域中具有通常知識者自說明書、圖式所記載之內容能明顯瞭解其固有的涵義，允許對該不明瞭之記載作釋明，藉更正該不明確的事項，使其原意明確，俾能更清楚瞭解原發明之內容而不生誤解者。‧‧‧同樣的，對於核准公告後之申請專利範圍而言，若申請專利範圍本身記載的涵義不明確（例如申請專利範圍對於所使用的溫度僅記載「高溫」），或某一請求項本身的記載與其他請求項不一致（例如技術用語、單位不一致），或申請專利範圍記載的申請專利之發明本身是明確的，但未精確界定其技術內容（例如申請專利範圍記載管的形狀為「非圓管」，發明本身已明確排除圓管形狀之先前技術）等情形時，藉更正該不明瞭的事項以闡明其原意，例如上述「高溫」的案例，發明說明中已指出高溫為1200℃，將申請專利範圍所記載之「高溫」更正為1200℃；又例如上述「非圓管」的案例，於發明說明或圖式中均界定該非圓管為橢圓形管，將申請專利範圍所記載之「非圓管」更正為橢圓形管。‧‧‧說明書或圖式之更正理由即使符合「不明瞭記載之釋明」之事項，仍應注意更正後不得超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，且不得實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍。」。原告認為此項更正內容符合專利法第64條第1 項第3 款不明瞭記載之釋明之規定。且依該基準中「非圓管」的案例，於發明說明或圖式中均界定該非圓管為橢圓形管，將申請專利範圍所記載之「非圓管」更正為橢圓形管。因此在本案圖5B斜線陰影部分中已明顯界定「周面」為「整個周面」而非整圈的一部分而已，故將「周面」解釋為「整個周面」本來就存在申請專利範圍中，加入「整個」僅是清楚呈現固有的解釋，故將申請專利範圍所記載之「周面」更正為「整個周面」，能使大眾能更清楚瞭解其內容而不生誤解，符合不明瞭記載之釋明而無變更實質。
⑵有關「單層端電極」之更正並無變更實質：
原告認為此項更正內容符合專利法第64條第1 項第3 款不明瞭記載之釋明之規定。依專利審查基準第2 篇第6 章第2.3.3 節不明瞭記載之釋明之解釋，其中「申請專利範圍記載的申請專利之發明本身是明確的，但未精確界定其技術內容」也屬不明瞭記載之釋明。原告將圖5A揭示的「一層」端電極（3 ）清楚界定成「單層端電極」使其數量明確，故將「端電極（3 ）」清楚界定為「單層端電極」是原本就已存在之解釋，而將此固有解釋補入申請專利範圍中並無改變原來的實質內容。因此，本項更正亦屬不明瞭記載之釋明。
⑶有關「介於單層端電極兩端與本體之間」之更正並無變更實質：
原告認為此項更正內容符合專利法第64條第1 項第3 款不明瞭記載之釋明之規定。依該基準之規定，原告認為核准公告專利不清楚，故補充「介於單層端電極兩端與本體之間」的關係。依申請專利範圍之固有內容「本體（1 ）周面上披覆一層絕緣材料（4 ）者，其中絕緣結構層（4 ）並不存在於內電極（2 ）外端與端電極（3 ）之間，但亦存在於本體（1 ）兩端部的周面上者。」可直接無歧異得知本體（1 ）周面上披覆一層絕緣材料（4 ）而且端電極（3 ）依發明所屬技術領域中具有通常知識者可以得知必須分開來包覆在絕緣結構上之兩端，否則會造成短路，熟習此項技術之人皆知這是當然之解釋。於是該通常知識者自說明書、圖式所記載之內容能明顯瞭解其固有的涵義，故原告藉補充而更正該不明瞭的事項，使其原意易為大眾明瞭。因此本項更正亦屬不明瞭記載之釋明。
③依本院判決94年度訴字第3453號判決：「更正是否有包含於原有申請專利範圍之技術內容內，自屬被告（即經濟部智慧財產局）應依職權調查範圍」。原告認為被告僅籠統答覆原處分認事用法並無違誤，而未對訴願理由書中所提具體理由予以答覆，故有應依職權調查而未依職權調查之事實。
④依前述本院判決之理由4 所述：「‧‧‧，本即在原有申請專利範圍第1 項所包含之技術範圍內，並未因該技術內容之加入使原申請專利第1 項原有元件、成分、步驟之結合關係及原核准公告之創作性質或功能改變，而導致實質變更申請專利範圍。」。若該技術內容在原申請專利範圍所包含之技術範圍內，則就不會因該技術內容之加入使原申請專利第1 項原有元件、成分、步驟之結合關係及原核准公告之創作性質或功能改變，而導致實質變更申請專利範圍。原告在訴願理由書中從第4 頁至第7 頁之理由就是在詳述更正之技術內容全屬於原申請專利範圍所包含之技術範圍內。惟被告卻未依職權一一調查，而逕下結論。
⑤再依前述判決之理由5 所述：「從而被告以上述更正內容並不包含於原申請專利範圍第1 項中，‧‧‧而不准更正，尚有未洽。訴願決定未予指摘，亦非妥適。原告請求撤銷訴願決定及處分，為有理由。依前所述，上述系爭案之更正內容核屬原有申請專利範圍第1 項所包含之技術範圍內，並未因該技術內容之加入使原申請專利第1 項原有元件、成分、步驟之結合關係及原核准公告之創作性質或功能改變，而導致實質變更申請專利範圍，且該更正為申請專利範圍之減縮，並未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，為被告所不爭執（理由詳參原審定書），則該更正之申請符合專利法第64條第1 項、第2 項之規定，事證已臻明確，原告請求被告對原告93年12月16日就第00000000號專利申請案所為申請專利範圍更正申請應為准予更正處分，核屬有據，應併准許。」。據該判決之理由5 所述之結論以及原告已在訴願理由書中從第4 頁至第7 頁詳述更正之技術內容全屬於原申請專利範圍所包含之技術範圍內之理由，被告不准予更正之處分實屬違法。被告應准予對原申請專利範圍第2 項之技術特徵併入原申請專利範圍第1 項部分更正，即上述之「一種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其特徵在於：是種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣特性之材料作為本體（1 ）之積層式晶片型電子元件中，於本體（1 ）周面上披覆一層絕緣材料（4 ）者，其中絕緣結構層（4
）並不存在於內電極（2 ）外端與端電極（3 ）之間，但亦存在於本體（1 ）兩端部的周面上者。」。
⒉被告於本新型創作審查階段認為原告之創作相較於證據2
有進步性之審定係正確：
在被告之專利舉發審定書之第4 項理由及訴願決定書之理由中以證據2 （1998年5 月26日公告之美國第0000000 號專利案）所揭示之資訊而認定本案原申請專利範圍第1 項不具備新穎性以及原第2 、3 及4 項不具備進步性。被告在本項理由中認為原申請專利範圍第2 、3 及4 項具有新穎性，故併入第2 項後之申請專利範圍第1 項將具有新穎性無疑。由證據2 之圖2 可以明顯看出證據2 是先製作端電極（30）之後再包覆絕緣體（34），尤其本體（22）周面上並未全部批覆一層絕緣材料（34）。進一步而言，在原告創作說明書中有關於先前技藝之描述中第2 點：「如第3A、3B圖（即為證據2 之發明）所示，將電子‧‧‧，加上已經完成的端電極結構限制。因此，以此一製程的結構方式來製造電子元件時，必須將電子元件一個接一個的方式製造，故速度慢而使量產性非常差；因為製造設備的產能低因此需要相當多的設備投入才可以符合需求，其製造成本因此極為高昂」，可知證據2 之結構存在有本創作所欲克服之缺失，一般而言，能節省設備等於節省有限的能源以及多餘化學廢料的產生，當然具有功效。原告再次陳明，被告於本創作申請專利階段時，依據專利審查時之專利審查基準，對本創作相較於證據2 具有新穎性與進步性之審定係正確。更正後之申請專利範圍第2 項（原第3
項）及第3 項（原第4 項）係依附至更正後之第1 項，也具備進步性。
⒊被告認為原申請專利範圍第4 項不具備新穎性之理由矛盾：
被告依據證據3 （1996年8 月20日公告之美國第0000000
號專利案）所揭示之資訊而認定本案原申請專利範圍第4
項不具備新穎性。在被告之專利舉發審定書之第4 頁第11行至14行以及第18行至第22行敘述了被告認為屬於附屬項之原申請專利範圍第4 項之額外技術特徵不具新穎性之理由，惟其中並未論述屬於獨立項第1 項中之技術特徵不具新穎性之理由。由此可知，被告認為原申請專利範圍第1
項相較於證據3 具備有新穎性。對於被告此項看法，原告認為原申請專利範圍第4 項（經修正後之第3 項）係依附於申請專利範圍第1 項之附屬項，既然獨立項具有新穎性，則表示附屬項亦無疑地具有新穎性。
⒋依專利審查基準對進步性之認定，本創作具有進步性：
被告依據證據8 （1998年5 月12日公告之美國第0000000
號專利案）及證據9 （1999年2 月2 日公告之美國第0000000 號專利案）所揭示之資訊而認定本案申請專利範圍各項分別不具備新穎性或進步性。證據8 及證據9 係同一發明人之發明其爭執部分實為相同，故原告僅舉證據8討 論如下：
①依據被告所頒布之專利審查基準第2 篇第2 章第4 節第4
目相關新型類型之進步性判斷中第2 點構成要件變更之新型之3， 構成要件省略之新型所述，「構成要件省略之新型，係指將他新型之一個或二個以上構成要件省略之新型而言。如此之省略後，如其可保有原有之全部功能或可產生某一新功效或增進某種功效時，此種構成要件省略之新型，視為非能輕易完成。」故本創作對進步性之判斷應適用該規定。
②依證據8之說明書所言，其端電極3被分成內層3a及外層3b，其功效如其說明書中第13欄第41行至47中所述，其大意為藉由端電極之內層3a將外層3b及內電極2 隔開，可以降低內電極2 與外層3b間之大量電子遷移（migration ）現象。故在證據8 及證據9 中皆強調端電極3 應該被分成內層3a 及 外層3b。原告之創作中，正是縮減上述端電極3
之內層3a及外層3b之構成要件，原告主張其產品經測試後，證明僅以一層端電極3 亦不會造成證據8 及證據9 所述之在端電極3 與內電極2 之間發生大量電子遷移現象，並能保有原有之全部功能。綜上所述，原告之新型創作省略證據8 及證據9 之構成要件（亦即僅使用一層端電極3 取代兩層端電極3a及3b），所以依據專利審查基準中對於進步性判斷視為非能輕易完成，具進步性。
③由以上所述可知，更正後之申請專利範圍第2項（原第3項）及第3 項（原第4 項）係依附至更正後之第1 項，故也具備進步性。
⒌就本件系爭案申請專利範圍第1項至第4項具有新穎性與進步性，提出詳細說明如下：
①系爭案至少具有下列三項特徵：
⑴系爭案的本體（1 ）係一種半導體性或不具高絕緣性的材料（申請專利範圍第1 項第2 及第3 行）。
⑵系爭案係於本體（1）周面上被覆一層絕緣材料（4）（如第5A及5B圖所示），其係包覆於該長四方體之上、下、前、後四個表面的全部。（申請專利範圍第1項最後一行）
⑶系爭案的「端電極」（3 ）只需一層，而不需兩層或兩層以上，可減少結構的複雜性。（申請專利範圍第2 項及說明書第7 頁有關第5 圖之說明）。
②系爭案所可產生之功效：
⑴防止失效及短路發生：
周面上所被覆之絕緣材料（4 ）係用以避免本體（1 ）與電鍍銲接介面層（5 ）接觸，以避免有電鍍介面層的附著產生（說明書第5 頁第17行至20行及第8 頁第13行及14行），故可防止短路及失效發生。另外，因為在靠近本體（1 ）左、右兩端的上、下、前、後表面也被絕緣材料被覆，所以空氣中的水氣及化學物質不會經由端電極（3 ）與絕緣材料之交接處侵入本體（1 ）中，此亦可防止短路及失效發生。
⑵結構簡單：
由於端電極（3 ）是單層的，所以結構比較簡單。
③本件參加人於當初舉發時，共提出9 件證據，經被告審酌後認為其中第1 、5 、6 、7 號證據不影響系爭案之新穎性與進步性，故就系爭案之新穎性與進步性，所須審究者，應只限於第2 、3 、4 、8 、9 號證據，此業經被告代理人於本院11月27日準備程序中予以確認在案。
6.依據專利審查基準第2 篇第3 章第2.2 飾有關「新穎性之概念」之說明可知，「申請專利範圍中所載之發明未構成先前技術的一部分時，稱該發明具新穎性。」其第2.3 節有關「新穎性之審查原則」部分更進一步說明，「審查新穎性時，應就每一請求項中所載之發明與單一先前技術進行比對，即一發明與單一先前技術單獨比對，不得就該發明與多份引證文件中之全部或部分技術內容的組合，或一份引證文件中之部分技術內容的組合，或引證文件中之技術內容與其他形式已公開之先前技術內容的組合進行比對。」其第2.4 節有關「新穎性之判斷基準」部分則澄清，「 請求項中新載之發明與引證文件中所戴之先前技術有下列情事之一者，即不具新穎性：(1) 完全相同(2) 差異僅在於文字的記載形式或能直接且無歧異得知之技術特徵。」
7.依據專利審查基準第2 篇第3 章第3.2 節有關「進步性之概念」之說明可知，「雖然申請專利之發明與先前技術有差異，但該發明之整體係該發明所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，稱該發明不具進步性。」其第3.2.3 節有關「輕易完成與顯而易知」部分更進一步說明，「該發明所屬技術領域中具有通常知識者依據一份或多份引證文件中揭露之先前技術，並參酌申請時的通常知識，而能將該先前技術以轉用、置換、改變或組合等方式完成申請專利之發明者，該發明之整體即屬顯而易知，應認定為能輕易完成之發明。顯而易知，指該發明所屬技術領域中具有通常知識者以先前技術為基礎，經邏輯分析、推理或試驗即能預期申請專利之發明者。顯而易知與能輕易完成為同一概念。」其第3.4 節有關「進步性之判斷基準」部分則澄清，「申請專利之發明解決先前技術中長期存在的問題或達成人類長期的需求者，得佐證該發明並非能輕易完成。」，「依申請專利之發明所製得之物在商業上獲得成功，若其係直接由發明之技術特徵所導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳所造成者，得佐證該發明並非能輕易完成。」
8.系爭專利所適用之層積式晶片型電子元件，主要是作為「變阻器」( 或稱為「突波吸收器」、Varistor) 使用，運用於行動電話、筆記型電腦、個人數位處理機(PDA) 等通訊網路方面之高科技產品。使用時係將「變阻器」裝置於產品電子線路上，一端與正常電子線路相連，另一端接地，由於該「變阻器」係屬半導體，當該電子線路突然出現異常大電流時，該「變阻器」即會產生導電效果，將超過預設標準之異常電流導引出去，以發揮保護該產品之功能，其作用就像河流中的排水閘門，當水位高過警戒值時，排水閘門即會打開，將多餘的水導引出去，以避免水流氾濫。該「變阻器」之結構為，本體係半導體材質，本體上下左右四個周而則被覆絕緣體，以避免異常大電流突然出現時，電流四處流竄，僅前後兩個周面上有端電極，以便一端與正常電子線路相連，另一端接地。兩側端電極中間與本體中間所預設之內電極相連，以便異常電流可以進入與出去。
9.傳統之「變阻器」製造方法為將該半導體以泡酸的方式，讓其上下左右四個周而被覆一層絕緣體，兩端則透過電鍍方式讓其產生端電極，參「具磷酸鹽絕緣層的變阻器製法」發明專利( 原證2 號) 。但因半導體所適合之電鍍條件相當複雜，製造成本較高，且電鍍時有時會造成在應該絕緣部位出現會導電之焊接介面，致使用時會產生短路現象，影響該「變阻器」之品質及效能。又就端電極而言，一方面希望其能夠維持較高之電阻值，以避免電流任意進入，一方面希望其能有較低熔點，方便該「變阻器」可輕易焊接在電子線路上，系爭專利所採用之方法即可以簡便之方法，達成前述效果，並避免前述之不良品質，突破前述傳統方法所面臨之困難，故可知系爭專利實具有相當之新穎性與進步性。
10.比較證據2(即美國專利第0000000 號) 與系爭專利可知，其最主要之不同點為證據2 中之「絕緣層」、「本體」及「端電極」三者的空間形態與系爭專利明顯不同，證據2
雖於本體周面上被覆一層絕緣材料，但其「絕緣層」僅覆蓋了赴立「本體」，端電極乃係直接接觸「本體」的上、下、左、右四面。然而系爭專利之端電極則係不接觸「本體」的的上、下、左、右四面( 詳參原證1 號第l 頁與第3 頁之比較) ，顯見證據2 無法否定系爭專利的新穎性。此項差異所帶來之效益為防止失效及短路發生，因為當端電極直接接觸「本體」的上、下、左、右四面時，空氣中的水氣及化學物質即可經由此交接處侵入本體中，造成失效及短路發生。
11.關於證據3(即美國專利第0000000 號) 部分，依據原處分及訴願決定書所表示之意見可知，證據3 與系爭專利申請專利範圍第1 項、第2 項及第3 項之新穎性與進步性無涉，被告機關係將之用以論証系爭專利申請專利範圍第4 項之新穎性。由於系爭專利申請專利範圍第1 項係獨立項，其新穎性及進步性既已確立，則就其附屬項之申請專利範圍第4 項之新穎性，應無再為探究之必要。
12.關於證據4(即美國專利第0000000 號) 部分，由於證據4
乃是有關於「電容器」之發明，而系爭專利則係有關電阻性電子元件的發明，兩者功能完全不同。就「電容器」而言，其材料乃係屬於絕緣材料，故其周面上無再形成絕緣層之必要，而就系爭專利而言，因其材料為半導體或不具有高絕緣特性之材料，故有必要於周面上形成絕緣層，兩者所需考慮及所欲解決之問題完全不同，舉發人以證據4
作為舉發系爭專利之證據顯非恰當。再者，證據4 中的絕緣層並非存在本體之周面上，且證據4 之製程步驟與系爭專利之申請權利範圍第4 項亦不相同，因此證據4 根本無法否定系爭專利申請權利範圍第1 項至第4 項的新穎性與進步性。此觀諸前述原處分及訴願決定書所表示之意見亦可獲得明確之證明。
13.以證據8(即美國專利第0000000 號) 及證據9(即美國專利第0000000 號) 與系爭專利相比較可知，證據8 及證據9
的絕緣層雖然是包覆在「本體」的上、下、左、右周面上，且其絕緣層不與本體的上、下、左、右周面接觸，但是其電極並不是單一層，而是由「內層端電極」(3a)及「外層端電極」(3b)所共同組成，其中「內層端電極」(3a)與絕緣層並不接觸，僅「外層端電極」與絕緣層接觸(3b)，此與系爭專利明顯不同。證據8 及證據9 的端電極之所以要分為兩層，主要原因係在於該端電極乃係分為兩個步驟製作，其中「內層端電極」(3a)乃係在形成絕緣層前先製作，「外層端電極」(3b)則係在形成絕緣層後再製作。由於系爭專利的端電極係一次形成，其結構明顯比較簡單，製作過程也較為簡單，顯見相較於證據8 及證據9 ，系爭專利有其進步性。
14.原處分及訴願決定書於以證據8 及證據9 論斷系爭專利不具進步性時，均只泛稱其為熟悉該項技術者所能輕易完成且未能增進功效，但端電極是否直接接觸「本體」的上、下、左、右四面，所造成之影響為空氣中的水氣及化學物質是否可經由此交接處侵入本體中，因而造成失效及短路發生，其間之差異至為明顯，而欲避免端電極直接接觸「本體」的上、下、左、右四面，又涉及製作方法之改進，顯見系爭專利相較於證據2 ，確有其進步性，原處分及訴願決定書之指稱顯不符合一般經驗法則，自不足採。
15.原處分及訴願決定書於以證據8 及證據9 論斷系爭專利不具進步性時，均只泛稱其為熟悉該項技術者所能輕易完成且未能增進功效，但將分為兩個步驟製作之兩層端電極，調整為一次製作之單層端電極顯有其技術上之進步性，且至少有結構簡單與製作過程簡單之功效，故前述原處分及訴願決定書之指稱顯不符合一般經驗法則，自不足採。
乙.被告主張之理由：
⒈原處分已詳載原告於94年11月11日所提系爭案申請專利範圍更正本不准更正之理由（詳參原處分理由（一）），原處分認事用法並無違誤。
⒉系爭案為新型專利，且原告所稱事項係以系爭案更正為基礎來論述，惟原處分已針對系爭案更正本部分詳載不准更正之理由，系爭案依原審定公告本進行審查，且系爭案為新型專利，製造方法本不屬新型專利之適格標的，系爭案不宜主張其製造方法不同於證據案所揭示而具功效增進，而主張系爭案具有進步性。另申請專利範圍第1 項及第4
項已為證據案所揭示而不具新穎性，請詳參原處分書逐項理由。
⒊「單層端電極」、「整個周面」及「於單層端電極兩端與本體之間」等特徵雖已見於系爭案圖5 所揭露，但原審定公告本申請專利範圍第1 項至第4 項本身未包含之技術特徵或技術手段，引進附加於原審定公告之申請專利範圍內，形式上雖然是對於原申請專利範圍增加條件以進一步限定，由原有元件之絕緣材料層僅存在於本體兩端部的整個周面上之結合關係增設為介於單層端電極兩端與本體之間，增設該特徵已構成變更原審定公告之發明的性質或功能，而導致實質變更申請專利範圍。另原告所稱系爭案更正本所增設之特徵已見於圖5 ，惟該特徵與原審定公告申請專利範圍之特徵間並無界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵可准予更正之情事。
丙.參加人主張之理由：
⒈按專利法第108條準用第26條第3項之規定：申請專利範圍應明確記載申請專利之發明，各請求項應以簡潔之方式記載，且必須為發明說明及圖式所支持。又專利法第106 條第2 項亦明定：新型專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌創作說明及圖式。因此，遵循上揭法律條文的法旨，顯然記載於取得專利權的申請專利範圍中的新型，不是從發明說明或圖式的其中之一能夠獲得支持就合乎規定，而是必須同時得到發明說明及圖式的支持始合乎規定。根據此項原則的解釋，可以獲知對取得專利權的申請專利範圍提出更正的時候，所更正的事項，除非同時得到發明說明及圖式的支持，否則，只要發明說明或圖式的其中之一不能支持其所更正的事項，就應不准予更正。
⒉依本院判決94年度訴字第3453號判決的判決結果，其中該判決之理由3 中，具體記載該發明專利申請事件的原告所為的申請專利範圍更正事項，是可以同時得到發明說明及圖式的支持，故據以訴訟爭論應准予更正。因此，從此判決之結果，對於取得專利權的申請專利範圍提出更正的時候，所更正的事項，必須同時得到發明說明及圖式的支持，始合乎准予更正的規定
⒊專利法第108條準用第64條第2項之規定，其法律條文雖明文規定新型專利權人得以「不明瞭記載之釋明」為由提出申請專利範圍更正，但所為的更正事項，還特別明文規定必須符合以下二項條件規範，始准予更正，否則應不准予更正：⑴更正後的申請專利範圍，不得超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，而且⑵更正後的申請專利範圍，不得實質擴大或變更申請專利範圍。
⒋據此歸納前三項之說明，顯然以「不明瞭記載之釋明」為由提出申請專利範圍更正時，其所為的更正事項，必須同時得到發明說明及圖式的支持，而且更正後的申請專利範圍不得變更原來專利權範圍。
⒌原告94年11月11日的系爭案更正本第1 項，係將原申請專利範圍第1 項及第2 項合併後，更正成以下的主要內容：「‧‧‧，所述之絕緣材料層並不存在於內電極外端與端電極之間，僅存在於本體兩端部的整個周面上，並且介於單層端電極兩端與本體之間者。」。
⒍為得以比較系爭案更正本的更正事項有否得到系爭案發明說明及圖式的支持，參加人將系爭案說明書第7頁第16 行起至第8 頁第3 行止的內容，記載如下：「如第5 圖所示，本創作之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣電阻率特性之材料的積層式晶片型電子元件本體1 上，被覆一層絕緣材料保護層4 ，而本體兩端之端電極3 則與本體1 內之內電極2 兩端形成接觸的狀態，端電極3 之外，則為具有良好銲接使用特性之銲接介面層5 。本實施例之流程如第6 圖所示，於完成具有材料本體1 與內電極2 之主體結構製程之後，於端電極3 結構製程實施之前加入一絕緣保護層4 的被覆製程，然後，即可用一般電子元件製程相同的電鍍製程形成端電極3 與使電子元件端電極具有良好銲接使用特性之銲接介面層5
。」。
⒎經比較第7項及第8項的內容，系爭案申請時的專利說明書及圖式中只有提到「端電極」，原告將端電極更正成單層端電極，並沒有專利說明的支持，而且增加條件「僅」及「整個」、尤其加入「並且介於單層端電極兩端與本體之間」此等更正條件，根本從未見於系爭案申請時的專利說明中。既然所更正「並且介於單層端電極兩端與本體之間」的條件，沒有得到系爭案的專利說明的支持，姑暫不探究是否得到系爭案的圖式支持，只要系爭案的發明說明或圖式的其中之一不能支持其所更正的事項，就應不准予更正的原則，顯然原告不得僅以系爭案的圖式能明瞭其涵義為由，而指稱更正申請專利範圍為「不明瞭記載之釋明」，何況，所為的更正事項，根本不是「不明瞭記載之釋明」。因此，原告94年11月11日的系爭案更正本，並沒有得到系爭案申請時的專利說明的支持，應不准更正。
理 由
一、被告之代表人於本件訴訟程序進行中變更為王美花，業據其聲明承受訴訟，核無不合，應予准許。
二、按凡對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利用者，得依法申請取得新型專利，固為系爭案核准時專利法第97條暨第98條第1 項所明定。惟其新型如「申請前已見於刊物或已公開使用者」或「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時」，仍不得依法申請取得新型專利，復為同法第98條第1 項第1 款及第2 項所明定。又依同法第64條第1 、2 項規定：「發明專利權人申請更正專利說明書或圖式，僅得就下列事項為之：一、申請專利範圍之減縮。二、誤事項之訂正。三、不明瞭記載之釋明。前項更正，不得超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，且不得實質擴大或變更申請專利範圍。」依同法第108 條準用於新型專利。
三、本件系爭第00000000號「積層式晶片型電子元件之絕緣結構」新型專利案，其申請專利範圍共有4 項，其中第1 項為獨立項，其餘為附屬項。
㈠、系爭案核准審定時之申請專利範圍原為：
l.一種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其特徵在於：是種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣特性之材料作為本體之積層式晶片型電子元件中，於本體周面上被覆一層絕緣材料者。
2.如申請專利範圍第1 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中，絕緣結構層並不存在於內電極外端與端電極之間，但亦存在於本體兩端部的周面上者。
3.如申請專利範圍第1 項或第2 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中，端電極之外並被覆一層銲接介面層者。
4.如申請專利範圍第l 項或第2 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中，絕緣結構層係於具有內電極之本體形成後，端電極形成前，被覆於整個本體之上者。
㈡、原告於94年11月11日申請更正系爭案專利申請範圍為：
1.一種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其特徵在於：是種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣特性之材料作為本體之積層式晶片型電子元件中，於本體周面上被覆一層絕緣材料，所述之絕緣材料層並不存在於內電極外端與端電極之間，僅存在於本體兩端部的整個周面上，並且介於單層端電極兩端與本體之問者。
2.如申請專利範圍第1 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中，所述之單層端電極之外並被覆一層銲接介面層者。3.如申請專利範圍第1 項或第2 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中，所述之絕緣材料層係於具有內電極之本體形成後，端電極形成前，被覆於整個本體上者。
四、參加人所提舉發證據1 為系爭案審定公告本；證據2 為西元1998年5 月26日公告之美國第0000000 號專利案；證據3 為西元1996年8 月20日公告之美國第0000000 號專利案；證據4 為西元1988年9 月20日公告之美國第0000000 號專利案；證據5 （舉發第1 次補充證據1 ）為西元1993年2 月26日公告之日本特開平5-47513 號專利案及其中譯本；證據6 （舉發第1 次補充證據2 ）為西元1994年4 月8 日公告之日本特開平6-96907 號專利案及其中譯本；證據7 （舉發第1 次補充證據3 ）為西元1994年5 月6 日公告之日本特開平0-000000號專利案及其中譯本；證據8 （舉發第2 次補充證據1 ）為西元1998年5 月12日公告之美國第0000000 號專利案；證據9 （舉發第2 次補充證據2 ）為西元1999年2 月2 日公告之美國第0000000 號專利案。原處分及訴願決定及被告於本院準備程序中已認證據1 、5 、6 、7 不能證明系爭案不具新穎性、進步性，故本院僅就其餘證據2 、3 、4 、8 、9
為審究，先予敘明。
五、經查：
㈠、原告於94年11月11日申請更正系爭案專利申請範圍應否准許部分：
原告雖訴稱該更正係就不明瞭記載之釋明云云。然查，該更正本中所增加之「單層端電極」、「整個周面」及「於單層端電極兩端與本體之間」等特徵雖已見於其圖式第5 圖所揭露，但原已審定公告之申請專利範圍請求項本身並未包含該等技術特徵或技術手段，是無論其是否具有新穎性、進步性或屬公眾所知悉的技術，引進附加於原審定公告之申請專利範圍內，形式上雖然是對於原申請專利範圍增加條件以進一步限定，但已改變原有元件結合關係以及原審定公告之發明的性質或功能，而導致實質變更申請專利範圍（參照專利審查基準2-6-69頁例（4 ）），並不符專利法第108 條準用第64條第2 項規定，被告不准予更正，而依原審定公告系爭案申請專利範圍審查，並無不合。
㈡、系爭案是否不具新穎性、進步性部分：
1.系爭案申請專利範圍第1 項「一種積層式晶片型電子元件之絕緣結構」、「是種積層式晶片型電子元件之絕緣結構，係於以半導體性或不具有高絕緣特性之材料作為本體之積層式晶片型電子元件中，於本體周面上被覆一層絕緣材料」之技術特徵，已見於證據2 、或8 、或9 所揭示，不具有新穎性。
2.系爭案申請專利範圍第2 項附屬項該絕緣結構層存在於本體兩端部的周面上，與證據2 所揭示在於該絕緣層在端電極被覆不同；亦不同於證據8 、9 所揭示的保護層與內電極及端電極，兩者所形成結構不同，難謂系爭案申請專利範圍第2
項附屬項不具新穎性。惟上開所述不同處可為熟習該項技術者藉證據2 或8 及9 所能輕易完成且未能增進功效，難謂系爭案申請專利範圍第2 項附屬項具有進步性。
3.系爭案申請專利範圍第3 項如申請專利範圍第1 項或第2 項之積層式晶片型電子元件之絕緣結構，其中，端電極之外並被覆一層銲接介面層者，相較證據2 所揭示在端電極亦可鍍上導電金屬層，以使阻抗導體元件形成有電連接端部存有些微不同，難謂系爭案申請專利範圍第3 項附屬項不具新穎性。惟上開所述不同處可為熟習該項技術者藉證據2 所能輕易完成且未能增進功效，難謂系爭案申請專利範圍第3 項附屬項具有進步性。又系爭案申請專利範圍第3 項附屬項如申請專利範圍第1 項之部分，該端電極之外並被覆一層銲接介面層結構已見於證據8 或9 所揭示，難謂具有新穎性。系爭案申請專利範圍第3 項附屬項如申請專利範圍第2 項之部分，與證據8 或9 結構之保護層覆蓋整個元件，端電極具有內層形成於元件的兩端面，另具有外層覆蓋於內層及保護層的端部雖有不同，難謂不具新穎性，惟上述不同處可為熟習該項技術者所能輕易完成，且未能增進功效，自不具有進步性。4.系爭案申請專利範圍第4 項附屬項端電極結構於絕緣結構層被覆端電極，與證據2 所揭示在端電極亦可鍍上導電金屬層，以使阻抗導體元件形成有電連接端部，有所不同，難謂系爭案申請專利範圍第4 項附屬項不具新穎性。惟上開所述不同處可為熟習該項技術者藉證據2 所能輕易完成且未能增進功效。又系爭案申請專利範圍第4 項附屬項主要技術特徵在於絕緣結構層係於具有內電極之本體形成後，端電極形成前，被覆於整個本體之上者，惟該技術特徵係為載述製做該元件之製程步驟，已見於證據3 所揭示，且系爭案申請專利範圍第4 項附屬項之積層式晶片型之絕緣結構，已見於證據8
、9 所揭示。故系爭案申請專利範圍第4 項附屬項不具有進步性。
六、綜上所述，被告以系爭案有違審定時專利法第98條第1 項第1 款、第2 項之規定，而為舉發成立，應撤銷專利權之處分，於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，原告主張前詞，請求撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1
項前段，判決如主文。
中 華 民 國 97 年 3 月 13 日臺北高等行政法院第四庭
審判長法 官 陳國成
法 官 李玉卿
法 官 陳忠行
上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中　　華　　民　　國　　97　　 年　　 3　 　月 13 日書記官 陳又慈