95年度再易字第7號｜民事：給付承攬報酬｜裁判日期：96 年 03 月 27 日

臺灣高等法院民事判決　　　　　　　　　 95年度再易字第7號再審原告　　晶揚科技股份有限公司法定代理人　甲○○ 訴訟代理人　趙興偉律師複　代理人　趙懷琪律師再審被告　　亞金科技股份有限公司法定代理人　蔡金辰原名丙○○ 訴訟代理人　陳峰富律師蕭世光律師張簡勵如律師上列1人複代理人　　乙○○　　　住臺北上列當事人間給付承攬報酬事件，再審原告對於中華民國94年11月30日本院93年度重上更㈠第127號確定判決提起再審之訴，經本院於96年3月13日言詞辯論終結，判決如下：主文再審之訴駁回。再審訴訟費用由再審原告負擔。事實及理由 再審原告主張：本院93年度重上更㈠第127號確定判決（下稱原確定判決）分別有以下之適用法規顯有錯誤、當事人發現未經斟酌之有利證物及就足以影響於判決之重要證物漏未斟酌之再審理由：㈠原確定判決適用法規顯有錯誤部分：⒈財團法人中華科技經濟鑑測中心（下稱中華科技中心）(90)訴北成字第06018號鑑定報告（下稱中華科技中心鑑定報告）僅就伊交付再審被告之封裝晶粒中採樣10%為受測樣本，且系爭晶粒未烘烤前之平均通過率為3.17%，自不得率而推論所有未上錫之晶粒均有下模隆起之瑕疵；伊於前訴訟程序歷次書狀均有爭執證人即封裝業者廣發科技股份有限公司（下稱廣發公司）游和珍、上錫業者品安科技股份有限公司（下稱品安公司）總經理特別助理黃俊隆及法樂奇有限公司（下稱法樂奇公司）製造部主管陳嘉峰證言之真實性，並舉出證詞內容不足採信之理由，且伊提出美國電子原件接著工程協會所著之上錫標準作業，及證人品安公司財務部協理王寶棠及義典科技股份有限公司（下稱義典公司）研究開發部副科長曾增祐證言，足證系爭晶粒係因法樂奇公司上錫前未經過24小時之烘烤過程，而出現下模隆起之瑕疵，詎原確定判決遽採中華科技中心鑑定結果，認定伊交付之封裝晶粒，未上錫部分之晶粒，亦有下模隆起之瑕疵，並採證人游和珍、黃俊隆及陳嘉峰證言，認定系爭晶粒封裝後、上錫前之烘烤工作慣例上應由封廠業者為之，伊未於上錫前烘烤，水氣無法排除，致生下模隆起，系爭晶粒之瑕疵係可歸責於伊之事由所致，顯有適用民事訴訟法第222條第3項法規及最高法院18年上字第209號、51年台上字第101號判例之違誤，⒉兩造並未同意以中華科技中心鑑定報告作為瑕疵晶粒之計算基礎，且該中華科技中心鑑定報告係就伊交付再審被告封裝晶粒中採樣10%為受測樣本，若扣除再審被告不請求賠償之第37週產品，受測產品僅佔伊交付再審被告封裝晶粒之9%，自不得以該鑑定報告作為瑕疵晶粒之計算基礎，詎原確定判決逕以中華科技中心鑑定報告作為瑕疵晶粒之計算基礎，且既謂系爭晶粒中有393顆係兩造合意容許之耗損數量，卻將該393顆晶粒算入再審被告可得請求賠償之數量，顯有適用最高法院48年台上字第37號、79年台上字第540號、60年台上字第2085號判例及論理法則之違誤，⒊兩造簽訂之報價單備註⑹記載：「晶片若有可歸責於晶揚（即伊）損毀滅失時之賠償責任，係以晶片製造成本為計價標準。」，亦即當晶片因可歸責伊之事由致損毀滅失時，始依報價單備註⑹約定，以再審被告之晶片製造成本為賠償計算基礎，至於晶片瑕疵之損害賠償，兩造則未約定，就此再審被告於前訴訟程序更㈠審民國94年10月31日提出之陳述意見狀第2點第㈢項亦表明「本件瑕疵．．．與單純之毀損、滅失不同，其賠償責任之計價基準，．．．與本條款（即報價單備註⑹）不同」等語，詎原確定判決竟認定伊交付之系爭晶粒有瑕疵，依兩造簽訂之報價單備註⑹約定，應以再審被告之晶粒製造成本為賠償計算基礎，顯有消極不適用民法第98條規定及最高法院19年上字第28號、49年台上字第303號判例之違誤；㈡當事人發現未經斟酌之有利證物部分：原確定判決採證人游和珍、黃俊隆及陳嘉峰證言，認定系爭晶粒封裝後、上錫前之烘烤工作慣例上應由封廠業者為之，伊未於上錫前烘烤，水氣無法排除，致生下模隆起，系爭晶粒之瑕疵係可歸責於伊之事由所致，惟伊於前訴訟程序第二審時於94年9月14日言詞辯論意旨狀，即已爭執游和珍、黃俊隆、陳嘉峰證言之真實性，並提出證人品安公司財務部協理王寶棠於前訴訟程序第一審時於91年5月8日言詞辯論期日證稱：「晶圓封裝後於上錫前應先經烘烤，系爭IC由伊公司負責上錫，IC上錫前經過攝氏一百二十五度、歷經八小時烘烤後方才上錫」等語，證明系爭晶粒係因法樂奇公司上錫前未經過24小時之烘烤過程，而出現下模隆起之瑕疵，法樂奇公司與品安公司於90年7月合併（品安公司為存續公司、法樂奇公司為消滅公司），王寶棠係品安公司發言人，就法樂奇公司於系爭晶粒上錫前，是否有烘烤等生產作業流程，自應詳細調查，而屬職務上所知悉之事項，自屬可信，原確定判決倘予斟酌上開書狀，採證人王寶棠證言，應可認定系爭晶粒下模隆起之瑕疵，係因法樂奇公司上錫前烘烤不足所致，伊必可受較有利之裁判，依最高法院18年抗字第248 號判例，自有當事人發現未經斟酌之有利證物之再審理由；㈢原確定判決重要證物漏未斟酌部分：⒈美國電子原件接著工程協會所著之上錫標準作業：伊於前訴訟程序主張上錫業者為模組加工而進行上錫作業前，在該晶粒未依儲存環境條件在溫度攝氏25度，相對溼度在65%以下之特別控制下，製程應先以攝氏125度，進行24小時烘烤、將可能在IC元件內部吸附水氣烤乾，且有預先為烘烤處理，均能使該起裂現象消除，故系爭晶粒封裝後、上錫前亦須烘烤，且上錫前之烘烤工作應由上錫業者為之，系爭晶粒因法樂奇公司上錫前未經過24小時之烘烤，致生下模隆起之現象，自不可歸責於伊，並於第一審時之91年5月8日言詞辯論期日及前訴訟程序更㈠審程序時之94年1月18 日陳報狀，提出美國電子原件接著工程協會於西元1999年3月及1999年5月所著之上錫標準作業全文，而美國電子原件接著工程協會係國際上具有公證力之機構，製作之標準流程所有封裝業者均須遵守，再審被告對此標準亦未爭執，足證系爭晶粒封裝後、上錫前之烘烤工作應由上錫業者為之，美國電子原件接著工程協會所著之上錫標準作業就本件而言，顯係足以影響判決之重要證物，然原確定判決竟誤認上開上錫標準作業係美國協會於西元2004年7月之著作，不得適用於我國於88年間之個案，且再審被告始終爭執為由，漏未審酌上情，逕為不利伊之判決，⒉曾增祐所著之TSOP54L吸溼研究：伊於前訴訟程序第二審時提出曾增祐所著之TSOP54L吸溼研究報告指出封裝材料本身有吸收水氣之特性，將封裝晶粒之真空包裝拆封後，置於不符合標準環境儲存，不到10天，晶粒便會因吸收過多水氣，產生下模隆起之現象，可見系爭晶粒發生下模隆起，係因再審被告之儲存環境不佳、吸收水氣所肇致，不能歸責伊，曾增祐所著之TSOP54L吸溼研究就本件而言，顯係足以影響判決之重要證物，然原確定判決竟漏未斟酌，⒊菱生精密工業股份有限公司（下稱菱生公司）之作業標準、宏億公司、矽格公司之封裝作業流程卡：伊在前訴訟程序第一審時提出菱生公司之作業標準及在第二審提出宏億公司、矽格公司之封裝作業流程卡，即已指出封裝業者在標準製程上並無所謂封裝後、上錫前須再進行烘烤之作業流程，可見伊封裝後、上錫前未進行烘烤並無缺失，原確定判決竟完全漏未審酌，強課伊烘烤義務等語，爰依民事訴訟法第496條第1項第1款、第13款、第497條規定提起本件再審之訴，並提出原確定判決、91年5月8日及91年1月 18日民事陳報狀、前訴訟程序第一審89年3月13日、91年5月8 日言詞辯論筆錄、JOINT INDUSTRY STANDARD IPC/JEDECJ-STD-020C報告、臺灣桃園地方法院（下稱桃園地院）89年度訴字第290號民事判決、EIA/JEDEC STANDARD JESD11-A113-B報告、JOINT INDUSTRY STANDARD IPC/JEDECJ-STD-033報告、IC封裝製程與CAE應用乙本節本、潘志聖出具之「亞金案產品異常失效原因分析報告」、曾增祐所著「TSOP54L吸溼研究」、業界之封裝程卡、言詞辯論意旨狀、陳述意見書、中華科技中心鑑定報告、報價單、前訴訟程序更㈠審94年1月14日、94年5月20日、94年7月22日準備程序筆錄、最高法院95年度台上字第 816號民事判決、民事答辯㈠狀、民事答辯㈡狀、陳計男著民事訴訟法論下冊第387-388頁為證，及聲明：㈠原確定判決不利再審原告部分廢棄，㈡上開廢棄部分，再審被告於前訴訟程序之第二審上訴駁回。 再審被告則以：㈠民事訴訟法第496條第1項第1款所謂適用法規顯有錯誤，應以確定判決違背法規或現存判例解釋者為限，不包括漏未斟酌證據或認定事實錯誤之情形在內，原確定判決關於瑕疵責任之認定、瑕疵數量之計算及賠償計算基礎，乃事實審法院採酌證據認定事實之職權，與適用法令有無錯誤之情形有間，再審原告據以提起本件再審，並無理由。㈡再審原告主張原確定判決未斟酌其於前訴訟程序第二審時所提94年9月 14日言詞辯論意旨狀，爭執證人游和珍、黃俊隆、陳嘉峰證言之真實性，及應採證人王寶棠證言之主張，與民事訴訟法第496條第1項第13款法文中所稱之「證物」不相符合。㈢美國電子原件接著工程協會所著之上錫標準作業，原確定判決業於事實及理由欄七、㈦⒉中詳以論述不採之理由，並無重要證據漏未審酌之情形；曾增祐所著之TSOP54L吸溼研究，非經法院囑託鑑定，證據能力已有欠缺，且該研究並未指出在何種環境下，儲存多少時間，晶粒會產生下模隆起之現象，該吸溼研究報告無從證明系爭晶粒發生下模隆起，係因伊儲存環境不佳、吸收水氣所肇致，而不可歸責於再審原告，原確定判決未予斟酌，並無不妥；菱生公司之作業標準、宏億公司、矽格公司之封裝作業流程卡，係再審原告自行提出之文件，證據能力自有欠缺，不得採為認定用法之基礎，原確定判決未予斟酌，亦無不妥等語，資為抗辯。 就再審原告主張原確定判決適用法規顯有錯誤部分：按民事訴訟法第496條第1項第1款所謂適用法規顯有錯誤，乃指原確定判決所適用之法規，顯然不合於法律規定，或與司法院現尚有效及大法官會議之解釋，或最高法院現尚有效之判例，顯然違反者而言，並不包括取捨證據不當，或認定事實錯誤之情形在內（最高法院63年台上字第880號判例參照）。是若事實審確定之事實有錯誤或因確定事實其證據之取捨不當或判決有不備理由之情形，要皆與適用法規顯有錯誤有間，不得據為再審理由。查，㈠原確定判決依據調查所得證據，於判決理由中詳細論述證據之取捨，並為封裝晶粒有下模隆起之瑕疵，係因再審原告於封裝時烘烤不足，未將封裝不同材質界面中之水氣完全排除所致之事實認定（見原確定判決第6-11、13頁），自是已斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，且其事實認定上，並無違經驗法則或論理法則之處。又因送交中華科技中心鑑定之晶粒係經兩造同意後採樣全部數量之10%，自屬客觀且具相當參考價值之數據，故原確定判決乃參考中華科技中心鑑定報告所載，以通過檢測與失敗顆數之比例，計算瑕疵率（見原確定判決第13頁），亦符論理法則。原確定判決縱有再審原告主張證人游和珍、黃俊隆、陳嘉峰證詞為不足採信及再審原告舉出上錫標準作業、證人王寶棠、曾增祐證言證明系爭晶粒下模隆起之瑕疵係可歸責於訴外人法樂奇公司上錫前未經24小時烘烤過程之取捨證據不當或認定事實錯誤之情形，亦與適用法規顯有錯誤有間。是再審原告以原確定判決適用民事訴訟法第222條第3項法規及最高法院18年上字第209號判例、同院51年台上字第101號判例之違誤，要無可採。㈡原確定判決既認定系爭晶粒有下模隆起之瑕疵係可歸責於再審原告，如上述。是原確定判決以上述「參考中華科技中心鑑定報告中所載，就第38、40、42週產品（甲組）共檢測594顆（ 144+342 +108=594），通過檢測者有10顆，失敗者有584顆，據以計算瑕疵率為98%(584÷594=98 %），則被上訴人交付之 194,803顆封裝晶粒中有190,907顆（194,803x98%= 190,907，個位數以下四捨五入）有下模隆起之瑕疵。」，而認「上訴人交付195,196顆供被上訴人封裝加工製成194,803個，可見有 393顆係兩造合意容許之耗損數量（195,196-194,803=393）。惟被上訴人交付之成品194,803個中，有98 %有下模隆起之瑕疵者有190,907顆（194,803X 98%=190,907），共計上訴人得請求賠償之成本晶粒為191,300顆（393+190,907=191,300），據以計算上訴人支出之晶粒成本為1,147,800元（6x191,300= 1,147,800）。」（見原確定判決第13-15頁），核係就再審被告請求再審原告賠償之範圍（晶粒瑕疵數量、再審被告支出之晶粒成本為其所受損害）所為之事實認定，並無認作主張之情形，自難認係用法錯誤。再審原告以原確定判決中華科技中心鑑定報告為瑕疵晶粒之計算基礎及將兩造容許之耗損數量計入，有悖於最高法院48年台上字第837號、79年台上字第540號及60年台上字第2085號判例云云，提起再審，不無誤解。㈢次按「解釋意思表示原屬事實審法院之職權‥‥‥事實審法院解釋意思表示，縱有不當，亦不生適用法規顯有錯誤問題」，最高法院著有64年台再字第140號判例可資參酌。查，原確定判決認『依卷附兩造簽訂之報價單備註⑹：「晶片若有可歸究於晶揚損毀滅失時之賠償責任，係以晶片製造成本為計價標準」，（原審卷第66頁），堪認：兩造於簽約時，已就被上訴人完成之封裝晶粒若發生毀損滅失，在可歸責於被上訴人之情形時，其應負之損害賠償責任範圍予以事先約定，即以上訴人之晶粒製造成本為計算基礎。』（見原確定判決第14頁），核係本其確信就兩造簽訂之報價單內有關損害賠償規定所為之法律見解，自難認係用法錯誤。再審原告以兩造就晶粒瑕疵之損害賠償並未約定，原確定判決認定就晶粒瑕疵亦依報價單備註⑹約定，應以再審被告之晶粒製造成本為賠償計算基礎，顯有消極不適用民法第98條規定及最高法院19年上字第28號、49年台上字第303號判例云云，惟契約之解釋係屬法院之職權，本不待當事人之請求，原確定判決解釋縱有不當，亦不生適用法規顯有錯誤問題。 就再審原告主張發現未經斟酌之有利證物部分：按依民事訴訟法第496條第1項第13款規定當事人發現未經斟酌之有利證物，如經斟酌可受較有利益之裁判者，亦得提起再審之訴；惟所謂「未經斟酌之有利證物」，係專指物證而言，不包含人證在內。查，再審原告指摘原確定判決未經斟酌證人王寶棠於前訴訟程序第一審之證言，自屬無據。 就再審原告主張原確定判決重要證物漏未斟酌部分：按依民事訴訟法第466條不得上訴於第三審法院之事件，除同法第496條規定外，其經第二審確定之判決，如就足影響於判決之重要證物，漏未斟酌者，亦得提起再審之訴，同法第497 條前段固定有明文。惟所謂「重要證物漏未斟酌」，係指當事人在前訴訟程序已經提出，第二審確定判決漏未於判決理由中斟酌者而言；申言之，該項證物應係指如經斟酌，原判決將不致為如此之論斷者，若縱經斟酌亦不足影響原判決之內容，或原判決曾於理由中說明其為不必要之證據者，均與本條規定之要件不符。查，再審原告所稱原確定判決漏未斟酌之重要證物，係指美國電子原件接著工程協會所著之上錫標準作業、曾增祐所著之TSOP54L吸溼研究、菱生公司之作業標準、宏億公司、矽格公司之封裝作業流程卡。惟上開曾增祐所著之TSOP54L 吸溼研究之內容，已據曾增祐本人於前訴訟程序證述在卷，而原確定判決就此亦敘明『惟系爭晶粒處於儲存條件不良之情況，儲存時間過長固可能產生下模隆起之現象，惟儲存條件之影響程度究竟如何？儲存時間多久以上始為過長？等事項，據證人即上錫業者之一品安科技股份有限公司之總經理特別助理黃俊隆證述：「封裝完成後，隔多久要上錫沒有規定……除非儲存非常長的時間」云云（本院重上卷㈠第162頁），可見是在一般空氣中儲存相當長時期後，始會產生下模隆起；就此，被上訴人並未提出具體數值及資料供參酌，尚未可知。再斟酌被上訴人加工後交付予上訴人之封裝晶粒，苟因儲存環境不佳、吸收水氣，致發生下模隆起者，在中華科技中心鑑定之樣品中（有被上訴人於37、38、40、42週出貨），被上訴人於第37週封裝之晶粒係最早出貨者，至鑑定時（90年6月14日）止，暴露在空氣中之時間最久，衡諸常情，該週產品會吸收水氣最多，而致檢測之通過率遠較其後於第38、40、42週出貨者為低，惟實際上中華科技中心實際鑑定後，同樣在未經烘烤之條件，第37週出貨之產品通過率為27.78%，遠較第38、40、42週出貨（通過率分別為0、2.92%、0）為高。可見被上訴人指摘：伊交付之晶粒發生下模隆起，係因被上訴人之儲存環境不佳、吸收水氣所肇致，顯與事實不符，由此可排除被上訴人失敗分析報告中所列第⒉搬運、儲存條件不良，儲存時間過長之原因。』（見原確定判決第7、8頁），自無漏未斟酌之情事。另原確定判決雖未斟酌再審原告所指美國電子元件接著工程協會所著之上錫標準作業、菱生公司之作業標準、宏億公司、矽格公司之封裝作業流程卡，然原確定判決綜合證人游和珍、黃俊隆、陳嘉峰於前訴訟程序之證詞，認依我國封裝及上錫業界之慣例，係由封裝業者在封裝過程中為烘烤，上錫業者於上錫前原則上不為烘烤，僅在晶圓不確定品質或客戶特別要求時，始例外於上錫前為烘烤等情（見原確定判決第9、10頁），並依證人曾增佑之證言，而「得謂：於封裝過程中要烘烤，上錫業者於上錫前亦須烘烤，惟此乃理想之標準程序，我國實務上並未依此完全標準程序進行，自無從強求」（見原確定判決第11頁），是上開標準作業流程僅具參考，與實務上操作仍有差異，況原確定判決亦已審酌「系爭封裝晶粒因有水氣存在，藉由烘烤排除之，以達到百分之百穩定之情，亦有被上訴人（即再審原告）所為封裝代工之流程可參（本院更㈠卷上證九）」（見原確定判決第8頁），是原確定判決縱使酌上開證物，再審原告亦未能受較有利判決。 綜上所述，原確定判決並無適用法規顯有錯誤之再審理由，亦無再審原告所指原確定判決發現未經斟酌之有利證物或重要證物漏未斟酌之情形，再審原告依民事訴訟法第496條第1項第1 款、第13款、第497條，提起本件再審之訴，為無理由，應予駁回。 據上論結，本件再審之訴為無理由。依民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　96　　年　　3 　　月　　27　　日民事第九庭審判長法　官黃熙嫣法　官呂太郎法　官楊力進正本係照原本作成。不得上訴。中　　華　　民　　國　　96　　年　　3 　　月　　29　　日書記官劉家聲

臺灣高等法院95年度再易字第7號

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