最高法院107年度台上字第754號｜法律人

最高法院民事判決　　　　　　　　　　107年度台上字第754號上　訴　人　美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司（ Rohm　and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc.）法定代理人　Blake T. Biederman 訴訟代理人　黃麗蓉律師馮達發律師施汝憬律師被上訴人　美商奈平科技股份有限公司法定代理人　黃　衛訴訟代理人　林秋琴律師王仁君律師徐瑞毅律師陳群顯律師許凱婷律師被上訴人　華立企業股份有限公司法定代理人　張瑞欽上列當事人間排除侵害專利權等事件，上訴人對於中華民國105 年6月2日智慧財產法院第二審判決（103年度民專上字第28號），提起上訴，本院判決如下：主文上訴駁回。第三審訴訟費用由上訴人負擔。理由本件上訴人主張：伊為中華民國發明第165490號「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」專利（於民國101 年2 月間申請專利範圍更正獲准，更正後之申請專利範圍共6項，其中請求項1至3、5、6為獨立項，請求項4 為附屬項，下稱系爭專利）之專利權人，專利期間自 91年11月1日至110年5月24日止。被上訴人美商奈平科技股份有限公司（下稱奈平公司）自 100年9月9日生產及輸入S-Groove型（產品型號為NEXX-09A2-29S-30-128TS-4CFX、NEXX-09AZ-29S-30-128TS-4CF）及SXR-Groove型（產品型號為E7070-20SXR-70-00A、7070-20SXR-70-00A ）等研磨墊產品（下合稱系爭產品），並以被上訴人華立企業股份有限公司為代理商向我國半導體廠商銷售迄今， 100年11月21日至105年3月20日期間，至少輸入、販賣2,167片，以系爭產品每片市價約為美金600元，毛利率至少50% 計算，被上訴人於此期間共同侵害伊之專利權（系爭專利請求項1），共計獲利新臺幣（下同）2,106萬3,240 元等情，爰依專利法第96條第1項與第2項、第97條及民法第185 條第1 項等規定，求為禁止被上訴人自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣使用或為上述目的而進口系爭產品及命被上訴人連帶給付1,000 萬元本息之判決。被上訴人則以：系爭產品之凹槽圖案並未落入系爭專利請求項 1之鋪網底形、同心圓形、六角（邊）形、三角形等之文義或均等範圍，並未侵害上訴人之系爭專利權。系爭專利請求項1 關於「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在 30℃和90℃時的E'比例係在約1到約4之範圍內」之技術特徵，已為公開日早於系爭專利之最早優先權日（2000年5月27日）之1995年Weidan Li等所著刊載於Thin Solid Films270 (1995)601-606 之論文（含中文節譯，下稱被證12）、1983年出版之John Aklonis等所著之「聚合物黏彈性導論」第2版節文（含中譯文，Introduction to Polymer Viscoelasticity，下稱被證13）等先前技術所揭露，關於「一約75到約2,540微米的凹槽深度、一約125到約 1,270微米的凹槽寬度、以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」及「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」之技術特徵則經先前技術：1999年7月13日公告之美國第US0000000號「用於化學機械研磨系統之具有溝槽圖樣之拋光墊」專利（含中文節譯，下稱被證9）、1997年11月12日公開之歐洲第EP0000000A1號「在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊」專利（含中文節譯，下稱被證30）、1996年2月6日公告之美國第US 0000000號「拋光墊與其使用方法」專利（含中文節譯，下稱被證31）所揭露，熟習該項技術者顯有將前述先前技術加以結合之動機，且該更正後系爭專利請求項1 顯未超越熟習該項技術者所可預期的技術上一般發展，可由先行技術之組合推論而完成，不具進步性，應屬無效，應予撤銷，上訴人自不得本於系爭專利請求禁止伊製造、販賣（含要約）、進口系爭產品及賠償損害等語，資為抗辯。原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，係以：兩造因我國境內系爭專利權侵害乙事涉訟，上訴人、奈平公司均係依美國法律設立之法人，具涉外因素，依涉外民事法律適用法第42條第1 項規定，應以我國民法及專利法等相關規定為準據法。系爭專利請求項1 之技術特徵有三：㈠於特定頻率（10 弳度/秒、1.6 Hz）量測之彈性儲存模數（E'）在30℃和90℃時的比例範圍（約在1 到4 之範圍）、㈡凹槽圖案具有深度、寬度及間距之特定數值範圍、㈢凹槽圖案具有特定形狀。被證12以IC1000與SUBAIV拋光墊（下合稱IC1000等拋光墊）為例，揭露在當時化學機械研磨（下稱CMP ）中拋光墊係將超大型積體電路多層次內連線全面平面化最有效的重要方法之一、剪力模數及浦松氏比(0.5) 之數值、拋光墊之剪力模數隨拋光墊溫度之上升而降低；拋光墊之蒲松氏比μ假設為0.5 （適用於大部分之聚合物），聚氨酯之動態模數為溫度之函數，可預期溫度變化會影響CMP 之效能，並描繪不同溫度下IC1000等拋光墊之動態模數特徵；被證13揭露根據等向性固體之彈性理論，張力模數E、剪力模數G及蒲松氏比μ之關係式為：E＝2(1+μ)G，在特殊情況下之不可壓縮材料 (dV/dε)＝0 ，而μ＝0.5，可得出E＝3G（實驗上橡膠μ近於0.5 ，某些塑膠較低，非均質材料更低）。參酌被證12、13可以理解IC1000等拋光墊於頻率1Hz量測之E'在30℃和90℃時的比例分別為約3及1.5 ，即落於1至4間。又由被證12圖4可知在頻率0.5 Hz或1Hz進行量測，SUBAIV拋光墊之G'不生影響，IC1000拋光墊僅有些微影響，換算為G'在30℃和90℃時之比例皆無實質影響，又頻率1.6Hz與1Hz差異極小，可當然推測在頻率1.6 Hz下量測，在30℃和90℃時的E'比例亦落於1至4間。又被證9 表明實施其發明之溝槽可藉同心圓狀排列，且在拋光表面上均勻間隔，溝槽可具有介於 508與1270微米間之深度、381與1016微米間之寬度， 2286與6096微米間之間距，且可由雙層拋光墊組成，已揭露系爭專利請求項1 界定凹槽圖案為同心圓形，其所揭露較佳之溝槽深度、寬度及間距依序為762、508及3048微米，亦落於系爭專利請求項1 界定凹槽圖案之特定數值範圍中，其雖未揭露系爭專利請求項1 之技術特徵㈠，惟上開拋光墊為熟悉該項技術者周知選用之材料，熟悉該項技術者參酌被證12、13可以理解IC1000等拋光墊在頻率1.6 Hz下量測E'在30℃和90℃時的比例必然落於1至4間，組合被證12、9 （皆為研磨墊相關研究）並無任何困難或不合理之處，其欲解決研磨墊材料之技術問題，可輕易依據被證9 揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，實施於IC1000等拋光墊上，完成系爭專利請求項1之發明。是被證12、13及被證9之組合足證明系爭專利請求項1不具進步性。又被證30 已揭露「平坦化效應」影響化學機械研磨程序的效率，減少「平坦化效應」的系統已被使用，包含較平均地分佈在拋光墊上負載的方法，並揭露溝槽具有一第一多數平行溝槽以及與第一多數平行溝槽相交之一第二多數平行溝槽。第一多數平行溝槽垂直於第二多數平行溝槽。拋光墊含有一上表面，具有一多數溝槽以定義一多數之多邊形投影，並於被證30圖5A及圖5B之實施例中揭露牆之高度、基底之寬度及間隔之寬度範圍依序為：254至1270微米、381至1270微米、635至3175 微米，較佳之牆高度為約635微米、基底寬度約457微米、間隔寬度約為1067微米。被證31已揭露拋光墊的表面紋理，大型凹槽的圖案與其寬度、深度可為任何所需的圖案或尺寸，凹槽寬度與深度通常在凹槽之間的突出拋光片表面的最大橫向尺寸的50% 以下，拋光墊溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有約305微米之深度、約1397 微米之間距，溝槽深度至少與寬度相當，即溝槽寬度可為約305微米。而被證12、13及30、31 均屬研磨墊相關之研究文獻，揭露高度相關性之內容，熟悉該項技術者予以組合並無困難或不合理之處，其等為解決研磨墊材料之技術問題時，可以依據被證30、31揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，而實施於IC 1000等拋光墊上，輕易完成系爭專利請求項1之發明，故被證12、13分別與被證30、31之組合亦足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。至於系爭專利之說明書與圖式，對於系爭專利請求項1界定之「E'在30℃及90℃時的比例係在約1到約4 之範圍內」，並無任何對於功效增進之說明或足以支持功效之實施例、數據等之記載，且對於為何以10 弳度/秒之頻率進行量測，系爭專利說明書亦無任何說明，實無從認定系爭專利請求項1 有何異於既有之技術或知識的功效。又系爭專利之說明書及圖式，未能支持可以特定E'比值範圍或於特定頻率下進行量測E'解決凹化作用，自難認更正後系爭專利請求項1 與既有之技術或知識相比，非可輕易完成而具進步性。更正後系爭專利請求項1 既不具進步性，而有應撤銷之理由，依智慧財產案件審理法第16條第2 項之規定，上訴人即不得對被上訴人主張權利，是其依侵權行為法律關係請求如上聲明，不應准許等詞，為其心證之所由得，並說明上訴人其餘主張暨聲明證據為不足取及不逐一論述之理由，因而維持第一審所為上訴人敗訴之判決，駁回其上訴，經核於法並無違誤。上訴意旨復就原審取捨證據、認定事實之職權行使暨其他與判決基礎無涉之理由，指摘原判決不當，並就原判決已論斷者，泛言未論斷或論斷矛盾，指摘原判決違背法令，求予廢棄，非有理由。又被上訴人於第一審提出被證31抗辯系爭專利請求項1不具進步性等語（見一審卷第187至194、291至295 頁），兩造於原審復以被證31與被證12、13之組合得否證明系爭專利請求項1 不具進步性為爭點，就此進行言詞辯論（見原審卷㈢第151至152頁、卷㈤第186反面至193頁、第198至204頁），原判決就此審論，自無違背民事訴訟法第196 條程序規定之可言，附此併敘。據上論結，本件上訴為無理由。依民事訴訟法第481條、第449條第1項、第78條，判決如主文。中華民國 107 年 12 月 27 日最高法院民事第八庭審判長法官鄭傑夫法官盧彥如法官黃莉雲法官林麗玲法官周玫芳本件正本證明與原本無異書記官中華民國 108 年 1 月 14 日

最高法院107年度台上字第754號

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