智慧財產法院行政判決

民國99年2月4日辯論終結

原告

美商羅門哈斯研磨料控股公司（Rohm and HaasElectroni代 表 人 Blake T.訴訟代理人 潘昭仙律師馮達發律師複代理人 黃麗蓉律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 甲○○（局長）訴訟代理人 丙○○丁○○參 加 人 智勝科技股份有限公司代 表 人 乙○○（董事長）訴訟代理人 蔡雅蓯律師

方雍仁律師

楊啟宏律師

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國98年4 月10日經訴字第09806110000 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

一、事實概要：美商羅德爾控股公司（即原告前身）於民國90年5 月25日以「化學機械平面化之拋光墊」向被告申請發明專利，同時主張優先權（受理國家為美國，申請日為西元2000年5 月27日，申請案號為60/207938 ；2000年7 月28日，申請案號為60/222099 ），經被告編為第90112660號審查，審查期間原告另申請修正發明名稱為「化學機械平面化之拋光襯墊」，經被告准予專利公告期滿後，發給發明第176078號專利證書（下稱系爭專利）。復經被告於民國93年6 月29日核准公告系爭專利權人之公司名稱變更為原告。嗣參加人以系爭專利違反核准專利時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。案經被告審查，於97年4月2 日以（97）智專三（三）05056 字第09720177310 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部98年4 月10日經訴字第09806110000 號決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。

二、原告聲明求為判決：原處分及訴願決定均撤銷。並主張：

㈠系爭專利申請專利範圍第1 項應屬有效（附表二編號1 至6所示之爭點）：

⒈引證一（即西元2000年4 月公開之Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP Pad Matewrials 論文影本。本件參加人所提之引證資料如附表一所示）不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性（附表二編號1 所示之爭點）：：

⑴引證一所引用者乃「剪力彈性模數」，與系爭專利所引用之「張力彈性模數」不同：

①引證一第E7.3.2頁第1 段載明：「...G' 是彈性模數，G"是損耗模數... 彈性模數(G')係直接測得，代表材料之彈性，並得檢視材料回復或儲存能量之能力…藉由使用這些不同模數，得增進對材料熱性質及機械性質之瞭解... 」，已表明storage modulus 即指G'，亦即美國國家標準局制定之DMA 標準詞彙D4092-90所稱之「剪力」彈性模數(shear storage modules)，引證一所有關於彈性模數之測試數值均以「storage modulus 」稱之，更表明將以此「剪力」彈性模數進行後續討論，並非系爭專利所使用之「張力」彈性模數（tensile storage modules ）。

②引證一與引證1-5 （引證一論文作者於MRS 舉辦之研討會當時所公開發表之文件資料）從未表明其使用之夾具種類，參加人妄稱其使用「拉伸夾具」（Tension Clamp ）云云，不足採信。又引證一不可能使用TA2980 「拉伸夾具」進行測試：A.依引證二十一（即IC1000研磨墊1999年型錄）及原告於99年1 月4 日所提出之IC1000研磨墊2004年型錄可知，IC1000研磨墊厚度為1.27 mm 。參加人雖辯稱此研磨墊有4 種尺寸厚度云云，惟其所剪貼資料不知從何而來？何時製作？並無證據力。B.依原證5 （即Suba IV 研磨墊型錄）可知，SubaIV研磨墊厚度亦為1.27 mm ，參加人所援引之資料，不知從何而來、亦不知何時製作？應無證據力。縱設該資料為真，其標準厚度為「1.27±0.13 mm 」，平均值為1.27 mm ，參加人所稱「0.51~3.17 mm」僅是一例外狀況。引證一所使用者，理應是標準厚度，並非異常之厚度。C.引證一所進行之研磨墊測試，除第1 圖以外，均表明「IC1000/Suba IV stacked pad」，亦即是將IC1000研磨墊與Suba IV 研磨墊重疊在一起，以進行DMA 測試，此為被告、參加人所不否認。因IC1000研磨墊與Suba IV 研磨墊厚度均為1.27mm( ±0.13mm) ，故兩研磨墊重疊在一起後，厚度應為2.54mm。而引證一所載之樣品片尺寸15 mm 長x 5.5 mm寬x 1.25 mm 厚，應指自各研磨墊直接剪裁而得之樣品片尺寸，其厚度「1.25mm」在厚度測量容許誤差範圍（1.27mm±0.13mm）內。D.依TA 2980 實驗運作說明可知，使用「拉伸夾具」進行張力（Tension ）測試時，受測樣品厚度不得超過2mm （見引證1-13最末頁表一「Tension 」一欄載明：「(Film …up to 8 mm wide and 2 mmthick)」）。而引證一受測試樣品厚度為2.54mm，故，TA 2980 之「拉伸夾具」無法測試引證一之受測樣品。

③熟知系爭專利所屬技術者均知測量剪力與測量張力均可使用諸如「三點彎曲夾具」等同一種夾具。參加人所提引證1-11（即ASTM D4065），測量「張力彈性模數」E'值可用之夾具有數種，不限於參加人所指出之「拉伸夾具」。引證1-12（即DMA 技術資料）從未提及測量「剪力彈性模數」（即G'）必須使用「shearsandwich」夾具。一般而言，使用「三點彎曲夾具」既可測得E'值，亦可測得G'值（見原證6 號之GABO公司DMA 儀EPLEXOR 150 NHT 型錄）。故參加人宣稱測量不同彈性模數，會使用不同夾具，故測量E 值應使用「拉伸夾具」，測量G 值應使用「shear sandwich」夾具云云，顯屬謬誤。

④引證一第E7.3.2頁中「…Sample strips with ageometry of about 15 mm long x5.5mm wide x 1.25 mmthick, were run in tension at 1 Hz at an amplitude of 10μm in Autotension mode at 120%...」，僅是該測試參數設定：張力設定為1Hz 、振幅設定為10μm ，與引證一測試所得數據為何種模數，並無關聯。

⑵原處分關於「IC1000研磨墊之E'(30 ℃) 約為376Mpa，而E'(90 ℃) 約為132Mpa」之認定，顯屬不法：

①引證一所有數值均G'值，並非E'值，已如前述。又引證一及其第1 、2 圖均完全未揭示其圖上各點之溫度及G'值為何，遑論是30℃及90℃之G'值，自不得從引證一第1 圖測量出30℃及90℃之G'值作為舉發證據。

②引證一及其第1 、2 圖均未揭示其圖上各點之溫度、G'值、及30℃及90℃之G'值。第1 、2 圖關於Storage Modulus (MPa) 之座標乃是log 座標，並非線性座標，無從使用外插法或內插法，熟悉系爭專利所屬技術者，無法由第1 、2 圖中合理推斷IC10 00 研磨墊之30℃及90℃之G'值、E'值。縱要估計，log 2=0.3010，log 3=0.4771，第1 圖中E'(30 ℃) 甚靠近400MPa，而E'(90 ℃) 僅略為超出100MPa，焉可能超過110MPa？原處分稱：「... 引證一之第1 、2 圖並非一般之結構示意圖，其係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，熟悉該項技藝者均得以據此取得其所對應之數據」云云，實屬率斷。

③原處分違反科學記號之表示原則：引證一第1 、2 圖縱座標為log 座標，且在30℃及90℃區間之準確刻度只到百位數，有效位數僅至十位數，原處分焉得取至個位數而認「IC1000研磨墊之E'(30 ℃) 約為376Mpa，而E'(90 ℃) 約為132Mpa」、「IC1000/Suba IV疊合研磨墊之E'(30 ℃) 約為271Mpa，而E'(90 ℃) 約為108M pa 」？有違科學記號之表示原則。遑論前開十位數值亦僅是估計值，自不足據以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性。

⑶G'(30 ℃) 與G'(90 ℃) 之比值，並非當然為E'(30 ℃) 與E'(90 ℃) 之比值：

①E'值與G'值間雖有E'=2G'(1+ μ) ，其中μ為蒲松氏比值(Poisson's Ratio) ，並非定值（constant），而是隨著材料、溫度、時間、張力之不同而有不同數值，且須經實驗後方能得知。是以，式(I) 無從簡化成式(II)，故G'(30 ℃) 與G'(90 ℃) 之比值，並非當然即為E'(3 0℃) 與E'(90 ℃) 之比值。

②被告援引Mechanics of Materials一書，辯稱蒲松氏比值為定值云云，顯屬誤會。蓋被告所引的段落僅在說明「當材料屬於『理想材質』時，其蒲松氏比值為定值」，僅是理論上假設，故其等蒲松氏比值自非定值。

③被告又援引原證4 號第10圖，辯稱蒲松氏比值變化甚微，故可視為定值云云，惟本件所探究者乃蒲松氏比值於不同「溫度」下之變化（即30℃與90℃）；而該第10圖係關於蒲松氏比值隨著「時間」之變化，且參酌第6 圖可知，不同溫度下，蒲松氏比值差異甚大，且不同材質變化亦不同。

④引證一完全未揭示在30℃與90℃下之μ值分別為何，由引證一並無法得知其E'(30 ℃) 與E'(90 ℃) 之數值，遑論得知其比值。

⑷參加人辯稱原證8 （Shear Behaviour of Flexible Polyurethane Foams Under Uniaxial Compression 論文影本）與系爭專利拋光墊材料不同，進而辯稱蒲松氏比值為定值云云，實刻意誤導：

①參酌原證4 與原證8 可知，蒲松氏比值之變化因各材質而有所不同，或差異極鉅，或差異有限，且蒲松氏比值並非定值。在具體提出確切實驗數據前，熟悉系爭專利所屬技術領域者，均無從直接推導各材料在各種條件下之蒲松氏比值。又系爭專利材料與原證4 、原證8 材料是否相同？俱無關連。

②被告所援引Mechanics of Materials一書與參加人所援引之參證27（T.L. Blanton所發表之「The Relation Between Recovery Deformation and In-Situ Stress Magnitudes 」論文影本），均是假設材料為一種理想材質時，而假設其蒲松氏比值為定值，所進行之理論推導。惟現實世界之材料均非此種「理想材質」，此參原證4 號與原證8 號即明。是以，不得由此等「假設」而論斷引證一材料之蒲松氏比值為定值。

⑸引證一之公開日期並未早於系爭專利之優先權日：

①引證一僅載有出版年份「2000年」，依前開專利審查基準第1-9-35頁規定，引證一之公開日僅能推定為2000年12月31日。引證一實係登載於Materials Research Society（下稱「MRS 」）2001年出版之「Chemical-Mechanical Polishing 2000-Fundamentals andMaterials Issues」一書內（即引證1-1 ），MRS 之經理Eileen K iley 明確表示：引證一首次出版於2001年2 月23日。故引證一晚於系爭專利優先權日。

②引證一縱然揭露「2000 Materials Research Society 」，僅表示其著作完成日係在2000年，與其是否於2000年公開無關。又引證1-2 係列印於2006年8 月12日之網頁內容，無從證明MRS 之網站在2000年4 月即刊登此一內容，致不特定多數人得以取得引證一，遑論可據此證明引證一於2000年4 月即已公開。

③參加人及被告均並未提出任何事證足證引證1-4 與引證1-5 之真正，故不具證據能力。又此2 資料之標題與引證一不同，且引證1-5 之內容多與引證一不同（例如：引證1-5 第3 頁至第5 頁之內容及照片，均未見於引證一；第7 頁以下之圖表與引證一亦不同）。衡諸經驗法則，引證一與引證1-4 、引證1-5 本是不相干之證據，故引證1-4 與引證1-5 不足以支持引證一之公開時間。

④被告及參加人均未依法舉證證明MRS 於2000年4 月26至27日舉辦之Symposium E 研討會，係屬不特定多數人均得參加之會議。至參加人宣稱為引證一作者之一Irene Li之聲明書（即引證1-6 ），僅得證明某位自稱為Irene Li者，自行宣稱其為引證一與引證1-5 之作者，惟此並無法證明其所述為真。又依該聲明書所述：「附件一（即指引證1-5 ）確係公開發表於2000年4 月26~27 日... 其詳細論內容即為附件二（即指引證一）... 」，適足證明僅有引證1-5 公開發表於2000年4 月26至27日，而引證一根本未公開發表於同年月26至27日。縱使引證一為引證1-5 之詳細內容，惟引證1-5 所揭示之數據均為「剪力彈性模數」(G')，並非系爭專利所引用之「張力彈性模數」(E')，亦無從否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性。

⒉引證二（即1997年9 月16日公告之美國第5667842 號專利）不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性（附表二編號2 所示之爭點）：

⑴系爭專利申請專利範圍第1 項第1 技術特徵為「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」；惟引證二之技術特徵則是應用於研磨具有高分子纖維之被襯磨削表面，且未揭示其研磨墊係用於平面化一半導體元件或其先質表面。又系爭專利申請專利範圍第1 項第2 技術特徵為「一用來平面化該表面之拋光層」，惟引證二並未揭示其拋光層可用於平面化半導體元件或其先質表面。

⑵系爭專利申請專利範圍第1 項乃關於使用於拋光半導體元件或其先質表面之拋光墊，引證二則是關於一高度填充之研磨接合劑之形成，其揭露之組合成分係用於磨削表面（grinding surfaces ），而非用於半導體表面之平面化或拋光(planarization of semiconductor surfaces) ，是兩者並非同一技術領域。

⑶原處分關於「E'(30 ℃) 約為7579Mpa ，而E'(90 ℃)約為5578Mpa 」之認定，應屬不法：

①引證二第43欄之第13表與第7 圖完全未揭露30℃與90℃之E'值，參酌專利審查基準第2-3-5 頁規定，不得從第43欄之第13表與第7 圖中測量出30℃與90℃之E'值，作為舉發證據之一部分。

②引證二第7 圖關於Storage Modulus(MPa)之座標乃是log 座標，係等比間距，並非線性座標，無從適用外插法或內插法，且細觀該圖可知，引證二乃是手繪圖表，乃一不精準之圖譜，甚且垂直座標單位為log 座標。故熟悉系爭專利所屬技術者實無從由此圖中合理推斷引證二研磨物品於30℃及90℃之E'值。

③引證二第7 圖並無30℃與90℃對應之數據，因而估算其E'值本已有相當誤差。若再經由參加人多次反覆換算，其誤差值已達數倍以上（例如，每次換算準確度可達90% ，則經過五次換算，則準確度僅剩=0.9x0.9x0.9x0.9x0.9=0.59 ），其估計值難謂為一個可信賴之數值。

④引證二第43欄之第13表與第7 圖之準確刻度只到千位數，則原處分焉得取至個位數，亦即「E'(30 ℃) 約為7579Mpa ，而E'(90 ℃) 約為5578Mpa 」？足見，原處分前開認定顯有違科學記號之表示原則。

⒊引證三（即1997年4 月22日公告之美國第5622535 號專利）不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性（附表二編號3 所示之爭點）：

⑴系爭專利申請專利範圍第1 項第1 技術特徵為「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光墊」，引證三則係用來研磨具有彈性紀錄媒材（即磁頭），且未揭露系爭專利前開第1 技術特徵。又系爭專利申請專利範圍第1 項第2 技術特徵為「一用來平面化該表面之拋光層」，惟引證三並未揭示其研磨物品可用於平面化半導體元件或其先質表面，即未揭示系爭專利前開第2 技術特徵。

⑵系爭專利申請專利範圍第1 項明載關於使用於拋光半導體元件或其先質表面之拋光墊。而引證三係關於一無機填充劑及包含一玻璃狀聚合物及一橡膠態聚合物之接合劑，其適用於製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上。是以，兩者並非同一技術領域。

⑶原處分關於E'(30℃)與E'(90℃)之認定，應屬不法：

①原處分所提引證三之第1 、3 圖，均未揭露30℃與90℃之E'值，參酌專利審查基準第2-3-5 頁規定，不得從該實施例中測量出30℃與90℃之E'值，作為舉發證據之一部分。

②引證三第1 、3 圖之準確刻度只到0.5Gpa，亦即500Mpa，原處分焉得取至個位數而認「該引證三之第1 圖上，顯示實施例2 之E' (30℃) 約為2500 Mpa，而E'(90 ℃) 約為925Mpa」、「第3 圖中使用甲基異丁基酮(MIBK)為溶劑所製造之實施例3 ，其E'(30 ℃) 約為3100 Mpa，而E'(90 ℃) 約為1225 Mpa」？有違科學記號之表示原則。

⒋引證十九（1995年公開之「The Effect of the Polishing Pad Treatments on the Chemical-Mechanical Polishing of SiO2 Films 」論文影本）不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性（附表二編號4 所示之爭點）：

⑴G'(30 ℃) 與G'(90 ℃) 之比值，並非當然為E'(30 ℃) 與E'(90 ℃) 之比值：

①如前所述，μ值並非定值，故G'(30 ℃) 與G'(90 ℃) 之比值，並非當然為E'(30 ℃) 與E'(90 ℃) 之比值。引證十九完全未揭示在30℃與90℃下之μ值分別為何，無法得知其E'(30 ℃) 與E'(90 ℃) 之數值，遑論得知其比值。

②引證十九第602 頁第2.1 段明載：「...Poisson'sRatio of polishing pads was assumed to be 0.5... 」，僅係假設Poisson's Ratio 為0.5 ，並未揭示受測試研磨墊之Poisson's Ratio 真正數值。參加人辯稱引證十九已揭示Poisson's Ratio(μ) 云云，與事實不符。

③E'=2G'(1+ μ) 之等式，適用於所有材料，惟原證4及原證8 均已證明Poisson's Ratio(μ) 並非定值，不因材料不同而有所不同。是以，參加人辯稱原證4材料與引證十九材料不同，故原證4 結論不適用於引證十九云云，不足採信。

④參加人竟將原證4 與引證十九結合，進而主張系爭專利申請專利範圍第1 項欠缺新穎性云云，顯違反新穎性比對方式甚明。又各材料蒲松氏比值各不相同，焉有將原證4 材料之蒲松氏比值，逕引至不同材料之引證十九，以計算其引證十九E'值之理？遑論，參加人所引用者為30℃至70℃時之蒲松氏比值，並非系爭專利申請專利範圍第1 項所涉之30℃至90℃。

⑤參證29部分：A.參加人援引參證29（1998年公開之「Themal Expansion of Poyurethane Reinforced With Continuous G lass Fibers」論文影本）之數值，再將之引入引證十九，辯稱其已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵云云，顯係結合參證29 與 引證十九，違反新穎性比對原則。B.引證十九係表示：「...IC1000 研磨墊乃是由一種微孔狀結構之聚胺酯所製成，而其具有一硬質表面」，僅表示IC1000研磨墊之表面為硬質，並未表示整個IC1000研磨墊是一種硬質聚胺酯。故參加人指稱IC1000研磨墊為一種rigid polyurethane（硬質聚胺酯）云云，悖離事實。又參證29第238 頁左欄「Materials 」之敘述，係針對特定配方之聚胺酯，參加人既未證明此聚胺酯材質與IC1000研磨墊材質完全，將參證29之數據引入引證十九，以計算引證十九中IC1000研磨墊之E'(30 ℃) 與E'(90 ℃)之比值，自屬無據。C.參加人所引用之參證29第5 圖，係關於「unreinforced soft and rigid polyurethane」之數據，乃關於一種非強化軟質或硬值聚氨脂。惟引證十九並未表明IC1000研磨墊是否為一種非強化聚氨脂，焉能將參證29第5 圖數據，逕自引用於引證十九？又該第5 圖之測試溫度最高僅約70℃，則參加人據以計算之Poisso n' Ratio 90℃數值由何而來？

⑵引證十九係研磨墊於使用時或使用後之測試結果，與系爭專利申請專利範圍第1 項係針對使用前之情形顯不相同：

①系爭專利申請專利範圍第1 項文義「用來」，即該拋光襯墊用於平面化半導體元件或其先質表面，且其拋光層具有30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比值，則此「30℃到90℃時約為1 到3. 6的E'比值」應係指在「用於」之前，亦即用於平面化之前的數值，並非使用中或使用後之數值。

②系爭專利同一般研磨墊研究，係將研磨墊浸泡於水中24小時，以代表使用中或使用後之狀態：A.系爭專利說明書自第15頁至第22頁止，所有實施例E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值，均是在研磨襯墊未浸於水中所測得。而在第22頁最末段載明：「有關水解穩定度，附表顯示襯墊在室溫（25℃）下浸泡於去離子水中24小時後之性質變化。」而研磨墊在使用時，形同浸於水中，故一般研磨墊研究即將浸泡於水中24小時後之研磨墊，視為使用中或使用後之狀態。系爭專利之「浸泡於去離子水中24小時後」，即代表研磨墊於使用時或使用後之狀態。由「浸泡前」與「浸泡後」E'(30 ℃) / E'(90 ℃) 比值之變化，即可得知研磨墊在使用前與使用時或使用之變化。從「襯墊在浸泡於水中後之性質變化」表格可知，研磨墊浸泡水中24小時後，E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 比值減低至少7.9%，甚且可至35.6% 。要之，研磨墊使用後，E'(30℃)/E'(90℃) 比值會減低。B.系爭專利說明書第23頁第2 段進一步說明：「就根據本發明之水解穩定襯墊而言，其襯墊性質具有下列範圍：…( 表如下) …對水解穩定襯墊而言，在室溫（25℃）下浸泡於去離子水中24小時後，性質將落在上述範圍內。」C.綜上，系爭專利如同一般研磨墊研究，係將研磨墊浸泡於水中24小時，以代表使用中或使用後之狀態，更進而比對研磨墊使用前、後之物理性質之比較。系爭專利申請專利範圍第1 項則是專指使用前之情形，並非使用中或使用後之情形。

③引證十九第4 圖數值係該研磨墊使用中或使用後之數值：A.引證十九第602 頁最末段至第603 頁第1 段及第1圖敘明關於研磨墊不同之浸泡時間，對於CMP 移除氧化層速率之影響，係將浸泡水中之狀態視為使用時或使用後之狀態，以研究研磨墊在實務使用過程中之物理性質之變化，以及此等變化對於CMP 研磨效果之影響。引證十九第603 頁第8 至11行後續段落，亦係為相類似的探討。足見，原處分所援引之引證十九第603 頁第8 至11行及第604 頁第4 圖之相關數據，係針對其研磨墊於使用時或使用後狀態時所測得之數據，並非於使用前所測得之數據。B.引證十九第4 圖所揭示之E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 比值，既是研磨墊於使用時或使用後之測試結果；而系爭專利申請專利範圍第1 項之E'(30 ℃)/E'(90℃) 比值，則係針對研磨墊使用前之數據，二者顯然不同。是以，引證十九自不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性。

④本院所指浦松比為0 至0.5 係針對單一材，而系爭專利、引證十九IC1000研磨墊均為複合材，並未換算，故不知其數據。且溫度越高，浦松比值未必會愈高，若以極大值與極小直換算，上開前提並不存在。

⒌引證二十（1999年2 月18日PCT 公開之WO第99/07515專利申請案影本）不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性（附表二編號5 所示之爭點）：：引證二十第6 頁第28至30行係謂：「...30 ℃時之張力模數與60℃時之張力模數比例在1 到2.5 之間... 」，並非E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值。又被告坦承引證二十確實未揭示E'(30 ℃)/E' (90℃) 之比值，故原訴願決定認其不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性。至被告辯稱引證二十雖僅揭示E'(30 ℃)/E'(60 ℃) 之比值，惟熟悉該項技術者得依此教示，而能輕易將60℃直接置換為90℃云云，無法苟同。

⒍引證二十一（IC1000拋光墊之1999年型錄）不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性（附表二編號6 所示之爭點）：引證一不足否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，故引證二十一自亦不足否定之。

㈡系爭專利申請專利範圍第2 項應屬有效（附表二編號7 至13所示之爭點）：

⒈引證二十、二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第2項新穎性（附表二編號7 至8 所示之爭點）：引證二十、二十一均不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第2 項之新穎性。

⒉引證一分別與引證四、引證五、引證六、引證二十一與引證二十二之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第2項之進步性（附表二編號9 至13所示之爭點）：引證一與二十一既未揭露系爭專利範圍第1 項之技術特徵，而不足以否定系爭專利申請專利範圍第1項 之新穎性。引證四、五、六、二十二亦未揭露系爭專利範圍第1 項之技術特徵，復為被告與參加人所不否認。故引證一分別與引證四、引證五、引證六、引證二十一與引證二十二之組合，自亦未揭露系爭專利範圍第1 項之技術特徵。從而，此等引證結合自不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第2 項之進步性。

㈢系爭專利申請專利範圍第3 項應屬有效（附表二編號14至17所示之爭點）：

⒈引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第3 項之新穎性（附表二編號14所示之爭點）：引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第3 項之新穎性。又引證一第1 、2 圖所揭示者乃「剪力彈性模數」G'值，並非「張力彈性模數」E'值，且引證一又未提供其蒲松氏比值。是以，熟悉該項技術者自無從由引證一第1 、2 圖而推出該研磨墊在40℃時之張力彈性模數。

⒉引證十九不足以否定系爭專利申請專利範圍第3 項之新穎性（附表二編號15所示之爭點）：：引證十九不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第3項之新穎性。又引證十九第4 圖所揭示者乃「剪力彈性模數」G'值，並非「張力彈性模數」E'值，且引證十九又未提供其真正之蒲松氏比值，已如前述。是以，熟悉該項技術者自無從由引證十九第4 圖而推出該研磨墊在40℃時之張力彈性模數。

⒊引證二十不足以否定系爭專利申請專利範圍第3 項之新穎性（附表二編號16所示之爭點）：：引證二十不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第3項之新穎性。且系爭專利申請專利範圍第3 項附加技術特徵係「該拋光層具有一在40℃時約為150 到2,000 MPa 的張力」。惟引證二十僅載有「a tensile modulus of 0.2to 5 Giga Pascals 」，卻未說明該張力彈性模數量測之溫度。是以，引證二十自未揭示系爭專利申請專利範圍第3 項之附加技術特徵。

⒋引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第3 項之新穎性（附表二編號17所示之爭點）：引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第3 項之新穎性。

㈣系爭專利申請專利範圍第4 項應屬有效（附表二編號18至19所示之爭點）：

⒈引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第4 項之新穎性（附表二編號18所示之爭點）：

⑴引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第4 項之新穎性。

⑵KEL 通稱「能量損失因子」，公式為Tan δx 1012/[E'x(1+Tan δ2)] 。而引證一並未揭示任何KEL 值，必須先得知其在40℃時之「張力彈性模數」E'值，再經由上開公式計算而得。惟引證一第1 、2 圖所揭示者乃「剪力彈性模數」G'值，並非「張力彈性模數」E'值，引證一亦未提供其蒲松氏比值。是以，熟悉該項技術者自無從由引證一第1 、2 圖而推出該研磨墊在40℃時之張力彈性模數E'，則更無從由上開公式求得KEL 值。

⑶原處分關於「第1 圖E'(40 ℃) 約為327 Mpa ，第2 圖E'(40 ℃) 約為233 Mpa 」，進而推導KEL 等之認定，顯屬不法：

①引證一所有數值均G'值，並非E'值，已如前述。引證一及其第1 、2 圖均完全未揭示其圖上各點之溫度及G'值為何，遑論是40℃之G'值。是以，參酌現行專利審查基準第2-3-5 頁規定，自不得從引證一第1 、2圖中測量出40℃之G'值，作為舉發證據。

②引證一及其第1 、2 圖既完全未揭示其圖上各點之溫度及G'值為何，亦無40℃之G'值。而該第1 、2 圖關於Storage Modulus(MPa)之座標乃是log 座標，並非線性座標，無從適用外插法或內插法。故熟悉系爭專利所屬技術者，實無法由引證一第1 、2 圖中合理推斷IC1000研磨墊之40℃之G'值，遑論進而推算E'值。且該第1 、2 圖在40℃附近之準確刻度只到百位數，有效位數僅至十位數，原處分焉得取至個位數而認「第1 圖E'(40 ℃) 約為327 Mpa ，第2 圖E'(40 ℃)約為233 Mpa 」？有違科學記號之表示原則。

⒉引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第4 項之新穎性（附表二編號19所示之爭點）：引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第4 項之新穎性。

㈤系爭專利申請專利範圍第5 項應屬有效（附表二編號20至21所示之爭點）：

⒈引證一、引證六、引證七之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第5 項之進步性（附表二編號20所示之爭點）：

⑴引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第5 項之新穎性。又引證六與引證七亦未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵。是以，引證一與引證六、引證七之組合，自無從否定系爭專利申請專利範圍第5 項之進步性。

⑵原處分所援引之引證六第4 欄第48至49行及其申請申請專利範圍第11項揭露在20℃下之「體積膨脹率」，是針對體積總體變化程度，其x 、y 、z 等三個方向之線性尺寸變化未必相同，縱使「體積膨脹率」小於2%，惟其在某方向之線性尺寸變化未必小於1%，且系爭專利申請專利範圍第5 項附加技術特徵所要求者為「25℃」下。故未揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之附加技術特徵。

⑶原處分所援引之引證七第3 欄第13至15行固表示「室溫」係指15℃至30℃，被告因而認定引證六既已揭示20℃「體積膨脹率」小於2%，自揭示系爭專利申請專利範圍第5 項附加技術特徵云云。惟系爭專利申請專利範圍第5 項已特定「25℃」，縱然20℃與25℃均屬於室溫範圍，亦無從逕認「20℃」所得數據已揭露系爭專利申請專利範圍第5 項所要求「25℃」之數值。

⒉引證二十一、引證六、引證七之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第5 項之進步性（附表二編號21所示之爭點）：

⑴引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第5 項之新穎性。引證六與引證七亦未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵。是以，引證二十一、引證六、引證七之組合，自無從否定系爭專利申請專利範圍第5 項之進步性。

⑵引證六、七未揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之附加技術特徵，益見，引證二十一、引證六、引證七之組合，自無從否定系爭專利申請專利範圍第5 項之進步性。

㈥系爭專利申請專利範圍第6 項應屬有效（附表二編號22至23所示之爭點）：

⒈引證一、引證四之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第6 項之進步性（附表二編號22所示之爭點）：引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第6 項之新穎性。而引證四亦未揭露系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵。是以，引證一與引證四之組合，自無從否定申請專利範圍第6 項之進步性。且引證四第260 頁倒數第2 行至第261 頁第2 行及第266 至267 頁第3 、4 圖，未揭露系爭專利申請專利範圍第6 項之附加技術特徵。蓋，原處分所援引之引證4 第260 頁倒數第2 行至第261 頁第2 行，並未揭露其研磨墊係「在25℃之室溫下」浸泡於去離子水中。

⒉引證二十一、引證四之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第6 項之進步性（附表二編號23所示之爭點）：引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第6 項之新穎性。引證四亦未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，是以引證一與引證四之組合，自無從否定申請專利範圍第6 項之進步性。

㈦系爭專利申請專利範圍第7 項應屬有效（附表二編號24至27所示之爭點）：

⒈引證十九與引證二十一，不足以否定系爭專利申請專利範圍第7 項之新穎性（附表二編號24至25所示之爭點）：引證十九與引證二十一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第7 項之新穎性。

⒉引證一分別與引證五、引證八之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第7 項之進步性（附表二編號26至27所示之爭點）：引證一不足以否定系爭專利申請專利範圍第1 項之新穎性，自亦不足以否定附屬於該第1 項之申請專利範圍第7 項之新穎性。引證五、引證八亦未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵。是以，引證一分別與引證五、引證八之組合，自無從否定系爭專利申請專利範圍第7 項之進步性。

㈧系爭專利申請專利範圍第8 項應屬有效（附表二編號第28至43項所示之爭點）：

⒈系爭專利申請專利範圍第8 項係一獨立項，包含第1 技術特徵：「一種用來拋光一半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法」；第2 技術特徵：「向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的界面偏斜晶圓；令一拋光流體流動到界面中」；第3技術特徵：「提供晶圓和拋光襯墊在壓力下進行的相對運動，以使得拋光流體與晶圓間之運動受壓接觸導致沿著該晶圓表面的平面移除」；第4 技術特徵：「該拋光層具有：一約為40到70 Shore D的硬度；一在40℃時約為100 到2,000 Mpa 的張力模數；一約為100 到1,000 （1/Pa在40℃時）的KEL 以及一在30℃到90℃時約為1 到5 的E'比」。

⒉引證一、引證四、引證二十及引證二十一均未揭露系爭專利申請專利範圍第8 項之4 項技術特徵。又引證九、引證十二未揭示系爭專利申請專利範圍第8 項第2 技術特徵之「向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的『界面偏斜晶圓』」與第4 技術特徵。而引證十三未揭示系爭專利申請專利範圍第8 項第2 、3 、4 技術特徵。

⒊準此，附表二編號28、29、31、32、34、35、37、38、40、41項所示爭點之引證組合未揭示系爭專利申請專利範圍第8 項之第2 、4 技術特徵；附表二編號30、33、36、39、42、43所示爭點之引證組合未揭示系爭專利申請專利範圍第8 項之第2 至4 技術特徵，均不足否定系爭專利申請專利範圍第8 項之進步性。被告亦表示爭點第41至42項之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第8 項之進步性。

㈨系爭專利申請專利範圍第9 項應屬有效（附表二編號第44至63項所示之爭點）：

⒈系爭專利申請專利範圍第9 項除包含申請專利範圍第8 項之4 項技術特徵外，尚有一附加技術特徵（即第5 技術特徵）。

⒉引證一、引證四、引證十九、引證二十及引證二十一均未揭露系爭專利申請專利範圍第9 項5 項技術特徵。又引證八至十一未揭示系爭專利申請專利範圍第9 項第2 技術特徵之「向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的『界面偏斜晶圓』」）、第4 技術特徵及第5 技術特徵之「保護金屬表面直到被拋光襯墊打散為止」。原處分所援引之引證十段落，亦完全未揭示第5 技術特徵。

⒊引證十三未揭示系爭專利申請專利範圍第9 項第2 技術特徵之「向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的『界面偏斜晶圓』」）、第3 、4 技術特徵、及第5 技術特徵之「保護金屬表面直到被拋光襯墊打散為止」。

⒋從而，附表二編號44、45、47、48、50、51、53、54、56、57、59、60所示爭點之引證組合未揭示系爭專利申請專利範圍第9 項之第2 、4 、5 技術特徵；附表二編號46、49、52、55、58、61、62、63所示爭點之引證組合未揭示系爭專利申請專利範圍第9 項之第2 、3 、4 、5 技術特徵。被告亦表示附表二編號45、46、48、49、51、52、54、55、57、58、60至63所示爭點之組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第9 項之進步性。

㈩系爭專利申請專利範圍第10項應屬有效（附表二編號第64至79項所示之爭點）：

⒈系爭專利申請專利範圍第10項除包含申請專利範圍第8 項之4 項技術特徵外，尚有一附加技術特徵（即第5 技術特徵）。

⒉引證一、引證四、引證二十一、引證六、引證七均未揭露系爭專利申請專利範圍第10項5 項技術特徵。又引證九未揭示系爭專利申請專利範圍第10項第2 技術特徵之「向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的『界面偏斜晶圓』」、第4 、5 技術特徵。引證十二未揭示系爭專利申請專利範圍第10項第2 、4 、5 技術特徵。引證十三未揭示系爭專利申請專利範圍第10項第2 至5 技術特徵。

⒊從而，附表二編號64至68、70、71、73、74、76、77所示爭點之引證組合未揭示系爭專利申請專利範圍第10項之第2 、4 、5 技術特徵；附表二編號66、69、72、75、78、79所示爭點之引證組合未揭示系爭專利申請專利範圍第10項之第2 、3 、4 、5 技術特徵。被告於行政訴訟補充答辯書亦表示附表二編號79所示爭點之引證組合，不足以否定系爭專利申請專利範圍第10項之進步性。如認系爭專利僅部分申請專利範圍具有新穎性暨進步性，依平等原則，亦應撤銷原處分及原訴願決定，使原告得以更正申請專利範圍。

三、被告聲明求為判決：駁回原告之訴。並抗辯：

㈠系爭專利申請專利範圍第1 項應無效（附表二編號第1 至6項所示之爭點）：

⒈附表二編號1 所示之爭點：

⑴縱如原告所稱引證一第E7.3.1頁至第E7.3.2頁所定義之storage-modulus 為G'「剪力」彈性模數，惟「剪力」彈性模數G 與「張力」彈性模數E 具有定比例之關係：G=E/2(1+μ) ，其中μ為蒲松比，係一定值。原證4 第1 頁左欄第1 、2 行揭示高分子材料之蒲松比通常假設為定值，第1 頁左欄（INTRODUCTION）起第1 至5 行揭示對理想彈性固體，蒲松比一般視為定值。而引證一第E7 .3.2 頁第1 至4 行揭示storage-modulus G'係定義直接量測材料之「彈性」特性，因此其剪力彈性模數G間之比值相等於張力彈性模數E 間之比值。

⑵引證一之第1 圖揭露IC1000與SubaIV研磨墊之DMA 測試結果圖，由圖上可知IC 1000 研磨墊之彈性模數之比值為2.85，係落在系爭專利請求項第1 項之範圍內(1～3.6)。因此，引證一足資證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性。

⑶引證一之首頁最上一行揭露有「2000 Materials Research Society 」，足以證明引證一之全部內容係2000年公開。又被告原處分理由（二十）中已指出證據2-1 為MRS 學會將2000年4 月26至27日在美國加州舊金山市所舉辦學術研討會之發表論述集結成冊所得者，其內頁印有「MATE RIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS VOL UME613」以及「Symposium held April 26-27,2000, San Francisco, California, U.S.A.」。該「材料研究學會會報第613 冊」係刊登在同年4 月26至27日於加州舊金山舉行會議之內容。由於學術研討會係屬於學術交流，其發表之論文一般係屬公開徵求，並於會議中發表，並未限定特定人士才能參加，任何人只要繳納報名費皆可參加，足以證明引證一之全部內容係同年4 月26至27日於加州舊金山舉行會議中公開。

⑷被告原處分理由（二十）中所述之「又由證據2-2 可知，MRS 協會所設立之網站上，亦羅列其所舉辦Symposium E Chemical-Mechanical Polishing 2000-Fundamentals and Materials Issues, Volume 613之研討會論文，並標示『以下發行之論文係出自MRS 協會2000年4 月24至28日間舉辦之春季會議中的學術研討會E(Below are the published proceedings articles from Symposium E from the 2000 MRS Spring Meeting) 』，而引證一即名列其中之學術文獻，與證據2-1 所述相符，亦可佐證引證一於同年4 月26至27日加州舊金山舉行會議中已公開。

⑸MRS 於2000年4 月26至27日舉辦Symposium E 研討會當時所印製論文之摘要內容（即引證1-4 第116 頁E7.3），及由引證一作者提供其於同年月26至27日在MRS 舉辦之Symposium E 研討會當時所公開發表之文件資料（即引證1-5 第7 頁及第9 頁之圖示及說明），與引證一之第1 圖及第2 圖完全相同，亦可佐證引證一之技術內容確已在同年4 月26至27日Symposium E 研討會中公開發表。

⑹引證一之第1 、2 圖並非一般之結構示意圖，係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，熟悉該項技藝者均得以據此取得其所對應之數據。又在引證一E7.3.10 頁之「謝誌(Acknowledgements)」中，作者提及感謝包括原告技術、財務與材料之支援，因此，引證一所揭露之IC1000拋光墊係為原告所提供。又引證一所揭露之IC1000拋光墊確與引證二十一所示之「Rodel ICl000 CMP Pad」為相同的物品，且該IC1000拋光墊在系爭專利優先權日前已公開，可知引證1-2 、引證1-4 及引證1-5 均為佐證，而引證一及引證1-1 之組合足以證明引證一之公開日期早於系爭專利之申請日。

⒉附表二編號2 所示之爭點：

⑴引證二國際分類為B05D1/38，B24D3/00，專利標的為一種研磨物件，系爭專利歐洲對應案之國際分類B24D 3/28 ，與引證二國際分類B24D3/00皆是磨料體或研磨板之物理特徵，且系爭專利之拋光襯墊亦為一種研磨物件，二者均屬研磨物件之領域。

⑵系爭專利以研磨墊平面化或拋光半導體元件或其先質表面本就是屬磨削表面(grinding surfaces) 之方法，故對其所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異推知引證二係可作為用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊。

⑶引證二之第7 圖並非一般之結構示意圖，係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，雖然其縱軸為log 座標，然其刻度亦有其比例之關係，熟習該項技術者均得以據此取得其所對應之數據，且其第43欄之第13表亦揭示有相關之數據，熟習該項技術者均得以「內差法」推算出其所對應之數據。

⒊附表二編號3 所示之爭點：

⑴引證三之申請專利範圍第14項之專利標的為一種研磨物件，而系爭專利之拋光襯墊亦屬一種研磨物件，二者均屬研磨物件之領域。

⑵被告原處分理由（二十二）中已指出引證三所揭露拋光墊之模數最大不及3.5GPa（見引證三之圖一及圖三），遠小於具有數百GPa 模數的晶圓及表面材料（即引證十

四、引證十五、引證十六，及引證十七）。因此，如前所述，引證三適用於半導體晶圓的表面化學機械研磨。

⑶引證三之主要美國專利分類號為51/298，而引證十八由美國專利商標局（USPTO ）專利查詢資料庫，查得22件專利，其中大部分為原告所擁有適用於拋光半導體晶圓表面的化學機械研磨拋光墊之相關專利，足證引證三確屬系爭專利之相關先前技術。故對其所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異推知引證三係可作為用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊。

⑷引證三之第1 、3 圖並非一般之結構示意圖，係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，熟習該項技術者均得以據此取得其所對應之數據。

⒋附表二編號4 所示之爭點：

⑴原證4 第1 頁左欄第1 、2 行揭示高分子材料之蒲松氏比通常假設為定值；第1 頁左欄（INTRODUCTION）起第1 至5 行揭示對理想彈性固體，蒲松比一般視為定值（constant）；第1 頁左欄（INTRODUCTION）起第5 至10行揭示當變形係發生在非線性之黏彈性區域時，黏彈性材料之機械性質係受溫度、時間、應變（strain）之影響；第1 頁右欄第7 、8 行揭示蒲松比仍然被視為定值。由此可知黏彈性材料之機械性質之改變係當變形係發生在非線性之黏彈性區域，然而如起訴答辯附件第10頁第9 至19行揭示在彈性範圍內蒲松比為定值。

⑵引證一第E7.3.2頁第1至4 行揭示storage-modulus G'係定義為直接量測材料之「彈性」特性，而彈性特性係屬變形發生在材料之線性區域。是以材料之應變ε越小，其變形越接近彈性區域，此由引證四號第10(b) 圖揭示其蒲松比在應變εAX=0.0050 時其變化係相當小。亦即當材料之應變ε在更小時，其蒲松比為定值。

⑶縱使材料變形係發生在非線性之黏彈性區域，由原證4第10圖揭示（在時間參數之變化很大時）其蒲松比在εAX=0.0050 時其變化係相當小。故原證4 第1 頁右欄第7 、8 行載明蒲松比仍然被視為定值。因此，縱使材料變形係發生在非線性之黏彈性區域，蒲松比之變化對E'(30℃)/E'(90 ℃）之比值並無顯著之影響。

⑷彈性模數係定義為直接量測材料之「彈性」特性，故原告引用「在非線性之黏彈性區域時蒲松比之微小變化」之特例，顯非合理。故被告原處分理由合理假設蒲松比為定值（如起訴答辯附件第10頁第9 至19行揭示在彈性範圍內蒲松比為定值、原證4 第1 頁左欄第1 、2 行第1 頁右欄第7 、8 行）。

⑸引證十九之第4 圖並非一般之結構示意圖，係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，熟習該項技術者均得以據此取得其所對應之數據。

⑹系爭專利說明書第22頁第1 行至第10行及其列表中揭示系爭專利將襯墊浸泡於水時之情形，列表中揭示該E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值最佳範圍為1.0-3.5 。而系爭專利申請專利範圍第1 項所載之在30℃到90℃時約為1到3.6 的E'比，並未限定是在未浸泡於水或浸泡於水的情形，且系爭專利將襯墊浸泡於水時該E'(30 ℃) /E'(90℃) 之比值為1.0-3.5 與系爭專利申請專利範圍第1項所載之在30℃到90℃時約為1 到3. 6的E'之比值，其下限之比值相同（皆為1 ），而上限之比值僅相差0.1（3.6-3.5 ）。而由引證二十可得IC1000拋光墊在30℃與90℃的張力模數比例約為3 ，另SUBAIV拋光墊在30℃與90℃的張力模數比例約為1.5 ，兩者拋光墊均落在系爭專利請求項第1 項之範圍內(1-3.6) 。因此，系爭專利第1 項所載內容為引證十九所揭露，不具新穎性。

⒌附表二編號6 所示之爭點：系爭專利申請專利範圍第1 項所載之具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比，僅是襯墊在規格上之敘述，其規格越嚴格，襯墊之品質越佳，因此對熟習該項技術者依申請前之先前技術引證二十一之教示（其第6 頁第28-30 行揭示在30℃到60℃時張力模數比為1 到2.5 ），即能輕易將60℃直接置換為90℃，由於該差異屬僅在於參酌引證文件即能直接置換的技術特徵，故引證二十一足資證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

㈡系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性（附表二編號第28至43項所示之爭點）：

⒈附表二編號29所示之爭點：

⑴引證十二之公開日期早於系爭專利之優先權日，係揭露一種用來拋光一半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法。在其第47頁第2 段至第48頁第1 段及第2 、3 圖揭示以CMP 來平坦化具有金屬（銅）鑲嵌結構之晶圓的表面。在實施CMP 時，令一拋光流體流動到界面中；以及提供晶圓和拋光襯墊在壓力下進行的相對運動，以使得拋光流體與晶圓間之運動受壓接觸導致沿著該晶圓表面的平面移除。因此，在引證十二中，晶圓與研磨墊之間的確有形成一界面，研漿也是在晶圓與研磨墊之間流動，晶圓在研磨墊上移動，亦即晶圓與研磨墊之間有相對運動。

⑵引證四之第260 頁倒數第2 行至第261 頁第2 行揭露有針對CMP 研磨墊之硬度做實驗，在第266 頁上之第3 圖顯示ICl000/SubIV疊合研磨墊在乾燥時之硬度在5l Shore D左右，泡水24小時之後的硬度在47Shore D 左右，皆落在本項之範圍內(40 ～70 Shore D) 。又引證一之第1 圖顯示ICl000研磨墊之E'(40 ℃) 約為327Mpa，tan δ(40 ℃) 約為0.083 ，因此可計算得出KEL(40 ℃)＝2521/Pa 。而且引證一第2 圖顯示ICl000/SubaIV 疊合研磨墊之E'(40 ℃) 約為233 Mpa ，tan δ(40 ℃)約為0.111 ，因此可計算得出KEL(40℃) ＝4711/Pa 。上述之二者在40℃之張力模數及KEL 值皆分別落在系爭專利申請專利範圍第8 項(150～2000MPa)及(100～1000l/Pa )之範圍內。其第1 圖揭露ICl000與SubaIV研磨墊之DMA 測試結果圖，由圖上可知ICl000研磨墊之E'(30℃) 約為376Mpa，而E'(90 ℃) 約為132Mpa。因此，E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值為2.85，落在系爭專利申請專利範圍第8 項範圍內(1～5)。因此引證一、引證四、引證十二之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性。

⒉附表二編號30所示之爭點：引證十三之公開日期早於系爭專利之優先權日，係揭露一種用來拋光一半導體之金屬鑲嵌結構的方法。其摘要、第1 節之介紹（Introduction）及第2 節之實驗（Experiment）揭示以ICl000與SubaIV研磨墊利用CMP 來平坦化具有金屬（銅）鑲嵌結構之表面。故引證一、引證四、引證十三之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒊附表二編號32、33、35、36、38、39所示之爭點：

⑴引證二十之第6 頁第28至30行揭示拋光層具有一為25至80 Shore D之硬度，係包含系爭專利申請專利範圍第8項之範圍內(40 ～70 ShoreD)。因此，系爭專利申請專利範圍第8 項所載之內容係為IC1000（引證一與引證二十一之組合）、引證二十、引證十二所揭露，故引證一、引證二十一、引證二十、引證十二之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。相同的引證一、引證二十一、引證二十、引證十三之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⑵引證一所揭示之ICl000拋光墊即為引證二十一的IC1000拋光墊，且引證二十一記載ICl000拋光墊的硬度為57Shore D ，故引證二十一及引證十二之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。相同的引證二十一及引證十三之組合、引證一、引證二十一及引證十二之組合、引證一、引證二十一及引證十三之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒋附表二編號41、42所示之爭點：系爭專利申請專利範圍第8 項之一在40℃時約為100 到2,000 MPa 的張力模數；一約為100 到1,000(1／Pa在40℃時) 的KEL 之特徵並未被引證二十、引證十二、引證十三所揭露，亦非引證二十及引證十二之組合或引證二十及引證十三之組合所能輕易完成。故引證二十及引證十二之組合，或引證二十及引證十三之組合，皆不足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒌引證十三足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性（附表二編號43所示之爭點）：系爭專利申請專利範圍第8 項之一在40℃時約為100 到2,000 MPa 的張力模數；一約為100 到1,000(1／Pa在40℃時) 的KEL 之技術特徵並未被引證十三所揭露，亦非利用引證十三所能輕易完成，故引證十三不足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈢系爭專利申請專利範圍第9 項應有效（附表二編號第44至63項所示之爭點）：

⒈附表二編號45、46、48、49、51、52、54、55、57、58、60至62所示之爭點：系爭專利申請專利範圍第9 項所載一小於沿拋光層之拋光表面之小於500 之奈米級粗糙度之特徵並未被上揭組合所揭露，亦非上揭組合所能輕易完成，故上揭組合不足以證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒉附表二編號63所示之爭點：引證十三不足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，且系爭專利申請專利範圍第9 項所載一小於沿拋光層之拋光表面之小於500 之奈米級粗糙度之特徵並未被引證十三所揭露，亦非引證十三所能輕易完成。故引證十三不足證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈣系爭專利申請專利範圍第10項應為無效（附表二編號第64至79項所示之爭點）：：

⒈附表二編號65、66、68、69、71、72、74、75、77、78所示之爭點：

⑴引證六之第4 欄第48至49行以及其請求項第9 項已經揭露其所提供之研磨墊在20℃之水中浸泡24小時，其體積膨脹率少於2%。由於引證六所提供之研磨墊的體積膨脹率少於2%，而「體積膨脹率」屬於「線性尺寸變化」的一種，且「少於2%」涵蓋了「少於1%」，因此引證六已經揭露了本項之「每一線性尺寸的變化少於約1%」及「在水中浸泡24小時」的構成要件。

⑵引證七之第3 欄第13至15行述及室溫(room temperature)涵蓋溫度範圍為15～30℃，一般為20～25℃。因此可推知室溫25℃之水溫與20℃之水溫是十分近似的。因此，引證七揭露了本項之「室溫25℃之水溫」之構成要件。

⑶引證四所揭露之技術亦與CMP 研磨墊相關，在其第260頁倒數第2 行至第261 頁第2 行揭露有針對CMP 研磨墊之硬度做實驗，比較在浸入具有固定pH值之緩衝液中24小時前後之硬度差異。發現所有之CMP 研磨墊的樣品在具有固定pH值之緩衝液中浸泡24小時之後，其硬度皆會下降，實驗結果在第266 至267 頁上之第3 、4 圖，CMP 研磨墊之硬度減少比例約為10% 。

⑷引證一第E7.3.8頁第1 段揭示研磨液浸泡對ICl000研磨墊硬度之改變係沒有多少差異，因此，系爭專利申請專利範圍第10項之附屬特徵係為引證一、四、六、七所揭露，而系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，故引證一、四、六、七、十二之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。相同的引證一、四、六、七、十三之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⑸引證二十一係Rodel 公司之IC1000拋光墊1999年型錄，因此系爭專利申請專利範圍第10項之附屬特徵係為ICl000拋光墊（引證一與引證二十一之組合) 、引證六與引證七、及習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法所揭露，系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，故ICl000拋光墊（引證一與引證二十一之組合) 、引證六與引證七、及引證十二之組合或ICl000拋光墊（引證一與引證二十一之組合) 、引證六與引證七、及引證十三之組合皆足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⑹由於引證一所揭示之ICl000拋光墊即為引證二十一之IC1000拋光墊，因此系爭專利申請專利範圍第10項之附屬特徵係為引證二十一、引證四、引證六與引證七所揭露，而系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，故引證

二十一、四、六、七、十二之組合或引證二十一、四、

六、七、十三之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⑺室溫25℃之水溫與20℃之水溫相對接近，對其所屬技術領域中具有通常知識者可輕易推知，故引證一、四、六、十二之組合，或引證一、四、六、十三之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。相同的引證二十一、四、六、十二之組合，或引證二十一、四、

六、十三之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒉附表二編號79所示之爭點：引證十三不足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，引證十三、引證四、引證六之組合自不足以證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

四、參加人聲明求為判決：駁回原告之訴。並抗辯：

㈠系爭專利申請專利範圍第1 項應屬無效（附表二編號第1 至6 項所示之爭點）：

⒈附表二編號1 所示之爭點：

⑴引證一、引證1-5 所揭露之數據為E值（張力模數）：

①圖面說明比對：IC1000拋光墊DMA 測試圖（引證1-5 第7 頁與引證一第E7.3.3頁第1 圖）與系爭專利申請專利範圍第1 項比對，可得出E'(30 ℃) =376(Mpa) ，E'(90 ℃)=132(Mpa)，E'ratio(30℃/90 ℃)=2.85。又IC1000/Suba IV疊合拋光墊DMA 測試圖（引證1-5 第9 頁與引證一第E7.3.5頁第2 圖）與系爭專利申請專利範圍第1項比對，可得出E'(30 ℃)=271(Mp a) ，E'(90 ℃)=108(Mpa) ，E'ratio(30℃/90 ℃)=2.51。以上均揭露申請專利範圍第1 項之「一在30℃到90℃時約為1到3.6 的E'比。」

②引證一第E7.3.1頁至第E7.3.2頁所顯示公式：G*=G'+iG" ，為介紹複模數(complex modulus) 與儲存模數(storage modulus) 及損失模數(loss modulus)間的一般關係式，並未特別揭露為何種模數。而依其測試方式本即可分為張力模數、剪力模數及壓縮模數，測試之實際模數種類可由實驗程序得知。又依美國測試及材料協會標準ASTM D4092（引證1-10）說明，E 值得以tension （拉伸）方式取得，而G 值則以shear（剪力）方式取得。再依該協會標準ASTM D4065（引證1-11）之圖解，E'值及G'值可以施力方式計算取得。因此，為配合上開不同之施力模式，DMA 測試時會使用不同之樣品「夾具」（clamp ）來進行操作。

③引證1-5 第5 頁明確顯示其DMA 測試所使用之實驗設備，係為TA公司之「拉伸夾具(tension clamp) 」，因此，該實驗所揭露之數據資料，確實為以拉伸夾具所進行之E 值（張力模數）而非G 值（剪力模數），此有引證1-5 所摘錄之實驗設備圖，足資證明。又依儀器廠商TA之DMA 技術資料（引證1-12）顯示之夾具二大類型，可知引證一第E7.3.2頁所載其動態機械分析(DMA) 的實驗程序係採「自動張力模式(in Autotension mode) 」，而該模式僅能適用於Tension 夾具，故該測試係為E 值（張力模數）所為之實驗。

④原證6 並無原告所稱之「三點彎曲夾具既可測得E'值，亦可測得G'值」之證明。而依原告漏未提出之GABO公司其他資料顯示，以GABO儀器測試E 或G 值等，須依使用之夾具而定，且EPLEXOR 儀器之操作，亦須依據相關之樣品夾具標準即引證1-11進行測試，三點彎曲（3-Point Bending ）夾具僅能量測出張力模數（E 值），而非剪應力模數（G 值）。而引證一、引證1-5 清楚揭示使用TA Instruments Division 之儀器及Tension 夾具，顯與三點彎曲夾具無關。

⑤引證一第E7.3.2頁及引證1-5 中第6 頁均揭露其所實驗之樣品尺寸為15mm（長）X5.5mm（寬）X1.25mm （厚）長方形之樣品，顯與引證1-13所示取得G 值所要求之「shear sandwich」10mmX10mm 正方形之樣品尺寸不符。故引證一與引證1-5 之測試實驗數據確為E值而非G 值。另依原告販售之「IC1000」、「Suba IV 」尺寸資料，即已載明「IC1000」有4 種尺寸厚度，「Suba IV 」之厚度可從0.51至3.17mm，足證引證一中「IC1000」與「Suba IV 」之疊合測試樣品，確實係由0.51mm之「IC1000」與0.74mm「Suba IV 」所疊合而成，其測試樣品之厚度尺寸為1.25mm（0.51+0.74 ）。

⑥綜上，引證一與引證1-5 中所進行之實驗，均係針對E 值而非G 值。是以，引證一與引證1-5 中所揭露之技術內容確實與系爭專利技術特徵相同，均為E 值中之E'（儲存模數）和E"（損失模數）。

⑵引證一、引證1-5 所讀取之數值：

①引證一第E7.3.3頁第1 圖及引證1-5 第7 頁所揭露之DMA 測試圖，係針對原告之IC1000拋光墊所為之測試，其30℃及90℃之E'值分別為376MPa、132MPa，其30℃及90℃之比值為2.85。而引證一第E7.3.5頁第2 圖及引證1-5 第9 頁所揭露之DMA 測試圖，係針對原告之IC1000/Suba IV疊合拋光墊所為之測試，其30℃及90℃之E'值分別為271MPa 、108MPa ，其30℃及90℃之比值為2.51。

②上開數值乃利用先行取得線性關係之指數後，再由以10為底之該指數，換算得出數值，只要指數非整數時，其換算得出之數值，均會產生百位數以下之情況，並無原告所稱違反科學有效記號原則。

③引證一與引證1-5 所揭露並非一般之結構示意圖，係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，自為熟悉該項技術者均得據此取得其所對應之數據。雖其縱軸為log 座標，然其刻度即有標示比例關係，且該圖形亦不會因影印之縮放而產生差異結果，尚難謂非圖式明確揭露之技術特徵，自屬引證文件的一部分，亦有臺北高等行政法院95年度訴字第03336 號判決可參。

⑶綜上，引證一之技術內容確實已在2000年4 月26至27日所舉辦之Symposium E 研討會中公開發表，而系爭專利申請專利範圍第1 項所載之技術內容已為引證一揭露，故引證一可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

⒉附表二編號2 所示之爭點：

⑴引證二之第29頁表13中以內插法計算，已揭露拋光層在30℃及90℃之E'值分別為7579MPa 、5779MPa ，其30℃及90℃之比值為1.31，其E'比值已揭露第1 項之技術內容，不因有無將實驗曲線當成直線而有差異。縱不將引證二之實驗曲線當成直線計算，逕以30℃及90℃之極大值及極小值計算，亦同為落入系爭專利範圍。

⑵系爭專利與引證二係屬同一技術領域：

①系爭專利與引證二之國際專利分類皆屬研磨物件之相同技術領域。又引證二第1 圖所揭露之研磨工具為將研磨劑併入至襯墊之一種拋光襯墊，屬於系爭專利申請專利範圍第1 項之「拋光襯墊」。而依系爭專利說明書第15 頁 第12至14行，系爭專利包括將研磨劑併入到襯墊上之拋光襯墊，是引證二確屬與系爭專利相同之技術領域。

②相較於被拋光晶圓之數百GPa （引證十四第107 頁第5 至6 行），引證二之數GPa 顯係為較軟之材質。又小於100GPa模數之拋光墊均適用半導體（引證十六第12欄第33至44行、引證十七第2 欄第5 至14行、第6欄第26至29行及申請專利範圍第1 、6 項）。甚至，大於10GPa 模數之拋光墊表現優於0.2Gpa模數之拋光墊（引證十五第5 欄第42至45行、第1 欄第28至32行、第6 欄第1 表）。故原告主張大於5GPa之拋光墊不適用晶圓拋光云云，並不可採。

③系爭專利之PCT 相對應案WO 0000000A1（引證3-3 ）中，已將引證二之專利家族（US 5,580,647）列入「X 」類，即不具新穎性之引證文件，亦徵引證二與系爭專利確屬同一技術領域。

⑶綜上，引證二與系爭專利為同一技術領域，而引證二之公開時間早於系爭專利之優先權日，故系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

⒊附表二編號3 所示之爭點：

⑴系爭專利之技術內容已為引證三所揭露：引證3 之第1 圖實施例2 、3 、第3 圖（FIG.3 ）實施例3 ，均已揭露E'(30 ℃) / E'(90 ℃) 之比值落在系爭專利申請專利範圍第1 項之範圍內。

⑵系爭專利與引證三係為同一技術領域：

①引證三之美國專利分類號為51/298，而原告所有該分類號之美國專利，均屬系爭專利之相關技術（拋光半導體之化學機械研磨拋光墊）。又引證三之摘要揭露之技術內容為使用高分子接合劑將無機填充劑（如磁性氧化金屬顆粒或是研磨顆粒) 固定在背襯上，此種技術特別適合應用在製造彈性磁性記錄媒材與研磨工具上，且引證三所揭露拋光墊之模數最大不及3.5GPa（見引證三之圖1 及圖3 ），遠小於具有數百GPa 模數之晶圓及表面材料（見引證十四至十七），因此，引證三適用於半導體晶圓的表面化學機械研磨。而引證三之研磨工具（為將研磨劑併入至襯墊之一種拋光襯墊），屬系爭專利申請專利範圍第1 項之「拋光襯墊」，又系爭專利說明書第15頁第12至14行系爭專利包括將研磨劑併入到襯墊上之拋光襯墊，故引證三確與系爭專利屬相同之技術領域。

②系爭專利之PCT 相對應案WO 0000000A1（引證3-3 ）中，已將引證三之專利家族（US 5,534,345）列入「X 」類，即不具新穎性之引證文件，亦徵引證三與系爭專利確屬同一技術領域。

⑶綜上，引證三與系爭專利為同一技術領域，而引證三之公開時間早於系爭專利之優先權日，故系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

⒋附表二編號4 所示之爭點：

⑴熟習系爭專利技術領域者熟知E=2G（1+μ）及蒲松比應視為定值之基礎知識，除非專就浦松比作特殊之學術研究，否則浦松比在科學應用上，均應視為定值。復有原告所提之原證4 、原證8 ，被告於98年8 月17日所提之附件資料（即1972年出版之MECHANICS OFMATERIALS 書第10頁）M ，及參加人所提之引證十九、參證27。

⑵引證十九直接揭露之技術內容：①蒲松比值為0.5 。②原告所販售之IC1000拋光墊：在30℃與90℃之G'值比為3 。③原告所販售之SUBA IV 拋光墊：在30℃與90℃之G'值比為1.5 。

⑶熟習系爭專利技術領域者，得運用基礎知識及引證十九所揭露之技術內容，直接將IC1000、SUBA IV 之G'值比推導出E'值比，亦即IC1000與SUBA IV 之拋光墊，在30℃與90℃之E'值比分別為3 與1.5 ；亦得直接援引系爭專利材料之蒲松比資料、引證十九、參證29，將引證十九所揭露之G'值比例，換算為E'值比例後，直接推導出30℃與90℃之E'值比。

⑷綜上，依引證十九所揭示之材料，熟習該技術領域之人，縱不假設蒲松比為定值，亦得逕自引用相關之蒲松比資料加以計算，IC1000之E'值比例為2.91，SUBA IV 之E'值比例為1.455 均落入系爭專利申請專利範圍第1 項之範圍內（1-3.6 ）。因此，系爭專利申請專利範圍第1 項為引證十九所揭露，不具新穎性。

⑸原證4 載明浦松比為定值，且溫度之實驗並非典型浦松比之測試，且測試方式亦採靜態方式進行，違反系爭專利動態測試之要求（系爭專利說明書第10頁）。又引證十九之G'值及採取原證4 所揭露之極端實驗數據換算結果，皆落入系爭專利申請專利範圍第1 項（1-3.6 ），是以系爭專利申請專利範圍第1 項為引證十九所揭露。

⑹原證8 屬於特殊人造材料Auxetics材料之研究文獻，根本不非屬本件系爭專利拋光墊之材料，且其結構、密度、μ值均不相同，相對於一般材料具有特殊性，並不適用於拋光墊使用。

⑺引證十九所揭露雖為溼潤的條件下所得的測試，惟系爭專利說明書第22頁第1 行至第10行及其列表中揭露拋光襯墊在溼潤與乾燥的狀態下所測得的模數比接近，甚至更小。系爭專利申請範圍第1 項所載之在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比，並未限定是在未浸泡水或浸泡於水的情形。而引證十九可得IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊在30℃到90℃的張力模數比例為3 及1.5 之拋光墊，兩者均落在系爭專利申請專利範圍第1 項之範圍內(1-3.6) ，因此，系爭專利申請專利範圍第1 項之內容係為引證十九所揭露。

⑻引證十九將IC1000拋光墊與SUBA IV 拋光墊浸泡於水中24小時後進行DMA 測試， 以取得較為接近研磨狀態的拋光墊特性，原告卻將之曲解為「半導體廠使用研磨墊時... 不會事先浸泡在水中」。綜合整體申請專利範圍之文義，有關系爭專利申請專利範圍第1 項「用來」，並無限定於「使用前」之意，僅係為一種「描述性」詞語，而非技術特徵之限制條件。

⒌附表二編號5 所示之爭點：

⑴系爭專利申請專利範圍第1 項所載之具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 E'比，僅是襯墊在規格上之敘述。縱使引證二十第6 頁第28至30行揭露在30℃時之張力模數與60℃時之張力模數比例在1 到2.5 之間，惟對熟習該項技術者依此教示，當能輕易將60℃直接置換為90℃，由於該差異性屬僅在於參酌引證文件即能直接置換的技術特徵，故引證二十足資證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

⑵引證20-2之申請專利範圍第51至54項與系爭專利第1 至4 項申請專利範圍相同，卻遭美國專利商標局（USPTO）引用引證20-5（與引證二十內容相同），以其不具新穎性為由核駁（reject），顯見系爭專利申請專利範圍第1 至4 項，確實不具新穎性。

⒍附表二編號6 所示之爭點：

⑴原告以系爭專利之技術所製造販售之IC1000、SUBA IV等產品，早已於優先權日前之1999年即公開販售（引證二十一），成為不特定人得交易之程度，致發明之技術內容成為公知狀態，並使不特定人得以使用該發明，故系爭專利不具新穎性。

⑵有關IC1000產品特性，即系爭專利之技術內容，可由引證一、引證1-5 、引證二十一及引證十九等證據可知，並使該技術為公眾得知之狀態。又引證一之作者IreneLi，特別在引證一文末以Acknowledgements（謝誌）感謝原告提供IC1000實驗材料（material）等支援。

⑶是以，原告已於優先權日前公開販售IC1000，故系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

㈡系爭專利申請專利範圍第2 項應屬無效（附表二編號第7 至13項所示之爭點）：

⒈附表二編號7 所示之爭點：引證二十第6 頁第28-30 行揭露拋光層具有一為25到80 Shore D之硬度，包含系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍（40-70 Shore D ）；第10頁第27行揭露之拋光層具有70Shore D 之硬度。因此，系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵為引證二十所揭露，且系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證二十足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性。

⒉附表二編號8 所示之爭點：原告已於1999年公開販售IC1000產品，原告於所印製之型錄（引證二十一）上並載明IC1000拋光墊之硬度為57 Shore D。因此，系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵為引證二十一所揭露，且系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證二十一足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性。

⒊附表二編號9 所示之爭點：

⑴引證四揭露針對CMP 研磨墊之硬度做實驗，其第266 頁上之第3 圖顯示IC 1000/Sub IV疊合研磨墊在乾燥時之硬度在51Shore D 左右，泡水24小時之後的硬度在47 Shore D左右，皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內。因此，系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵為引證四所揭露。

⑵IC1000/SubIV疊合研磨墊於引證一中亦有被揭露，其E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值為2.51，已落在系爭專利請求項第1 項之範圍內（1-3.6 ）。而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一、四之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒋附表二編號10所示之爭點：

⑴引證五第2 欄第48至61行，可知其欲解決之問題包括如何增進化學機械平坦製程之性能效率與晶圓之整體的區域研磨均勻度；第14欄及15欄之表4 及表5 之最下方皆揭露使用Texin950u 尿胺基甲酸酯（urethane）之熱塑性樹脂為原料所製成之研磨墊的硬度為50 Shore D；第15至16欄之表6 至表8 最下方揭露使用Texin 970u尿胺基甲酸酯之熱塑性樹酯為原料所製成之研磨墊的硬度為70 Shore D。

⑵上述所揭露之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項範圍內，因此，系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵為引證五所揭露，且系爭專利申請專利範圍申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一、五之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒌附表二編號11所示之爭點：引證六第6 欄第1 至3 行揭露其所提供之研磨墊的硬度為44 Shore D，落在系爭專利申請專利範圍第2 項範圍內。因此系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵係為引證六所揭露，系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一、六之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒍附表二編號12所示之爭點：引證二十一係Rodel 公司之IC 1000 拋光墊西元1999年型錄，其中IC 1000 拋光墊之硬度為57 Shore D，落在系爭專利申請專利範圍第2 項範圍內，因此，系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵為引證二十一所揭露。由於引證一所揭露之IC 1000 拋光墊即為引證二十一之IC 1000 拋光墊，且引證一可證系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一及引證二十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒎附表二編號13所示之爭點：引證二十二之第41頁第1 表載明IC 1000 拋光墊之硬度為52-62 Shore D ，落在系爭專利申請專利範圍第2 項範圍內。因此，系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵為引證二十二所揭露，且系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一及引證二十二之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

㈢系爭專利申請專利範圍第3 項應屬無效（附表二編號第14至17項所示之爭點）：

⒈附表二編號14所示之爭點：引證一第1 、2 圖與引證1-5 第7 、9 頁圖顯示IC 1000研磨墊之E'(40 ℃) 約為327MPa，IC 1000/Suba IV 疊合研磨墊之E'(40 ℃) 約為233 MPa ，皆落在系爭專利申請專利範圍第3 項範圍內（000-0000 MPa）。因此，系爭專利申請專利範圍第3 項之附屬特徵為引證一所揭露，且系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一足資證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

⒉附表二編號15所示之爭點：引證十九第604 頁第4 圖載明剪力模數（shear modulus）與溫度之關係，其張力模數的比例與剪力模數的比例相等，故由引證十九可得IC 1000 拋光墊在40℃的張力模數約為210-220 MPa ，落在系爭專利申請專利範圍第3 項範圍內。因此，系爭專利申請專利範圍第3 項之附屬特徵係為引證十九所揭露，且系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證十九足資證明系爭專利申請專利範圍第3項不具新穎性。

⒊附表二編號16所示之爭點：引證二十之第6 頁第28-29 行揭露拋光襯墊之張力模數為0.02到5Gpa（20到5000MPa ），包含系爭專利申請專利範圍第3 項範圍內。因此，系爭專利申請專利範圍第3 項之附屬特徵為引證二十所揭露，故引證二十足資證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

⒋附表二編號17所示之爭點：引證二十一係原告於1999年所印製之「Rodel IC1000 CMPPad 」之型錄，由於引證一所揭露之IC 1000 拋光墊即為引證二十一之IC 1000 拋光墊，引證一第1 圖之IC1000拋光墊之E'(40 ℃) 約為327MPa，揭露系爭專利申請專利範圍第3 項之下位概念，且引證一可證系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證二十一足資證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

㈣系爭專利申請專利範圍第4 項應屬無效（附表二編號第18至19項所示之爭點）：

⒈附表二編號18所示之爭點：

⑴系爭專利第4 項之KEL 值，依系爭專利說明書第10頁第24行以下內容可知，係由E'值（儲存模數）與E"值（損失模數）計算而得。又系爭專利說明書第10頁第24行至第11頁第20行記載能量損失因子KEL 之定義：KEL =tanδ×1012/[E'(1+tanδ2)] （E'之單位為Pa），而tanδ之定義：tan δ= E"/E' （系爭專利說明書第10頁第1-15行）。

⑵引證一之第1 圖顯示IC1000研磨墊之E'(40 ℃) 約為327 MPa ，tan δ(40 ℃) 約為0.083 ，因此可計算得出KEL(40℃)=2521/Pa 。而且引證一第2 圖顯示IC1000/Suba IV疊合研磨墊之E'(40℃) 約為233MPa，tan δ(40℃) 約為0.111 ，因此可計算得出KEL(40℃)=4711/Pa。上述二者在40℃之KEL 皆落在系爭專利申請專利範圍第4 項之範圍內（100-10001/Pa）。因此，系爭專利申請專利範圍第4 項之附屬特徵為引證一所揭露，系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一足資證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具新穎性。

⒉附表二編號19所示之爭點：引證二十一係原告於1999年所印製之「Rodel IC1000 CMPPad 」之型錄，由於引證一所揭露之IC 1000 拋光墊即為引證二十一之IC1000拋光墊，引證一第1 圖之IC1000拋光墊之KEL(40℃)=2521/Pa ，揭露系爭專利申請專利範圍第4 項之下位概念，且引證一可證系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證二十一足資證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具新穎性。

㈤系爭專利申請專利範圍第5 項應屬無效（附表二編號第20至21項所示之爭點）：

⒈引證六其第4 欄第48至49行及其申請專利範圍第11項已經揭露其所提供之研磨墊在20℃之水中浸泡24小時，其體積膨脹率少於2%，即已揭露了系爭專利申請專利範圍第5 項之「每一線性尺寸的變化少於約1%」及「在水中浸泡24小時」的構成要件。另由於「體積」與「線性尺寸」的三次方成正比，因此，系爭專利申請專利範圍第5 項中「每一線性尺寸的變化少於約1%」可推算得其涵蓋「體積膨脹率少於約3%」（1.013=1.030301）。故引證六已揭露系爭專利申請專利範圍第5項 之下位概念。

⒉引證七係揭露一種研磨工具之背襯，其第3 欄第13至15行述及室溫涵蓋溫度範圍為15-30 ℃，一般為20~25 ℃，可推知室溫25℃之水溫與20℃之水溫是十分近似的，故引證七揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之「室溫25℃之水溫」之構成要件。又原告於系爭專利舉發過程所提專利舉發補充答辯書之附件五（ASTM D618-05），對於「室溫」之定義範圍為20-30 ℃，更證室溫確實涵蓋上述20-25 ℃的範圍。因此系爭專利申請專利範圍第5 項之附屬特徵為引證六、七所揭露，系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一、六、七之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。

⒊由於引證一所揭露之IC 1000 拋光墊即為引證二十一之IC1000拋光墊，故引證二十一、六、七之組合亦足資證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。

㈥系爭專利申請專利範圍第6 項應屬無效（附表二編號第22至23項所示之爭點）：

⒈引證四所揭露之技術與CMP 研磨墊相關，在其第260 頁倒數第2 行至第261 頁第2 行揭露有針對CMP 研磨墊之硬度做實驗，實驗結果在第266 至267 頁上之第3 、4 圖。因此系爭專利申請專利範圍第6 項之附屬特徵與引證四相較，僅是襯墊之硬度減少量在數量上之限定，系爭專利係運用引證一、四之組合的技術，而為熟習該項技術者可輕易完成。系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證

一、四之組合亦足資證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

⒉引證四揭露CMP 研磨墊浸入pH為7 之水溶液中浸泡24小時後，在實驗室環境條件下測試之硬度減少比例約為10% 。然依系爭專利說明書第23頁第2 、3 段揭露，系爭專利主張該發明為水解穩定之襯墊，且以硬度為定義水解穩定度之指標，足證原告認同硬度減少量越少越好，依此並證明系爭專利申請專利範圍第6 項之「於去離子水中24小時之硬度減少約30% 」構成要件之拋光墊，相較於引證四所揭露之拋光墊，無不可預期之功效，不具進步性。

⒊由於引證一所揭露之IC 1000 拋光墊即為引證二十一之IC1000拋光墊，故引證二十一、引證四之組合亦足資證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

㈦系爭專利申請專利範圍第7 項應屬無效（附表二編號第24至27項所示之爭點）：

⒈附表二編號24所示之爭點：引證十九第604 頁第3 圖中揭露之該IC 1000 拋光墊在調理前、後之表面粗糙度，皆落在系爭專利申請專利範圍第7 項「拋光墊之表面粗糙度(Ra)約為1-9 μm 」之範圍內。因此系爭專利申請專利範圍第7 項之附屬特徵係為引證十九所揭露，故引證十九足資證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具新穎性。

⒉附表二編號25所示之爭點：承前所述，在系爭專利優先權日之前，已公開使用、販售之IC 1000 拋光墊（引證二十一），顯已公開系爭專利申請專利範圍第7 項所定義之拋光墊，使之喪失新穎性。

⒊附表二編號26所示之爭點：引證五第9 欄之表1 揭露研磨墊的性質，第16欄之表8 揭露研磨墊A 、B 在研磨前之表面粗糙度，皆落在系爭專利申請專利範圍第7 項「拋光襯墊之表面粗糙度(Ra)約為1-9 μm 」之構成要件之範圍內，揭露其下位概念。因此，系爭專利申請專利範圍第7 項之附屬特徵為引證五所揭露，系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一、五之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

⒋附表二編號27所示之爭點：引證八係揭露一種用來研磨半導體元件之研磨墊，其第2欄第6 至13行述及在研磨墊之研磨表面常會有一些短毛或突起，其尺寸通常是小於10μm ，包含系爭專利申請專利範圍第7 項之拋光襯墊之表面粗糙度。因此，系爭專利申請專利範圍第7 項附屬特徵屬引證八技術之應用，係運用引證一、八之組合的技術，而為熟習該項技術者可輕易完成，系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故引證一、八之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

㈧系爭專利申請專利範圍第8 項應屬無效（附表二編號第28至43項所示之爭點）：

⒈系爭專利之專利家族EP1284824B1 （即引證3-5 ）以吉普森式撰寫，其中第8 項（與系爭專利申請專利範圍第8 項相同）即將該拋光步驟部分，以前言方式呈現，故原告自認此為先前技術。

⒉附表二編號28至30所示之爭點：

⑴引證九第1 頁最後一段至第2 頁最後一段足資證明第8項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證四顯示IC1000/SubIV疊合研磨墊在乾燥時、泡水24小時之後之硬度，皆落在系爭專利申請專利範圍第8 項之範圍內。引證一之第1 圖、第2 圖可計算得出在40℃之張力模數及KEL 值皆分別落在系爭專利申請專利範圍第8 項之範圍內；由第1 圖E'(30 ℃)/ E'(90℃)之比值為2.85，落在系爭專利申請專利範圍第8 項之範圍內。因此系爭專利申請專利範圍第8 項為引證一、引證四、引證九所揭露，故引證一、引證四、引證九之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⑵系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，且引證十二為系爭專利說明書所載之背景技術。而引證一、引證四之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性。因此，引證一、四、十二之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⑶引證十三足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。而引證一、四之組合已揭露第8 項所載之拋光墊之所有特性，引證十三第404 頁揭露所使用拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一及引證四所揭露之拋光墊。因此，引證一、四、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒊附表二編號1至33所示之爭點：

⑴引證九足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證二十第6 、28至30頁、第10頁第27行揭露拋光層之硬度。因此，系爭專利申請專利範圍第8 項為IC1000（引證一與引證二十一之組合）、引證二十、引證九所揭露，故引證一與引證二十一、引證二十、引證九之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⑵引證十二足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，且為系爭專利說明書所載之背景技術。相同地，IC1000拋光墊、引證二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8項所載之拋光墊之所有特性，因此，引證一、二十一、

二十、十二之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性。

⑶引證十三足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，相同地，IC1000拋光墊（引證一與引證二十一）、引證二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性，且引證十三揭露所使用拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一與引證二十一所揭露之拋光墊。因此，引證一、二十一、二十、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒋附表二編號34至36所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證一之IC 1000 拋光墊即為引證二十一於1999年即已公開販售的IC 1000 拋光墊，且引證二十一記載IC 1000 拋光墊的硬度為57 Shore D，而引證一已揭露IC1000拋光墊的其他所有特性，是以引證二十一已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性。因此，引證二十一、九之組合，引證二十一、十二之組合，引證二十一、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒌附表二編號37至39所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證一之IC 1000 拋光墊即為引證二十一於1999年即已公開販售的IC 1000 拋光墊，且引證二十一記載IC 1000 拋光墊的硬度為57 Shore D，而引證一已揭露IC1000拋光墊的其他所有特性，是以引證一、引證二十一已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性。因此，引證引證一、二十一、九之組合，引證一、引證二十一、十二之組合，引證一、引證二十一、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒍附表二編號40至42所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，引證二十使系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性不具專利性，已如前述。因此，引證二十、九之組合，引證二十、十二之組合，引證二十、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒎附表二編號43所示之爭點：系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，IC 1000 拋光墊在系爭專利優先權日之前，早已廣為產業界及學術界所使用。而引證十三揭露所使用拋光墊為IC 1000 ，同於引證一及引證二十一所揭露系爭專利優先權日之前已公開使用的IC 1000拋光墊，此IC 1000 拋光墊已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊所有特性之下位概念。因此，引證十三足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈨系爭專利申請專利範圍第9 項應屬無效（附表二編號第44至63項所示之爭點）：

⒈附表二編號44至46所示之爭點：

⑴附表二編號44所示之爭點：

①引證八第2 欄第6 至13行已揭露研磨墊之表面常具有尺寸小於10微米之突起或短毛，已涵蓋系爭專利申請專利範圍第9 項所述之小於500 的粗糙度。

②引證十係揭露一種銅之化學機械研磨法，其第2 欄第46 至62 行中揭露使用CMP 法來研磨金屬有兩種機制，其中之較佳機制為讓研漿中之一種或多種成分和金屬表面反應以形成一層研磨層（abradable layer ），然後再以機械方式在良好控制下移除這層研磨層。而上述可與金屬表面反應形成研磨層之研漿成分之一即為一種錯合劑。

③引證十一係揭露一種CMP 之理論模型，其第1-2 圖中顯示研磨墊之表面皆是凹凸不平的，且晶圓與研磨墊之間的距離皆遠小於研磨墊表面之高度差。尤其當研磨墊是軟墊時，晶圓與研磨墊之間的距離可以是零，亦即是直接接觸在一起。

④因此，系爭專利申請專利範圍第9 項所載習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法為引證八至十一所揭露，引證一、四之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性，故引證一、四、及八至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑵習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法（引證八至十一）已揭露系爭專利申請專利範圍第9 項之拋光步驟。此外，引證八及引證九所揭露乃本質（intrinsic ）上分別存在於拋光墊及化學機械拋光製程中，因此習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法亦可以引證十、十一取代之。而引證一、引證四之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項之拋光墊之所有特性。因此，引證一、四、及十至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，而引證一、引證四之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性，且引證十三揭露所使用拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一及引證四所揭露之拋光墊。因此，引證一、四、十三之組合足資證明第9 項不具進步性。

⒉附表二編號47至49所示之爭點：

⑴引證十九第604 頁第3 圖中揭露該拋光墊在調理前、後之表面粗糙度，因此系爭專利申請專利範圍第項9 之附屬特徵為IC1000拋光墊（引證一、引證二十一之組合）、引證十九、引證二十、及八至十一之組合所揭露。

⑵引證十、十一足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。而引證一、二十

一、十九、二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項之拋光墊之所有特性。因此，引證一、二十一、十

九、二十、及十至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，引證一、二十一、十九、二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項之拋光墊之所有特性。而引證十三拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一、二十一、十九所揭露之拋光墊。因此，引證一、二十

一、十九、二十、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒊附表二編號50至52所示之爭點：

⑴習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法（引證八至十一）已揭露第9 項所載之拋光步驟。引證一、四、十九之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。因此，引證一、四、十九、及八至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑵引證十、十一足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。而引證一、四、十九之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。因此，引證一、四、十九、及十至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，引證一、四、十九之組合已揭露系爭專利申請專利範圍系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。而引證十三拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一、四、十九所揭露之拋光墊。因此，引證一、

四、十九、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒋附表二編號53至55所示之爭點：

⑴習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法（引證八至十一）已揭露系爭專利申請專利範圍第9 項所載之拋光步驟。引證二十一已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性。因此，引證二十一、及八至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑵引證十、十一足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。而引證二十一已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所載之拋光墊之所有特性。因此，引證二十一、及十至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證二十一已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。而引證十三拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一、二十一所揭露之拋光墊。因此，引證二十一、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒌附表二編號56至58所示之爭點：

⑴習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法（引證八至十一）已揭露系爭專利申請專利範圍第9 項所載之拋光步驟。引證

一、十九、二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。因此，引證一、十九、二十、及八至十一（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑵引證十、十一足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。而引證一、十九、二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。因此，引證一、十九、二十、及十至十一（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，引證一、十九、二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。引證十三拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一、十九所揭露之拋光墊。因此，引證一、十九、二十、十三（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒍附表二編號59至61所示之爭點：

⑴習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法（引證八至十一）已揭露系爭專利申請專利範圍第9 項所載之拋光步驟。引證

一、二十一之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。因此，引證一、二十一、及八至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑵引證十、十一足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。而引證一、二十一之組合已揭系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。因此，引證一、二十一、及十至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⑶系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，引證一、二十一之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。引證十三揭露所使用拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一、二十一所揭露之拋光墊。因此，引證一、二十一、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒎附表二編號62所示之爭點：引證十九之揭露使系爭專利申請專利範圍第1 、3 、7 項不具新穎性，而系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，引證十九、二十之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第9 項拋光墊之所有特性。又引證十三揭露所使用拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證十九所揭露之拋光墊。因此，引證十九、二十、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒏附表二編號63所示之爭點：系爭專利申請專利範圍第8 項之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，IC 1000 拋光墊在系爭專利優先權日之前，早已廣為產業界及學術界所使用。而引證十三揭露所使用拋光墊為IC 1000 ，同於引證一及引證二十一所揭露之拋光墊，已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性之下位概念。此外，系爭專利申請專利範圍第9 項所載為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。因此，引證十三足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈩系爭專利申請專利範圍第10項應屬無效（附表二編號第64至79項所示之爭點）：

⒈附表二編號64至66所示之爭點：

⑴引證六所揭露體積膨脹率少於2%，已經揭露系爭專利申請專利範圍第10項「體積膨脹率少於約3%」之下位概念。引證七揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之「室溫25℃之水溫」之構成要件。引證四所揭露之技術亦與CMP研磨墊相關。因此，系爭專利申請專利範圍第10項之附屬特徵為引證一、四、六、七所揭露。又系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，故引證一、四、六、七、九（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⑵引證十二證明系爭專利申請專利範圍第8 項之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法，並為系爭專利說明書所載之背景技術。引證一、四、六、七之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 、10項拋光墊之所有特性。因此，引證一、四、六、七、十二之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⑶引證十三證明系爭專利申請專利範圍第8 項之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證一、四、

六、七之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 、10項拋光墊之所有特性。引證十三揭露所使用拋光墊之拋光層為IC 1000 ，同於引證一及引證四所揭露之拋光墊。因此，引證一、四、六、七、十三之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒉附表二編號67至69所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證一、二十一、六、七之結合已揭露系爭專利申請專利範圍第8、10 項拋光墊之所有特性。因此，引證

一、二十一、六、七、九之組合，引證一、二十一、六、

七、十二之組合，引證一、二十一、六、七、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒊附表二編號70至72所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證二十一已揭露系爭專利申請專利範圍第8 項拋光墊之所有特性。引證四、六、七之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第10項拋光墊之所有特性。因此，引證二

十一、四、六、七、九之組合，引證二十一、四、六、七、十二之組合，引證二十一、四、六、七、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒋附表二編號73至75所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均證明系爭專利申請專利範圍第8 項之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證一、四、六、七、九之組合足資證明第10項不具進步性。引證七所揭露為室溫範圍，涵蓋引證四、引證六及系爭專利所揭露。對於系爭專利技術領域之熟習該項技術者而言，室溫涵蓋範圍屬習知之一般知識。此外，引證

一、四、六之結合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 、10項拋光墊之所有特性。因此，引證一、四、六、九之組合，引證一、四、六、十二之組合，引證一、四、六、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒌附表二編號76至78所示之爭點：引證九、引證十二、引證十三均足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項所載之「拋光步驟」為習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法。引證二十一、四、六、七、九之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。引證七所揭露為室溫範圍，涵蓋引證四、引證六及系爭專利所揭露。對於系爭專利技術領域之熟習該項技術者而言，室溫涵蓋範圍屬習知之一般知識。此外，引證二十一、四、六之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第8 、10項拋光墊之所有特性。因此，引證二十一、四、六、九之組合，引證二十

一、四、六、十二之組合，引證二十一、四、六、十三之組合均足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒍附表二編號79所示之爭點：引證十三已證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性，又引證四、六之組合已揭露系爭專利申請專利範圍第10項所載，因此，引證十三、四、六之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

五、本件應審酌之撤銷理由及引證資料：

㈠查系爭專利係於92年3 月5 日審定准予專利，是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之90年10月24日修正公布之專利法為斷。

㈡按舉發人補提理由及證據，應自舉發之日起1 個月內為之，90 年10 月24日修正公布之專利法第72條第4 項定有明文。又智慧財產案件審理法第33條第1 項規定：「關於撤銷、廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之。」限於「同一撤銷理由提出之新證據」。

㈢參加人於舉發階段所提之撤銷理由及引證資料詳如附表二編號1 至28、31、34、37、40、44、47、50、53、56、59、64、67、70、73、76所示之爭點。嗣於本件行政訴訟，參加人依智慧財產案件審理法第33條第1 項規定，除提出引證十二、十三之新獨立引證資料外，並就同一撤銷理由，提出新的獨立引證資料之組合（即附表二編號29、30、32、33、35、36 、38 、39、41至43、45、46、48、49、51、52、54、55、57、58、60至63、65、66、68、69、71、72、74、75、77至79所示、於「新證據」欄標示「ˇ」者），均構成獨立之爭點，核屬新證據，本院即應審酌之。是以本件應審酌之爭點即如附表二編號1 至79所示；另本件參加人所提之引證資料如附表一所示，其中國字編號名稱者係屬獨立證據（如「引證一」），而阿拉伯數字編號名稱者係屬該獨立證據之補強證據（如「引證1-1 」為「引證一」之補強證據）。

六、本件應適用之法律規範：

㈠按稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作，90年10月24日修正公布之專利法第19條定有明文。又（第1 項第1 款）凡可供產業上利用之發明，申請前已見於刊物或已公開使用者者，得依法申請取得發明專利，（第2 項）發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依法申請取得發明專利，同法第20條第1 項第1 款、第2 項亦有明文。另發明有違反第20條規定之情事者，任何人得附具證據，向專利專責機關提起舉發（同法第72條第1 項規定參照）。準此，系爭專利有無違反同法第20條第1 項第1 款及第2 項所定情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人（即參加人）附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發不成立之處分。

㈡新穎性：

⒈90年10月24日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款規定發明專利之新穎性要件，亦即在新型專利申請案之申請日之前，大眾經由刊物公開或使用公開所能得知之先前技術，將使系爭專利不具新穎性。

⒉按專利審查基準為專利專責機關為規範內部審查作業而依職權所頒訂之非直接對外發生效力之一般、抽象規定，屬於行政規則（行政程序法第159 條第1 項參照）。基於行政自我拘束原則，為專利審查機關自應受其拘束（最高行政法院96年度判字第1552號判決參照）。而於審酌專利審查機關即被告就系爭專利舉發案所為之處分是否合法，即應以之為判斷標準。而被告係於92年3 月5 日審定准予系爭專利，本件即應審酌83年11月25日公告之專利審查基準第一篇第二章第三節有關「新穎性」之規定。

⒊依被告所訂定、於83年11月25日公告之專利審查基準第一篇「發明專利審查基準」第二章「專利要件」第三節「新穎性」「二、新穎性判斷之概念及基本原則」規定：「...2. 新穎性判斷之基本原則... ⑶判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準。不相同即具有新穎性；相同即不具新穎性。」又「五、新穎性判斷用之引證資料類型及認定... 此引證資料之類型及認定如下：... ⑵已見於刊物的技術 『已見於刊物的技術』，應就刊物所記載的事項來認定。刊物所記載事項之解釋，可參酌該刊物發行當時之既有技術。如依參酌該刊物發行當時的既有技術，認為自該刊物所記載的事項可導出之事項，亦可作為『已見於刊物的技術』之認定基礎。」

㈢進步性：90年10月24日修正公布之專利法第20條第2 項規定發明專利之進步性要件，所謂「申請前既有之技術或知識」，係指所有已公開之技術或知識，必須其所揭示之內容足以教示或建議熟悉該項技術者，依據申請當時之技術水準能輕易完成該發明專利之申請標的時，該公開之技術或知識始為一具有證據力之引證案。亦即以發明專利申請案所屬技術領域於申請當時之技術水準，將申請案之發明與技術水準中公然知悉或實施或記載於刊物中之發明（即引證）相比較，並就該技術領域基於引證是否容易思及或完成申請案之發明，予以邏輯的推斷。

㈣有關專利要件，新穎性之判斷較進步性為優先，且判斷新穎性時，係採「單獨對比」原則，即將發明專利申請案之申請專利範圍與每一份引證資料中所公開與該申請案相關的技術內容單獨地進行比較。而判斷進步性時，則應整體判斷申請案之發明解決課題之技術手段、目的及效果，並得將其與數引證資料內容的組合（包含將數引證資料之某部分，或同一引證資料的不同部分加以組合）進行比對判斷。

七、系爭專利之技術內容：系爭專利之申請專利範圍共10項，其中第1 、8 項為獨立項，其餘為附屬項（見本院卷第1 冊第114 至115 頁之發明專利說明書）。申請專利範圍第1 項：「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比。」第8 項：「一種用來拋光一半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法，包含：向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的界面偏斜晶圓；令一拋光流體流動到界面中；以及提供晶圓和拋光襯墊在壓力下進行的相對運動，以使得拋光流體與晶圓間之運動受壓接觸導致沿著該晶圓表面的平面移除；該拋光層具有：一約為40到70 Shore D的硬度；一在40℃時約為100 到2,000 MPa 的張力模數；一約為100 到1,000(1/Pa在40℃時) 的KEL 以及一在30℃到90℃時約為1 到5的E'比。」

八、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性：

㈠附表二編號1 所示之爭點：

⒈系爭專利之申請日為民國90年5 月25日，優先權日為西元2000年5 月27日（見本院卷第1 冊第88、90頁之發明專利說明書）。而引證一為Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP Pad Materials論文影本，其中第E7.3.1頁左上方頁首處有「Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 613 Ⓒ2000Materials Research Society」字樣，僅載有發行之年度，而無發行之月日，僅能證明引證一係於2000年完成。依被告所訂定、於民國83年11月25日公告之專利審查基準第一篇「發明專利審查基準」第二章「專利要件」第三節「新穎性」「三、發明不具新穎性之情事」「⒉申請前已見於刊物或已公開使用（專20.Ⅰ.1 ）」第⒋Ⅰ規定，認定其發行日期為西元2000年之末日（12月31日）。被告及參加人則主張引證一係Materials Research Society（下稱MRS ）於同年4 月26日至27日所舉辦之學術研討會公開發表，並提出引證1-1 至1-9 為證明引證一之證據能力之補強證據，茲分述如後。

⒉引證1-1 「Chemical-Mechanical polishing 2000-fundamentals and Materials Issues」一書節本（含封面、目錄及第E7.3.1頁影本，見本院卷第2 冊第49 至52 頁），係由MRS 於2001年所出版，其中目錄第vii 頁記載「Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP Pad Materials」一文刊載於該書第E7.3部分，其第E7.3.1頁與引證一之第E7.3.1頁內容相同，是以引證1-1 僅能證明引證一於2001年公開發行，無法遽以日後出版之論文集（引證1-1 ）推論引證一已於2000年4 月26日至27日之學術研討會公開發表，且引證一所載即當時發表之全部內容。

⒊引證1-2 為MRS 於其官方網站張貼所舉辦之2000年MRS 春季學術研討會議第E 場（Symposium E from 2000 MRS Spring Meeting）之文章，「Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP Pad Materials」為其中一篇，經下載後列印之內容（見舉發N01 002 卷第177 至191 頁）與引證一相同，其網頁列印日期為2006年8 月12日。引證1-3 則為自MRS 協會網站上購買下載引證一全文之「PURCHASE PAPER」之點選畫面（見舉發N01 003 卷第147 至148 頁），其網頁列印日期為2007年4 月26日。是以引證1-2 、1-3 均晚於系爭專利之國際優先權日（2000年5 月27日），無法證明引證一之全部內容確已於同年4 月26日至27日之學術研討會上公開發表。

⒋引證1-4 為MRS 於2000年4 月26至27日舉辦Symposium E學術研討會當時所印製之論文摘要（見本院卷第2 冊第82至92頁），惟此僅為研討會場次之摘要，並無引證一之全文，且其中第116 頁（見本院卷第2 冊第90頁）標示第E7.3場次之起迄時間為上午9 時15分至9 時30分止，前後僅15分鐘，該場次摘要所載標題「Mechanistic Aspects ofthe Relationship Between CMP Consumables and Polishing Characteristics」與引證一亦不相同，無足據以判斷其技術內容。又引證1-5 （見本院卷第2 冊第35至48頁），據參加人所稱此為引證一之作者於2000年4 月26日至27日之學術研討會所公開發表之文件資料，惟並無任何日期標示，且其標題「Mechanistic Aspects of the Relationship Between CMP Consumables and Polishing Characteristics 」亦與引證一不同，無從認定引證1-5 確於2000年4 月26日至27日之學術研討會上已公開發行。至引證1-6 為Irene Li（即引證一第E7.3.1頁所列之第一作者）於2007年12月7 日所出具之聲明書，聲明其為「Mechanistic Aspects of the Relationship Between CMP Consumables and Polishing Characteristics 」文件（即引證1-5 ）之作者，於2000年4 月26日至27日之學術研討會公開發表上開文件，至其詳細論述內容即為引證一之論文所載，且此二文件所揭露之技術特徵相互吻合（見本院卷第2 冊第53至77頁）。至引證1-7 為Irene Li之護照影本，引證1-8 為Irene Li就讀tufts 大學博士班之網頁，引證1-9 為Irene Li自University of Central Florida 畢業之資料（見本院卷第2 冊第78至81頁）。然Irene Li之聲明係依憑個人記憶及經驗，就個人感官知覺作用直接體驗之客觀事實而為書面陳述，為免有流於個人主觀偏見與錯誤臆測之虞，仍須有客觀具體之證據予以佐證，否則僅憑書面陳述不足以證明引證一及引證1-5 於2000年4 月26日至27日之學術研討會即已公開發行。縱使Irene Li所稱引證1-5 係於同年4 月26日至27日之學術研討會公開發表，其亦僅稱引證1-5 之「詳細論述內容」即為引證一所載，且引證1-5 與引證一揭露相互吻合之技術特徵，並未表示引證一係於該次學術研討會上公開發表。是以引證1- 4至1-9 均無法證明引證一之全部技術內容已於同年4 月26日至27日之學術研討會公開發行且已達於不特定之多數人足以閱覽之狀態。

⒌綜上，參加人所提之引證一、1-1 至1-9 無法互相勾稽，無從認定引證一已於2000年4 月26日至27日公開發行，而無法證明其公開日早於系爭專利之優先權日（同年5 月27日），自不得作為證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性之證據。原處分依引證1-1 、1-2 、1-4 、1-5 認定引證一之技術內容已於同年4 月26日至27日之學術研討會中公開發表云云（見本院卷第1 冊第30至33頁之原處分理由第（二十）項），即有違誤。

㈡附表二編號2 所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第1 項之前言明確界定其係「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」，乃「用途界定物之請求項」（product-by-use claim）類型，依申請專利範圍整體原則（as a whole），系爭專利申請專利範圍第1 項除受該申請專利範圍所載技術特徵之限定外，並受所載用途之限定。而引證二係1997年9 月16日美國專利公告第5667842 號專利案（見本院卷第2 冊第94至123 頁），揭示一種研磨材料，完全未揭示該材料可應用於「用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」，是以引證二並無此「用途限定」之技術特徵，無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

⒉原處分以引證二所揭露之研磨工具屬於系爭專利申請專利範圍第1 項之拋光襯墊，且其E'(30℃)/E'(90℃) 之比值為1.31，而認引證二可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第16至17頁之原處分理由第（五）項），即有違誤。

㈢附表二編號3 所示之爭點：

⒈引證三係1997年04月22日美國專利公告第5622535 號專利案（見本院卷第2 冊第145 至156 頁），揭示一種研磨材料，特別適合應用於製造彈性磁性記錄媒材與研磨工具上，然完全未揭示該材料可應用於「用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」，是以引證三並無此「用途限定」之技術特徵，無法證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性。

⒉原處分以引證三揭露E'(30℃)/E'(90℃) 之比值為2.53，而認引證三可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第17頁之原處分理由第（六）項），即有違誤。

㈣附表二編號4 所示之爭點：

⒈引證十九係1995年公開之The effect of the polishingpad treatments on the chemical-mechanical polishingof SiO2 films 之論文影本（Thin Solid Films, 1995,Vol. 220, pp. 601~606 ）（見本院卷第2 冊第188 至193 頁），揭示使用動態機械分析（DMA ）儀器分析適用於半導體晶圓表面的化學機械拋光之研磨墊。

⒉原告雖引用現行專利審查基準第2-3-5 頁「引證文件中包括圖式者，若無文字說明，僅圖式明確揭露之技術特徵始屬於引證文件的一部分，而由圖式推測的內容，例如從圖式直接量測之尺寸，則不屬於引證文件的一部分。」（見本院卷第1 冊第158 頁），主張引證十九未揭露E'之30℃與90℃之實際數值，不得從引證十九之實施例計算E'於30℃與90℃之數值而作為證據之一部分云云（見本院卷第1冊第137 頁）。惟查引證十九之第4 圖（見本院卷第2 冊第191 頁）係依照實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸、縱軸各具刻度單位，為科學數據通常之表達方式，並非一般物品裝置之結構示意圖。又該第4 圖中溫度30℃及90℃皆有實驗數據點，可明確讀出其各自相對應之G'值，難謂屬推測之值，且引證十九之第603 頁「3.3 The temperature effect」第8 至11行亦有文字說明第4 圖中有關G'值與溫度之關係，而揭露G'(30℃)/G'(90℃) 之比值對IC1000研磨墊幾近為3 ，對SUBA IV 拋墊約為1.5 （見本院卷第2 冊第190 頁）。是以此部分與上開審查基準所定之概念不同，而得作為判斷新穎性與否之引證內容。

⒊引證十九之第4 圖之圖式說明縱軸標示及第603 頁「3.3The temperature effect」第8 至11行均載明為「G'」，足見其所揭示之G'值為「剪應力模數（shear storage modulus, G' ）」，並非「張力模數（tensile storage modulus, E' ）」。而引證19-1之第9 頁揭示E=2G(1+μ)（見本院卷第2 冊第199 頁），故G 與E 具有G=E/2(1+μ)之關係，其中μ為蒲松比（Poisson's ratio ）。因此，引證十九所揭示之技術內容G'比值能否由熟習該項技術者直接推導出E'比值，端視蒲松比是否為一定值（constant）而定。

⒋關於蒲松比之性質與範圍，及得否以蒲松比之最大與最小極端值，將引證十九IC1000拋光墊G'(30℃)/G'(90℃) 之比值3 ，換算E'(30℃)/E'(90℃) 可能落於2 至3 之間，本院依職權蒐集「蒲松比資料」（見本院卷第5 冊第8 至11頁），並於99年2 月4 日審理時經兩造、參加人予以辯論（見本院卷第5 冊第4 至6 頁）。是前開蒲松比資料，依智慧財產案件審理法第8 條第2 項規定，得採為裁判之基礎，合先敘明。

⒌材料承受軸向張力時，軸向會伸長，此為軸向應變；橫向亦隨軸向之伸長而收縮，即材料之寬度隨長度增長而收縮；而橫向應變與軸向應變之比率，即蒲松比。除少數Auxetics類特殊材料，往X 軸拉伸，其Y 軸方向反而變寬，其蒲松比為負值外，就絕大多數之材料之蒲松比皆為正值（位於0 至0.5 之間），此有「蒲松比資料」附卷可稽（見本院卷第5 冊第9 至11頁）。

⒍蒲松比測量不易，且在限定應用範圍內隨環境之變化量通常並非很大，故於實務應用上通常將之視為定值。惟此為實務上應用之約略值，實際上蒲松比並非定值，而係隨溫度、時間、張力之不同而有所變化，此觀原告所提之原證4 「Time, Temperature, and Strain Effects on Viscoelastic Poisson's Ratio of Epoxy Resins 」文章《刊載於POLYMER ENGINEERING AND SCIENCE －2008》中第6(a)圖（見本院卷第1 冊第183 頁），及參加人所提之參證29「Thermal Expansion of Polyurethane Reinforced With Continuous Glass Fibers 」文章《刊載於POLYMERCOMPOSITES, JUNE 1988, Vol. 9, No. 3》中第5 圖（見本院卷第4 冊第38頁），其蒲松比值隨溫度而變化自明。另蒲松比改變之程度亦隨材質之不同而有所差別，通常對溫度的影響，於材質之玻璃轉移溫度(Tg)處更會有顯著之效應（見本院卷第5 冊第11頁之「蒲松比資料」）。

⒎被告及參加人雖主張引證十九之第602 頁2.1 段已揭露該研究中研磨墊之蒲松比假設為0.5 ，故該蒲松比值即應視為定值云云。另被告主張原證4 之第1 頁右欄第7 至8 行揭示蒲松比被視為定值云云。惟查：觀諸引證十九之第602 頁「2.1 Pad dynamic shear-modulus characterzation 」第9 至11行記載「...In this work, Poisson's ratio of polishing pads was assumed to be 0.5, whichis suitable for most polymers.」（見本院卷第2 冊第189 頁）；又原證4 之第1 頁右欄第7 至8 行記載：「...Poisson's ratio of viscoelastic material is stilloften considered as a constant,...」（見本院卷第1冊第179 頁），既使用「assumed 」（即「假設」之意）、「often consider ed as」（即「通常被視為」之意），即無法認定蒲松比即為定值。

⒏就得否以蒲松比之最大與最小極端值（0.5 與0 ），將引證十九IC1000拋光墊G'(30℃)/G'(90℃) 之比值3 ，換算E'(30℃)/E'(90℃) 可能落於2 至3 之間乙節，其推論前提乃「溫度愈高，蒲松比值愈高」。惟查：

⑴原告於本院審理時主張「一、系爭專利為複合材，引證十九IC1000研磨墊為一複合材，而鈞院所指蒲松比的範圍為0 至0.5 是針對單一材，不同材料，有不同變化，所以不能相互比擬。二、我們的複合材並未換算，所以並不知數據。三、依照上開資料前提是溫度愈高，蒲松比值愈高，但從剛剛原告的說明，溫度愈高，蒲松比值未必會愈高，因若以極大值與極小值換算上開前提不存在。四、若是『單一材』對蒲松比的範圍為0 至0.5 不爭執，但原告的材料是複合材。」、「從引證十九、原證8 與參證29來看，均是PU材質，所以不能單純由參證29來推定引證十九的浦松比，且兩者材質並不相同。」被告則稱「對工程而言，變形很小為線性，變形很大為非線性，而原告所提均是非線性之資料。」參加人亦主張「一、原告所提原證8 部分，那是材料拉升兩者的比對資料，拉升就會縮短，擠壓就會膨脹，那是人造材料，並不是適用在並不是用在一般Poisson's Ratio 上，那是特殊製造的材料，所以本身就不適用。二、溫度升高與否根本不重要，原告所提資料不是人造材質的材料，要不就是針對特定議題所作之研究，根本不適用本案，本案重點是Poisson's Ratio 是否視為定值，是否為熟悉該領域所認為的，而從參加人、被告所提資料來看，均認為這視為定值，定值是否正確才是本案關鍵，原告只是在挑小毛病。」（見本院卷第5 冊第5 至6 頁）。

⑵依引證十九之第601 頁右下欄第9 至11行記載，IC1000拋光墊之材料為微孔狀結構之聚胺酯（microporous polyurethane），且其表面為硬質結構（rigid surface）（見本院卷第2 冊第188 頁），是以IC1000拋光墊之材質並非均勻結構，故其蒲松比值是否隨溫度升高而升高，尚難確定。

⑶參加人主張縱採原證4 之實驗數據，將引證十九所揭露之G'比例換算為E'比例，系爭專利仍為引證十九所揭露云云。惟原證4 之實驗數據的材質（polymeric materials ）與引證十九之IC1000拋光墊材質並不相同，操作條件迥異，則原證4 與引證十九之蒲松比值自難謂相同，無從尚難比附援引。

⑷參加人依參證29，主張其中第5 圖已說明添加不等量玻璃纖維之polyurethane，其蒲松比值隨溫度升高而增加的影響，其中Soft polyurethane 為玻璃纖維添加較少者，Rigid polyurethane則為玻璃纖維添加較多者，而Rigid polyurethane於30℃及90℃之蒲松比分別為0.32及0.36，故其[(1+μ(30℃))/(1+μ(90℃))] 為0.97，可由引證十九揭示之型號IC1000及SUBA IV 二種研磨墊之G'(30℃)/G'(90℃) 換算得E'(30℃)/E'(90℃) 值，得出IC1000為2.91，而SUBA IV 為1.455 ，皆落於系爭專利所揭示之1 至3.6 之範圍。且參證29之第5 圖揭示以聚胺酯（PU）為基材之研磨墊，亦有浦松比值隨溫度升高而升高之變化云云。然查：

①參證29之第5 圖（見本院卷第4 冊第38頁）所示Softpolyurethane 及Rigid polyurethane 之材質皆係於polyurethane（PU）中添加玻璃纖維，與引證十九之IC1000為單純polyurethane及SUBA IV 為polyurethane（PU）中添加polyester （聚酯類）（見本院卷第2 冊第188 頁之引證十九第601 頁右下欄第4 至11行）並非相同。且如前所述，引證十九之IC1000拋光墊之材料為微孔狀結構之聚胺酯（microporous polyurethane），且其表面為硬質結構（rigid surface ），與參證29之第5 圖Soft polyurethane 及Rigid polyurethane之材質結構亦非相同。

②參證29之第5 圖固揭示以polyurethane（PU）為基材之研磨墊，然其結構特徵並非與引證十九之IC1000拋光墊相同，是以縱使參證29之第5 圖揭示以PU為基材之研磨墊亦有浦松比值隨溫度升高而升高之變化，仍難以援引推論引證十九之IC1000拋光墊或SUBA IV 研磨墊之蒲松比亦會隨溫度升高而升高。是參加人此部分主張委無足取。

⑸綜上，被告及參加人並未提出證據資料證明引證十九之IC1000研磨墊之蒲松比質確隨溫度升高而升高，自無從以蒲松比之最大與最小極端值（0.5 與0 ），將引證十九IC1000拋光墊G'(30℃)/G'(90℃) 之比值3 ，換算E'(30℃)/E'(90℃) 可能落於2 至3 之間。

⒐前已述及，新穎性要件之判斷原則重在技術內容（含能由熟習該項技術者直接推導）之相同與否，不相同者即具有新穎性，相同者即不具新穎性。準此，引證十九所揭示之G'值為「剪應力模數（shear storage modulus ）」，而非「張力模數（tensile storage modulus ）」，且所揭示者為IC1000或SUBA IV 研磨墊之G'(30℃)/G'(90℃) 之比值，而非E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，亦未揭示研磨墊材質於30℃及90℃之蒲松比值，由於蒲松比並非定值，復無證據證明引證十九之IC1000研磨墊之蒲松比質確隨溫度升高而升高。是以熟習該項技術者無法據引證十九揭示之G'值於30℃及90℃之變化量經公式換算推論，而直接推導其E'(30℃)/E'(90℃) 之比值落於系爭專利範圍第1 項界定E'比之數值範圍（1 至3.6 ）內。故引證十九所載之技術內容，並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。而原處分依引證十九第603 頁「3.3 The temperature effect」第8 至11行及第604 頁第4 圖所載剪應力模數、引證19-1之第7 至9 頁所揭示之公式E=2G(1+μ)，認張力模數之比例與剪應力模數之比例相等，故由引證十九可得IC1000拋光墊在30℃與90℃之張力模數比例約為3 ，SUBA IV 拋光墊在30℃與90℃之張力模數比例約為1.5 ，落在系爭專利申請專利範圍第1 項之範圍內云云（見本院卷第1冊第17至18頁之原處分理由第（七）項），係基於蒲松比為定值之前提，自有違誤。

㈤附表二編號5 所示之爭點：

⒈引證二十係1999年2 月18日公開之W099/07515專利案（見舉發N01 002 卷第98至82頁），其中第6 頁第28至30行揭露該研磨墊之張力模數比係30℃及60℃之值（見舉發N01002 卷第91頁）。而系爭專利申請專利範圍第1 項所界定之E'比係30℃及90℃之比值，故引證二十並未揭示30℃及90℃之E'比值，無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。至參加人主張縱使引證二十第6 頁第28至30行揭露在30℃與60℃時之張力模數比例在1 到2.5 之間，惟對熟習該項技術者依此教示，當能輕易將60℃直接置換為90℃，該差異性屬僅在於參酌引證文件即能直接置換的技術特徵云云（見本院卷第4 冊第99頁）。然引證二十前揭內容僅揭示張力模數比係30℃及60℃之值，如何「參酌引證文件即能直接置換」，未據參加人具體敘明，是參加人此部分主張要無可取。

⒉引證20-1（見本院卷第2 冊第124 至125 頁）至引證20-6（見舉發N01 002 卷第55至77頁），均非早於系爭專利優先權日公開之前案技術資料，不具證據能力。又美國專利商標局（USPTO ）縱以引證20-5，認定引證20-2之申請專利範圍不具新穎性而予以核駁（reject），惟各國專利法制及審查基準各異，即使與系爭專利相同技術內容之專利申請案業經美國核駁，亦難據此遽謂系爭專利即不具新穎性。

⒊綜上，引證二十無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。原處分認引證二十第6 頁第28至30行揭露該研磨墊在30℃至90℃之張力模數比為1 至2.5 云云（見本院卷第1 冊第18頁之原處分理由第（八）項），顯有違誤。

㈥附表二編號6 所示之爭點：

⒈引證二十一係Rodel 公司IC1000研磨墊之型錄（見本院卷第2 冊第200 至201 頁），其中第2 頁頁尾有「ⒸRodel1999 ALL Rights Reserved」字樣，惟該型錄並無揭示該IC1000研磨墊E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值，故引證二十一無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。

⒉參加人主張引證二十一足證IC1000拋光墊在系爭專利優先權日之前，已成為不特定人得為交易標的之階段，並已成為不特定人得以使用之狀態，確屬「已公開使用」之狀態；另引證一、引證1-5 、引證二十一及引證十九已於系爭專利優先權日之前，使用IC1000拋光墊公開發表之文件，揭露系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項之技術內容，使該技術能為公眾得知之狀態云云（見本院卷第4 冊第100 至101 頁）。然引證二十一僅簡要記載IC1000拋光墊之規格及內容，並未具體揭露其E'(30℃)/E'(90℃) 之比值值，無從認定引證二十一已公開使用致系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以引證二十一與引證一、引證1-5 、引證十九相互勾稽，而認系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項之技術內容均因IC1000拋光墊之公開使用而喪失新穎性。故參加人此部分主張要無可採。而原處分認引證二十一之IC1000拋光墊即為引證一、引證二十之IC1000拋光墊，且引證一可證系爭專利申請專利範圍第1、3 項不具新穎性，引證二十可證系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性，引證二十一可證系爭專利申請專利範圍第7 項不具新穎性，故引證二十一可證系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第30頁之原處分理由第（十八）項），顯有違誤。

九、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第2項不具新穎性或進步性：

㈠附表二編號7 所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第2 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第2 項進一步限縮界定其中「該拋光層具有一約為40到70 Shore D之硬度。」（見本院卷第1 冊第114 頁）。而引證二十既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈤項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性。

⒉原處分以引證二十所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證二十足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第19頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

㈡附表二編號8 所示之爭點：

⒈引證二十一既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈤項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性。

⒉原處分以引證二十一所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證二十一足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第19頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

⒊參加人主張引證一、引證1-5 、引證二十一及引證十九已於系爭專利優先權日之前，使用IC1000拋光墊公開發表之文件，揭露系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項之技術內容，使該技術能為公眾得知之狀態云云（見本院卷第4冊第100 至101 頁）。然參加人此部分主張要無可採，且原處分此部分認定（見本院卷第1 冊第30頁之原處分理由第（十八）項）有誤，已於前述（見第八㈥⒉項）。

㈢附表二編號9 所示之爭點：

⒈引證四為1998年公開之「Mechanistic Aspects of the Relationship Between CMP Consumables and PolishingCharacteristics 」論文影本（見舉發N01 卷第152 至161 頁），並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。故引證一、四之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒉原處分以引證四所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性，故認引證一、四之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第18頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

㈣附表二編號10所示之爭點：

⒈引證五為2000年5 月16日公告之美國第6062968 號專利案（見舉發N01 卷第136 至151 頁），並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。又引證一、五所揭示者並非相同之研磨墊，是以引證一、五並無使該二種不同研磨墊不同性質結合之動機教示或製法揭示。故引證一、五之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒉原處分以引證五所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性，故認引證一、五之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第18至19頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

㈤附表二編號11所示之爭點：

⒈引證六為2000年3 月14日公告之美國第6036579 號專利案（見舉發N01 卷第127 至135 頁），並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。又引證一、六所揭示者並非相同之研磨墊，是以引證一、六並無使該二種不同研磨墊不同性質結合之動機教示或製法揭示。故引證一、六之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒉原處分以引證六所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性，故認引證一、六之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第19頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

㈥附表二編號12所示之爭點：

⒈引證二十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。故引證一、二十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒉原處分以引證二十一所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一、二十一之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第19頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

㈦附表二編號13所示之爭點：

⒈引證二十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。故引證一、二十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒉原處分以引證二十二所揭示之研磨墊硬度皆落在系爭專利申請專利範圍第2 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一、二十二之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第19至20頁之原處分理由第（九）項），即有違誤。

十、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第3項不具新穎性：

㈠附表二編號14所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第3 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第3 項進一步限縮界定其中「該拋光層具有一在40℃時約為150 到2,000MPa的張力模數。」（見本院卷第1 冊第114 頁）。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，已於前述（如第八㈠項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

⒉原處分以引證一所揭示之研磨墊E'落在系爭專利申請專利範圍第3 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一足資證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第20頁之原處分理由第（十）項），即有違誤。

㈡附表二編號15所示之爭點：

⒈引證十九既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈣項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

⒉原處分以引證十九所揭示之IC1000拋光墊之張力模數落在系爭專利申請專利範圍第3 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證十九足資證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性云云（見本院卷第1冊第20頁之原處分理由第（十）項），即有違誤。

㈢附表二編號16所示之爭點：

⒈引證二十既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈤項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

⒉原處分以引證二十所揭示之拋光墊之張力模數落在系爭專利申請專利範圍第3 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證二十足資證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第20至21頁之原處分理由第（十）項），即有違誤。

㈣附表二編號17所示之爭點：

⒈引證二十一既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈥項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具新穎性。

⒉參加人主張引證一、引證1-5 、引證二十一及引證十九已於系爭專利優先權日之前，使用IC1000拋光墊公開發表之文件，揭露系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項之技術內容，使該技術能為公眾得知之狀態云云（見本院卷第4冊第100 至101 頁）。然參加人此部分主張要無可採，且原處分此部分認定（見本院卷第1 冊第30頁之原處分理由第（十八）項）有誤，已於前述（見第八㈥⒉項）。

十一、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具新穎性：

㈠附表二編號18所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第4 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第4 項進一步限縮界定其中「該拋光層具有一約為100 到1,000(1/Pa在40℃時) 之KEL 。」（見本院卷第1 冊第114 頁）。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，已於前述（如第八㈠項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具新穎性。

⒉原處分以引證一所揭示計算得出之KEL 值落在系爭專利申請專利範圍第4 項之範圍內，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一足資證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具新穎性云云（見本院卷第1 冊第21頁之原處分理由第（十一）項），即有違誤。

㈡附表二編號19所示之爭點：

⒈引證二十一既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈥項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具新穎性。

⒉參加人主張引證一、引證1-5 、引證二十一及引證十九已於系爭專利優先權日之前，使用IC1000拋光墊公開發表之文件，揭露系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項之技術內容，使該技術能為公眾得知之狀態云云（見本院卷第4冊第100 至101 頁）。然參加人此部分主張要無可採，且原處分此部分認定（見本院卷第1 冊第30頁之原處分理由第（十八）項）有誤，已於前述（見第八㈥⒉項）。

十二、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性：

㈠附表二編號第20項所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第5 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第5 項進一步限縮界定其中「當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之每一線性尺寸變化少於約1%。」（見本院卷第1 冊第114 頁）。而引證六、七並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。故引證一、六、七之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。

⒉原處分以引證六揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之「每一線性尺寸變化少於約1%」、「在水中24小時」之構成要件，引證七揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之「室溫25℃之水溫」，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一、六、七足資證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第21至22頁之原處分理由第（十二）項），即有違誤。

㈡附表二編號第21項所示之爭點：

⒈引證二十一、六、七並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。故引證二十一、六、七之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。

⒉原處分以引證六揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之「每一線性尺寸變化少於約1%」、「在水中24小時」之構成要件，引證七揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之「室溫25℃之水溫」，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證二十一、六、七足資證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第21至22頁之原處分理由第（十二）項），即有違誤。

十三、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性：

㈠附表二編號第22項所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第6 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第6 項進一步限縮界定其中「當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後, 該襯墊之硬度減少約30% 。」（見本院卷第1 冊第114 頁）。而引證四並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。故引證一、四之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

⒉原處分以系爭專利申請專利範圍第6 項係運用引證一、四之組合的技術，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一、四足資證明系爭專利申請專利範圍第6項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第22至23頁之原處分理由第（十三）項），即有違誤。

㈡附表二編號第23項所示之爭點：

⒈引證二十一、四並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。故引證二十一、四之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

⒉原處分以引證一所揭示之IC1000拋光墊即引證二十一所揭示之IC1000拋光墊，故認引證二十一、四足資證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第22至23頁之原處分理由第（十三）項），即有違誤。

十四、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具新穎性或進步性：

㈠附表二編號24所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第7 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第7 項進一步限縮界定其中「該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度。」（見本院卷第1 冊第114 頁）。而引證十九既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈣項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第3項不具新穎性。

⒉原處分以引證十九揭露IC1000拋光墊之表面粗糙度落在系爭專利申請專利範圍第7 項之範圍內，故認引證十九足資證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具新穎性云云（見本院卷第1冊 第23至24頁之原處分理由第（十四）項），即有違誤。

㈡附表二編號25所示之爭點：

⒈引證二十一既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（如第八㈥項所述），自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具新穎性。

⒉參加人主張引證一、引證1-5 、引證二十一及引證十九已於系爭專利優先權日之前，使用IC1000拋光墊公開發表之文件，揭露系爭專利申請專利範圍第1 至4 、7 項之技術內容，使該技術能為公眾得知之狀態云云（見本院卷第4冊第100 至101 頁）。然參加人此部分主張要無可採，且原處分此部分認定（見本院卷第1 冊第30頁之原處分理由第（十八）項）有誤，已於前述（見第八㈥⒉項）。

㈢附表二編號26所示之爭點：

⒈引證五並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。又引證一、五所揭示者並非相同之研磨墊，是以引證一、五並無使該二種不同研磨墊不同性質結合之動機教示或製法揭示。故引證一、五之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

⒉原處分以原證五揭露系爭專利申請專利範圍第7 項之下位概念，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一、五足資證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第23頁之原處分理由第（十四）項），即有違誤。

㈣附表二編號27所示之爭點：

⒈引證八並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。又引證一、八所揭示者並非相同之研磨墊，是以引證一、八並無使該二種不同研磨墊不同性質結合之動機教示或製法揭示。故引證一、八之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。

⒉原處分以系爭專利係運用引證一、八之組合的技術，而系爭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，故認引證一、八足資證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第23至24頁之原處分理由第（十四）項），即有違誤。

十五、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性：

㈠附表二編號28所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第8 項為獨立項：「一種用來拋光一半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法，包含：向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的界面偏斜晶圓；令一拋光流體流動到界面中；以及提供晶圓和拋光襯墊在壓力下進行的相對運動，以使得拋光流體與晶圓間之運動受壓接觸導致沿著該晶圓表面的平面移除；該拋光層具有：一約為40到70Shore D 的硬度；一在40℃時約為100 到2,000 MPa 的張力模數；一約為100 到1,000(1/Pa在40℃時) 的KEL 以及一在30℃到90℃時約為1 到5 的E'比。」（見本院卷第1冊第114 至115 頁）。

⒉引證四、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒊原處分認引證一、四、九（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第24至25頁之原處分理由第（十五）項），即有違誤。

㈡附表二編號29所示之爭點：引證四、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈢附表二編號30所示之爭點：引證四、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈣附表二編號31所示之爭點：

⒈引證二十一、二十、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、二十、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、二十、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒉原處分認引證一、二十一、二十、九（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第25至26頁之原處分理由第（十五）項），即有違誤。

㈤附表二編號32所示之爭點：引證二十一、二十、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、二十、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、二十、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈥附表二編號33所示之爭點：引證二十一、二十、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、二十、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、二十、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈦附表二編號34所示之爭點：

⒈引證二十一、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

⒉原處分認引證二十一、九之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第26頁之原處分理由第（十五）項），即有違誤。

㈧附表二編號35所示之爭點：引證二十一、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈨附表二編號36所示之爭點：引證二十一、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

㈩附表二編號37所示之爭點：引證二十一、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。附表二編號38所示之爭點：引證二十一、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。附表二編號39所示之爭點：引證二十一、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。附表二編號40所示之爭點：引證二十、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。附表二編號41所示之爭點：引證二十、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90 ℃)之比值。因此引證二十、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證

二十、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。附表二編號42所示之爭點：引證二十、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證

二十、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。附表二編號43所示之爭點：引證十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，，因此引證十三並未揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證十三無法證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。

十六、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性：

㈠附表二編號44所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第9 項為依附於第1 項獨立項之附屬項，包括第8 項所述之構成，並進一步為限制或附加之特徵為：「根據申請專利範圍第8項之方法，進一步包含：吸引一拋光流體之錯合劑到金屬上，並保護金屬表面直到被拋光襯墊打散為止，該運動發生在拋光襯墊和金屬之間，某一小於沿拋光層之拋光表面之小於500 埃之奈米級粗糙度之平均尺寸的距離處。」（見本院卷第1 冊第115頁）。

⒉引證四、八至十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、八至十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、八至十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒊原處分認引證一、四、八至十一之組合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第26至27頁之原處分理由第（十六）項），即有違誤。

㈡附表二編號45所示之爭點：引證四、十、十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十、十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、十、十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈢附表二編號46所示之爭點：引證四、十三並未揭示該研磨墊之E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證

一、四、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9項不具進步性。

㈣附表二編號47所示之爭點：

⒈引證二十一、十九、二十、八至十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十

九、二十、八至十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十九、二十、八至十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒉原處分認引證一、二十一、十九、二十、八至十一之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第27至28頁之原處分理由第（十六）項），即有違誤。

㈤附表二編號48所示之爭點：引證二十一、十九、二十、十、十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十九、二十、十、十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十

九、二十、十、十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈥附表二編號49所示之爭點：引證二十一、十九、二十、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十九、二十、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十九、二十、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈦附表二編號50所示之爭點：

⒈引證四、十九、八至十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十九、八至十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、十九、八至十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒉原處分認引證一、四、十九、八至十一之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第27至28頁之原處分理由第（十六）項），即有違誤。

㈧附表二編號51所示之爭點：引證四、十九、十、十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十九、十、十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、十九、十、十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈨附表二編號52所示之爭點：引證四、十九、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、十九、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、十九、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈩附表二編號53所示之爭點：

⒈引證二十一、八至十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十一、八至十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、八至十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

⒉原處分認引證二十一、八至十一之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第28頁之原處分理由第（十六）項），即有違誤。附表二編號54所示之爭點：引證二十一、十、十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十一、十、十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、十、十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號55所示之爭點：引證二十一、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號56所示之爭點：引證十九、二十、八至十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、十九、二十、八至十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、十九、二十、八至十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號57所示之爭點：引證十九、二十、十、十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、十九、二十、十、十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、十九、二十、十、十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號58所示之爭點：引證十九、二十、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、十九、二十、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、十九、二十、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號59所示之爭點：引證二十一、八至十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、八至十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、八至十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號60所示之爭點：引證二十一、十、十一並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十、十一之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十、十一之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號61所示之爭點：引證二十一、十三並未揭示該研磨墊之E'(30 ℃)/E'(90 ℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號62所示之爭點：引證十九、二十、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證十九、二十、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第9 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證十九、二十、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。附表二編號63所示之爭點：引證十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，，因此引證十三並未揭露系爭專利申請專利範圍第8 項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證十三無法證明系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

十七、參加人所提之引證資料無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性：

㈠附表二編號64所示之爭點：

⒈系爭專利申請專利範圍第10項為依附於第1 項獨立項之附屬項，包括第8 項所述之構成，並進一步為限制或附加之特徵為：「根據申請專利範圍第8項之方法，進一步包含：藉由在一約25℃之室溫下置該襯墊於去離子水中24小時之方式, 將該襯墊之每一線性尺寸作小於約1%的改變, 並令該襯墊硬度作小於約30% 的改變。」（見本院卷第1 冊第115 頁）。

⒉引證四、六、七、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、六、七、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、六、七、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒊原處分認引證一、四、六、七、九之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第28至29頁之原處分理由第（十七）項），即有違誤。

㈡附表二編號65所示之爭點：引證四、六、七、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、六、七、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、六、七、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

㈢附表二編號66所示之爭點：引證四、六、七、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、六、七、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、六、七、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

㈣附表二編號67所示之爭點：

⒈引證二十一、六、七、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、六、七、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、六、七、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒉原處分認引證一、二十一、六、七、九之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第29頁之原處分理由第（十七）項），即有違誤。

㈤附表二編號68所示之爭點：引證二十一、六、七、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、六、七、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、六、七、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

㈥附表二編號69所示之爭點：引證二十一、六、七、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、二十一、六、七、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、二十一、六、七、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

㈦附表二編號70所示之爭點：

⒈引證二十一、四、六、七、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、四、六、七、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、四、六、七、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

⒉原處分認引證二十一、四、六、七、九之結合足資證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性云云（見本院卷第1 冊第29至30頁之原處分理由第（十七）項），即有違誤。

㈧附表二編號71所示之爭點：引證二十一、四、六、七、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、四、六、七、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、四、六、七、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

㈨附表二編號72所示之爭點：引證二十一、四、六、七、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證二十一、四、六、七、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、四、六、七、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

㈩附表二編號73所示之爭點：引證四、六、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、六、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、六、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。附表二編號74所示之爭點：引證四、六、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、六、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、六、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。附表二編號75所示之爭點：引證四、六、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。而被告及參加人均未能證明引證一之公開日期早於系爭專利之優先日，不具證據力，已於前述（如第八㈠項所述）。因此引證一、四、六、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證一、四、六、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。附表二編號76所示之爭點：引證二十一、四、六、九並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十一、四、六、九之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、四、六、九之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。附表二編號77所示之爭點：引證二十一、四、六、十二並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十一、四、六、十二之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、四、六、十二之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。附表二編號78所示之爭點：引證二十一、四、六、十三並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃) 之比值。因此引證二十一、四、六、十三之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證二十一、四、六、十三之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。附表二編號79所示之爭點：引證十三、四、六並未揭示該研磨墊之E'(30℃)/E'(90℃)之比值。因此引證十三、四、六之結合無法組合出系爭專利申請專利範圍第10項所請方法中「拋光層」之技術特徵，故引證十三、四、六之結合無法證明系爭專利申請專利範圍第10項不具進步性。

十八、從而，參加人所提之引證資料均無法證明系爭專利不具新穎性及進步性，並未違反90年10月24日修正公布之專利法20條第1 項第1 款、第2 項規定，本應為舉發不成立之審定，而被告為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，於法即有未洽。訴願決定未加指摘而予維持，亦非妥適。是以原告請求撤銷訴願決定及原處分，為有理由，應予准許。

十九、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為有理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第二庭