1智慧財產法院民事判決

3上訴人冠榮科技股份有限公司

4

5法定代理人王冠宇

6訴訟代理人吳尚昆律師

7葉思慧律師

8被上訴人翁榮財

9

10方敏郎

11陳金川

12蔡政達

13共同

14訴訟代理人鄭植元律師

15高華陽律師

16楊家瑋律師

17上列當事人間確認專利權等（勞動）事件，上訴人對於中華民國1

1808年5月27日本院107年度民專訴字第98號第一審判決提起上

19訴，並追加備位之訴，本院於110年3月11日言詞辯論終結，判

20決如下：

21主文

22原判決關於駁回上訴人後開第二、三之訴部分，暨該部分訴訟費

23用之裁判均廢棄。

24確認中華民國第I595110號「以真空離子蒸鍍法製備多元合金反應

25性鍍膜製程」發明專利及第M530826號「真空離子蒸鍍材料結構

26」新型專利之專利申請權為上訴人所有。

27被上訴人應移轉中華民國第I595110號「以真空離子蒸鍍法製備多

11元合金反應性鍍膜製程」發明專利及第M530826號「真空離子蒸

2鍍材料結構」新型專利之專利權予上訴人。

3第一審及第二審（含追加之訴）訴訟費用，由被上訴人負擔。

4事實及理由

5壹、程序事項：

6按第二審訴之變更或追加，非經他造同意不得為之，但請求之

7基礎事實同一者，不在此限，民事訴訟法第446條第1項、第

8255條第1項第2款定有明文。查上訴人於原審依侵權行為及

9不當得利之法律關係，起訴請求確認中華民國發明第I595110

10號「以真空離子蒸鍍法製備多元合金反應性鍍膜製程」專利（

11下稱系爭專利1），及新型第M530826號「真空離子蒸鍍材

12料結構」專利（下稱系爭專利2）之專利申請權及專利權為上

13訴人所有；被上訴人應移轉系爭專利1、2之專利權予上訴人

14。嗣就原審駁回其「確認專利申請權」與「請求移轉專利權」

15部分提起上訴，並主張若本院認為兩造對系爭專利1、2均有

16實質貢獻，則追加備位之訴請求確認系爭專利1、2之專利申

17請權為兩造「共有」；被上訴人應將系爭專利1、2之專利權

18登記為兩造「共有」。經核上訴人前開追加備位之訴與原訴請

19求之基礎事實同一，依上開規定，應予准許。

20貳、實體事項：

21一、上訴人主張：上訴人為改良表面處理加工效能，將傳統HCD

22鍍膜技術改良成上訴人自有專用的真空離子蒸鍍設備，被上

23訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達原為上訴人公司員工，於民國1

2405年間陸續離職後，竟與被上訴人陳金川共同擅自將上訴人

25已有之真空離子蒸鍍生產流程與機器設備相關技術，向經濟

26部智慧財產局（下稱智慧局）申請取得系爭專利1、2，然系

27爭專利1、2為上訴人已有之技術，被上訴人並無實質貢獻，

21爰依民法第184條第1項前段、第185條、第179條規定，

2擇一求為命確認系爭專利1、2之專利申請權及專利權均為上

3訴人所有，及命被上訴人應將系爭專利1、2專利權移轉登記

4予上訴人之判決。原審為上訴人敗訴之判決，上訴人不服一

5部提起上訴。上訴聲明：原判決關於駁回上訴人後開第二

6、三之訴部分，暨訴訟費用之裁判均廢棄。確認系爭專利1

7、系爭專利2之專利申請權為上訴人所有。被上訴人應移

8轉系爭專利1、系爭專利2之專利權予上訴人。另追加備位

9聲明：確認系爭專利1、系爭專利2之專利申請權為上訴

10人與被上訴人共有。被上訴人應將系爭專利1及系爭專利2

11之專利權登記為上訴人與被上訴人共有。

12二、被上訴人則以：上訴人之製程及機器早已公開而為業界習知

13技術，非上訴人所發明。系爭專利1之創舉在於將HCD、AR

14C、SPUTTER三種同時啟動進行鍍膜，然上訴人之CIP-801

15設備只單獨以HCD鍍金屬膜，另DASH-800D2SH設備（下稱

16DASH-800設備）是用來鍍類鑽膜而非金屬膜，且該設備的H

17CD功率很低非供鍍膜之用，SPUTTER則無靶材，上訴人未

18證明有以HCD結合ARC、SPUTTER共同鍍金屬膜，自無法

19證明系爭專利1為上訴人所發明。至於系爭專利2之各個披

20覆層皆以至少二種以上的非合金之純金屬或非金屬材料所組

21成，但CIP-801設備僅有一蒸發源，自未揭露系爭專利2技術

22特徵等語，資為抗辯。並聲明：上訴及追加之訴均駁回。

23三、本院得心證之理由：

24被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達原為上訴人公司員工，於1

2505年間陸續離職，其三人與被上訴人陳金川於105年6月30

26日向智慧局申請系爭專利1、2，分別於106年8月11日及1

2705年10月21日公告等情，為兩造所不爭執。上訴人主張系

31爭專利1、2技術內容來自於上訴人已有之生產流程與機器設

2備，上訴人才是系爭專利1、2之專利申請權人，若認兩造均

3有實質貢獻則備位聲明主張系爭專利1、2應為兩造共有，然

4為被上訴人所否認，並以前詞置辨。經查：

5本件確認之訴部分上訴人有即受確認判決之法律上利益：

6按確認法律關係之訴，非原告有即受確認判決之法律上利益者

7，不得提起之，為民事訴訟法第247條第1項前段所明定。而

8所謂即受確認判決之法律上利益，係指因法律關係之存否不明

9確，致原告在私法上之地位有受侵害之危險，而此項危險得以

10對於被告之確認判決予以除去者而言（最高法院42年台上字

11第1031號判例參照）。本件被上訴人雖向智慧局申請取得系

12爭專利1、2之專利權，然上訴人主張其才是專利申請權人，

13惟為被上訴人否認，顯然兩造就系爭專利1、2之權利歸屬有

14所爭執，上訴人認其在法律上之地位有不安狀態存在，而此種

15不安之狀態，能以本件確認判決將之除去，則上訴人所提本件

16確認專利申請權之訴，堪認有確認利益甚明。

17專利申請權歸屬之判斷：

18按專利申請權，指得依專利法申請專利之權利。專利申請權人

19，除本法另有規定或契約另有約定外，指發明人、新型創作人

20、設計人或其受讓人或繼承人，專利法第5條定有明文。由

21上開規定可知，專利申請權人係指發明人或創作人，所謂「發

22明人」係指實際進行研究發明之人，「創作人」係指實際進行

23研究創作新型之人，發明人或創作人均須係對申請專利範圍所

24記載之技術特徵具有實質貢獻之人，其須就發明或新型所欲解

25決之問題或達成之功效產生構想，並進而提出具體而可達成該

26構想之技術手段。

27專利權人非屬真正專利申請權人之情事，常見有：剽竊他人

41創作，並提出專利申請；受雇人擅自或未依其與雇用人之約

2定，將其於職務上所完成之創作申請專利；雇用人將受雇人

3於非職務上所完成之創作申請專利；或受聘人未依其與出資

4人之約定，將其研究開發成果申請專利等。前述每一種情事在

5判斷歸屬時的考量均有差異，若為前述情形，應就被控行為

6人是否接觸主張為真正申請權之人（下稱主張者）的技術、被

7控行為人所申請之發明或創作是否和主張者之技術實質相同等

8予以探究；若為前述情形、之雇傭關係中職務上之創作或

9非職務上之創作的歸屬判斷，主要是就受雇人之職務是否與其

10創作有關、該創作完成之時間點是否於僱傭之期間內、受雇人

11之創作與系爭專利是否實質相同、雙方當事人間有無契約約定

12專利申請權及專利權之權利歸屬等予以探究；若為前述情形

13之出資受聘關係下的歸屬判斷，主要是就雙方當事人間契約約

14定內容及是否依契約執行、出資研究開發工作內容與系爭專利

15是否實質相同等予以探究。至於「實質相同」之判斷，於理解

16技術內容時，不應侷限於系爭專利權和主張者所提之技術內容

17間形式上的文字記載或表達上是否相同為斷，若發明/新型所

18屬技術領域中具有通常知識者能判斷為二者均是敘述同一事項

19，或者差異未逸脫主張者已擁有之針對解決技術問題或達成功

20效所提出技術手段的內容，仍應認定為「實質相同」，其情況

21包括新穎性、擬制喪失新穎性之態樣，亦包括基於普遍使用或

22眾所周知技術的使用或基於普通技能的選擇，而對於所欲解決

23之問題或達成功效之技術手段沒有造成實質影響的情況但不包

24括進步性之態樣。又是否構成實質相同，於判斷時必須仔細探

25求、逐項認定主張者所擁有之技術內容與系爭專利申請專利範

26圍所載之技術之異同，以資認定。

27上訴人於系爭專利1、2申請前所擁有之技術：

51上證33是被上訴人方敏郎自CIP-801設備電腦操作畫面下載

2圖片後編輯製作之「CIP-801操作手冊」；上證6是被上訴人

3翁榮財任職於上訴人期間所完成之「TiCrAlN初步測試結果報

4告」，該測試結果報告記載使用之鍍膜設備為CIP801；上證2

50為爐號8-4401的生產操作紀錄表，測試日期為103年1月1

65日，上訴人主張上證20是使用上訴人之CIP-801設備，被

7上訴人對此並未爭執。因此上證6、上證20、上證33可相互

8勾稽為上訴人型號CIP-801之HCD真空離子蒸鍍設備及其製

9程，且可證明為系爭專利1、2申請前上訴人已有之技術。

10上證1、2、3為被上訴人翁榮財在2004、2008、2009年任職

11時之工作日誌、上證5為被上訴人翁榮財任職時之研發部工

12作紀錄，上證1至5描述之多元合金靶材，為系爭專利1、2

13申請前上訴人公司已有之技術。

14上證9為上訴人「多鎗物理氣相沉積DASH-800D2SH」（即

15DASH-800設備）說明書英文版，上證9-1為上訴人於1999

16年11月30日向日本Nanotec公司購買上證9設備之收據，上

17證35為DASH-800設備之操作介面，上證36為使用上訴人D

18ASH-800設備進行離子鍍膜之生產操作紀錄，故上證9、9-1

19、36可相互勾稽為上訴人DASH-800設備及其製程，且可證

20明為系爭專利1、2申請前上訴人已有之技術。

21被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達於任職上訴人期間有接觸上

22訴人前開技術：

23被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達均為上訴人之前員工，被上

24訴人蔡政達於93年1月起擔任設備部經理，負責上訴人公司

25鍍膜設備之製圖、發包及組合業務，被上訴人翁榮財於99年

269月起擔任上訴人公司薄一廠廠長，先後負責受理戶鍍膜料件

27清點及鍍膜前置作業、生產部門管理、公司ISO文件及品保

61系統認證與產品品質管理制度建立及聯繫等業務，被上訴人方

2敏郎於98年12月起擔任上訴人公司研發部經理，負責生產作

3業及離子蒸鍍設備機台操作、作業部門之管理、開發設備及自

4製設備與現有製程之改善、鍍膜設備及新型設備之測試等業務

5，另被上訴人翁榮財任職期間有製作上證1、2、3、5、6等

6工作日誌、工作紀錄、測試報告、生產操作紀錄，被上訴人方

7敏郎任職期間有編寫上證33之「CIP-801操作手冊」，以上可

8證明被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達長期受雇上訴人期間，

9知悉且有接觸上訴人上開多元合金靶材、CIP-801設備、DAS

10H-800設備及相關製程技術。

11系爭專利1之專利申請權為上訴人所有：

12請求項1部分：

13系爭專利請求項1申請專利範圍為：「1.一種以真空離子蒸鍍

14法製備多元合金反應性鍍膜製程，係於一真空蒸鍍爐所進行的

15製程，該製程的步驟主要包含有：製備合金靶材，係備一筒狀

16坩堝，該坩堝位於該真空蒸鍍爐中心，該坩堝內置放了所需之

17固態的合金靶材，該坩堝內並配有環繞於合金靶材外圍的冷卻

18水路，而所述合金靶材可為二元、三元、或多元合金靶材；加

19熱至材料融化，對該坩堝內材料進行加熱，以控制材料融化的

20階段性，進而讓坩堝內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子再被

21電子束解離成離子；導以偏壓電源，於待鍍工件導以偏壓的同

22時，配合電場磁場使離子加速，而該偏壓為5~1000V帶負電

23之偏壓電源，電子束電流20~300A；導入反應氣體，係可選

24擇性的在導以偏壓電源步驟之前或之後進行，在原子受該電子

25束解離成離子的同時導入反應氣體，該反應氣體也受到該電子

26束解離成離子，所述之反應氣體係依照靶材所形成之薄膜而選

27擇；薄膜形成，被解離的正離子受帶負電之偏壓電源吸引而撞

71上位於該坩堝周圍的待鍍工件，而於待鍍工件表面排列形成合

2金薄膜；冷卻出爐，待於該待鍍工件表面形成0.1~10μm之

3薄膜層後進行冷卻，冷卻後便可出爐。」。

4系爭專利1請求項1與上訴人已有之技術內容比對：

5由上證33之CIP-801操作手冊第1、9至10頁記載內容可知

6，CIP-801設備為一空心陰極放電HCD真空離子蒸鍍系統，

7「基本操作流程」為依序執行抽氣、夾具旋轉、點鎗、加熱、

8離子清潔、蒸鍍、打底鍍膜、單／多層鍍膜、冷卻及出爐之自

9動離子蒸鍍製程（見本院卷三第23、39至41頁），相當於「

10一種以真空離子蒸鍍法製備…製程，係於一真空蒸鍍爐所進行

11的製程」技術特徵，上證6TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之

12鍍膜設備為CIP-801，使用之鍍材為外徑23mm的圓柱狀Ti-A

13l合金靶植入外徑40mm之鈦錠中，且在前述結構上方中央位

14置放置一個ψ19mmx3mm的鉻錠，使用之鍍膜設備為CIP-801

15，對螺絲工件進行TiCrAlN鍍膜測試（見本院卷一第177至

16191頁），相當於「製備多元合金反應性鍍膜製程」技術特徵

17，是前述內容已對應揭示系爭專利1請求項1之「一種以真

18空離子蒸鍍法製備多元合金反應性鍍膜製程，係於一真空蒸鍍

19爐所進行的製程」技術特徵。

20上證33之CIP-801操作手冊第1頁記載CIP-801設備具有一

21坩堝位於真空蒸鍍爐中心，且鍍材為TiAlCr三元合金靶（見

22本院卷三第23頁），上證3工作日誌第43頁記載鍍材為AlC

23r二元合金靶（見本院卷一第129頁），已對應揭示系爭專利

241請求項1之「製備合金靶材，係備一坩堝，該坩堝位於該真

25空蒸鍍爐中心，該坩堝內置放了所需之固態的合金靶材，而所

26述合金靶材可為二元、三元、或多元合金靶材」技術特徵。上

27證33雖未揭示系爭專利1之「該坩堝內並配有環繞於合金靶

81材外圍的冷卻水路」技術特徵，惟真空離子蒸鍍系統為控制坩

2堝中的靶材成熔融狀並在鍍膜的過程維持穩定量的蒸發，當然

3會設置冷卻裝置在過熱時進行降溫控制，此為使用於真空離子

4蒸鍍設備的坩堝於申請時的通常知識。

5上證33之CIP-801操作手冊記載離子蒸鍍製程有加熱、離子

6清潔、打底及多層鍍膜（見本院卷三第23頁），上證20生產

7操作紀錄從加熱階段到蒸鍍階段持續使坩堝溫度在301~400℃

8間，蒸鍍時間第8分時，空心陰極鎗會形成電子束射向坩堝

9，將金屬靶溶解並蒸發，此即「Cr完全共融合金靶」階段；

10隨後，氣態原子解離，HCD蒸鍍形成TiCrAlN多層鍍膜（見

11本院卷一第243頁），已對應揭示系爭專利1請求項1之「

12加熱至材料融化，對該坩堝內材料進行加熱，以控制材料融化

13的階段性，進而讓坩堝內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子再

14被電子束解離成離子」技術特徵。

15上證20生產操作紀錄記載於「鈦底」階段及「蒸鍍」階段的

16空心陰極鎗電子束從68.8A逐漸增加至186.3A，並對待鍍工

17件上施加bias電壓（偏壓）逐漸從154.3V降至88V，同時間

18，控制電子束對焦之下磁圈電流逐漸從5.84A降至0.71A再增

19至13.04A，以電場磁場使離子加速（見本院卷一第243頁）

20，已對應揭示系爭專利1請求項1之「導以偏壓電源，於待

21鍍工件導以偏壓的同時，配合電場磁場使離子加速，而該偏壓

22為5~1000V帶負電之偏壓電源，電子束電流20~300A」技術

23特徵。

24上證20生產操作紀錄記載氣體N2在蒸鍍階段由流量100逐

25漸增加至156再降至128，氣體CH4則僅在蒸鍍後期加入，

26流量由0逐漸增加至9，且於蒸鍍階段，導入反應氣體，用

27來生成內含N元素之TiAlCrN多元合金薄膜，工件之bias電

91壓逐漸從154.3V降至88V（見本院卷一第243頁），已對應

2揭示系爭專利1請求項1之「導入反應氣體，係可選擇性的

3在導以偏壓電源步驟之前或之後進行，在原子受該電子束解離

4成離子的同時導入反應氣體，該反應氣體也受到該電子束解離

5成離子，所述之反應氣體係依照靶材所形成之薄膜而選擇」技

6術特徵。

7上證20生產操作紀錄記載於蒸鍍期間對待鍍工件施加bias偏

8壓，使得被解離的正離子受偏壓電源吸引而撞上待鍍工件，「

9階段特殊狀況」記載「多層第5層」、「第8層」…「第30

10層」、「最終層33層」，顯示TiAlCrN鍍膜厚度隨時間變化

11逐漸成長（第2分鐘鍍膜厚度0.08μm、第8分鐘鍍膜厚度0

12.32μm…第72分鐘鍍膜厚度4.15μm），最終形成約4.39μ

13m之薄膜（見本院卷一第243頁），上證33之CIP-801操作

14手冊第1頁圖2記載形成單層或多層鍍膜後，會經冷卻動作

15再出爐（見本院卷三第23頁），以上已對應揭示系爭專利1

16請求項1之「薄膜形成，被解離的正離子受帶負電之偏壓電

17源吸引而撞上位於該坩堝周圍的待鍍工件，而於待鍍工件表面

18排列形成合金薄膜」、「冷卻出爐，待於該待鍍工件表面形成

190.1~10μm之薄膜層後進行冷卻，冷卻後便可出爐」技術特徵

20。

21綜上可知，系爭專利1請求項1與上訴人已有之技術內容應

22構成實質相同。

23請求項2至10部分：

24請求項2、3、4部分：

25系爭專利1請求項2係依附於請求項1，並界定「該製備合

26金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放一過

27渡層之材料，該過渡層之材料係可在薄膜層的合金靶材之前預

101先披覆於該待鍍工件表面上，進而形成所述之過渡層」之附屬

2技術特徵；系爭專利1請求項3係依附於請求項1，並界定

3「該製備合金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材內

4鑲埋一過渡層之材料，使得該過渡層之材料在鍍上薄膜層的過

5程中披覆於該待鍍工件表面上或薄膜層之間，進而形成具有過

6渡層的漸層式薄膜層」之附屬技術特徵，請求項3和請求項2

7均係界定合金靶材具有過渡層材料，差別在於合金靶材之製

8備方法不同，請求項2是界定將過渡層材料放置於合金靶材

9上、請求項3是界定將其鑲埋於合金靶材內；系爭專利1請

10求項4係依附於請求項1，並界定「該製備合金靶材之步驟

11中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放一過渡層之材料以

12及同時於合金靶材中鑲埋該過渡層之材料，使得該過渡層之材

13料在鍍上薄膜層的過程中披覆於該待鍍工件表面上與薄膜層之

14間，進而形成具有過渡層的漸層式薄膜層」之附屬技術特徵，

15請求項4係界定合併請求項2、3之合金靶材製備方法。

16查上證6TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之鍍膜設備為CIP-80

171，使用之鍍材為外徑23mm的圓柱狀Ti-Al合金靶植入外徑

1840mm之鈦錠中，且在前述結構上方中央位置放置一個ψ19m

19mx3mm的鉻錠（見本院卷一第177至191頁），相當於「該

20製備合金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置

21放一過渡層之材料」、「該製備合金靶材之步驟中，預先位於

22該坩堝內之合金靶材內鑲埋一過渡層之材料」、「該製備合金

23靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放一過渡

24層之材料以及同時於合金靶材中鑲埋該過渡層之材料」技術特

25徵。又上證20生產操作紀錄記載在「鈦底」階段調整上、下

26磁圈電流為7.83A及5.84A，對焦於靶材上，首先會使Ti錠

27植入Ti-Al圓柱的合金靶上放置的3mm厚之Cr錠開始融化，

111此即為「階段特殊狀況記錄」提到「0.22μ合金靶才開始融開

2」、「Cr完全共融合金靶」，使得於蒸鍍初期的鍍膜主成分

3為Cr過渡層（見本院卷一第243頁），即相當於「該過渡層

4之材料係可在薄膜層的合金靶材之前預先披覆於該待鍍工件表

5面上，進而形成所述之過渡層」、「使得該過渡層之材料在鍍

6上薄膜層的過程中披覆於該待鍍工件表面上或薄膜層之間，進

7而形成具有過渡層的漸層式薄膜層」。

8因此，前述內容已對應揭示前述系爭專利1請求項2、3、4

9之附屬技術特徵，故系爭專利1請求項2、3、4與上訴人已

10有之技術內容應構成實質相同。

11請求項5部分：

12系爭專利1請求項5係依附於請求項1，並界定「在該真空

13蒸鍍爐內設單一或多個傳統的SPUTTER濺射裝置或者ARC

14電弧式放電濺射裝置，而該SPUTTER濺射裝置或者ARC電

15弧式放電濺射裝置配置至少一種靶材物質，繼於蒸鍍初期、中

16期或末段啟動該濺射裝置將靶材物質激發出來，藉此配合坩堝

17之薄膜層的合金靶材而可形成漸層式或多段式的薄膜層」之附

18屬技術特徵。請求項5是進一步界定HCD真空離子蒸鍍系統

19進行蒸鍍過程中，該蒸鍍爐內更有設有單一或多個傳統的SP

20UTTER濺射鎗或者ARC電弧鎗，以使得在蒸鍍任何時間（初

21期、中期或末期），SPUTTER濺射鎗或者ARC電弧鎗可配合

22HCD鎗一併將合金靶材物質激發，形成漸層式薄膜層。

23查在真空離子蒸鍍系統之蒸鍍爐內更可設有其他離子源早為所

24屬技術領域所普遍使用，如西元1992、1996年公開的德國文

25獻已記載蒸鍍爐內設有2個HCD鎗及1個ARC電弧鎗，配

26合同時使用形成（Cr,Ti）N膜、蒸鍍爐內設有1個HCD鎗

27及1個ARC電弧鎗，配合同時使用的多鎗真空離子蒸鍍設備

121，且1996年公開的德國文獻已揭露「如圖2所示，電弧源1

2和HCD源2設置在第一腔室E的壁和下部中…在腔室E的底

3部是一個帶有靶材T的容器3…因此，根據本發明的裝置被

4設計成使得可以在同一腔室E同時進行上部的離子電弧塗覆

5和下部的HCD離子塗覆…這可以產生具有優異品質的塗層…

6可以以簡單的方式進行多層塗佈，從而可以實現高生產率並降

7低成本」（見本院卷五第137至145頁），可知在真空離子

8蒸鍍系統之蒸鍍爐內更可設有其他離子源早為所屬技術領域所

9普遍使用，而為申請時之通常知識，另依上證9之Dash-800

10設備說明書第5至6頁「4-2IonSource（離子源）」記載「4-

112-1DLCIonSource2sets…4-2-2SputterTarget1set…4-2-3Hal

12lowCathodeGunUnit1set…」（見本院卷一第201至202頁

13），可知DASH-800設備蒸鍍爐內設有離子鎗（2支）、Sputt

14er鎗（1支）及HCD鎗（1支）3種鎗作為離子源，另由上證

1535之DASH-800設備操作介面可知該設備有A至F共6種操

16作模式，製程為電子束加熱、離子清潔、濺射過渡層、DLC

17鍍膜等階段，在DLC（Diamond-likeCarbon，類鑽碳)階段

18，模式B至E之鍍膜處方僅開啟離子鎗，模式A及膜式F之

19鍍膜處方是離子鎗與HCD鎗同時開啟（ON）（見本院卷二第

20269頁），亦可證明在真空爐內設有其他離子源及開啟多鎗之

21通常知識早已使用於上訴人公司。再者，前述西元1992、199

226年公開的德國文獻已揭露在蒸鍍爐內設置多鎗後可以於真空

23離子蒸鍍時同時使用HCD鎗及ARC電弧鎗，而開啟多鎗的

24時間點係發明所屬技術領域中具有通常知識者可以依使用需求

25決定選擇的普通技能，至於請求項5能形成漸層式或多段式

26之薄膜層，已為上證6、上證20、上證33之上訴人已有之技

27術所揭露，因此，系爭專利１請求項5附屬技術特徵並未逸

131脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系

2爭專利1請求項5與上訴人已有之技術內容應構成實質相同

3。

4請求項6部分：

5系爭專利1請求項6係依附於請求項1，並界定「該真空蒸

-3-4

6鍍爐在鍍膜階段的腔內壓力設定為10torr~10torr，溫度設

7定450℃以下者」之附屬技術特徵。查上證20之TiCrAlN鍍

-3

8膜生產操作紀錄記載其鍍膜階段壓力介於1.445x10torr至1.8

-3

924x10torr，溫度介於388℃至327℃（見本院卷一第243頁

10），已對應揭示前述系爭專利1請求項6之附屬技術特徵。故

11系爭專利1請求項6與上訴人已有之技術內容應構成實質相同

12。

13請求項7部分：

14系爭專利1請求項7係依附於請求項1，並界定「該製備合

15金靶材之步驟中，可選擇相組合的合金元素有鈦、鉻、鋁、釸

16、鎢、鉭、碳或釩」之附屬技術特徵。查上證2第115頁記載

17「TiAlCrSiN=>Ti-Al50/50Ti:Al:Cr:Si=>3:3:2.7:1」、第12

183頁記載「換加熱器→ZrN→剝離→TiN→剝離→TiN…ZrN

19→OK→TiN→NG（3只NG、3只OK）」（見本院卷一第11

205、117頁），所述TiAlCrSiN（鈦鋁鉻矽）鍍膜、VC（釩碳

21）鍍膜等，已對應揭示系爭專利1請求項7附屬技術特徵之合

22金靶材材料選擇式中的「元素鈦、鉻、鋁、釸、碳及釩」，其

23雖未揭示選擇式中的「鎢、鉭」，惟鎢、鉭元素僅是鍍膜領域

24會使用到的習知材料，例如成功大學論文第13頁Table2.1便

25列出包括系爭專利1請求項7所有不同薄膜元素及特性，以鈦

26、鉻、鉭、鎢、釩為合金靶材之材料選項種類（見本院卷四第

27212頁），可知材料之選擇屬於申請時的通常知識，未逸脫上

141訴人已有之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭專

2利1請求項7與上訴人已有之技術內容應構成實質相同。

3請求項8部分：

4系爭專利1請求項8係依附於請求項7，並界定「各合金的

5組合比例有鈦(30~70%)-鋁(70~30%)、鈦(40~80%)-鉻(60~

620%)、鈦(90~80%)-釸(10~20%)、鈦(30~45%)-鋁(30~45

7%)-鉻(10~40%)、鈦(30~40%)-鋁(30~40%)-鉻(15~30%)-

8釸(5~10%)、鈦(60~80%)-鉭(20~40%)、鈦(60~80%)-鎢(2

90~40%)、鈦(90~80%)-釩(10~20%)」之附屬技術特徵。查上

10證3第47頁記載合金靶材之Ti:Si比例可為90/10%（見本院

11卷一第131頁），已揭露請求項8所界定之「鈦(90~80%)-

12釸(10~20%)」之合金選擇及數值範圍；上證3第55頁記載合

13金靶材之TiAl比例可為30/70%、45/55%（見本院卷一第135

14頁），已揭露請求項8所界定之「鈦(30~70%)-鋁(70~30%)

15」之合金選擇及數值範圍；上證2第127頁、上證3第129頁

16記載合金靶材之Ti:Al:Cr比例可為32:32:36%、36.7:36.7:26.

175%、40:40:20%（見本院卷一第119、143頁），已揭露請求

18項8所界定之「鈦(30~45%)-鋁(30~45%)-鉻(10~40%)」之

19合金選擇及數值範圍；上證2第115頁記載合金靶材之Ti:Al

20:Cr:Si比例為30.9%:30.9%:27.8%:10.3%（見本院卷一第115

21頁），已揭露請求項8所界定之「鈦(30~40%)-鋁(30~40%)-

22鉻(15~30%)-釸(5~10%)」之合金選擇及數值範圍；雖上證1

23至5未揭示選擇式中的「鈦(40~80%)-鉻(60~20%)、鈦(60~8

240%)-鉭(20~40%)、鈦(60~80%)-鎢(20~40%)、鈦(90~80)-

25釩(10~20%)」，惟鈦、鉻、鉭、鎢、釩元素僅是鍍膜領域會

26使用到的習知材料，例如成功大學論文第13頁Table2.1便列

27出包括系爭專利1請求項8所有不同薄膜元素及特性，以鈦、

151鉻、鉭、鎢、釩為合金靶材之材料選項種類（見本院卷四第2

212頁），而合金比例數值範圍係靶材廠商依顧客需求進行不

3同元素、不同比例靶材開發與比例調配，未逸脫上訴人所有之

4技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭專利1請求項

58與上訴人已有之技術內容應構成實質相同。

6請求項9部分：

7系爭專利1請求項9係依附於請求項1，並界定「該導入反

8應氣體之步驟中，反應氣體可為氮氣、甲烷、乙炔或甲矽烷任

9一者」之附屬技術特徵。查上證20之TACON鍍膜生產操作

10紀錄，導入氮氣（N2）及甲烷（CH4）反應氣體，上證33之

11CIP-801操作手冊第1頁更記載可導入氮氣、甲烷、苯及甲矽

12之反應氣體（見本院卷一第243頁、卷三第23頁），又甲烷

13及苯係用以提供碳元素之反應氣體，甲矽係用以提供碳及矽元

14素之反應氣體，製備薄膜時導入乙炔（C2H2）、甲矽烷（SiH

154）為反應氣體，用以提供碳元素為離子蒸鍍設備領域之通常

16知識，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及

17功效，故系爭專利1請求項9與上訴人已有之技術內容構成實

18質相同。

19請求項10部分：

20系爭專利1請求項10係依附於請求項1，並界定「該導以偏

21壓電源之步驟中，以偏壓100V、電子束電流200A的帶負電之

22偏壓電源為最佳」之附屬技術特徵。查上證20之TiAlCrN鍍

23膜生產操作紀錄，於「鈦底」階段及「蒸鍍」階段bias電壓

24逐漸從154.3V降至88V，電子束電流從68.8A逐漸增加至18

256.3A（見本院卷一第243頁），上證20之偏壓變化範圍已揭

26露系爭專利1請求項10之偏壓，電子束電流也接近系爭專利

271請求項10之電子束電流，且前述偏壓及電子束流最佳值會

161隨著爐體不同而稍微改變，因不同爐體，其坩堝與工件間的距

2離及電子束源及坩堝間距離略有不同，皆會影響偏壓值及電子

3束電流值之最佳化，難認系爭專利1對偏壓100V及電子束電

4流200A為最佳值之界定有顯著之意義，自未逸脫上訴人所有

5之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭專利1請求

6項10與上訴人已有之技術內容構成實質相同。

7綜上，系爭專利1請求項1至10與上訴人已有之技術內容構

8成實質相同，雖其中的測試結果報告、工作日誌、工作紀錄、

9操作手冊為被上訴人翁榮財、方敏郎於任職期間所製作，但其

10內容均僅單純對於上訴人已有之機器、製程為紀錄，並無實質

11貢獻可言，上訴人才是對系爭專利1有獨立且完全實質貢獻

12者，是上訴人請求確認系爭專利1之專利申請權為上訴人所

13有，為有理由。

14被上訴人主張並不可採，分述如下：

15被上訴人雖稱：上訴人之真空離子鍍膜設備為市售HCD鍍膜

16設備，上訴人製備多元合金鍍膜之方法早已是公開技術，非上

17訴人獨有云云。惟本件為專利申請權、專利權歸屬之爭執，係

18就被上訴人之系爭專利與上訴人已有之技術內容比對是否實質

19相同，以判斷權利應歸屬上訴人或被上訴人，至於該專利是否

20不具新穎性或進步性，與本件專利權歸屬爭議無涉，被上訴人

21上開主張恐有誤會，自不足採。

22被上訴人又稱：系爭專利1之創舉在於將蒸鍍（HCD）、濺

23鍍（SPUTTER）、電弧鍍（ARC）三種同時啟動進行鍍膜，

24且鍍膜過程中三種方法都有對應的金屬靶材，惟上訴人之

25DASH-800設備是用來鍍類鑽膜非金屬膜，且其HCD功率很

26低顯非用來鍍膜，SPUTTER亦無金屬靶材的記載，上訴人並

27未證明其有同時使用HCD、SPUTTER、ARC來鍍金屬膜等

171語。被上訴人上開所稱指的是系爭專利1請求項5之技術內容

2，然查：

3系爭專利1請求項5是界定「HCD+ARC」、「HCD+SPUTTE

4R」，而非「HCD+SPUTTER+ARC」：

5系爭專利1請求項5記載「在該真空蒸鍍爐內設單一或多個傳

6統的SPUTTER濺射裝置『或者』ARC電弧式放電濺射裝置」

7，其以「或」之擇一形式並列記載SPUTTER和ARC2個選項

8，且未敘述「及其組合」，可知系爭專利1請求項5係在HC

9D外，再設置SPUTTER或ARC之一，因此系爭專利1請求

10項5是界定「HCD+ARC」、「HCD+SPUTTER」，被上訴

11人稱系爭專利1是以「HCD+SPUTTER+ARC」三種同時進行

12鍍膜而為其前所未有之創舉云云，顯然對於請求項5之解讀有

13所誤會，自不可採。

14系爭專利1請求項5未界定鍍膜過程中三種方法都有對應的

15金屬靶材：

16查系爭專利1請求項5記載「該SPUTTER濺射裝置或者AR

17C電弧式放電濺射裝置配置至少一種靶材物質，繼於蒸鍍初期

18、中期或末段啟動該濺射裝置將靶材物質激發出來」，是界定

19「配置『至少一種』靶材物質」而非三種都有各自對應的金屬

20靶材，且參酌系爭專利1說明書第[0023]段記載「除了以上

21述方式改變坩堝內之待蒸鍍合金靶材外，…該SPUTTER濺射

22裝置或者ARC電弧式放電濺射裝置內配置靶材物質為鉻（Cr

23），而該SPUTTER濺射裝置或者ARC電弧式放電濺射裝置

24係在蒸鍍中期才啟動，並且直至薄膜完成，故可控制該薄膜層

25最內層的鉻（Cr）元素0%，而在薄膜層的中間層鉻（Cr）元

26素逐漸拉伸至20%~40%，在薄膜層的外層鉻（Cr）元素平均

27達40%，如此一來，若配合有多個不同的靶材物質，且在鍍

181膜的不同階段開啟或關閉可製造出多段式之薄膜層。」由上可

2知，系爭專利1說明書是揭露SPUTTER鎗「或」ARC鎗對「

3坩堝內之鉻（Cr）靶材物質」進行激發，而非三種方法都有對

4應的金屬靶材，被上訴人上開主張並不足採。

5「實質相同」非「實際使用」：

6所謂「實質相同」之判斷不應侷限於兩者技術內容於形式上的

7文字記載或表達是否相同，已如前述，因此「實質相同」當然

8不必要求須「實際使用」，因為實際使用是屬於「完全相同」

9，若採完全相同之標準，則只要將他人之發明施以無實質差異

10之變化即可擁有該專利權，顯與專利法第5條之立法精神不符

11。因此，被上訴人所謂DASH-800設備是用來鍍類鑽膜非金屬

12膜、該設備未配置坩鍋、其HCD功率很低顯非用來鍍膜、SP

13UTTER無金屬靶材的記載、上訴人未有同時使用HCD、SPUT

14TER、ARC來鍍金屬膜等主張，是要求上訴人要「實際使用

15」系爭專利1請求項5來作為論述基礎，其主張自不足採。

16系爭專利2之專利申請權為上訴人所有：

17請求項1部分：

18系爭專利2請求項1申請專利範圍為：「1.一種以真空離子蒸

19材料結構，包括：一受鍍工件，係受真空離子蒸鍍之主體；一

20多段合金材料薄膜，係漸層式的披覆於該受鍍工件的表面，主

21要係由複數個披覆層所堆疊而成，該各披覆層皆係以至少二種

22以上的非合金之純金屬材料或非金屬材料所組成，且各層之間

23的比例不同，並以漸增或漸減的方式變化者。」其使用開放式

24連接詞「包含」，表示不排除請求項中未提及之結構。又其界

25定各披覆層皆係以至少二種以上的非合金之純金屬材料或非金

26屬材料所組成，且各層之間的比例不同，並以漸增或漸減的方

27式變化者。另依系爭專利2說明書第[0006]、[0007]段記載

191「該結構具有漸層式之特性，各披覆層皆有二個以上的材質特

2性，且可配合受鍍工件之需求以漸減、漸增、漸減再漸增或漸

3增再漸減等不同態樣形成，進一步形成多種不同特性的薄膜，

4是能有別於以往薄膜每層各別存在不同材料特性，產生更佳的

5材質特性」、「由於部分待鍍工件表面和鍍膜的薄膜的性質差

6異相當大，若因此直接將薄膜披覆於工件表面，則會產生極大

7之內應力，而內應力過高便會產生薄膜剝離之現象，因此該多

8段合金材料薄膜更進一步具有一過渡層，該過渡層係位於該各

9披覆層與該受鍍工件表面之間，該過渡層係使用有別於披覆層

10的另一非合金之純金屬材料或非金屬材料，且該過渡層與該受

11鍍工件的表面性質差異係小於該披覆層與該受鍍工件的表面性

12質差異者」，可知系爭專利2請求項1之具有漸層式披覆層

13鍍膜的受鍍工件，可發揮每一披覆層各別存在不同材料特性，

14產生更佳的材質特性，並可利用過渡層減少受鍍工件和鍍膜間

15之內應力，避免薄膜剝離現象。

16系爭專利2請求項1與上訴人已有之技術內容比對：

17上證6之TiCrAlN鍍膜測試報告第1頁及第2頁第一點記載

18使用合金靶鍍材，並以CIP-801之離子蒸鍍系統，對PC受鍍

19工件進行TiCrAlN鍍膜測試（見本院卷一第179至181頁）

20，已對應揭示系爭專利2請求項1「一種真空離子蒸鍍材料

21結構，包括：一受鍍工件，係受真空離子蒸鍍之主體」技術特

22徵。

23上證20之TiCrAlN鍍膜生產操作紀錄記載製備PC受鍍工件

24上具有最終層33層TiCrAlN披覆層鍍膜的生產過程，該紀錄

25單之右上角記載「以TACON自動多層處方跑」，可知其鍍膜

26種類為TiCrAlN膜，該紀錄單之「階段特殊狀況」記載「0.22

27μ合金靶開始融熔」、「Cr完全共融合金靶」、「多層第5

201層」、「第8層」…「第30層CH43%」、「最終層33層C

2H48%」，鍍膜厚度隨時間變化逐漸成長（第2分鐘鍍膜厚度

30.08μm、第8分鐘鍍膜厚度0.32μm…第72分鐘鍍膜厚度

44.15μm），最終形成約4.39μm、33層披覆層堆疊之薄膜，

5隨著反應氣體流量變化，各鍍膜層之成分比例亦有變化，形成

6漸層式的披覆層披覆於PC受鍍工件的表面（見本院卷一第24

73頁），已對應揭示系爭專利2請求項1「一多段合金材料薄

8膜，係漸層式的披覆於該受鍍工件的表面，主要係由複數個披

9覆層所堆疊而成」技術特徵。

10上證20之紀錄單記載「以TACON自動多層處方跑」，可知

11其鍍膜種類為TiCrAlN膜，該紀錄單之「N2流量」記載氣體

12N2在蒸鍍階段由流量100逐漸增加至156再降至128，「CH

134流量」記載CH4則僅在蒸鍍後期加入，流量由0逐漸增加

14至9，上證6測試報告記載「1.2鍍膜設備」記載使用「七號

15機（CIP801）」，「1.1鍍材」記載使用「a.Ti-Al合金靶50

16%-50%，切削成外徑23mm圓柱植入外徑40mm之鈦錠中，b

17.於a項鍍材上方再置一ψ19mm×3mm之鉻錠，並置於中央位

18置」（見本院卷一第179頁），顯見CIP-801設備可利用控制

19電子束聚焦大小、掃描電子束在靶材之聚焦位置等手段來控制

20金屬靶材蒸發形成原子狀態之成分，配合隨著反應氣體的添加

21量不同，亦即各鍍膜層是將合金靶蒸發出的純金屬原子離子化

22及非金屬材料之氣體分子離子化後，披覆於工件上，所形成之

23各鍍膜層之間的成分比例隨著離子化之金屬材料及非金屬材料

24不同而漸進改變，已對應揭示系爭專利2請求項1「該各披

25覆層皆係以至少二種以上的非合金之純金屬材料或非金屬材料

26所組成，且各層之間的比例不同，並以漸增或漸減的方式變化

27者」技術特徵。

211綜上，系爭專利2請求項1與上訴人已有之技術內容構成實

2質相同。

3系爭專利2請求項2至4部分：

4請求項2部分：

5系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該多段合金

6材料薄膜具有一過渡層，該過渡層係位於該各披覆層與該受鍍

7工件表面之間，該過渡層係使用有別於披覆層的另一非合金之

8純金屬材料或非金屬材料，且該過渡層與該受鍍工件的表面性

9質差異係小於該披覆層與該受鍍工件的表面性質差異者」之附

10屬技術特徵。查上證6TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之鍍材

11為外徑23mm的圓柱狀Ti-Al合金靶植入外徑40mm之鈦錠中

12，且在前述結構上方中央位置放置一個ψ19mmx3mm的鉻錠

13，上證20生產操作紀錄記載「鈦底」階段調整上、下磁圈電

14流為7.83A及5.84A，對焦於靶材，首先會使3mm厚之鉻錠

15開始融化，此即為於蒸鍍TiAlCrN薄膜之前，預先批覆鉻過渡

16層，而Cr相較TiAlCrN對於PC受鍍工件之表面性質差異較

17小為材料本質特性（見本院卷一第177至191、243頁），是

18上開內容已對應揭示前述系爭專利2請求項2之附屬技術特徵

19，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及功效

20，故系爭專利2請求項2與上訴人已有之技術內容構成實質相

21同。

22請求項3部分：

23系爭專利2請求項3係依附於請求項1，並界定「該多段合金

24材料薄膜具有一過渡層，該過渡層係同時位於該各披覆層與該

25受鍍工件表面之間以及該各披覆層之間，該過渡層係使用有別

26於披覆層的另一非合金之純金屬材料或非金屬材料，且該過渡

27層與該受鍍工件的表面性質差異係小於該披覆層與該受鍍工件

221的表面性質差異者」之附屬技術特徵。請求項3與請求項2

2附加技術特徵之差異僅在於請求項3除了會在受鍍工件表面形

3成過渡層外，「各披覆層之間也會形成過渡層」。查上證20

4之生產操作紀錄之「蒸鍍」階段，記載調整電子束電流、上、

5下磁圈電流，使得「0.22μ合金靶才開始融開」、「Cr完全

6共融合金靶」、「多層第5層」、「第8層」…「第30層」

7、「最終層33層」，形成最終層33層之TiAlCrN多層合金

8薄膜，而成分從Cr逐漸變化為TiAlCrN之各批覆層相較TiAl

9CrN對於PC受鍍工件之表面性質差異較小為材料本質特性（

10見本院卷一第243頁），已對應揭示前述系爭專利2請求項3

11之附屬技術特徵，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、

12技術手段及功效，故系爭專利2請求項3與上訴人已有之技術

13內容構成實質相同。

14請求項4部分：

15系爭專利2請求項4係依附於請求項1，並界定「該受鍍工件

16係使用為鎢鋼系列之模具或刀具、高速鋼系列之模具或刀具、

17模具鋼之模具或零件以及碳銅之模具或零件任一者」之附屬技

18術特徵。查真空離子蒸鍍之受鍍工件，只要能夠放入真空腔室

19，工件種類及材料並無限制，受鍍工件之選擇屬於申請時的通

20常知識，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段

21及功效，且上證6之TiCrAlN鍍膜測試報告記載受鍍工件為

22螺絲，上證5第79頁記載對碳化鎢銑刀之受鍍工件鍍上TiAl

23CrN鍍膜，上證1第45頁記載可對高速剛進行TiSaN鍍膜，

24上證1第37頁記載對高速剛（SKH55）銑刀進行TiX鍍膜（

25見本院卷一第103、105、161、177至191頁），是前述內

26容亦已對應揭示系爭專利2請求項4之附屬技術特徵，未逸脫

27上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭

231專利2請求項4與上訴人已有之技術內容構成實質相同。

2綜上，系爭專利2請求項1至4與上訴人已有之技術內容構

3成實質相同，雖其中的測試結果報告、工作日誌、工作紀錄、

4操作手冊為被上訴人翁榮財、方敏郎於任職期間所製作，但其

5內容均僅單純對於上訴人已有之機器、製程為紀錄，並無實質

6貢獻可言，上訴人才是對系爭專利2有獨立且完全實質貢獻

7者，是上訴人請求確認系爭專利2之專利申請權為上訴人所

8有，為有理由。

9被上訴人雖稱：CIP-801設備僅有一蒸發源，無法形成系爭專

10利2「各個披覆層皆係以至少二種以上的非合金之純金屬或

11非金屬材料所組成」云云。惟查，上證20記載「蒸鍍」製程

12階段「0.22μ合金靶開始融開」、「Cr完全共融合金靶」、「

13多層第5層」、「第8層」、「第15層（合金靶周圍乾涸）

14」、「第21層（合金靶外乾涸）、「主要鍍膜段（28）」、

15「第30層CH43%」、「最終層33層CH48%」（見本院卷

16一第243頁），顯見其所製作TiCrAlN膜形成有至少二種以

17上的非合金之純金屬或非金屬材料所組成之33層披覆層，是

18被上訴人上開主張自不可採。

19被上訴人應將系爭專利1、2之專利權移轉予上訴人：

20按專利申請權人，除本法另有規定或契約另有約定外，指發明

21人、新型創作人、設計人或其受讓人或繼承人。專利法第5條

22第2項定有明文。準此，專利經核准公告後，專利申請權人成

23為專利權人。而研發成果經專利專責機關核准而得作為專利權

24之客體，已具私法上財產權之屬性，真正之專利申請權人自得

25提起給付之訴，請求冒充申請者返還該專利權，以維護其權利

26。本件系爭專利1、2之專利申請權應歸屬上訴人所有，已如

27前述，被上訴人冒充申請人取得系爭專利1、2自屬不當得利

241，則上訴人依民法第179條規定，請求被上訴人將系爭專利1

2、2之專利權移轉予上訴人，洵屬有據。又上訴人依民法第17

39條規定既已滿足其請求，則其依請求權競合關係另以民法第

4184條第1項前段、第185條規定為請求，本院即無審究必要

5。

6末查，上訴人於原審已主張系爭專利1、2內容為上訴人已有

7之技術，系爭專利1、2之專利申請權為上訴人所有，並提出

8相關證據證明，是上訴人於二審所提之證據僅是補充其上開主

9張，並非提出新攻擊防禦方法，被上訴人抗辯上訴人在二審逾

10時提出新攻擊防禦方法，應生失權效果云云，尚無可取，附此

11敘明。

12四、綜上所述，上訴人依民法第179條規定，請求確認系爭專利1

13、2之專利申請權為上訴人所有，及請求命被上訴人應將系爭

14專利1、2之專利權移轉登記予上訴人，為有理由，應予准許

15。從而，原審就上開應准許部分為上訴人敗訴之判決，尚有

16未洽，上訴論旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為有理由

17，爰由本院廢棄改判如主文第2、3項所示。又上訴人先位聲

18明之請求既為有理由，其追加之備位聲明，本院即毋庸再為

19審究。

20五、本件事證已臻明確，兩造其餘之攻擊或防禦方法及所用之證

21據，經本院斟酌後，認為均不足以影響本判決之結果，爰不

22逐一論列，附此敘明。

23據上論結，本件上訴為有理由，依智慧財產案件審理法第1條，

24民事訴訟法第450條、第78條，判決如主文。

25中華民國110年4月8日

26智慧財產法院第一庭

27審判長法官李維心

251法官林洲富

2法官蔡如琪

3以上正本係照原本作成。

4如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其

5未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀

6(均須按他造當事人之人數附繕本)，上訴時應提出委任律師或具

7有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資

8格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466條之1第1項

9但書或第2項(詳附註)所定關係之釋明文書影本。如委任律師提

10起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。

11中華民國110年4月19日

12書記官邱于婷

13附註：

14民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項)

15對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴

16人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。

17上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為

18法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法

19院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。

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