電子學大意考古題｜歷屆國考試題彙整

兩電壓v1(t) = 8 cos(20πt+13°)及v2(t) = 4sin(20πt+45°)則兩電壓的相位差為多少度？ (A)58 度 (B)45 度 (C)32 度 (D)13 度

pn 接面二極體，p 型和n 型雙邊的摻雜濃度皆為1016cm-3，該接面空乏層厚度為0.2 μm，接面的面積為5 μm5 μm，儲存於pn 接面某一邊的空乏層電荷為多少？ (A)4×10-15 庫倫 (B)8×10-15 庫倫 (C)12×10-15 庫倫 (D)16×10-15 庫倫

有關矽半導體材料之敘述，下列何者正確？ (A)具有五個價電子的雜質加入純矽半導體稱為受體元素 (B)P 型半導體的少數載子是電洞 (C)N 型半導體的多數載子是電洞 (D)純矽的電子濃度等同於電洞濃度

PNP 雙極性接面電晶體的順向主動區模式和逆向主動區模式二者相較，在順向主動區模式時，下列何者正確？ (A)射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較寬 (B)射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍較窄 (C)射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍較寬 (D)射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較窄

有關雙極性接面電晶體偏壓電路之敘述，下列何者正確？ (A)當電晶體未飽和時，β 值會隨工作溫度上升而變小 (B)具射極電阻的分壓式偏壓電路，工作點IC 易隨β 值變動 (C)集極回授式偏壓電路的基極電阻具正回授特性 (D)射極回授式偏壓電路的射極電阻具負回授特性

雙極性接面電晶體如圖所示，在主動區操作，β 值為100，有關電流之敘述，下列何者正確？ (A)電流包括電子流和電洞流，主要電流從射極流向集極 (B)電流包括電子流和電洞流，主要電流從集極流向射極 (C)電流僅電子流，主要電流從射極流向集極 (D)電流僅電子流，主要電流從集極流向射極

如圖，放大器與放大器串接之耦合電容器C 與後級放大器的輸入電阻Ri 一起作用會形成何種電路響應？ (A)低通電路響應 (B)帶通電路響應 (C)高通電路響應 (D)全通電路響應

以增強型N 通道MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？ (A)夾止飽和區作為開關ON 的主要特性區域 (B)截止區作為開關OFF 的主要特性區域 (C)以閘極電壓VGS 控制開關ON 和OFF (D)閘極電壓值VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值RDS 的大小

一晶片含有106個CMOS 邏輯閘，每個邏輯閘負載電容為40 fF。該晶片電源為3.3 V，頻率為500 MHz，該晶片最大總功率散逸為何？ (A)0.2178 W (B)2.178 W (C)21.78 W (D)217.8 W

下列何種方式無法用於運算放大器放大倍數的控制？ (A)負回授 (B)正回授 (C)電流回授 (D)電壓回授

如圖所示，互轉阻值（Transresistance）定義為Rm=vo/ii。若運算放大器A 為無限大，則Rm為何？ (A)0 (B)Rf (C)-Rf (D)無限大

有關積體電路製造廠所使用之矽晶圓，其基材為下列何者？ (A)矽砂 (B)冶金級的矽 (C)單晶矽 (D)多晶矽

一半波整流電路若其輸出的電壓有效值為30 V，其峰值電壓（Vp）為何？ (A)15 V (B)21.2 V (C)42.4 V (D)60 V

圖為全波橋式整流器，二極體的切入電壓為0.7 V，輸入為120 Vrms 之正弦波，當D2、D3 導通時，D1 和D4 受到的逆向峰值電壓（PIV）約為何？ (A)27.58 V (B)39.3 V (C)119.3 V (D)55.86 VRfiiAvoviiiD1D3D2120 Vrms60 Hz150 ΩD4T13:1

如圖所示稽納二極體（Zener Diode）電路，若稽納電壓VZ = 11 V 及稽納內電阻為0 Ω，則稽納二極體所消耗的最大功率約為何（RL=∞）？ (A)1.45 W (B)2.65 W (C)5.45 W (D)8.15 W

如圖所示電路，輸入弦波電壓峰值為110 V，變壓器線圈匝數比為10：1，假設二極體導通電壓為0.7 V，負載電阻RL電壓的峰值為何？ (A)4.8 V (B)-4.8 V (C)10.3 V (D)-10.3 V

倍壓電路的輸出電壓，取自下列何種元件的跨壓？ (A)電感 (B)電阻 (C)電容 (D)二極體

假設理想稽納二極體（Zener Diode）參數如下：VZ= 18 V、IZK= 1 mA、IZM = 45 mA，rZ= 0 Ω，如圖中的稽納二極體仍然可以穩壓工作的前提下，負載的最大電流值為何？ (A)20 mA (B)19 mA (C)5 mA (D)0 mA

如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為0.7 V，則其最大輸出電壓為何？ (A)0 V (B)0.7 V (C)5.55 V (D)6.35 V－＋RLD1Vin(p) = 110 VD2VinVoutVin

如圖所示電路及輸入波形，假設二極體的切入電壓為0.7 V，則輸出電壓的上限為何？ (A)-0.7 V (B)0 V (C)0.7 V (D)10 V

如圖所示之電路，結果得到輸出端VO 為0 V，可能發生的問題為何？ (A)D1 開路 (B)C1 開路 (C)C1 短路 (D)R1 開路

如圖所示電路，D1 為理想二極體，若脈波Vi 的工作週期（duty cycle）為50%且其最大值為4 V、最小值為0 V，則Vo 的平均值為何？ (A)3 V (B)2.5 V (C)2 V (D)1.5 V

有關放大器電路，下列敘述何者與工作點選擇的目的無關？ (A)可調整放大器增益 (B)可調整輸入電阻 (C)可調整輸出訊號失真程度 (D)可調整輸入訊號頻率

某電路中的NPN 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極之電壓為2 V，射極的電壓為1.4 V，集極電壓為1.6 V，此電晶體在下列何工作區？ (A)主動區（Active Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)截止區（Cutoff Region） (D)逆向主動區（Reverse Active Region）＋－VO1 kΩD17VC1V1V2VBBRCRERB47μF15Vrms1kHz0°R1VCC

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，RB = 100 kΩ，β= 99，則VC 應為何？ (A)1.32 V (B)2.72 V (C)3.05 V (D)3.86 V

圖為一個電容式全波整流電路再接一個RC 濾波電路，針對R2 和C2 形成的RC 濾波電路之敘述，下列何者正確？ (A)為高通濾波電路 (B)增益大於1 (C)加入此RC 濾波電路，Vb 的漣波電壓小於Va 的漣波電壓 (D)R2 和C2 形成的RC 濾波電路的轉折頻率為70 Hz

圖中放大器電路VCC=5 V、RB1=30 kΩ、RB2=20 kΩ、RC=RE=1.2 kΩ，電晶體參數為：VBE=0.7 V、β=119，放大器電路消耗的功率約為何？ (A)4.5 mW (B)5 mW (C)5.5 mW (D)6 mWVCRB110 Vrms60 Hz150 ΩT110:1R1600 ΩR2Vb25μF25μFC1VaC2RERB2RB1RCVCC

有關BJT 的爾利效應（Early effect）之敘述，下列何者正確？ (A)爾利電壓（Early voltage）可直接在BJT 的C-E 端點量測取得 (B)考慮爾利效應時，BJT 的輸出電阻值（output resistance）為無窮大 (C)爾利效應是VCE 增加時，則BJT 的有效B 極寬度增加 (D)BJT 在CE 組態時，若VCE 增加時，則BJT 的C 極電流會增加

一雙極性接面電晶體具有以下參數：fT=800 MHz、Cμ=2 pF、Cπ=6 pF，其轉導gm的最接近值為何？ (A)20 mA/V (B)40 mA/V (C)60 mA/V (D)80 mA/V

有關共集極（Common Collector）組態相較於共基極、共射極組態之特性，下列敘述何者正確？ (A)輸入電阻Ri 最高 (B)輸出電阻Ro 最高 (C)電壓增益AV 最高 (D)電流增益AI 最低

圖中放大器電路中電晶體的VTH= -1 V，μpCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸入電阻Rin 為何？ (A)2 kΩ (B)3.6 MΩ (C)9 MΩ (D)∞ Ω

圖中放大器電路中電晶體的VTH= 1 V，VA=∞ V，μnCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸出電阻Rout 為何？ (A)0.5 kΩ (B)1 kΩ (C)5 kΩ (D)10 kΩ

運算放大器並非元件，實際上為積體電路，其內部電路依輸入到輸出可分成三大部分。因運算放大器輸入阻抗很大，其輸入端應為下列何者？ (A)推挽（push-pull）放大器 (B)差動放大器 (C)電壓放大器 (D)電感2 kΩvo5 kΩ6 MΩ30 kΩ9 MΩvsigRinVDDRoutvo∞10 kΩ10 kΩ1 mA∞-VSSvsigvi100 kΩ10 V

如圖所示R1=335 kΩ，R2=125 kΩ，RC=2.2 kΩ，RE=1 kΩ。已知電晶體Q1 之β1=100，rπ1 =200 kΩ；電晶體Q2 之β2=100，rπ2 =2 kΩ。求此電路之電壓增益Vo/Vi 約為何？ (A)-55.82 (B)-5.82 (C)5.82 (D)55.82

NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，集極電流為1.96 mA，α 值為0.98，基極電流為何？ (A)0.02 mA (B)0.04 mA (C)0.06 mA (D)0.08 mA

如圖所示電路，為何種型態之正弦波產生電路？ (A)韋恩電橋振盪電路 (B)RC 相移振盪電路 (C)考畢子振盪電路 (D)哈特萊振盪電路

如圖所示之振盪電路，其電路型態為下列何者？ (A)韋恩電橋振盪電路 (B)無穩態多諧振盪電路 (C)雙穩態多諧振盪電路 (D)單穩態多諧振盪電路VCCR1VCCRCVoQ1Q2CPRECCViR2

在電晶體開關電路中，若論其切換時間，則下列何者正確？ (A)同尺寸下，N-MOSFET 比P-MOSFET 切換時間較長 (B)同尺寸下，NPN 比PNP 雙極性接面電晶體切換時間較短 (C)同尺寸下，C-MOSFET 與P-MOSFET 切換時間相同 (D)同尺寸下，C-MOSFET 比N-MOSFET 切換時間較長

圖示為一無穩態多諧振盪電路，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其正回授迴路之下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL值為何？ (A)-4 V (B)-6 V (C)-8 V (D)-12 V

圖示電路，若電晶體的μnCox(W/L)= 20 mA/V2，RD = 10 kΩ，I = 0.1 mA，則輸入阻抗Rin 約為何？ (A)50 Ω (B)100 Ω (C)250 Ω (D)500 ΩVOVCC1 MΩ500 kΩ0.1 μF1 MΩVCCVDDRDvoC2C1I-VSSRinvi

有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小K 倍，則操作電壓應為何？ (A)增大為K 倍 (B)降低為(1/K)倍 (C)增大為K2 倍 (D)降低為(1/K)2 倍

假設矽二極體在25℃時，其順向跨壓為0.7 V，則當溫度上升至65℃時，其順向跨壓約為何？ (A)0.75 V (B)0.7 V (C)0.65 V (D)0.6 V

磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為20 mA，導通電壓為2.2 V，電路如圖所示，要使此LED 發光，電源應至少提供多少功率？ (A)44 mW (B)46 mW (C)60 mW (D)90 mW

純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？ (A)硼、磷 (B)銦、磷 (C)砷、鎵 (D)鎵、銻

有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？ (A)信號由集極輸入 (B)輸入電阻高 (C)射極電壓的平均值必為0 V (D)又稱為集極隨耦器

一PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓VEB = 0.6 V 時集極電流IC = 0.01 mA，熱電壓VT = 0.0259 V。當VEB = 0.75 V 時IC 約為何？ (A)0.33 mA (B)0.63 mA (C)3.28 mA (D)6.28 mA

如圖所示JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP = -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？ (A)1.9 V (B)9.2 V (C)11 V (D)15 V

空乏型MOSFET 不適合用於下列何者？ (A)線性放大器 (B)壓控電感 (C)壓控電阻 (D)壓控電容40 ΩVDD = 15 VRD = 1.9 kΩRG = 5 MΩ

有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？ (A)輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似 (B)輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (C)輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (D)輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm = vo /ii 為何？ (A)Rf/(1+A) (B)Rf (C)-Rf (D)-Rf/(1+1/A)

有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？ (A)可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性 (B)部分輸出回授至反相輸入端 (C)產生振盪輸出 (D)增加頻寬

如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？ (A)截止區 (B)飽和區 (C)主動區 (D)歐姆區

當15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？ (A)7.5 Hz (B)15 Hz (C)30 Hz (D)435 Hz

在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？ (A)1 倍 (B)2 倍 (C)0.5 倍 (D)4 倍

一個稽納二極體（Zener Diode）在40℃時的最大功率額定值為500 mW，衰減因數為4 mW/℃。則稽納二極體在90℃時消耗的最大功率值為何？ (A)100 mW (B)150 mW (C)200 mW (D)300 mW

圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過1 kΩ 的電流約為何？ (A)12 mA (B)16.9 mA (C)24 mA (D)7.6 mARfiiiiviAvo120 Vrms60 HzREVCERCVBEVCCR1 kΩ250 μFC10：1T1

如圖所示電路，下列何者為全波整流器？ (A)c 與d (B)a 與b (C)a 與d (D)c 與b

有一整流濾波器的直流濾波電壓為20 V，漣波電壓的有效值為0.4 V，則漣波因數為何？ (A)1% (B)2% (C)3% (D)4%

如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (A)電容C1 兩端的電壓為Vm (B)電容C2 兩端的電壓為2 Vm (C)電容C3 兩端的電壓為3 Vm (D)電容C4 兩端的電壓為2 Vm

下圖為何種電路？ (A)並聯二極體截波 (B)串聯二極體截波 (C)上箝位器 (D)下箝位器

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？ (A)30 V、-30 V (B)29.3 V、-29.3 V (C)0.7 V、-0.7 V (D)皆為0 VVmC1C2C3C4RVoV1120 VrmsDRVoutD1D2Vin ＋30 V-30V0 V2.2 kΩ(a)(c)(b)(d)RLRLRLRL

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？ (A)142 V (B)140.7 V (C)100 V (D)99.3 V

圖示電路，VCC = 10 V，RB1 = RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？ (A)截止區（Cutoff region） (B)主動區（Active region） (C)飽和區（Saturation region） (D)逆向主動區（Reverse Active region）

有關溫度對BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？ (A)電流增益β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流IC 無關 (B)基極-射極電壓VBE 會隨溫度上升而下降 (C)逆向飽和電流ICBO 會隨溫度上升而增加 (D)集極電流IC 增加時，會使集極接面溫度上升

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則R 應為何？ (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)165 kΩVP(in)0VoutRL＋16 V5 kΩR0.7 V＋-1 kΩRCRERB1RB2VCC-

使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？ (A)1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA

當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？ (A)rπ (B)re (C)ro (D)1/gm

有一如圖之BJT 電路，若CC1 之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT = 25 mV，β = 100，則Rin 約為何？ (A)0 Ω (B)26.8 Ω (C)10 kΩ (D)無窮大阻抗

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，熱電壓VT = 0.025 V，放大器的輸入電阻Rin 約為何？ (A)2 kΩ (B)2.5 kΩ (C)12 kΩ (D)12.5 kΩ750 kΩ1 kΩ12 V1 kΩ250 kΩRE = 10 kΩviCC1V+ = +10 VvoCC2RC = 5 kΩV- = -10 V10 kΩ2 kΩVCC10 kΩvo∞∞vsigRin1 mAVEERinRin

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，放大器輸出電阻Rout 的最接近值為何？ (A)2 kΩ (B)5 kΩ (C)9 kΩ (D)10 kΩ

圖中放大器電路中電晶體的VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益vo/vi的最接近值為何？ (A)5 V/V (B)10 V/V (C)20 V/V (D)40 V/V

圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？ (A)電壓放大用 (B)截波器 (C)緩衝器 (D)濾波器1 mA∞∞10 kΩVCCRoutvo10 kΩ2 kΩvsigVEEVDD-VSS1 mA10 kΩvovi100 kΩ∞∞10 kΩvsigvovi

如圖為一串級放大電路，已知Q1 和Q2 之參數β 均為120，且rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路中的R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率Vo/Vi 約為何？ (A)-195 (B)-95 (C)95 (D)195

下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合IC 積體電路化？ (A)變壓器耦合 (B)RC 耦合 (C)電感耦合 (D)直接耦合

如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數β1 = β2 = 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗Ro 為何？ (A)32 kΩ (B)8 kΩ (C)500 Ω (D)125 Ω

在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？ (A)低中高頻段均不受影響 (B)高頻響應 (C)中頻響應 (D)低頻響應

如圖所示振盪電路，電路振盪頻率fo 約為何？ (A)3.28 kHz (B)6.56 kHz (C)32.8 kHz (D)65.60 kHzVCCViVoR1R2Q1Q2R3RC1RE1R4RLRE2CC1CC2CC3CEViRi1：26：110：1RoVoib1ib2rπ1ro1ro2rπ2β1ib1β2ib2VCC10 VRC1RB2RB1RC22.2 kΩ22 kΩ22 kΩ1 kΩVO1VO2Q1Q2C1C20.01 μF0.01 μF

圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中OPA 之輸出飽和電壓為15 V，則其下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 為何？ (A)-23/3 V (B)-7/3 V (C)7/3 V (D)23/3 V

下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？ (A)使用負回授電路結構 (B)維持振盪訊號的相位不變 (C)維持振盪訊號的振幅不變 (D)只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則

如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位VTH 和VTL的主要元件為何？ (A)R 和C (B)R1 和R2 (C)R1 和C (D)R1、R2 和C+VCC150 kΩ50 kΩVSVO-VCCVR = +2 V+VCCR1R2VoV+-VCCRC

有關積體電路28 奈米半導體製程技術，這裡所指的28 奈米製程，為下列何種尺寸？ (A)電晶體的閘極長度 (B)電容器的絕緣層厚度 (C)電路的金屬線寬度 (D)金屬間的連結栓直徑

下列何種元件在電流－電壓（I-V）特性曲線的切線斜率會出現負值？ (A)稽納二極體 (B)蕭特基二極體 (C)發光二極體 (D)穿隧二極體

室溫下的N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為1015 cm3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？ (A)多數載子濃度大得多 (B)大約相等 (C)施體離子濃度大得多 (D)兩者無關

下列何種二極體組合其正常工作時皆為逆偏壓？ (A)變容二極體、發光二極體 (B)雷射二極體、稽納二極體 (C)發光二極體、雷射二極體 (D)變容二極體、稽納二極體

雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？ (A)集-射極電壓（VCE） (B)基極電流（IB） (C)電源電壓 (D)連在集極上的電阻

雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為A，基-集極空乏區厚度為B，則其大小關係下列何者正確？ (A)A>B (B)A=B (C)A<B (D)不一定

圖示之電路，雙極性電晶體β=100，基-射極導通電壓VBE=0.7 V，集-射極電壓VCE 約為何？ (A)3.72 V (B)6.72 V (C)9.72 V (D)12.72 V

有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？ (A)射極對基底 (B)汲極對基底 (C)閘極對源極 (D)源極對基底

某一n 通道JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓VGS=5 V 且源極電阻RS=2 kΩ，則汲極電流ID大小與方向為何？ (A)2.5 mA、由汲極流向源極 (B)2.5 mA、由源極流向汲極 (C)10 mA、由汲極流向源極 (D)10 mA、由源極流向汲極

一差動放大器的Ad=100，Acm=0.5，兩個輸入分別是Va(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，Vb(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，此差動放大器的輸出Vo(t)？ (A)Vo(t)=2cos(2400t)+0.1cos(260t) (B)Vo(t)=cos(2400t)+0.2cos(260t) (C)Vo(t)=2cos(2400t)+0.2cos(260t) (D)Vo(t)=4cos(2400t)+0.1cos(260t)10 kΩ1 kΩ1 kΩ5 kΩR1R2RCREVCC=+15 V

如圖之運算放大器電路，R1 與C 串聯。Vi 為直流時，V0/Vi 為何？ (A)R2/R1 (B)0 (C)1+R2/R1 (D)R2/C

承上題，電容C 接於電阻R1 和運算放大器負輸入端之間。Vi 電壓為極高頻時，V0/Vi 值趨近於下列何者？ (A)R2/R1 (B)1+R2/R1 (C)R2/C (D)1+R2/C

如圖所示電路，若兩個二極體的切入電壓均為0.7 V，當V1=9 V 及V2=0 V，則ID1 約為何？ (A)0.25 mA (B)0.5 mA (C)0.75 mA (D)1 mA

假設二極體導通電壓為0.7 V，如圖所示電路，欲使輸出正半波峰值電壓為7 V，Z1 之稽納（Zener）電壓應為何？ (A)6.3 V (B)7.7 V (C)13 V (D)19.3 V

橋式整流提供一穩定電壓如圖，Vi=250sin(ωt) V，ω 為角頻率，二極體導通電壓為0.7 V，稽納二極體的崩潰電壓為6 V，流過150 Ω 電阻的電流為何？ (A)50 mA (B)40 mA (C)83 mA (D)233 mACViV0R1R20.5 kΩ0.5 kΩ10.5 kΩV1V2VOD1ID1D2ID21.0 kΩZ1R15 V20 V20 V0Vout150 ΩRC6 VD2T1Vi10:1++～

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 為正弦波，頻率為60 Hz，峰值電壓為110 V，負載RL的平均功率約為何？ (A)0.21 W (B)0.24 W (C)0.28 W (D)0.42 W

下圖實驗電路中，測量Vo 端波形時發現漣波因數太大，下列何者可有效降低漣波因數？ (A)降低電容C 值 (B)將二極體反接 (C)降低電阻RL值 (D)增加Vi 的頻率

圖為倍壓器電路，輸入端電壓訊號的頻率為60 Hz，則輸出端的漣波頻率為何？ (A)120 Hz (B)60 Hz (C)180 Hz (D)90 Hz

如圖所示電路及輸入波形，若二極體的切入電壓為0.7 V，二極體的峰值順向電流約為何？ (A)73 mA (B)80 mA (C)83 mA (D)90 mA

圖為橋式整流電路，輸入信號為80 Vrms 之正弦波，二極體視為理想，輸出波形之平均值約為何？ (A)71.94 V (B)35.97 V (C)50.88 V (D)113.12 V220 Ω1000 μFVinFD1D2D3D4CRL輸出10:1RLVoViVCCR1100 Ω120 Vrms60 HzC1500 μFC2500 μFViD1D2Vo+～++45 ΩR+4 V4 V01 kΩVo80 Vrms+～