電子工程 114 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

114 年選

第 1 題

有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小K 倍，則操作電壓應為何？

(A)增大為K 倍

(B)降低為(1/K)倍✓ 正解

(C)增大為K2 倍

(D)降低為(1/K)2 倍

114 年選

第 2 題

假設矽二極體在25℃時，其順向跨壓為0.7 V，則當溫度上升至65℃時，其順向跨壓約為何？

(A)0.75 V

(B)0.7 V

(C)0.65 V

(D)0.6 V✓ 正解

114 年選

第 3 題

磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為20 mA，導通電壓為2.2 V，電路如圖所示，要使此LED 發光，電源應至少提供多少功率？

(A)44 mW

(B)46 mW

(C)60 mW✓ 正解

(D)90 mW

114 年選

第 4 題

純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？

(A)硼、磷

(B)銦、磷

(C)砷、鎵✓ 正解

(D)鎵、銻

114 年選

第 5 題

有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？

(A)信號由集極輸入

(B)輸入電阻高✓ 正解

(C)射極電壓的平均值必為0 V

(D)又稱為集極隨耦器

114 年選

第 6 題

一PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓VEB = 0.6 V 時集極電流IC = 0.01 mA，熱電壓VT = 0.0259 V。當VEB = 0.75 V 時IC 約為何？

(A)0.33 mA

(B)0.63 mA

(C)3.28 mA✓ 正解

(D)6.28 mA

114 年選

第 7 題

如圖所示JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP = -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？

(A)1.9 V

(B)9.2 V✓ 正解

(C)11 V

(D)15 V

114 年選

第 8 題

空乏型MOSFET 不適合用於下列何者？

(A)線性放大器

(B)壓控電感✓ 正解

(C)壓控電阻

(D)壓控電容40 ΩVDD = 15 VRD = 1.9 kΩRG = 5 MΩ

114 年選

第 9 題

有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？

(A)輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

(B)輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似

(C)輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似✓ 正解

(D)輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

114 年選

第 10 題

如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm = vo /ii 為何？

(A)Rf/(1+A)

(B)Rf

(C)-Rf

(D)-Rf/(1+1/A)✓ 正解

114 年選

第 11 題

有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？

(A)可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性

(B)部分輸出回授至反相輸入端

(C)產生振盪輸出✓ 正解

(D)增加頻寬

114 年選

第 12 題

如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？

(A)截止區✓ 正解

(B)飽和區

(C)主動區

(D)歐姆區

114 年選

第 13 題

當15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？

(A)7.5 Hz

(B)15 Hz✓ 正解

(C)30 Hz

(D)435 Hz

114 年選

第 14 題

在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？

(A)1 倍

(B)2 倍✓ 正解

(C)0.5 倍

(D)4 倍

114 年選

第 15 題

一個稽納二極體（Zener Diode）在40℃時的最大功率額定值為500 mW，衰減因數為4 mW/℃。則稽納二極體在90℃時消耗的最大功率值為何？

(A)100 mW

(B)150 mW

(C)200 mW

(D)300 mW✓ 正解

114 年選

第 16 題

圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過1 kΩ 的電流約為何？

(A)12 mA

(B)16.9 mA✓ 正解

(C)24 mA

(D)7.6 mARfiiiiviAvo120 Vrms60 HzREVCERCVBEVCCR1 kΩ250 μFC10：1T1

114 年選

第 17 題

如圖所示電路，下列何者為全波整流器？

(A)c 與d

(B)a 與b

(C)a 與d✓ 正解

(D)c 與b

114 年選

第 18 題

有一整流濾波器的直流濾波電壓為20 V，漣波電壓的有效值為0.4 V，則漣波因數為何？

(A)1%

(B)2%✓ 正解

(C)3%

(D)4%

114 年選

第 19 題

如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？

(A)電容C1 兩端的電壓為Vm

(B)電容C2 兩端的電壓為2 Vm

(C)電容C3 兩端的電壓為3 Vm✓ 正解

(D)電容C4 兩端的電壓為2 Vm

114 年選

第 20 題

下圖為何種電路？

(A)並聯二極體截波

(B)串聯二極體截波✓ 正解

(C)上箝位器

(D)下箝位器

114 年選

第 21 題

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？

(A)30 V、-30 V

(B)29.3 V、-29.3 V

(C)0.7 V、-0.7 V✓ 正解

(D)皆為0 VVmC1C2C3C4RVoV1120 VrmsDRVoutD1D2Vin ＋30 V-30V0 V2.2 kΩ(a)(c)(b)(d)RLRLRLRL

114 年選

第 22 題

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？

(A)142 V

(B)140.7 V✓ 正解

(C)100 V

(D)99.3 V

114 年選

第 23 題

圖示電路，VCC = 10 V，RB1 = RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？

(A)截止區（Cutoff region）

(B)主動區（Active region）

(C)飽和區（Saturation region）✓ 正解

(D)逆向主動區（Reverse Active region）

114 年選

第 24 題

有關溫度對BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？

(A)電流增益β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流IC 無關✓ 正解

(B)基極-射極電壓VBE 會隨溫度上升而下降

(C)逆向飽和電流ICBO 會隨溫度上升而增加

(D)集極電流IC 增加時，會使集極接面溫度上升

114 年選

第 25 題

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則R 應為何？

(A)1 kΩ

(B)10 kΩ

(C)100 kΩ

(D)165 kΩVP(in)0VoutRL＋16 V5 kΩR0.7 V＋-1 kΩRCRERB1RB2VCC-✓ 正解

114 年選

第 26 題

使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？

(A)1 mA

(B)2 mA

(C)3 mA

(D)4 mA✓ 正解

114 年選

第 27 題

當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？

(A)rπ

(B)re

(C)ro✓ 正解

(D)1/gm

114 年選

第 28 題

有一如圖之BJT 電路，若CC1 之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT = 25 mV，β = 100，則Rin 約為何？

(A)0 Ω

(B)26.8 Ω✓ 正解

(C)10 kΩ

(D)無窮大阻抗

114 年選

第 29 題

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，熱電壓VT = 0.025 V，放大器的輸入電阻Rin 約為何？

(A)2 kΩ

(B)2.5 kΩ✓ 正解

(C)12 kΩ

(D)12.5 kΩ750 kΩ1 kΩ12 V1 kΩ250 kΩRE = 10 kΩviCC1V+ = +10 VvoCC2RC = 5 kΩV- = -10 V10 kΩ2 kΩVCC10 kΩvo∞∞vsigRin1 mAVEERinRin

114 年選

第 30 題

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，放大器輸出電阻Rout 的最接近值為何？

(A)2 kΩ

(B)5 kΩ

(C)9 kΩ✓ 正解

(D)10 kΩ

114 年選

第 31 題

圖中放大器電路中電晶體的VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益vo/vi的最接近值為何？

(A)5 V/V

(B)10 V/V✓ 正解

(C)20 V/V

(D)40 V/V

114 年選

第 32 題

圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？

(A)電壓放大用

(B)截波器

(C)緩衝器✓ 正解

(D)濾波器1 mA∞∞10 kΩVCCRoutvo10 kΩ2 kΩvsigVEEVDD-VSS1 mA10 kΩvovi100 kΩ∞∞10 kΩvsigvovi

114 年選

第 33 題

如圖為一串級放大電路，已知Q1 和Q2 之參數β 均為120，且rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路中的R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率Vo/Vi 約為何？

(A)-195

(B)-95✓ 正解

(C)95

(D)195

114 年選

第 34 題

下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合IC 積體電路化？

(A)變壓器耦合

(B)RC 耦合

(C)電感耦合

(D)直接耦合✓ 正解

114 年選

第 35 題

如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數β1 = β2 = 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗Ro 為何？

(A)32 kΩ

(B)8 kΩ

(C)500 Ω✓ 正解

(D)125 Ω

114 年選

第 36 題

在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？

(A)低中高頻段均不受影響

(B)高頻響應

(C)中頻響應

(D)低頻響應✓ 正解

114 年選

第 37 題

如圖所示振盪電路，電路振盪頻率fo 約為何？

(A)3.28 kHz✓ 正解

(B)6.56 kHz

(C)32.8 kHz

(D)65.60 kHzVCCViVoR1R2Q1Q2R3RC1RE1R4RLRE2CC1CC2CC3CEViRi1：26：110：1RoVoib1ib2rπ1ro1ro2rπ2β1ib1β2ib2VCC10 VRC1RB2RB1RC22.2 kΩ22 kΩ22 kΩ1 kΩVO1VO2Q1Q2C1C20.01 μF0.01 μF

114 年選

第 38 題

圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中OPA 之輸出飽和電壓為15 V，則其下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 為何？

(A)-23/3 V

(B)-7/3 V✓ 正解

(C)7/3 V

(D)23/3 V

114 年選

第 39 題

下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？

(A)使用負回授電路結構✓ 正解

(B)維持振盪訊號的相位不變

(C)維持振盪訊號的振幅不變

(D)只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則

114 年選

第 40 題

如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位VTH 和VTL的主要元件為何？

(A)R 和C

(B)R1 和R2✓ 正解

(C)R1 和C

(D)R1、R2 和C+VCC150 kΩ50 kΩVSVO-VCCVR = +2 V+VCCR1R2VoV+-VCCRC