電子工程 101 年電子學大意考古題

如下圖所示之差動放大器，其輸出電壓Vo

1QQ =2如下圖之MOS差動放大器（Differential Amplifier），，其臨界電壓（Threshold Voltage），爾利電壓（Early Voltage）VV5.0Vt =0VV2G1G==∞→。當A時，若電晶體工作於飽和模式（Saturation Mode），其汲極電流I2D與閘源電壓的關係為GSV)VV(2ItGSD−=(mA)。則輸入之共模電壓（Common-mode Voltage）VCM之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？

在材料實驗室新領到MOSFET IC 時，常見到此IC 腳擺置在IC 套管內，其主要目的是：

在下列各選項中，那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓（Threshold Voltage）V 的影響最小：toxε

某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其關係如下圖所示，則此FET 為：

如下圖所示之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode Region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區（Saturation Region）？VDDR1M1R2VoViVb +-～

如下圖電路，設二極體為理想二極體。則此電路的輸出電壓V 為何？o

利用三用電錶電阻量測功能來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為高值，則表示此二極體的狀況最可能是：

關於P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？

下列何者是形成pn 接面位能障礙（Barrier）的主要原因？

雙極性接面電晶體I逆向電流受環境溫度之影響是：CBO

如下圖所示放大器，若電晶體操作於主動區（Forward Active Region）假設C 為無窮大且忽略爾利效應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者正確？

如下圖所示電路，何者提供直流偏壓的負回授？

當一BJT電晶體工作在主動模式（Active-Mode）時，IBC、IE間之大小關係為何？

雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸出阻抗最小？

共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為：

如下圖所示之電路，若BJT操作在主動區（Forward Active Region），轉導值(gm)為10 mA/V，，若忽略元件之輸出阻抗，試求)r( o=io V/V？VoVCCQViVb+-1kΩ10kΩ

如下圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數、、及輸出電阻均為已知，各外加電容均極大。若電晶體之mgerπriovvvA ≡or∞→or1≅α為：，，則電壓增益

如下圖所示之理想運算放大器電路，其中，求輸出電壓為何？

有一放大器電路如下圖所示，放大器為理想的運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V之間，二極體順向電壓。若電阻1U1DV7.0V 0D =kΩ1R1 =V5V1 =，交流電源，試問節點C 的輸出電壓應落在下列何範圍內？CV

下圖中電路的放大器為一理想運算放大器，此電路的輸入電阻為何？

下圖中為一轉阻放大器，其電壓輸出為何？oV

如下圖所示之電路，其MOS 電晶體參數：，，VVTN4.0=0=λ，；假如，V3.3=φVvI3.3=，求準穩態（quasi steady-state）輸出電壓為何？

有一邏輯閘電路如下圖所示，其中數位邏輯閘使用整個電路相同的電源與接地，但並未顯示於此電路圖中，而且輸入電壓大致以為高低準位的判斷界限。設NOR 閘、的延遲時間DDV2/VDD1U2UNORτ遠小於電阻R 電容C 所組成的時間常數RCRC =τ，今於A 點輸入一脈波如下圖所示，其中1 代表高準位，0 代表低準位，此脈波在第Ⅱ區的寬度RCtτ>>。試研判針對輸出Y 的波形何者描述最為可能？tA100ⅠⅡⅢ

下圖電路為一個使用增強型PMOS 及NMOS 所組成之邏輯閘電路，請問此電路所實現之輸出Y 為何？

下圖CMOS 邏輯閘的輸入端為A 和B，輸出Y 以正邏輯表示為何？

有一BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓VT=25mV，IC=1mA，則該BJT之小訊號參數rπ值為：

在BiCMOS 的數位電路中，使用BJT 電晶體是基於它的那一個優點？

下列那一種記憶體在儲存資料設定後不會再更改？

下圖為交換電容積分器電路（Switched-Capacitor Integrator），已知為理想運算放大器，1Φ1U與2Φ 為不重疊的雙相時脈（Nonoverlapping Two-Phase Clock），用來控制電晶體的開關狀態。若欲獲得反相輸出，試問、與C 之時脈如何規劃？41M~MABC2

一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的MOSFET，若其過驅電壓（Overdrive Voltage）VOV增為兩倍，則其汲極電流ID會如何變化？

下圖中高通濾波器運算放大器電路，下，其高頻增益為15，低頻響應之角頻率kΩ20R1 =)(ω為5×103 rad/s，試求及值為何？2RC

如下圖所示之理想運算放大器振盪電路，mHL1=，C1 = C2 = 30pF，若不考慮對回授網路之負載效應，當電路振盪時其振盪頻率為何？1R

下圖振盪器電路中，若、kΩ1001 =RkΩ2002 =RkΩ1003 =R，則振盪頻率約為多少？、及

如下圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，，，mVVT26=，，，忽略爾利（Early）效應以及其它電容效應，求輸入端之-3 dB 頻率為何？pF3=μCpF24C=π

如下圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與元件內之極間電容效應，假使此BJT 之轉導（transconductance）為70 mA/V，100=β，求此電路之轉折（corner）頻率為何？VCCVoRC50kΩ10kΩ1μFVin

有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中：⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+×−=435104110611021)(πππssssF試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？

下圖中、kΩ11 =RkΩ12 =R、。則此電路之-3 分貝頻率約為多少？μF11 =C

如下圖為一MOSFET 共源極架構放大器，下列何者是其高-3 dB 頻率？VDDR

如下圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值為1 mA / V。若忽略元件之輸出阻抗，為V)g(m)r( ooVo+及Vo-間之壓差，為ViVi+及Vi-間之壓差，試求Vo / Vi =？