電子工程 106 年電子學大意考古題

一幾何比W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV（OverdriveVoltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的：

對於場效電晶體（FET），下列敘述何者錯誤？

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？

有關新一代半導體科技技術的發展，下列何者敘述較不符合目前的發展趨勢？

將一個n-通道增強型MOSFET 操作在飽和區時，下列何者正確？

對於一個PN 接面二極體在順偏（forward bias）的條件下，下列何者正確？

關於CMOS 反相器（inverter）功率消耗的敘述，下列何者錯誤？

有一n 通道的MOS 電晶體，其μnCox = 50 μA/V2，VT,on = 1.0 V，λn =(0.1/L)V-1，其中L 的單位為μm，若W = 10 μm，L = 10 μm，VDS = 4 V，試求欲使gm = 50 μA/V，則VGS 應為多少？

一個運算放大器，若V+ = +10 mV 而V- = -10 mV，那共模輸入電壓（Common-mode input voltage）為：

如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知電阻R1 = 1 kΩ、R2 =2 kΩ、R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當vI = 3 V 時，下列敘述何者正確？

如圖所示電路，Ao = 105，求此電路之閉迴路電壓增益約為何？

vi(t) = 50sin(377t) volt 的輸入信號分別經中間抽頭型變壓器及橋式全波整流電路整流後，流過負載之電壓信號頻率分別為fo1 及fo2，則(fo1+fo2)為多少Hz？

理想變壓器中負載電阻為R2 = 2 Ω如圖，測得輸入等效電阻R1 = 8 Ω，則次級電壓（V2）、初級電流/次級電流比（I1/I2）及線圈匝數比（N1：N2）等有關之敘述，何者正確？

橋式整流電路中，理想二極體之逆向峰值電壓（PIV）為電源峰值的多少倍？

如下圖所示，若輸入電壓Vi = 20 V 且稽納二極體的VZ = 10 V，則輸出Vo 為：

下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓vi 為振幅110 V 的正弦波且C 值很大時，則輸出電壓Vo 約為：

下圖為全波整流器。輸入信號為弦波，vs(t) = 5sin10t 伏特，各二極體D1～D4 之導通電壓皆為0.7 V，導通電阻為0 Ω。則輸出vo(t)之最大值為何？

下圖為一整流器，若二極體之導通電壓為0 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波vi(t) = 5sin(10πt) V，若輸出vo 漣波電壓＜0.1 V，R = 100 kΩ，則電容C 之最小值為何？

下圖電路中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω。電容C 兩端之初始跨壓為0 V，則其穩態跨壓vC 為何？

下圖中二極體D1 與D2 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波vi(t) = 5sin10t 伏特，R1，R2，R3 皆為10 Ω，則電阻R1 之最大電流值為何？

關於圖(a)與(b)電路之敘述，若二極體為理想，Vp1 與Vp2 為Vo1 與Vo2 之峰值電壓，下列何者正確？

下列有關雙極性電晶體（BJT）偏壓電路之共射極（CE）組態放大器的特性敘述，何者正確？

圖中電晶體M1 與M2 之寬長比為(W/L)1：(W/L)2 = 4：1，臨界電壓（VT）皆為0.8 V，若Vol = 1 V，則Vo2 =？

圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型，輸入為vs，輸出為vo。關於本放大器的敘述下列何者正確？

具有臨界電壓Vth = 1.5 V 且μnCox(W/L) = 1 mA/V2 的增強型MOSFET 放大器中，電晶體的輸出直流電壓為VDSQ = 5 V，直流電源VGG 約為多少？

臨界電壓Vth = 1.5 V 的增強型MOSFET 所構成如圖之放大器中，流經R2 = 50 kΩ及1.5 kΩ的直流偏壓電流分別為0.15 mA 及4 mA，該放大器的小信號電壓增益為何？

下列何者並非使用差動對放大器的好處？

如圖為MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation mode）之π 型小訊號等效電路，其中參數轉導gm與汲極電流ID 的關係約為：

有一n 通道MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該MOSFET之臨界電壓Vt = 0.5 V。當VGS = 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之VDS 最小值為何？

如圖示電路，VCC = +10 V，RB1 = 200 kΩ，RB2 = 200 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 1 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，則此電晶體工作在：

如圖所示為一波形產生電路，該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器C 處於放電狀態，則在此瞬時間，下列那一敘述為正確？其中施加於理想OPA 之電壓為± 12 V。

三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示，並且測得其輸出頻率為f，則下列那一種組合的改變可使其輸出頻率為原來的4 倍＝4f？兩OPA 可視為理想。

由β1 = 80 及β2 = 100 的電晶體Q1 及Q2 所構成RC 串級放大電路如圖，第1、第2 單級放大電路的基極直流偏壓電流IB1 與IB2 均為25 μA，且測得Ri2 = 4 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓VT = 25 mV。

如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β = 100，VBEactive = 0.7 V，忽略爾利效應。VT = 25 mV，求低頻3 dB 頻率（選最接近之值）？

如圖雙穩態電路，其R1 = 10 kΩ且R2 = 20 kΩ，若在t =0 時輸出電壓vo 飽和在-10 V；當在t＞0 時，輸出電壓vo 突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V；試問在t > 0 時，引起輸出電壓vo 突然轉態的輸入電壓vI 狀態為何？

有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)=VO(s)/VI(s)如下所示，其中s=jω=j2πf：2106110)(×+=πsssF，今製作相角∠F(s)的波德曲線圖（Bode plot），欲估計在頻率f = 3 kHz 時的相角，下列何者正確？

如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 0.838 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 24 pF，Cμ = 3 pF，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，求相關於輸出端之3 dB 頻率為何？

如圖之電路，L1 = L2 = 1 mH，C = 30 pF，若不考慮R1 對回授網路之負載效應，振盪發生時其振盪頻率為何？

矽二極體逆向偏壓時，在電路上會有一個等效並聯寄生電容Cj，這個電容的主要電荷來自下列何者？

雙極性接面電晶體（BJT）固定偏壓電路加入射極電阻後，可提高工作點穩定度，這是一種：