電子工程 103 年電子學大意考古題

有一BJT 電晶體之集極電流為4.9mA，射極電流為5mA，求此電晶體之β 約為多少？ (A)4.9 (B)49 (C)99 (D)999

下列關於雜訊邊界的描述何者正確？ (A)絕對雜訊邊界定義為高邏輯邊界與低邏輯邊界二者中的最大者 (B)雜訊邊界愈大表示邏輯電路抗拒雜訊能力愈強 (C)雜訊邊界表示輸入訊號的最大值 (D)雜訊邊界會隨輸入電壓而改變

CMOS 反相器的操作電壓為3V，輸出端等效電容為10fF，當操作在500MHz 時，其動態功率消耗為多少？ (A)15 μW (B)45 μW (C)75 μW (D)135 μW

欲將矽質BJT 電晶體改為齊納（Zener）二極體使用，通常應將E、B、C 三個引線腳中之那一腳剪掉不用？ (A)E (B)B (C)C (D)任一腳均可

下列何種效應對崩潰二極體所造成的崩潰電壓較大？ (A)爾利效應（Early Effect） (B)雪崩效應（Avalanche Effect） (C)米勒效應（Miller Effect） (D)齊納效應（Zener Effect）20022002sQssaVVsTIo200202sQssaVVsTIo20020sQssaVVsTIo200201sQsaVVsTIo

在室溫下的熱電壓VT 的值約為多大： (A)25 mV (B)0.3 V (C)0.7 V (D)1 V

考慮一低通（low-pass）濾波器之截止帶（stopband）的傳輸不大於通帶（passband）傳輸的1%，求其最小所需截止帶傳輸Amin.： (A)3 dB (B)10 dB (C)20 dB (D)40 dB

調諧放大器（Tuned Amplifier）是何種濾波器？ (A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒

若一BJT 放大器之驅動電晶體，是由一共射（Common-Emitter）電晶體的集極接一共基（Common-Base）電晶體的射極所構成，則此放大器為： (A)達林頓（Darlington）放大器 (B)疊接（Cascode）放大器 (C)差動（Differential）放大器 (D)運算（Operational）放大器

雙極性接面電晶體（BJT）中雜質摻雜濃度最高者一般為： (A)集極 (B)基極 (C)射極 (D)閘極

某兩級串接放大器，各級電壓增益分別為20 dB 和40 dB。若第一級放大器輸入端加入峰值為2 mV的訊號，在不失真情況下，第二級之輸出訊號的峰值為多少？ (A)400 mV (B)800 mV (C)2 V (D)8 V

通常半波整流電路，最少需搭配使用幾個二極體？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個

齊納二極體（Zener Diode）主要常應用於何種電路？ (A)整流 (B)穩壓 (C)開關 (D)放大

如圖所示反相放大器（Inverting Amplifier），其中電容C 與電阻R3為抑制運算放大器的輸入偏移電壓（Offset Voltage，Vos）與輸入偏置電流（Input Bias Current，IB）造成輸出的偏移電壓影響，則下列何者錯誤？ (A)低頻3 dB 頻率為：1/2π R1C (B)R3=R1R2/（R1+R2） (C)高頻電壓增益（Vo / VIN）為：-R2/R1 (D)高頻輸入阻抗為：R1

如圖所示為電阻R1、R2、R3，以及運算放大器組成的電壓放大器。R3 的作用使運算放大器的輸入偏置電流（Input Bias Current）在輸出所產生偏移電壓（Offset Voltage）有效降低。若R2=60 kΩ 、R3=10 kΩ ，則R1 的電阻值為： (A)8 kΩ (B)10 kΩ (C)12 kΩ (D)15 kΩ

如圖所示，電路U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電阻R1=1 kΩ 、R2=2 kΩ 。當vI =5 V 時，輸出電壓vo 約為多少？ (A)4 V (B)3 V (C)2 V (D)0 VR2R1R3VINCVOR2VOR3R1VINR2R1D1D2U1vIvO+－

如圖電路，設二極體為理想二極體。則通過二極體之電流I 為何？ (A)0.1 mA (B)0.5 mA (C)0.75 mA (D)1.25 mA

有關下圖電路的特性敘述，何者錯誤？ (A)這是一個半波整流電路 (B)Vo 可以輸出Vi 兩倍峰值電壓 (C)是一個倍壓電路 (D)若C1 及C2 夠大，漣波電壓就會相當小

如圖所示之電路，其中二極體VD,on =0.7 V，電晶體VBE(on) =0.7 V，則I1 為多少？ (A)0 mA (B)0.26 mA (C)1.05 mA (D)1.25 mA

圖示理想二極體電路，電壓Vo 為若干？ (A)-5 V (B)-3 V (C)0 V (D)3 V+12 V +20 V10 kΩ10 kΩ6 kΩ6 kΩVoIViN1：N2VsD2VoD1C1C2Vo5V4 kΩI110 kΩ0.1 V5 VD2+5 V-5 V4 kΩ1 kΩVoD1

如圖示之放大器，若電晶體須維持操作於飽和區，且忽略其輸出阻抗效應，下列敘述何者錯誤？ (A)增加RG 及同時減低ID (B)增加RS 及同時減低ID (C)減少寬長比（W/L）及同時減低ID (D)增加VDD 及同時增加ID

如圖為MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation-mode）之π 型小訊號等效電路，其中gmro 的乘積與汲極電流ID 的關係約為： (A)gmro 正比於1/ID (B)gmro 正比於1/ (C)gmro 正比於 (D)gmro 與ID 無關

圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1V、μnCox（W/L）= 2mA /V2，欲電晶體在飽和區工作，電阻RD 的最大值約為若干kΩ ？ (A)1 (B)2 (C)3 (D)4

圖示電路，若RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ，電晶體的輸出阻抗ro = 10 kΩ ，電壓增益Av = vo/vi = - 4，則Rin 約為若干？ (A)∞ (B)10 MΩ (C)5 MΩ (D)2 MΩVDDVORSViCIDRGGDSrogmvgsvgs1 kΩ3 MΩ2 MΩRD5 VVDDRDRGRinvivo∞∞

如圖所示之電路，若電晶體之rπ= 1 kΩ ，CC = 1 μF，R1 = 10 kΩ ，R2 >> rπ，CL= 10pF，gm = 1 mA/V，下列敘述何者正確？ (A)低頻 -3dB 頻寬(ω L)為1k rad/sec (B)高頻 -3dB 頻寬(ω H)為1k rad/sec (C)高頻之單一增益頻寬（Unity-gain bandwidth）為10M rad/sec (D)增加CC 將使放大器平坦增益（flat gain）之頻寬減少

分析如下圖之電路，若MOSFET 操作在飽和區且轉導值gm為1 mA /V。元件之輸出阻抗ro，Rb1，Rb2，C1，C2 皆為無窮大，試求io/VV： (A)0 (B)5 (C)10 (D)20

圖示為衛德勒（Wilder）電流源，此電路的特色為： (A)使用較大的電阻RE 來輸出大電流IO (B)使用較大的電阻RE 來輸出小電流IO (C)使用較小的電阻RE 來輸出大電流IO (D)使用較小的電阻RE 來輸出小電流IO

圖示差動放大器中，對於電阻Re 的主要功用，下列敘述何者錯誤？ (A)降低差模電壓增益 (B)增加負回授的穩定特性 (C)降低輸出阻抗 (D)提高差模輸入電壓的線性放大範圍VCCVoViR2R1CLCCQVDD10 kΩVbRb210 kΩVoVbRb1ViIbC1C2M2M1VCCRREFQ2Q1REIOVCCRCRCvovid ReRe-VEEIQ1Q2

如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 1 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 100 fF，Cμ= 10 fF，忽略爾利（Early）效應與其他電容效應，採用米勒（Miller）趨近法，假使RL值為40 Ω ，則其輸入電容之值為何？ (A)39.4 fF (B)49.4 fF (C)59.4 fF (D)69.4 fF

如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極性接面電晶體的π 型小訊號等效電路，若集極電流為IC。爾利電壓（Early voltage）為VA，熱電壓為VT，則下列敘述何者錯誤？ (A)gm = IC/VT (B)ro = VA/IC (C)rπ = VT/IC (D)gmrπ = β

下圖是雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態的小訊號電路模型，其輸出電阻RO 為何？ (A)RC (B)ro (C)RC // ro (D)RC // ro // RBVCCVinRLVovbeBCrogmvberπEViVoRoRCrorπRBRiβib