電子工程 103 年電子學考古題
題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。
如下圖所示為一pseudo NMOS 反相器， V 5.0 V V tp tn ， V 3 VDD ， p p n n (W/L) 8k (W/L) k , , ： ㈠ 當 DD I V v 時，求vO。此時QN 與QP 各處於何種狀態？（截止區、飽和區、三極 管區三者之一）說明理由。（10 分） ㈡ 若vI為㈠ 小題解出的vO值時，vO值為何？此時QN與QP各處於何種狀態？（10 分）
如下圖所示，電路中兩個運算放大器（Operational Amplifier , OPAMP）均為理想 OPAMP。求輸入阻抗Z(s)。（20 分） vI vO QN QP VDD A1 A2 Z(s) R R R R C 103年特種考試地方政府公務人員考試試題
有一個放大器，其開路增益之轉換函數為 ) f f j 1 )( f f j 1( 0 0 50 ) f( A 2 1 其中f2 = 100 kHz，f1 可外接電容加以調整。將此電路接成迴授電路使其具有低頻迴 授增益為－100，且有45 的相位邊限（phase margin）。求解f1 值？（20 分）
如下圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，點線框內為放大器A 的 等效電路。求振盪頻率以及維持振盪所需的最小K 值，以ro，RL，C1，C2，L 表之。 （20 分）
請回答下列問題：（每小題10 分，共20 分） ㈠ 有一個二極體，其電壓電流特性為 1) ) (exp(V/V I I T S ，將此二極體施以順偏壓， 使其電流為ID。若再加以小信號電流id，問對應的小信號電壓vd 應為多少？ ㈡ 一個以空乏型N-MOSFET 作為負載、增強型N-MOSFET 作為推動電晶體的放大 器。說明負載電晶體的本體效應（Body effect）對放大器增益的影響。 RL AA C2 C1 L vi vo vo ro Kvi vi A