GS
D
+
=
,而nMOSFET 飽和區電流公式為
mA
)
7.0
V
(
2
I
2
GS
D
−
=
。VGS 為gate 到source 之電壓,單位為伏特。vi 為小幅訊號
電壓源。RL = 4KΩ, C =∞。(15 分)
已知二電晶體均操作於飽和區,試求VBB 值。
利用
之結果,計算小幅訊號電壓增益
i
o
υ
v
v
A =
。
二、TTL 電路如圖所示,假設βF = 30, βR = 0.2, VBE(active) = 0.7V, VBE(saturation) = 0.8V,
VCE(saturation) = 0.1V, VBC(reverse-active) = 0.7V, fan-out = 1。(20 分)
繪出Vo 對Vi 之關係圖,並標出各轉折點之Vi 與Vo 值。
若移去Q6,亦即R5 和R6直接由圖中B 點連接至地,請重新繪出Vo 對Vi 之關係圖,
並標出各轉折點之Vi 與Vo 值
(請接背面)
+
-
4V
vi
vo
RL
C
VBB
Q2
Q1
5V
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Vi
Vo
2.8K
0.9K
50
3.5K
2K
0.25K
R5
R 6
B
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
vi
vo
九十一年公務人員高等考試三級考試第二試試題
代號:
科 別: 電力工程、電子工程
全一張
(背面)
32630
32730