電子工程 91 年半導體工程考古題
民國 91 年（2002）電子工程「半導體工程」考試題目，共 5 題 | 資料來源：考選部
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試列舉並簡要說明三種測量半導體電子或電洞濃度(concentration)的方法。（20 分）
請解釋下列名詞：（每小題5 分，共20 分）
Lightly-doped drain (LDD)
Two-dimensional electron gas (2DEG)
Quantum Hall effect
Negative differential resistance (NDR)
在CMOS 中為何會發生閉鎖(latch-up)現象？（10 分）
如何解決CMOS 的閉鎖現象？（10 分）
試列舉並簡要說明三種在矽半導體上成長SiO2 薄膜的方法。（20 分）
下二圖分別為獨立（尚未連接）的兩個半導體能帶圖，試畫出在熱平衡(thermal
equilibrium)下，
圖
中的兩個半導體連接後之能帶圖（10 分）
圖
中的兩個半導體連接後之能帶圖（10 分）
（需標出
V
C
2
F
1
F
2
V
1
V
2
C
1
C
E
,
E
,
E
,
E
,
E
,
E
,
E
,
E
∆
∆
）
Vacuum level
qχ2
qχ1
EC2
EC1
EF1
EV1
Eg1
Eg2
EF2
EV2
qΦS2
qΦS1
C
E
∆
v
E
∆
圖
Vacuum level
qχ2
qχ1
EC2
EC1
EF1
EV1
Eg1
Eg2
EF2
EV2
qΦS2
qΦS1
C
E
∆
v
E
∆
圖
電子工程 91 年其他科目
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