電子工程 93 年半導體工程考古題
跨年同科91-115
題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。
試題5 題
93 年申
第 1 題MOSFET 有那兩種?如何區分?(20 分)
93 年申
第 2 題描述四點探針法及其量測片電阻之好處。(20 分)
93 年申
第 3 題LOCOS 是什麼?請描述此製程,並說明會有何缺點。(20 分)
93 年申
第 4 題100 keV 之砷離子(帶單一電荷)於電流1 mA 植入200 cm2 之矽晶圓,植入時間為 10 分鐘,請參考下圖, 植入之離子劑量為多少ions/cm2?(5 分) 植入之RP 與ΔRP 值為多少?(5 分) 於RP 位置植入之濃度為多少?(5 分) 於何位置植入之砷離子濃度降為於位置RP 時之濃度之10 -2?(5 分)
93 年申
第 5 題於化學氣相沉積時,存在那兩種反應機制(mechanism)?反應速率如何決定? (8 分) 何謂蒸氣壓?(4 分) 請定義凝結與汽化?(4 分) 請說明吸收與吸附之差異。(4 分)
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國文9 題進入 ↗工程數學14 題進入 ↗計算機概論10 題進入 ↗電子學15 題進入 ↗電磁學10 題進入 ↗電路學10 題進入 ↗基本電學大意48 題進入 ↗電子學大意48 題進入 ↗計算機概要48 題進入 ↗電子儀表概要10 題進入 ↗電子學概要10 題進入 ↗通訊系統5 題進入 ↗電子計算機原理4 題進入 ↗電磁學與電磁波5 題進入 ↗基本電學11 題進入 ↗原住民族行政及法規大意8 題進入 ↗中華民國憲法8 題進入 ↗公民與本國史地大意24 題進入 ↗中華民國憲法概要8 題進入 ↗本國歷史與地理概要8 題進入 ↗物理5 題進入 ↗專業知識測驗(基本電學)8 題進入 ↗綜合知識測驗(一)(中華民國憲法概要、本國歷史、地球科學)8 題進入 ↗綜合知識測驗(二)(法學緒論、數的推理)8 題進入 ↗專業知識測驗(工程數學、電路學)7 題進入 ↗綜合知識測驗(一)(中華民國憲法、法學緒論、數的推理)8 題進入 ↗綜合知識測驗(二)(本國歷史、地球科學、英文)8 題進入 ↗