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電子工程·93·半導體工程1/5

電子工程 93半導體工程考古題

5 題申論題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科91-115

題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。

試題5
93
1

MOSFET 有那兩種?如何區分?(20 分)

93
2

描述四點探針法及其量測片電阻之好處。(20 分)

93
3

LOCOS 是什麼?請描述此製程,並說明會有何缺點。(20 分)

93
4

100 keV 之砷離子(帶單一電荷)於電流1 mA 植入200 cm2 之矽晶圓,植入時間為 10 分鐘,請參考下圖, 植入之離子劑量為多少ions/cm2?(5 分) 植入之RP 與ΔRP 值為多少?(5 分) 於RP 位置植入之濃度為多少?(5 分) 於何位置植入之砷離子濃度降為於位置RP 時之濃度之10 -2?(5 分)

93
5

於化學氣相沉積時,存在那兩種反應機制(mechanism)?反應速率如何決定? (8 分) 何謂蒸氣壓?(4 分) 請定義凝結與汽化?(4 分) 請說明吸收與吸附之差異。(4 分)

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