電子工程 93 年電子學大意考古題

當運算放大器作比較器時的敘述何者正確？有虛地（Virtual Ground）效應操作在飽和區操作在線性區輸出阻抗＝∞

下圖電路輸出何者正確？

關於雙極性接面電晶體（BJT）截止（Cutoff）時的敘述何者正確？射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為反向偏壓射極基極介面（EBJ）為反向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓射極基極介面（EBJ）為反向偏壓，集極基極介面（CBJ）為反向偏壓

雙極性接面電晶體（BJT）截面圖如下圖，下列敘述何者正確？X 為射極（E），Y 為基極(B)，Z 為集極(C)X 為射極（E），Z 為基極(B)，Y 為集極(C)Z 為射極（E），Y 為基極(B)，X 為集極(C)Y 為射極（E），X 為基極(B)，Z 為集極(C)

若A、B 為常數，關於濾波器轉移函數T(S)＝A/(S+B)的敘述下列何者正確？高通（High pass）低通（Low Pass）帶通（Band Pass）全通（All Pass）

右圖的等效電路為何？電容電感電阻二極體

右圖為何種電路？共射極電路共基極電路共集極電路振盪路nVinVoVCC

下列何者在直流分析時為斷路？電阻電感電容二極體

若忽略二極體壓降，且VB＞0，下圖之輸入輸出（Vi-Vo）關係為何？Vo＝極大值（Vi－VB, 0）Vo＝極大值（Vi＋VB, 0）Vo＝極小值（Vi－VB, 0）Vo＝極小值（Vi＋VB, 0）

場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓Vth 之敘述何者正確？加強型（enhancement）NMOS Vth＜0乏型（depletion）NMOS Vth＞0加強型（enhancement）PMOS Vth＞0加強型（enhancement）PMOS Vth＜0

關於共基極（CB）放大器的敘述何者正確？電壓增益≈1電壓增益＜1電流增益≈1電流增益＞1

關於TO3 功率電晶體（Power Transistor）的敘述何者正確？不需金屬包裝（Package）散熱射極連接外殼包裝基極連接外殼包裝集極連接外殼包裝

積體電路工廠90 奈米（nm）製程是指多少米的製程？9.0×10-69.0×10-79.0×10-89.0×10-9

關於741 運算放大器（Op Amp）的敘述何者正確？輸出級有保護電路3dB 頻率≈數百Hz電壓增益≈1有回饋（feedback）電容跨接輸入級兩端

下圖為何種電晶體？PMOS 場效電晶體NMOS 場效電晶體NPN 雙極性接面電晶體（BJT）PNP 雙極性接面電晶體（BJT）

關於下圖跟隨速率（Slew rate）的敘述，下列何者正確？跟隨速率＝最小值（輸入電壓，輸出電壓）跟隨速率＝0跟隨速率＝斜率S跟隨速率＝∞

下列關於史密特觸發器（Schmitt trigger）輸入輸出關係的敘述何者正確？有身體效應（Body Effect）有米勒效應（Miller Effect）符合巴克豪森準則（Barkhausen Criterion）有磁滯效應（Hysteresis Effect）

下列關於交換式電容（Switched-Capacitor）濾波器的敘述何者正確？等效電阻和時脈頻率成正比等效電阻和電容成正比等效電阻和電容成反比等效電阻和電容成無關nViVo

下式為韋恩（Wien）振盪器之轉移（transfer）方程式，則下列敘述何者正確？SRCSRCRRST13)1()(12+++=)1(12RR+＝0)1(12RR+＝1)1(12RR+＝2)1(12RR+＝3

關於共源極（Common-Source）NMOS 場效電晶體的簡化小信號等效電路為何？電壓控制之電流源電流控制之電壓源電壓控制之電壓源電流控制之電流源

下圖輸入偏壓電流補償電路之關係為何？R1＝R2＋R3R3＝R1＋R2R3＝R1||R2R2＝R1||R3

傳統CMOS 反及（NAND）閘的連接方式為何？NMOS 串聯，PMOS 並聯NMOS 並聯，PMOS 串聯NMOS 串聯，PMOS 串聯NMOS 並聯，PMOS 並聯

傳統CMOS 的功率消耗（Power dissipation）敘述何者正確？靜態功率消耗很大靜態功率消耗≈0動態功率消耗≈0動態功率消耗和頻率成反比

若NMOS 及PMOS 之門檻（threshold）電壓分別為VTN 及VTP，CMOS 傳輸（Transmission）閘傳遞邏輯-0及邏輯-1 之電壓值為何？邏輯-0＝VDD，邏輯-1=0邏輯-0＝VTN，邏輯-1=VDD邏輯-0＝0，邏輯-1=VDD邏輯-0＝VTN，邏輯-1=VDD－｜VTP｜

加強型（Enhancement）NMOS 及加強型PMOS 之門檻（threshold）電壓分別為VTN 及VTP，下列敘述何者正確？VTN＞0 及VTP＞0VTN＞0 及VTP＜0VTN＜0 及VTP＞0VTN＜0 及VTP＜0

二級之積體電路運算放大器，其頻率補償電路跨接何級？輸出級輸入級偏壓級短路保護電路

下圖為用於變換電容（Switched Capacitor）濾波器之電路，時脈1 和時脈2 關係為何？時脈1 和時脈2 頻率相同、可重疊時脈1 和時脈2 頻率相同、不可重疊時脈1 和時脈2 無關時脈1 和時脈2 頻率不相同

有關放大器輸出穩定時，極點和S 平面的關係何者正確？極點落在S 平面第二、三象限（左半面）極點落在S 平面第一、四象限（右半面）極點落在S 平面jω 軸上極點落在S 平面σ 軸上

若NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓VDS＞閘極源極電壓VGS＞門檻（threshold）電壓Vth，下列何者正確？電晶體操作在非飽和區電晶體操作在飽和區電晶體截止電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處R1R2R3

關於場效電晶體（FET）之閘極電容的敘述，下列何者正確？與場效電晶體（FET）閘極之通道長度成反比與場效電晶體（FET）閘極之通道寬度成反比與場效電晶體（FET）閘極之通道面積成反比與場效電晶體（FET）閘極之通道面積成正比

將一電容值為C 的電容跨接於增益為A 的放大器輸出端及輸入端，其等效輸入米勒（Miller）電容值為何？（A, C＞0）C（1＋A）C（1－A）C（1 +1/A）C（1－1/A）

下列場效電晶體（FET）之反向器（Inverter）的負載，何者有最大汲極（Drain）平均電流？電阻加強型（Enhancement）PMOS乏型（Depletion）NMOS加強型NMOS

加強型（Enhancement）NMOS 之門檻（threshold）電壓為VTN，則加強型NMOS 負載的場效電晶體（FET）反向器（Inverter）之正常輸出電壓為下列何者？VDDVDD－VTN0VTN

右圖之敘述何者正確？布林函數F＝AB＋C布林函數F＝(A＋B)CF 正常最大輸出電壓為VDDF 正常最大輸出電壓為(VDD－VTN)

頻率在零（Zero）點時，轉移函數（Transfer Function）的數值為何？01轉移函數最大值無限大

場效電晶體（FET）閘極之通道長度為L 和閘極之通道寬度為W，若兩顆相同的場效電晶體（FET）串連，則等效通道長度寬度比（L/W）為何？0.5120

右圖電路之輸出邏輯函數F 為何？F＝0F＝ABF＝AB＋BAF＝BA＋BA

右圖電路為何種電路？TTL 或閘（OR）TTL 反或閘（NOR）ECL 或閘（OR）ECL 反或閘（NOR）

右圖電路何者敘述正確？NMOS 動態隨機存取記憶體細胞NMOS 靜態隨機存取記憶體細胞CMOS 動態隨機存取記憶體細胞CMOS 靜態隨機存取記憶體細胞

下列TTL 敘述何者最正確？速度比ECL 快速度比CMOS 及ECL 慢速度比CMOS 快速度比CMOS 及ECL 快VyVxVo））ABCAABBF