電子工程 109 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

109 年選

第 1 題

N 型半導體的主要載子為：

(A)電洞

(B)中子

(C)質子

(D)電子✓ 正解

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第 2 題

一個二極體pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是：

(A)空乏電容✓ 正解

(B)擴散電容

(C)耦合電容

(D)旁路電容

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第 3 題

圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt= 1 V、μnCox(W/L) = 2 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電壓VD 的最小值為若干V？

(A)1✓ 正解

(B)2

(C)3

(D)4

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第 4 題

圖示電路中場效電晶體（FET）之Vt = −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（TriodeRegion）？

(A)VG = 1 V、VD = 1 V

(B)VG = 2 V、VD = 3 V✓ 正解

(C)VG = 3 V、VD = 2 V

(D)VG = 4 V、VD = 5 V

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第 5 題

有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V3=1002×V2−998×V1，請問其共模排斥比CMRR（common-mode rejection ratio）約為多少？

(A)24 dB

(B)36 dB

(C)48 dB✓ 正解

(D)60 dB2MΩ2MΩ1kΩRDVDVDVG4V+4VVCC-VEEV1V2V3−

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第 6 題

如圖為定電流源電路，若Q1和Q2電晶體的輸出阻抗ro和電流增益β 所引起的效應不計，已知VCC = 5 V，VBE = 0.7 V，欲使電流為Io = 1mA，試求電阻R =？

(A)5.7 kΩ

(B)4.7 kΩ

(C)4.3 kΩ✓ 正解

(D)3.3 kΩ

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第 7 題

設計類比電路時，若採用NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到BJT 的那一種偏壓模式？

(A)飽和模式（Saturation mode）

(B)線性模式（Linear mode）

(C)順向主動模式（Forward active mode）✓ 正解

(D)逆向主動模式（Reverse active mode）

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第 8 題

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2的電壓波形如下所示，VCC=5V，R1=R2= 1 kΩ，R3= R4= 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1=βQ2= 100。試研判輸出接腳VO 在高準位輸出（VO@HI）時最可能的工作電壓。

(A)VO@HI= 5 V

(B)VO@HI~ 4.8 V

(C)4.8 V> VO@HI> 4.3 V

(D)VO@HI< 4.3 V✓ 正解

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第 9 題

CMOS 反相器結構係由一個n 通道增強型MOSFET 與一個p 通道增強型MOSFET 組成，p 通道MOSFET 之源極接VDD，n 通道MOSFET 之源極接地。下列何者正確？

(A)若閘極輸入電位為0，p 通道MOSFET 導通✓ 正解

(B)若閘極輸入電位為VDD，輸出電位將為VDD/2

(C)若CMOS 輸出電位為0，n 通道MOSFET 關閉

(D)若CMOS 輸出電位為VDD，將有電流持續通過兩個MOSFETIo=1mAQ1Q2RQ1Q2R1R2R3R4VI1VI2VOVCCCLVI1VI25V5V0V~4V~2V~2V5V0V00t1t1t2t2ttTT~4V

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第 10 題

如圖所示為一CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體QN 與QP 特性相同；μnCox = μpCox = 20 μA/V2，(W/L)n = (W/L)p= 10，Vtn = |Vtp| = 0.5 V。若VDD = 5 V，則電晶體QN 的汲極直流偏壓電流為多少？

(A)100 μA

(B)200 μA

(C)400 μA✓ 正解

(D)1.6 mA

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第 11 題

一個OP AMP 的輸出的上下限為±10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬ft = 1 MHz。若輸出訊號為正弦波，其振幅為10 V，所能操作的最大頻寬最接近下列何值？

(A)16 kHz✓ 正解

(B)100 kHz

(C)160 kHz

(D)1 MHz

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第 12 題

下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？

(A)電壓增益大於1

(B)電流增益大於1✓ 正解

(C)低輸入電阻

(D)高輸出電阻

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第 13 題

如圖所示為一箝位電路，若VE 為35 V 時，整個迴路的電流I 是多少？

(A)3.5 mA

(B)5 mA

(C)10 mA✓ 正解

(D)35 mA

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第 14 題

圖示為箝位電路及其輸入信號，其中D 為理想二極體且RC 時間常數遠大於輸入信號之週期，決定輸出信號的直流準位為多少伏特？

(A)−15 V

(B)−5 V

(C)5 V

(D)15 V✓ 正解

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第 15 題

電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖，輸入信號vi(t) = Vpsin(377t) volt 且電容器C3於穩定狀態時所跨電壓VC3 = 30 volt，下列敘述何者正確？

(A)VC1=30 V

(B)VC2=60 V

(C)VC4=90 V

(D)Vp=150 V1MΩ2.5kΩVDDQPQNvoviC=∞C=∞VE35VVZ =10VPD(max)=500mWRCD5VRvi(t)vi(t)vo(t)tvi(t)10-1010：1VC3VC4VC1VC2C2C1C3C4D3D4D2D1I✓ 正解

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第 16 題

如圖所示的兩不同截波電路中，二極體均視為理想且輸入信號均為vi(t) = 8sin(ωt) volt，VR = 2 volt，則輸出vo1最大值與輸出vo2最小值之間的電壓差為多少伏特？

(A)4 V✓ 正解

(B)6 V

(C)10 V

(D)12 V

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第 17 題

如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？

(A)11.6 V

(B)21.6 V✓ 正解

(C)24.6 V

(D)110 V

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第 18 題

如圖所示電路之主要功能為何？

(A)運算

(B)放大

(C)整流✓ 正解

(D)倍壓

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第 19 題

如圖所示之電路，VIN 為一正弦波（DC 值為0 V，振幅= 10 V），假設RL= 1 kΩ，求VOUT 為何？

(A)10 V

(B)20 V✓ 正解

(C)30 V

(D)40 V

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第 20 題

如圖所示之電路，最高與最低輸出電壓各為何？假設D1與D2為理想且Vin = 5 V（峰值），R1 = 1 kΩ，VB1= 1 V，VB2= 1.5 V。

(A)正6 V 與負6.5 V

(B)正1 V 與負1.5 V✓ 正解

(C)正4 V 與負3.5 V

(D)正6 V 與負3.5 V

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第 21 題

利用「橋式整流電路」做交流全波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號Vs 峰值大小：

(A)大一個二極體順向啟動電壓

(B)大兩個二極體順向啟動電壓

(C)小一個二極體順向啟動電壓

(D)小兩個二極體順向啟動電壓vi(t)vi(t)vo1(t)vo2(t)RRDDVRVRvoutAC110Vrms60HzN1：N2=110：24VoutC1D1RLVinD1D2VOUTVINRLC1C2VinVinVoutVB1VB2D1D2R1t5V−+−++−✓ 正解

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第 22 題

Vs(t)= 10 sin(377t ) V 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後，其輸出漣波頻率約為：

(A)30 Hz

(B)60 Hz

(C)120 Hz✓ 正解

(D)377 Hz

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第 23 題

電路上某npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓VCC = 10 V，下列何者正確？

(A)VCE = 0 V

(B)VCE = 0.7 V

(C)VCE = 8 V

(D)VCE = 10 V✓ 正解

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第 24 題

如圖所示之放大器電路，假設其直流偏壓電流IDS =0.5 mA（直流偏壓電路未示於圖中），電晶體M 之參數如下：μnCox= 200 μA/V2，VTH = 0.4 V，且λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何？

(A)−9.43✓ 正解

(B)−11.43

(C)−13.43

(D)−15.43

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第 25 題

如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下：μnCoxW/L = 2 mA/V2，VTH = 1 V 且λ = 0；跨在電晶體上之直流電壓VDS 最接近下列何值？

(A)−4.95 V

(B)−5.75V

(C)4.95 V✓ 正解

(D)5.75 V2kΩ10kΩ5kΩ4kΩVCC =10VVBEVCERCREvoutvinVDD =1.8VIDSM200.18WL VDSvivout−5V+5V

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第 26 題

如圖所示之電路，假設電晶體M1之參數如下：μnCoxW1 /L1 = 32 mA/V2，VTH1 = 2 V 且λ1 = 0；電晶體M2之參數如下：μnCoxW2 /L2 = 8 mA/V2，VTH2 = 2 V 且λ2 = 0；求VDS1之值為何？

(A)2 V

(B)4 V✓ 正解

(C)6 V

(D)8 V

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第 27 題

如圖所示之放大器電路，電晶體J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = −4 V，求此電路之小信號電壓增益值為何？

(A)0.67✓ 正解

(B)0.77

(C)0.87

(D)0.97

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第 28 題

如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻RIN約為何？假設電晶體之gm為10 mA/V，β = 100。

(A)10 kΩ

(B)20 kΩ✓ 正解

(C)30 kΩ

(D)40 kΩ

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第 29 題

如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器，其等效輸入電容CIN 為何？

(A)CGD + CGS (1+|gmRL|)

(B)CGD + CGS (1−|gmRL|)

(C)CGS + CGD (1+|gmRL|)✓ 正解

(D)CGS + CGD (1−|gmRL|)1MΩ250kΩ2kΩ2kΩ100ΩVDD =8VVG1=3VM2M1vivoJ+10VRINCGDCGSgmvGSvGSCINRLvivo−+

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第 30 題

MOSFET 操作於三極管區（triode region），且汲極與源極跨壓微小時，可等效成下列何種元件？

(A)電壓控制之可變電阻✓ 正解

(B)電壓控制之可變電容

(C)電流控制之可變電阻

(D)電流控制之可變電容

109 年選

第 31 題

設雙極性電晶體（BJT）的α 值由0.96變化至0.99，則β 值由多少變為多少？

(A)由24變為90

(B)由24變為99✓ 正解

(C)由25變為75

(D)由30變為60

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第 32 題

某雙極性電晶體（BJT）的ICBO 為2 μA，其β 值為50，則其ICEO 應為：

(A)50 μA

(B)70 μA

(C)100 μA✓ 正解

(D)120 μA

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第 33 題

如圖所示的相移振盪電路中的C = 1 nF、Rf = 145 kΩ，決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少Hz？

(A)13 kHz✓ 正解

(B)21 kHz

(C)50 kHz

(D)62 kHz

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第 34 題

圖示電路為CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？

(A)Q1與Q2是AB 類功率放大器

(B)Q3與Q4提供主動負載✓ 正解

(C)Q5為共閘極放大器

(D)Q6與Q8提供保護電路

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第 35 題

某電路之轉移函數：( )500( )( )10oiV sT sV ss，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency），頻率與增益的變化關係，下列何者正確？

(A)頻率每增大十倍，增益減少10 dB

(B)頻率每增大十倍，增益減少20 dB✓ 正解

(C)頻率每增大二倍，增益減少10 dB

(D)頻率每增大二倍，增益減少20 dB

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第 36 題

如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns，問環形振盪器的振盪頻率？

(A)318 kHz

(B)2 MHz✓ 正解

(C)4 MHz

(D)10 MHzCCCRRfRRVfVOvovi+vi−−VSS+VDDIREFQ1Q2Q3Q4Q6Q5Q7Q8C1

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第 37 題

如圖為RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問RC 耦合會造成什麼影響？

(A)低頻響應變差✓ 正解

(B)中頻響應變差

(C)高頻響應變差

(D)沒有影響

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第 38 題

如圖所示為一MOS 放大器，MOS 電晶體之μnCox = 800 μA/V2、W/L =40、|Vt|=1 V。求小信號增益vo/vi？

(A)−1

(B)−8✓ 正解

(C)−16

(D)−100

109 年選

第 39 題

對於一個電壓波形v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？

(A)電壓平均值為25伏特

(B)電壓均方根值為50伏特

(C)電壓的峰對峰值（peak to peak value）為50伏特

(D)電壓訊號每秒有120次經過0伏特✓ 正解

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第 40 題

如圖電路，已知R = 10 kΩ 和C = 0.01 μF，輸入為±5 V 對稱方波，為使輸出三角波電壓具對稱且振幅亦為±5 V，則信號頻率應選在多少？

(A)1.00 kHz

(B)1.25 kHz

(C)2.50 kHz✓ 正解

(D)5.00 kHz1kΩ1MΩ1mARC放大器放大器C=∞C=∞C=∞+5V−5VvivoQvovIRvCC+VCC−VCCvIt12t1t