電子工程 109 年高等電子電路學考古題

如圖一電路，二極體電流ID 與跨壓VD 之關係為 D T V /V D S I =I e ，其中之熱電 壓VT 為25 mV。 ㈠求二極體D1之偏壓電流ID1。（10分） ㈡求小訊號電壓增益Vo / VS。（10分） 圖一

如圖二電路，由BJT 構成之放大器電路，其中BJT 之電流增益β = 100， BE V 之壓降為0.7 V，試回答： ㈠此BJT 操作於主動區（Active Mode）或飽和區（Saturation Mode）？ （10分） ㈡集極偏壓電流IC 值為多少？（10分） 圖二

如圖三所示之運算放大器具無限大之輸入阻抗。 ㈠如運算放大器之差動增益為無限大，試求Vo / Vi 值為何？（10分） ㈡如運算放大器之差動增益為100 V / V，試求Vo / Vi 值為何？（10分） 圖三

使用CMOS 邏輯電路設計，其NMOS 區塊與PMOS 區塊具對偶性 （duality）。 ㈠若已知PMOS 區塊如圖四所示，請畫出其NMOS 區塊。（10分） ㈡請繪出邏輯布林函數F=AB+CD之完整CMOS 邏輯電路。（10分） 圖四

如圖五所示為MOSFET 與電阻所構成之放大器，假設所有MOSFET 之小 訊號參數gm = 2.0 mA/ V，ro = 100 kΩ，且電路中之電阻R = 50 kΩ，試求： ㈠輸出阻抗Ro。（10分） ㈡小訊號電壓增益Vo / Vi。（10分） 圖五