電子工程 112 年高等電子電路學考古題

圖一之npn BJT 操作於Active Mode（偏壓電路省略），其β = 100， r o = ∞Ω，VT = 25 mV，VBE 之壓降為0.7 V， 試求值： ㈠gm =？mA/V（5 分） ㈡rπ =？Ω（5 分） ㈢Rin =？Ω（10 分） 圖一 1 mA 10 kΩ 1 kΩ

如圖二，由二極體及電阻器所形成之電路，圖中之二極體導通後之電阻 值為0 Ω，試求： ㈠假如二極體之導通電壓VD,on = 0 V，求A 點電壓值為何？（10 分） ㈡假如二極體之導通電壓VD,on = 0.7 V，求A 點電壓值為何？（10 分） -5 V 2 V 0 V 10 V A 10 kΩ 5 kΩ 10 kΩ 5 kΩ 圖二

如圖三，由運算放大器及電阻所構成之放大電路中，其中之電阻值 R1 = R3 = 5 kΩ，R2 = R4 = 10 kΩ。 ㈠若此理想運算放大器之差動增益為無限大，求Vo/Vi = ？(V/V)（10 分） ㈡若此運算放大器之差動增益為100，求Vo/Vi = ？(V/V)（10 分） 圖三

p 2 n n ox p ox bias n p -1 -1 tn tp A n p W W μ C μ C 8 mA/V I 1mA L L V V 0.5 V V λ λ 100 V 代入計算 如圖四為單級之差動放大器，依上述元件參數，試回答下列問題，其中 Ibias = 1 mA。同時在求各種計算時，除ro 的分析，其他如Vov、gm 等均可 不考慮VA 的影響。又計算值可適當化簡，gmro + 1 ≅gmro 即可 假如M5 M6 之比例k = 2，試求： ㈠求MOS M1/M2 之gm1 = gm2 =？mA/V（10 分） ㈡求Vo 點之Ro =？kΩ（10 分） 圖四

請依要求完成圖五的邏輯電路 ㈠以Static CMOS 邏輯電路設計，NMOS 與PMOS 要有對偶關係 （duality）。（10 分） ㈡以Dynamic CMOS 電路設計，且令控制時脈CK = 0 時為Precharge 狀 態，控制時脈CK = 1 時為Evaluation 狀態。（10 分） 圖五