電子工程 111 年高等電子電路學考古題

如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體VBE1 = VBE2 = 0.7 V、 β1 = 49、β2 = 99、VCC = 15 V、RB = 500 kΩ、RE = 0.2 kΩ、熱電壓VT = 25 mV。 試求： ㈠直流基極電流IB1、直流輸出電流Io 分別為何值？（10 分） ㈡電路之輸入阻抗Zi、輸出阻抗Zo 分別為何值？（10 分） ㈢直流總電流增益AIT = Io /Ii 為何值？（5 分）

㈠試以NAND 閘及反相器繪出時控D 型正反器之邏輯電路圖。（5 分） ㈡下圖分別為時控D 型正反器之D 及時序（clock）之輸入波形，試繪 出其輸出Q 之相對應波形（假設Q 的初值為0）。（5 分） ㈢試以全-CMOS 方式繪出布林函數： 1 1 2

1 2 (A A A )(B B )C Y 之電 路圖。（10 分） Zi vi Ci RB IB1 Ii Q1 Q2 RE Io Zo vo Co VCC D: clock: t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 三、如圖所示理想運算放大器電路： ㈠若R1 = 2 kΩ、R2 = 3 kΩ、R3 = 5 kΩ，試推導並計算Ri 值。（15 分） ㈡若R1 = 1 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 0.5 kΩ、RG = 5 kΩ，輸入電壓v1 = 0.5 V、 v2 = 1.2 V，試推導並計算vo。（15 分） R3 R2 R2 Ri R1 2R1 vo vi OA2 OA1 OA2 OA1 R1 R2 v1 v2 vo R1 R2 R3 RG

如圖所示MOSFET 串接放大器電路，若RG1 = 1.5 MΩ、RG2 = 0.3 MΩ、 RD1 = RD2 = 12 kΩ、RS1 = RS2 = 1 kΩ、RL = 10 kΩ。MOSFET 之參數： gm1 = 2 mS、gm2 = 1 mS、rd1 = rd2 = 20 kΩ。試求： ㈠輸入阻抗Zi 為多少？（5 分） ㈡總電壓增益AvT = vo /vi、總電流增益AiT = io /ii 分別為多少？（10 分） ㈢若將電容CS1 及CS2 開路，假設gm1 及gm2 值不變，且rd1 及rd2 忽略不 計，則總電壓增益AvT 為多少？（10 分） RL +VDD vi vo ii Ci Zi RD2 Q1 Q2 CS1 RS1 RG2 RG1 RD1 Co io RS2 CS2