電子工程 112 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

112 年選

第 1 題

下列積體電路其包含的邏輯閘數目何者最多？

(A)LSI

(B)VLSI✓ 正解

(C)MSI

(D)SSI

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第 2 題

電壓v1(t) = 5sin(πt/4)伏特，f(t)如圖所示，v2(t)為v1(t)與f(t)相乘。當0≦t≦8 時，v2(t)的平均電壓為多少伏特？

(A)25/π✓ 正解

(B)50/π

(C)75/π

(D)100/π

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第 3 題

二極體電路如圖所示，二極體的導通電壓為0.6 V，流經電阻的電流值I 為下列何者？

(A)0.06 mA

(B)0.16 mA✓ 正解

(C)0.25 mA

(D)0.35 mA

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第 4 題

有關蕭特基（Schottky）二極體之敘述，下列何者錯誤？

(A)金屬與半導體形成接面二極體

(B)可應用於高頻電路

(C)元件特性為少數載子所主導✓ 正解

(D)矽基蕭特基二極體的切入電壓小於PN 二極體

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第 5 題

共射極接法電晶體之α 值由0.98 變至0.99，則β 值的變化如何？

(A)由88 變為49

(B)由66 變為49

(C)由49 變為88

(D)由49 變為99✓ 正解

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第 6 題

如圖所示之電路，雙極性接面電晶體β 值均為199，VI=2.7V 時，VE 約為何？

(A)1.3 V

(B)1.5 V

(C)1.7 V

(D)1.9 V✓ 正解

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第 7 題

如圖所示，vi = VDD 時，若負載電阻RD 變大，則v0 將會如何？

(A)增大

(B)降低✓ 正解

(C)不變

(D)為VDD

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第 8 題

承上題，當輸入電壓vi =0，且RD 負載電阻變大時，則v0 將為何？

(A)增大

(B)降低

(C)不變✓ 正解

(D)為零VEVIVDD

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第 9 題

有關NPN 雙極性接面電晶體，若基極濃度增高，對於電流增益及爾利效應（Early Effect）之影響，下列敘述何者正確？

(A)電流增益變大且爾利效應較明顯

(B)電流增益變小且爾利效應較明顯

(C)電流增益變大且爾利效應較不明顯

(D)電流增益變小且爾利效應較不明顯✓ 正解

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第 10 題

下列何者具有最大的輸入阻抗？

(A)BJT 射極隨耦器

(B)BJT 達令頓組態

(C)JFET 共閘極組態

(D)MOSFET 共源極組態✓ 正解

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第 11 題

如圖所示理想運算放大器電路為減法器，R1/R2 比值為2，R3/R4 比值為5，V1=2V，V2=6V，VCC=15V，輸出電壓VO 為何？

(A)-1 V✓ 正解

(B)1 V

(C)-2 V

(D)2 V

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第 12 題

已知運算放大器的Zi 為輸入阻抗，Zo 為輸出阻抗，Aol 為開迴路電壓增益。下列何者最為接近理想運算放大器？

(A)Zi=5 MΩ、 Zo=3 Ω、Aol=2,000

(B)Zi=500 GΩ、Zo=300 kΩ、Aol=20

(C)Zi=5 GΩ、 Zo=300 Ω、Aol=20,000

(D)Zi=500 GΩ，Zo=3 Ω，Aol=20,000✓ 正解

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第 13 題

當擴散電容被列入考慮時，二極體處於下列何種狀態？

(A)未偏壓

(B)逆向崩潰電壓

(C)逆向偏壓

(D)順向偏壓✓ 正解

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第 14 題

如圖所示電路，通過稽納二極體（Zener Diode）之電流為何？

(A)10 mA

(B)9 mA✓ 正解

(C)5 mA

(D)4 mA

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第 15 題

如圖為整流後之電壓波形，則電壓的平均值約為何？

(A)11.1 V

(B)13.2 V

(C)15 V

(D)16.4 V✓ 正解

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第 16 題

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 有效值為120/√2 V，負載RL 的平均功率約為何？

(A)0.1 W✓ 正解

(B)0.45 W

(C)0.05 W

(D)0.3 W

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第 17 題

主動濾波器是指該電路主要使用何種元件？

(A)變壓器

(B)只採用被動元件，如電阻、電容

(C)採用具有放大能力之元件，如OP 放大器、電晶體✓ 正解

(D)二極體

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第 18 題

如圖所示電路，假設二極體D 1 及D 2 均具有理想特性、且vi（t）= 32sin（377t）V，若於負載電阻RL=2 kΩ 之兩端並聯一濾波電容器，下列敘述何者正確？

(A)負載電阻消耗功率為8 mW✓ 正解

(B)輸出直流電壓vo=8 V

(C)輸出直流電流IL=4 mA

(D)峰值電壓Vm=5.7 V

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第 19 題

有關半波電壓倍增器之敘述，下列何者錯誤？

(A)主要應用在高電壓及低電流的場合

(B)採用箝位效應

(C)不需要增加輸入變壓器的電壓額定值，就可以增加整流電壓的峰值

(D)三倍倍壓電路，最少需要4 個二極體及4 個電容✓ 正解

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第 20 題

如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為0.7 V，則Vout 的範圍為何？

(A)-25 V～+25 V

(B)-25 V～+0.7 V

(C)-0.7 V～+0.7 V✓ 正解

(D)-0.7 V～+25 V

112 年選

第 21 題

假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，如圖所示電路，輸出波形直流成分的電壓值為何？

(A)-18.7 V

(B)18.7 V

(C)17.3 V

(D)-17.3 V✓ 正解

112 年選

第 22 題

下列何種元件不是箝位電路所必備？

(A)電感✓ 正解

(B)電阻

(C)電容

(D)二極體

112 年選

第 23 題

如圖所示為NPN 電晶體放大電路，當RB 值變小時，下列敘述何者正確？

(A)電晶體工作點將遠離飽和點，但仍落在同一負載線上

(B)電晶體工作點將遠離飽和點，且不在同一負載線上

(C)電晶體工作點將接近飽和點，但仍落在同一負載線上✓ 正解

(D)電晶體工作點將接近飽和點，且不在同一負載線上

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第 24 題

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，β = 100，VCE(sat)= 0.2 V，則關於此BJT 電路之敘述，下列何者正確？

(A)IC = 2 mA

(B)VC = 6.2 V

(C)BJT 操作在主動區（active region）

(D)IC/IB 1✓ 正解

112 年選

第 25 題

有一如圖之MOSFET 電路，若VDS = 4 V，則RS 應為何？

(A)5 kΩ✓ 正解

(B)8 kΩ

(C)10 kΩ

(D)15 kΩ

112 年選

第 26 題

有一如圖之空乏型MOSFET 電路，若VSD = 2.5 V，Vtp = 1.5 V，μpCox（W/L）= 1mA/V2，當流過偏壓電阻R1、R2 之電流為0.1ID，則R1、R2 約為何？

(A)R1 = 16.6 kΩ，R2 = 63.4 kΩ

(B)R1 = 20.6 kΩ，R2 = 59.4 kΩ✓ 正解

(C)R1 = 22.6 kΩ，R2 = 57.4 kΩ

(D)R1 = 24.6 kΩ，R2 = 55.4 kΩ

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第 27 題

有關加強型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？

(A)加強型MOSFET 發生通道長度調變時，通道長度會隨VDS 的增加而略為縮短，造成ID 略為減少✓ 正解

(B)加強型MOSFET 操作於三極體區（triode region）時，可利用VGS 調整通道電阻值

(C)在加強型MOSFET 閘極與通道間的金屬氧化物半導體接面加上VGS 可藉此控制通道電流ID

(D)加強型MOSFET 在VGS 小於Vt （臨界電壓）後，ID = 0，將進入截止區

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第 28 題

考慮一金氧半場效電晶體VA=10 V，當操作在過驅電壓Vov=0.1 V 時，其本質增益（gmro）的值為何？

(A)100

(B)200✓ 正解

(C)500

(D)

112 年選

第 29 題

雙極性接面電晶體（BJT）之β=100，熱電壓VT = 25 mV。若此電晶體工作於集極電流IC = 0.5 mA，則其小訊號模型參數rπ 為何？

(A)1 kΩ

(B)2 kΩ

(C)5 kΩ✓ 正解

(D)10 kΩ

112 年選

第 30 題

與其他雙極性接面電晶體的放大器組態比較，有關共射極（CommonEmitter）放大器組態之特性，下列何者正確？

(A)高電壓增益✓ 正解

(B)低電流增益

(C)低輸入阻抗

(D)低輸出阻抗

112 年選

第 31 題

圖中放大器電路中電晶體的μnCox（W/L）=2 mA/V2，VA=40 V，放大器電壓增益vo/vi 的最接近值為何？

(A)-8

(B)-10

(C)-16✓ 正解

(D)-20

112 年選

第 32 題

關於場效電晶體（FET）放大電路的特性，下列何者正確？

(A)共汲極放大電路的輸入電壓與輸出電壓之相位同相✓ 正解

(B)共汲極放大電路的輸入阻抗很低，非常適合作阻抗匹配

(C)共汲極放大電路的電壓增益很高，非常適合作電壓放大

(D)共閘極放大電路的頻率響應不佳，只適合作低頻放大

112 年選

第 33 題

dBm 在功率的計算上為功率的絕對值，是以多大的瓦特（W）作為計算參考值？

(A)1 W

(B)0.1 W

(C)1 mW✓ 正解

(D)1 μW

112 年選

第 34 題

有一串疊電路其定電流源為I；已知Q1 和Q2 的互導分別為gm1 和gm2，輸出內阻分別為ro1 和ro2。若輸入阻抗Ri =∞且互導gm1=gm2=gm 及輸出阻抗ro1=ro2=ro，求電壓增益Avo = vo/vi 近似為何？

(A)-gmro

(B)-gm(ro)2

(C)-(gmro)2✓ 正解

(D)(gm)2ro

112 年選

第 35 題

考慮如下電路中電容器CC 對電壓增益之影響。假設所有電晶體的參數均為β=200，rπ=5.21 kΩ，R1=R3=55 kΩ，R2=R4=31 kΩ，RC1=RC2=3.5 kΩ，RE1=RE2=1 kΩ。下列電路中已知CC=386 nF，請問低頻響應的3dB 頻率約為多少？

(A)19 MHz

(B)1.9 MHz

(C)190 Hz

(D)19 Hz✓ 正解

112 年選

第 36 題

如圖所示，在放大器和8 Ω 揚聲器之間加入了一變壓器，使得放大器負載端的電阻提升至80 kΩ，則此變壓器的匝數比值a 等於多少？

(A)10

(B)50

(C)100✓ 正解

(D)200

112 年選

第 37 題

一正弦波產生電路如圖所示，其中L1 = 2 mH、L2 = 8 mH、C3 = 1.6 nF，其振盪頻率fo 約為何？

(A)20 kHz

(B)40 kHz✓ 正解

(C)100 kHz

(D)250 kHz

112 年選

第 38 題

NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，β 值99 變為199，α 值的變化為何？

(A)0.96 變為0.98

(B)0.96 變為0.99

(C)0.99 變為0.995✓ 正解

(D)0.99 變為0.998

112 年選

第 39 題

依如下電路(a)和(b)，下列何者錯誤？

(A)電路(a)和(b)都可以做為電壓比較器

(B)電路(a)和(b)的輸出都是雙穩態

(C)兩個電路的輸出（VO）和輸入（VI）的關係都是一對一✓ 正解

(D)電路(b)中，若VI 的大小在-(R2/R1)VREF 附近不穩定地上下往復變動，輸出（VO）也會跟著變動。

112 年選

第 40 題

如圖為一個使用負緣訊號VI 進行觸發之單穩態多諧振盪電路。假設圖中稽納二極體的導通電壓和稽納崩潰電壓的和是12 V，二極體的導通電壓是0.7 V。則VI 腳位上的觸發訊號至少需要間隔多久才能再次啟動，以免觸發失效？

(A)0.95μs

(B)9.5μs

(C)95μs✓ 正解

(D)0.95 ms