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電子工程·98·電子學大意1/40

電子工程 98電子學大意考古題

40 題選擇題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科91-115
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題目與答案為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。

試題40
98
1

在共射極放大器組態中,經常會在射極端接上一電阻。此電阻最主要功能為何?

(A)增加增益
(B)降低輸入阻抗
(C)節省晶片面積
(D)穩定直流偏壓✓ 正解
98
2

右圖中,若電晶體之VBE =0.7 伏特時,則電晶體對地電壓Vc約為多少伏特?

(A)8.42 伏特β=1001 kΩVc2 kΩVcc = 20V
(B)12.28 伏特400 kΩ✓ 正解
(C)7.72 伏特
(D)11.58 伏特
98
3

電流增益及電壓增益均大於一的放大器組態為:

(A)CE✓ 正解
(B)CC
(C)CB
(D)CS
98
4

如右圖所示的振盪器電路,則vo的波形為何?R2

(A)三角波CV+
(B)方波V+R1vo2✓ 正解
(C)鋸齒波voR
(D)弦波V-V-
98
5

若一單極點(one pole)RC 低通濾波器時間常數為0.318ms,則其三分貝頻帶寬應為:R2

(A)250 Hz
(B)500 Hz
(C)2 kHz✓ 正解
(D)5 kHz
98
6

下列有關右圖電路之敘述,何者正確?

(A)輸出為正弦波
(B)為單穩態電路R1
(C)C1增大則輸出訊號頻率增大VO
(D)R3降低則輸出訊號頻率增大VAR3C1✓ 正解
98
7

若一固定電流源差動放大器的各個BJT參數均相同(β0 = 100、rπ = 1 kΩ),則此放大器的差模(differentialmode)輸入端阻抗值約為:

(A)200 Ω
(B)2 kΩ✓ 正解
(C)20 kΩ
(D)200 kΩ
98
8

右圖所示電路為何種濾波器(Filter)?vivoLRC

(A)高通✓ 正解
(B)低通
(C)帶通
(D)帶拒
98
9

一般而言,石英振盪器的振盪頻率,主要是由下列何項所決定?

(A)直流偏壓工作點
(B)石英晶體的特性✓ 正解
(C)接地電阻
(D)輸出電壓大小
98
10

如右圖所示為主動高通濾波器電路,則低頻截止頻率與低頻增益衰減率為:

(A)2121CCRR21π,20db/decadeR3R4VoViR2R1C2C1
(B)2121CCRR21π,40db/decade
(C)2121CCRR21π,20db/decade
(D)2121CCRR21π,40db/decade✓ 正解
98
11

四個完全相同的揚聲器同時響時,其音量比兩個完全相同的揚聲器同時響時,高出多少分貝(dB)?

(A)3✓ 正解
(B)6
(C)9
(D)2
98
12

下列有關金氧半場效電晶體之敘述,何者正確?

(A)閘極至源極電容(Cgs)與汲極電流成正比
(B)閘極至汲極電容(Cgd)與電晶體閘極寬度成正比✓ 正解
(C)輸出電阻(ro)與汲極電流成正比
(D)互導(g m)與汲極電流成正比
98
13

如右圖所示,電路使用一個4X1 多工器可執行下述何交換函數f (x, y, z)?

(A)Σ(0,2,3,5,7)多工器I1I2I3I01xxxzyS0S1Yf (x, y, z)✓ 正解
(B)Σ(0,1,3,7)
(C)Σ(0,2,3,5)
(D)Σ(0,2,3,4,5,7)Vcc
98
14

如右圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路,則此為何種邏輯閘?

(A)OR 閘
(B)NOR 閘R2R4R1
(C)AND 閘Q3
(D)NAND 閘D3Q2VAQ1VOD1Q4VBR3D2✓ 正解
98
15

D 型正反器(D-type flip-flop)主要是使用下列何項功能?

(A)延遲✓ 正解
(B)加法
(C)乘法
(D)及閘(AND GATE)
98
16

如右圖之CMOS靜態隨機存取記憶元(SRAM cell)中,若V1=0V,則V2=?

(A)0VDD
(B)VDD/2WLBLM1V1V2
(C)VDDWL✓ 正解
(D)2 VDDLBM2
98
17

下列有關雙極性接面電晶體射極接面小訊號擴散電容之敘述,何者正確?

(A)隨射極電流上升而上升✓ 正解
(B)隨基極電流上升而下降
(C)隨基極摻雜濃度上升而下降
(D)與集極之多數載子濃度之變化有關
98
18

發光二極體(light emitting diode)所發光的顏色,主要是由下列何者所決定?

(A)外加電壓的大小
(B)外加電流的大小
(C)操作溫度
(D)材料本身能隙(energy bandgap)的大小✓ 正解
98
19

右圖電路可執行何種邏輯運算?VDD

(A)ANDBVOAVi基本放大器回授網路β
(B)OR
(C)NAND✓ 正解
(D)NOR
98
20

由p-n 接面二極體所形成的太陽電池和光偵測器,在操作上最大的差異為何?

(A)太陽電池在順偏操作,而光偵測器通常在逆偏操作✓ 正解
(B)太陽電池需要較大逆向偏壓,而光偵測器通常需要較小的反偏
(C)太陽電池需要產生光子,而光偵測器為接受光子
(D)太陽電池消耗功率較小,而光偵測器較大
98
21

下列那一種二極體具有穩壓功能?

(A)隧道二極體(tunnel diode)
(B)發光二極體(light emitting diode)
(C)稽納二極體(Zener diode)✓ 正解
(D)蕭特基二極體(Schottky diode)
98
22

一般而言,下列何者為射極隨耦器(Emitter Follower)之性質?

(A)電壓增益1✓ 正解
(B)電壓增益≈> 1
(C)電流增益≈1
(D)電流增益 < 1
98
23

BJT直流工作特性曲線中,在順向作用區(forward active region)時其I C值會隨VCE值增加而微增,此乃因何效應?

(A)歐姆效應
(B)布朗克效應(Planck effect)
(C)爾利效應(Early effect)✓ 正解
(D)愛因斯坦效應(Einstein effect)
98
24

某雙極性接面電晶體工作在VCE =10 V, IB =10 µA, IC =10 mA情況下,此電晶體之α值應為:

(A)0.968
(B)0.976
(C)0.989
(D)0.999✓ 正解
98
25

在雙極性接面電晶體中為了獲得整體特性的最佳設計,其射極(E)、基極(B)、集極(C)的摻雜濃度情況應為:

(A)E > B > C✓ 正解
(B)C > B > E
(C)B > E > C
(D)B > C > E
98
26

一負回授放大器的系統方塊圖如下所示,如與無回授放大器比較,下列何者不為此種系統具有之特性?

(A)頻寬增加
(B)雜訊減少
(C)失真減少
(D)增益增加✓ 正解
98
27

如右圖所示電路,電晶體之β=100,在vs=0 時,IB約為:

(A)10 mA
(B)10μA
(C)5μA✓ 正解
(D)1μA
98
28

如右圖所示電路,其中Vref >0 下列敘述何者為非?

(A)當Vi > -Vref時,Vo為負飽和
(B)當Vi < -Vref時,Vo為正飽和
(C)當Vi + Vref > 0 時,Vo為負飽和
(D)當Vi < Vref時,Vo為正飽和AVDDY+10V+10V5 kΩ5 kΩvoIBvs9.3 kΩ-10V+VccRViRVoVref-VEER✓ 正解
98
29

若右圖電路之輸入為一弦波,則輸出波型為:

(A)弦波C✓ 正解
(B)方波Vi
(C)三角波Vo
(D)定電壓
98
30

為使一差動放大器(Differential amplifier)的共模拒斥比CMRR 值變大,則應如何為之?

(A)減少基極電阻
(B)減少射極電阻
(C)加大射極電阻✓ 正解
(D)加大集極電阻
98
31

運算放大器的轉動率(slew rate)的單位為:

(A)RPM
(B)V/µs✓ 正解
(C)km/s
(D)rad/s
98
32

如右圖示之電路,若電晶體之β = 100,則此電晶體操作於:+10 V3 K

(A)截止模式(cut-off mode)
(B)作用模式(active mode)50 K
(C)飽和模式(saturation mode)✓ 正解
(D)反轉模式(inverted mode)+5 V
98
33

如右圖所示電路,若輸入電壓Vi為具正負值之弦波,則下列敘述何者為非?

(A)此電路為精密全波整流電路VoViDRvovsac linevoltage交流線電壓✓ 正解
(B)當輸入為正半週時(Vi>0),則D1導通,D2截止
(C)當輸入為負半週時(Vi<0),則D1截止,D2導通D2D1ViR1R2
(D)當輸入為負半週時(Vi<0),則輸出i12oVRRV−=Vo
98
34

若一個非理想運算放大器之差動電壓增益為100,則當右圖電路之Vi =1V時,輸出電壓(Vo)約等於:

(A)9.9 V
(B)1 V
(C)0.99 V✓ 正解
(D)0.9 V
98
35

右圖為一半波整流電路,設vs的頻率為60 Hz,請問整流後vo的漣波頻率為多少?

(A)30 Hz
(B)60 Hz✓ 正解
(C)120 Hz
(D)240 Hz
98
36

下列何者不是理想運算(OP)放大器之特性?

(A)開路增益無窮大
(B)頻寬無窮大
(C)輸出阻抗無窮大✓ 正解
(D)輸入阻抗無窮大
98
37

要構成一個全波整流電路至少要使用幾個p-n 接面二極體?

(A)一個
(B)二個✓ 正解
(C)三個
(D)四個
98
38

二極體變容器(varactor)使用時,應加上何種偏壓?

(A)逆向偏壓✓ 正解
(B)順向偏壓
(C)順逆向偏壓均可
(D)無需偏壓
98
39

如右圖所示為一個MOSFET放大器的小信號等效電路模型,此電路的電壓增益(vo / vi)為何?

(A)-gm(ro + RD)RDrogmVgsVgsvo
(B)-gm RD
(C)-gm ro RDvi
(D)-gm(ro // RD)✓ 正解
98
40

一般而言,增強型MOSFET 的通道為下列何種物理機制所形成?

(A)電場所產生的半導體型態 反轉✓ 正解
(B)電場所產生的崩潰
(C)電場所產生的漏電流
(D)電場所產生的發光
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