電子工程 110 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

110 年選

第 1 題

圖示為理想運算放大器之電路，R1 = R2= R3 = R4 = 1 kΩ、RL = 2 kΩ，試求輸出電壓vO 為若干V？

(A)-2✓ 正解

(B)-1

(C)0

(D)1

110 年選

第 2 題

下列元件特性何者會受到通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）的影響？

(A)雙極性接面電晶體（BJT）的輸出阻抗

(B)雙極性接面電晶體（BJT）的輸入阻抗

(C)金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸出阻抗✓ 正解

(D)金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸入阻抗

110 年選

第 3 題

若雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（Active Region）的電流放大率β= 100，當此電晶體工作在飽和區（Saturation Region）時，下列何者為其可能的電流放大率？

(A)50✓ 正解

(B)100

(C)101

(D)150

110 年選

第 4 題

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？

(A)VD1 接點✓ 正解

(B)VD2 接點

(C)VD 接點

(D)VE 接點

110 年選

第 5 題

有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓vI 的波形如下所示，VDD= 5 V，假設兩個電晶體QP、QN 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為|Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即noxpoxnpWWCCLL。試研判電晶體QP在時間t1 最可能的工作模式？

(A)飽和模式（Saturation mode）✓ 正解

(B)線性模式（Linear mode）

(C)次臨界模式（Subthreshold mode）

(D)截止模式（Cut-off mode）RLvOR2R1R3R4－1 V+1 V層層層層層層層~2 Vt2t1~4 V

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第 6 題

設計數位電路時，若採用NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形會使用到BJT 的那一種偏壓模式？

(A)飽和模式（Saturation mode）✓ 正解

(B)線性模式（Linear mode）

(C)順向主動模式（Forward active mode）

(D)逆向主動模式（Reverse active mode）

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第 7 題

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1 =βQ2 = 100。試研判電晶體Q2 的集極電流（collector current）比較高的時間點。

(A)0 與t1

(B)0 與T

(C)t1 與t2✓ 正解

(D)T 與t2

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第 8 題

欲使下圖的二極體元件順向導通，下列何種方法正確？

(A)A 腳應施加比B 腳更高電壓，使電子由A 腳流向B 腳

(B)A 腳應施加比B 腳更低電壓，使電子由A 腳流向B 腳

(C)A 腳應施加比B 腳更高電壓，使電流由A 腳流向B 腳✓ 正解

(D)A 腳應施加比B 腳更低電壓，使電流由A 腳流向B 腳

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第 9 題

如圖中NPN 雙極性電晶體，β=100。假設電晶體基射極的順偏電壓為0.7 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集射極電壓與下列何值最為接近？

(A)0.3 V

(B)0.7 V

(C)0.9 V✓ 正解

(D)3.0 V3 V1 kΩ10 kΩQ1~4 V~2 V~2 V~4 V

110 年選

第 10 題

如圖所示為一CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若兩個電晶體QN 與QP 特性相同；其小訊號轉導gm = 1 mA/V，ro = 20 kΩ，則小訊號輸入電阻約為多少？

(A)20 kΩ

(B)24 kΩ

(C)48 kΩ✓ 正解

(D)1 MΩ

110 年選

第 11 題

一個NPN 雙極性電晶體，其作用區之β=50，若操作在順向飽和區（forward saturation region），下列何者正確？

(A)集極電流與基極電流的比值為50

(B)集極對射極的電壓應為正值✓ 正解

(C)電流的方向為由射極流入集極

(D)基極對集極的電壓應為反偏

110 年選

第 12 題

如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q1 和Q2 的基極電阻rπ、射極電阻re、轉導gm、共基極電流增益α 和共射極電流增益β 均相同，試求輸入阻抗Rid = ？

(A)re

(B)2re

(C)rπ

(D)2rπ✓ 正解

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第 13 題

如圖所示，兩個由二極體-電容器所構成之倍壓電路（變壓器及二極體均視為理想），變壓器均輸入相同的弦波信號，電容器C1~C4 所跨電壓VC1~VC4 間之關聯性在下列選項中何者正確？

(A)VC1=VC2

(B)VC4=2VC3

(C)VC2=VC4

(D)VC1=VC4VDDQPvoQNviC = ∞1 MΩC = ∞vc1vc2vidRid✓ 正解

110 年選

第 14 題

如圖所示為理想箝位器，其輸入電壓vi(t)為介於-VA 伏特與VB 伏特的矩形週期波。若電容器跨壓為9伏特且輸出信號vo（t）的最大值為12 伏特，求VA+VB 之值？

(A)-3 V

(B)3 V

(C)6 V

(D)9 V✓ 正解

110 年選

第 15 題

將弦波信號輸入由二極體-電阻構成之半波整流電路（二極體視為理想）後，得到輸出信號vo(t)的峰值電壓Vo(p) = 12 volt，有關該vo(t)的有效值電壓Vo(rms) = A 伏特、平均值電壓Vo(dc) = B 伏特，及漣波電壓峰對峰值Vr(p-p) = C 伏特，漣波因素= r %等之敘述，下列何者均正確？

(A)A=8.48，B=3.82

(B)B=3.82，C=12✓ 正解

(C)C=12，r=50

(D)r=50，A=6

110 年選

第 16 題

如圖所示之電路，假如二極體之壓降為0.7 V，求二極體之逆向峰值電壓（PIV）為何？

(A)10 V

(B)12.74 V

(C)13.44 V✓ 正解

(D)14.14 V

110 年選

第 17 題

如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7 V，求其輸出電壓vout之漣波電壓（ripple voltage）值為何？

(A)11.47 V

(B)5.83 V

(C)3.57 V

(D)0.68 V✓ 正解

110 年選

第 18 題

當輸入電壓VIN = -3.5 V，求此電路的輸出電壓VOUT 為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為0.8 V。

(A)-4.2 V

(B)-5 V

(C)-2 V

(D)-1.2 Vrmsoutoutrms✓ 正解

110 年選

第 19 題

下列敘述對於如圖所示二極體的整流電路何者正確？

(A)VOUT 的漣波（ripple）大小反比於CL✓ 正解

(B)VOUT 的漣波（ripple）大小正比於RL

(C)VOUT 的漣波（ripple）大小正比於VIN 的頻率

(D)VOUT 的漣波（ripple）大小反比於二極體的開啟電壓（turn-on voltage）

110 年選

第 20 題

如圖所示之箝位電路，已知電壓VE 為11V，電阻R = 1kΩ、RL = 1kΩ，並假設理想稽納二極體的崩潰導通電壓VZ = 7V，則流過電阻RL之電流為何？

(A)0 mA

(B)2.75 mA

(C)5.5 mA✓ 正解

(D)11 mA

110 年選

第 21 題

如圖所示之理想二極體電路，若RL = 1 kΩ，V1 = 2 V、V2 = -2 V、V3 = 4 V，則流經電阻的電流為何？

(A)1 mA

(B)2 mA

(C)3 mA

(D)4 mA✓ 正解

110 年選

第 22 題

下圖電路中輸入信號為弦波，vi (t) = 5 sin 10t 伏特，二極體D1 與D2 之導通電壓均為0.7 伏特，導通電阻均為0 Ω。電壓vo(t)最大值為多少伏特？

(A)5

(B)2.7✓ 正解

(C)2.3

(D)0IL

110 年選

第 23 題

如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為1 mA，電晶體M1 與M2 之參數如下：μn1Cox=μn2Cox= 200 μA/V2 ，VTH1 = VTH2 = 0.4V 且 λ1 =λ2 = 0.1 V-1；求此放大器電路之小信號輸出電阻Rout 之值為何？

(A)619 Ω✓ 正解

(B)719 Ω

(C)819 Ω

(D)919 Ω

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第 24 題

如圖所示之回授偏壓共源極放大器之增益（vo/vi）為何？假設汲極電流ID= 1 mA，MOSFET 的VTH＝0.5 V。

(A)-3

(B)-4✓ 正解

(C)-5

(D)-6

110 年選

第 25 題

於BJT 的小訊號模型中，下列敘述何者錯誤？

(A)轉導(gm)與集極電流成正比

(B)輸出電阻(ro)與集極電流成正比✓ 正解

(C)輸入電阻(rπ)與電流增益(β)成正比

(D)輸入電阻(rπ)與基極電流成反比

110 年選

第 26 題

如圖所示為一共源極放大器及其偏壓電路，電晶體操作在飽和區，其汲極電流ID 為何？

(A)15 mA

(B)25 mA✓ 正解

(C)35 mA

(D)45 mA

110 年選

第 27 題

下列BJT 放大器的組態中，何者有較大的輸出阻抗？

(A)共射極（common-emitter）組態

(B)共基極（common-base）組態

(C)共集極（common-collector）組態

(D)疊接（cascode）組態outvin✓ 正解

110 年選

第 28 題

對於一共源極放大器的特性，下列敘述何者錯誤？

(A)電壓增益正比於負載電阻

(B)電壓增益正比於轉導

(C)輸出與輸入訊號同相✓ 正解

(D)輸入阻抗可極大

110 年選

第 29 題

若雙極性電晶體（BJT）的ICBO 值為10 nA，而其ICEO 為1 μA，試求此電晶體的β 值約為：

(A)0.01

(B)10

(C)100✓ 正解

(D)150

110 年選

第 30 題

如圖所示之電晶體偏壓電路，是屬於何種組態電路？

(A)共源極

(B)共射極

(C)共基極

(D)共集極✓ 正解

110 年選

第 31 題

如圖所示之電晶體放大電路，基-射極接面於導通時所跨電壓視為定值（0.6 V），求輸出電壓VO 約為多少？

(A)1.2 V

(B)4.8 V

(C)6 V✓ 正解

(D)7.2 V

110 年選

第 32 題

相較於共射極（CE）放大器，下列有關共集極（CC）放大器的敘述，何者正確？

(A)電壓增益較大

(B)頻率響應較差

(C)輸出阻抗較小✓ 正解

(D)較常應用於差動放大器

110 年選

第 33 題

下列那一種β 與A 的關聯性條件滿足巴克豪森準則（Barkhauson criterion）？其中β 為回授網路因子，而A 為基本放大器之電壓增益。

(A)相位180 度的β=0.2 及相位180 度的A=0.2

(B)相位0 度的β=-0.2 及相位0 度的A=5

(C)相位180 度的β=0.1 及相位-180 度的A=0.1

(D)相位0 度的β=-0.1 及相位180 度的A=10✓ 正解

110 年選

第 34 題

圖示運算放大器組成的電路，vO 為輸出波形，本電路為：

(A)反相放大器

(B)同相放大器

(C)調諧放大器

(D)雙穩態電路vOR2R1vI✓ 正解

110 年選

第 35 題

有關圖示電路之敘述，下列何者正確？

(A)調諧放大電路

(B)低通電路

(C)緩衝器電路

(D)無穩態電路✓ 正解

110 年選

第 36 題

圖示電路，當電路正常工作時，電壓va 的波形為何？

(A)弦波

(B)方波✓ 正解

(C)三角波

(D)階梯波

110 年選

第 37 題

關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？

(A)射極電阻的旁路電容（bypass capacitor）會使放大器增益值在高頻下降✓ 正解

(B)電晶體基射極接面電容對放大器的低頻響應沒有影響

(C)放大器增益值在高頻3 dB 頻率下，會有約30%的下降

(D)放大器輸入與輸出信號在低頻3 dB 頻率下，會有約45 度的相位差

110 年選

第 38 題

關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？

(A)RC 耦合的方式使各級放大器的偏壓互不影響

(B)RC 耦合主要是靠電容來阻隔直流的電流

(C)RC 耦合的電容也會限制高頻的截止頻率✓ 正解

(D)RC 耦合的電容越大其所對應的低頻極點頻率（pole frequency）越低

110 年選

第 39 題

如圖所示為一用理想的OP AMP 組成之相移振盪器（phase-shift oscillator）。設R = 10 kΩ，C=16 nF，K =20，求振盪頻率（選最接近之值）？

(A)573 Hz✓ 正解

(B)994 Hz

(C)3610 Hz

(D)6250 Hz

110 年選

第 40 題

已知一運算放大器（OPA）的直流增益為100 dB 及其-3 dB 的頻寬fβ，試問在頻率f = fβ 時，該OPA的相位角為多少度？

(A)+90 度

(B)-90 度

(C)+45 度

(D)-45 度KRRRRCCC－＋vovbvaR2R1RRR2R1vO✓ 正解