電子工程 97 年電子學大意考古題

在共射極放大器組態中，經常會在射極端的外加電阻並聯一旁路電容（Bypass capacitor）。此電容最主要功能為何？

兼具電壓放大與電流放大作用的雙極性接面電晶體電路組態是：

圖示電路中，已知K = 2 mA/V2，且臨限電壓（threshold voltage）Vt = -2 V，則源極端電壓為：（提示：ID = K(VGS – Vt)2）

若BJT 功率放大電路中，其直流電路之ICQ = 1 mA，β = 100，此時交流電路之rπ 應為：

如圖所示為何種電路？

如圖所示電路，其中R1 = 10 kΩ，C1 = 0.001 µF，R2 = 10 kΩ，R3 = 20 kΩ，其振盪頻率約為：

如圖電路發生振盪時，則vo 輸出波形為：

信號產生器產生單一脈波時，是下列何者振盪？

採用電容耦合之電晶體放大器，在低頻時的頻率響應，主要由下列何項決定？

如圖所示之串級電路，已知β1 = β2 = 50，則此放大器的電流增益為：

下列何者為SR 正反器真值表？

下列何種電容會影響放大器低頻響應？

如圖所示之CMOS 反相器，其傳播延遲（propagation delay）tp 與VDD 的關係為何？

ECL 閘電路的兩個輸出是：

如圖示之隨機存取記憶體（RAM）電路，下列敘述何者正確？

當雙極性接面電晶體之B-E 接面順偏、B-C 接面順偏，此時電晶體是操作在那種區域模式？

雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode），由厄列（Early）效應可知IC與VCE之關係為何？

右圖之CMOS 靜態隨機存取記憶元（SRAM cell），下列何方法一定可提高寫入速度？

關於RAM 與ROM 的敘述，下列何者錯誤？

為何在雙極性接面電晶體進入飽和區操作時，操作速度嚴重變慢？

圖所示之電路中，BJT 電路之Vo 值約為：

一達靈頓電路如右圖，已知Q1、Q2 的hfe = 100，hie = 1 kΩ，hoe = 40 kΩ，則其電流增益Ai = io / ib 值約為：

如圖所示的運算放大器應用電路，其電壓增益，==ioVvvA？

如圖所示電路，當輸入之正弦波信號在正半週時，則下列敘述何者正確？

有一串接的兩級放大器，其中第一級放大器之電壓增益為60 dB，第二級放大器之電壓增益為20 dB，若在第一級放大器輸入端加入峰值為2 µV 的電壓輸入信號，且串接放大器無負載效應，則在第二級放大器輸出端之電壓輸出信號的峰值為多少？

如圖所示，若欲降低運算放大器之輸入偏壓電流效應，加入電阻R3，則R3 與R1、R2 間之關係為何？

由運算放大器，電容及電阻組成的微分器，若輸入電壓波形為一三角波時，則輸出電壓波形為：

右圖電路中的運算放大器之輸入偏壓電流為1 µA，則右圖電路之Vo – Vi 等於：

設如圖電路之運算放大器為理想的，則由輸入VI 看進去的電阻為：

右圖為一差動放大電路，若所有電晶體完全相同（當電晶體導通時，｜vBE︱= 0.7 V、α ≅1），則vE 值為何？

承上題，電晶體Q1 側的vC1 電壓值應為多少？

承上題，該差動放大電路之電晶體Q2 側的vC2 電壓值應為多少？

已知一個全波整流器的輸入電源為60 Hz，設計輸出尖峰電壓為10 V，負載阻抗為10 kΩ，如要求輸出電壓漣波要小於0.2 V，則其並聯電容至少要大於：

右列FET 電路操作於何種區域？

假設使用理想的電容，並將二極體（diode）視為一理想開關，今輸入交流信號vi = 10 sin(ωt) V，則右列電路圖的輸出電壓vo 在穩態（steady state）時最為接近的電壓值為：

在下列MOSFET 放大器組態中，何者之電壓增益Av 為最小？

pn 接面二極體的逆向飽和電流Is，隨pn 兩側雜質濃度的增大而有何變化？

若Vt 為臨限電壓（threshold voltage），則n 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體在何種條件下是在飽和區（saturation region）下操作？

在MOSFET 之各參數已確定的情況下，當工作於飽和區（saturation region）時，其跨導gm 與汲極電流ID之間的關係為何？