電子工程 97 年積體電路技術考古題

在西元2007 年，某一國際知名半導體公司宣布推出一最先進之NAND 型快閃記憶 體（NAND Flash memory）單一晶片，該晶片係以50 奈米（nm）製程製作，內含 160 億個位元（bit）。試說明每一位元約占多少面積？（6 分）如一位元的電路為 正方形的話，則其長度約為多少倍的線寬？（6 分）

在實際應用中除第一題中所提及的NAND 型快閃記憶體，尚有一種NOR 型快閃記 憶體，試說明此兩者之間電路架構的相異之處，（10 分）並詳述此二種記憶體之各 自應用範圍有何不同。（10 分）

以一N-well CMOS 製程為例，說明製作一PMOS 電晶體所需之各項步驟。（20 分）

請解釋下列名詞：（每小題8 分，共48 分） ㈠Diffusion ㈡光阻 ㈢LDD structure ㈣Hot electron ㈤Tunneling ㈥E-beam lithography and its advantage