電子工程 107 年積體電路技術考古題
跨年同科91-115
題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。
試題5 題
107 年申
第 1 題何謂短通道效應？何謂DIBL？如何克服這些效應？（20 分）
107 年申
第 2 題什麼是MOSFET 的串接電阻？串接電阻太大會有什麼影響？如何降低 串接電阻？請說明並畫出示意圖。（20 分）
107 年申
第 3 題現在半導體技術的主流是鰭式場效應電晶體（FinFET），未來技術節點 可能應用垂直奈米線金氧半場校體（Nanowire MOSFET），為什麼要用 FinFET 和Nanowire MOSFET？試繪出其架構圖，並描述主要目的。（20 分）
107 年申
第 4 題積體電路製程中，主要有那三種隔離技術？請繪圖說明之。（20 分）
107 年申
第 5 題電路或系統中利用LOW POWER SUPPLY 會有何優缺點？為什麼？元 件如何設計才能充分利用LOW POWER SUPPLY 來達成低功率消耗？ （20 分）
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