電子工程 94 年積體電路技術考古題

以典型之P 型矽基板、N 井（Well）結構之CMOS 製程，如擬完成下圖的電路製作， 按合理的製程步驟順序，具體條列所需的各層光罩名稱與其使用目的，並畫出對應 之元件完成剖面圖。其中，R1 為P+擴散電阻、M1 為增強型NMOS 電晶體。 （24 分） 單電晶體放大器圖

請說明CMOS 製程中，多晶矽層薄膜之製作方法，並列舉至少三種多晶矽層在CMOS 電路與製程中之用途。（16 分）

請具體詳述「濕式蝕刻（Wet etching）」與「乾式蝕刻（Dry etching）」等技術之特性、 優缺點與用途。（20 分）

請以P 型矽基板、N 井（Well）結構之CMOS 製程為例，詳述CMOS 電路之閂鎖（Latch up）效應如何產生？以及有那些製程方法可以減少閂鎖現象的發生？（20 分）

請解釋下列名詞，並簡述其在積體電路結構之重要性或性能之衝擊：(每小題5 分， 共20 分) ㈠STI ㈡Electromigration ㈢CMP ㈣Spacer R1 VDD VIN VOUT M1